JP5398914B2 - チョッパ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、蓄電コンデンサとの間で充放電が可能なチョッパ装置に関する。
負荷側で発生した回生エネルギーを蓄積して再利用できるようにしたり、電力系統から受電する電力を平準化できるようにするために、インバータにチョッパを接続する方法がある(特許文献1)。
特開2009−27763号公報
しかしながら、上記従来の技術によれば、インバータの直流母線の正極側と負極側との間にチョッパが接続されるため、チョッパ側では直流母線電圧しか検出することができなかった。そのため、直流母線電圧が低くなった場合、チョッパ側では、それが力行による電圧低下なのか、系統電圧が低下したことによる電圧低下なのか区別することが困難だった。
この結果、チョッパにて受電電力を平準化させるには、系統電圧の低下時に、放出指令と、どの程度放出すべきかを指示する放出量指令を外部からチョッパに与え、チョッパをエネルギー放出方向で動作させる必要があった。
放出指令と放出量指令を外部からチョッパに与えるには、インバータがどの程度の負荷で力行しているかを検出した上で、必要な放出量指令を決定する必要があり、そのための検出器やコントローラをチョッパとは別に用意しなければならなかった。また、それらの検出器やコントローラの増設が難しい既設設備では、チョッパにて受電電力を平準化させるのが困難だった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、インバータがどの程度の負荷で力行しているかをチョッパ外で検出させることなく、インバータの力行状態をチョッパ側で判断することが可能なチョッパ装置を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチョッパ装置は、直流母線から供給される直流電圧の通電経路を断続することで充放電を行うチョッパ装置において、前記直流母線の分断箇所の一端に接続可能な第1の正側直流端子と、前記分断箇所の他端に接続可能な第2の正側直流端子が設けられ、前記直流母線の電流が前記第1の正側直流端子を介して前記チョッパ装置内に引き込まれ、前記第2の正側直流端子を介して前記直流母線に戻されることを特徴とする。
この発明によれば、インバータがどの程度の負荷で力行しているかをチョッパ外で検出させることなく、インバータの力行状態をチョッパ側で判断することが可能という効果を奏する。
図1は、本発明に係るチョッパ装置およびインバータの実施の形態の概略構成を示す回路図である。 図2は、図1のチョッパ装置のチョッパ制御方法を示すフローチャートである。
以下に、本発明に係るチョッパ装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
図1は、本発明に係るチョッパ装置およびインバータの実施の形態の概略構成を示す回路図である。図1において、インバータ2には、整流回路7、平滑コンデンサC1、アーム回路8および突入電流防止回路6が設けられている。
そして、整流回路7には交流電源1が接続され、アーム回路8には負荷3が接続されている。また、整流回路7の後段には、平滑コンデンサC1を介してアーム回路8が接続されている。なお、負荷3は、交流モータであってもよいし、交流で動作する電子機器であってもよい。
ここで、整流回路7には整流ダイオードD11〜D16が設けられ、整流ダイオードD11、D12は互いに直列接続され、整流ダイオードD13、D14は互いに直列接続され、整流ダイオードD15、D16は互いに直列接続されている。
そして、整流ダイオードD11、D12の直列回路と、整流ダイオードD13、D14の直列回路と、整流ダイオードD15、D16の直列回路とは、直流母線の正側と負側の間に接続されている。
また、整流ダイオードD11、D12の接続点と、整流ダイオードD13、D14の接続点と、整流ダイオードD15、D16の接続点とは、3相電圧入力端子R、S、Tにそれぞれ接続されている。
また、アーム回路8にはスイッチング素子M1〜M6および還流ダイオードD1〜D6が設けられている。還流ダイオードD1〜D6は、スイッチング素子M1〜M6にそれぞれ並列に接続されている。また、スイッチング素子M1、M2は互いに直列接続され、スイッチング素子M3、M4は互いに直列接続され、スイッチング素子M5、M6は互いに直列接続されている。
そして、スイッチング素子M1、M2の直列回路と、スイッチング素子M3、M4の直列回路と、スイッチング素子M5、M6の直列回路とは、直流母線の正側と負側の間に接続されている。
また、スイッチング素子M1、M2の接続点と、スイッチング素子M3、M4の接続点と、スイッチング素子M5、M6の接続点とは、3相電圧出力端子U、V、Wにそれぞれ接続されている。
また、整流回路7とアーム回路8との間には突入電流防止回路6が挿入されている。ここで、突入電流防止回路6には、スイッチSWと抵抗Rが設けられ、スイッチSWと抵抗Rは互いに並列に接続されている。
また、整流回路7と突入電流防止回路6との間において、インバータ2の正側の直流母線は分断されている。そして、インバータ2の正側の直流母線の分断箇所の一端には正側直流端子P1が設けられ、インバータ2の正側の直流母線の分断箇所の他端には正側直流端子Pが設けられている。インバータ2の負側の直流母線には負側直流端子Nが設けられている。なお、正側直流端子P1、Pには、直流母線上のリップルを減らすリアクトルをインバータ2に外付けすることができる。分断箇所は、突入電流防止回路6とアーム回路8との間としてもよい。
また、チョッパ4には、スイッチング素子M21、M22、還流ダイオードD21、D22およびインダクタLが設けられている。還流ダイオードD21、D22は、スイッチング素子M21、M22にそれぞれ並列に接続されている。また、スイッチング素子M21、M22は互いに直列接続されている。そして、スイッチング素子M21、M22の直列回路は、チョッパ4の直流母線の正側と負側の間に接続されている。
なお、スイッチング素子M1〜M6、M21、M22としては、電界効果トランジスタを用いるようにしてもよいし、バイポーラトランジスタを用いるようにしてもよいし、IGBTを用いるようにしてもよい。また、スイッチング素子M21、M22の材料は、炭化珪素系材料、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体を用いるようにしてもよい。
ここで、スイッチング素子M21、M22の材料にワイドバンドギャップ半導体を用いることにより、スイッチング素子M21、M22の損失を大きく低減することが可能となるとともに、高温での動作にも耐えられるようにすることができる。このため、冷却用基体を介在させたり、ファンやフィンなどの冷却機構を外部に設けたりすることなく、スイッチング素子M21、M22を実装することが可能となる。
そして、スイッチング素子M21、M22の直列回路には平滑コンデンサC2が並列に接続されている。また、スイッチング素子M21、M22の接続点と充放電端子CPとの間にはインダクタLが接続されている。
また、チョッパ4には、正側直流端子P1´、P´および負側直流端子N´、N´´が設けられている。ここで、正側直流端子P1´、P´は、正側直流端子P1、Pに接続することができる。そして、正側直流端子P1´、P´はチョッパ4の正側の直流母線に接続され、インバータ2の直流母線の電流が正側直流端子P1´を介してチョッパ4内に引き込まれ、正側直流端子P´を介してインバータ2の直流母線に戻されるように構成されている。
また、負側直流端子N´、N´´は、チョッパ4の負側の直流母線に接続されている。そして、負側直流端子N´は負側直流端子Nに接続され、負側直流端子N´と充放電端子CPとの間には蓄電コンデンサC3が接続されている。なお、蓄電コンデンサC3の代わりに2次電池などの蓄電器を用いるようにしてもよい。
また、チョッパ4には、インバータ2の直流母線の電流Idcを検出する電流センサK1、インダクタLの電流Icapを検出する電流センサK2および直流母線の電流Idcの検出値と、直流母線の電圧Vdcの検出値と、インダクタLの電流Icapの検出値とに基づいて、スイッチング素子M21、M22のデューティを制御するスイッチング制御部5が設けられている。
インバータ2において、交流電源1から供給された交流が整流回路7にて整流され、平滑コンデンサC1にて平滑化されることで直流に変換される。そして、平滑コンデンサC1を介して出力された直流はスイッチング素子M1〜M6のスイッチング動作に従って断続されることで交流に変換され、負荷Mに出力される。
ここで、インバータ2の起動時にはスイッチSWがオフされ、抵抗Rを介して整流回路7から電流を流出させることにより、突入電流が防止される。そして、平滑コンデンサC1が所定値以上だけ充電され、突入電流が起こらない状態になると、スイッチSWがオンされる。
また、チョッパ4は、インバータ2側で不足するエネルギーを蓄電コンデンサC3からインバータ2に放電させたり、インバータ2側で余ったエネルギーを蓄電コンデンサC3に充電させたりする。
図2は、図1のチョッパ装置のチョッパ制御方法を示すフローチャートである。図2において、直流母線の電圧はスイッチング制御部5に入力され、直流母線の電圧Vdcを検出する(ステップS1)。
そして、スイッチング制御部5は、直流母線の電圧Vdcの検出値が基準値Vrefを超えたかどうかを判断し(ステップS2)、直流母線の電圧Vdcの検出値が基準値Vrefを超えた場合には、蓄電コンデンサC3に充電が行われるようにスイッチング素子M21、M22のデューティを制御する。
すなわち、スイッチング制御部5は、充電ゲインをKとすると、以下の式にてチョッパ4の直流母線の電流Ichの指令値Ichを計算し、基準値Vrefに対する電圧Vdcの超過分に比例する電流をチョッパ4を介して吸収する(ステップS3)。
Ich=(Vref−Vdc)×K
これにより、回生エネルギーが増大した場合には、それに応じてチョッパ4を介して吸収されるエネルギーを増大させることができ、回生エネルギーを再利用することを可能として、省エネルギー化を図ることができる。
次に、チョッパ4の直流母線の電流Ichの指令値IchをインダクタLの電流Icapの指令値Icapに変換する(ステップS4)。そして、インダクタLの電流Icapの検出値がインダクタLの電流Icapの指令値Icapに近づくようにチョッパ電流制御を行うことで(ステップS5)、スイッチング素子M21、M22のデューティを設定する(ステップS6)。
なお、チョッパ4の直流母線の電流Ichの指令値IchをインダクタLの電流Icapの指令値Icapに変換することにより、チョッパ4の直流母線の電流Ichを検出する必要がなくなる。このため、チョッパ4の直流母線の電流Ichの変動の影響を受けることなく、スイッチング素子M21、M22のデューティを設定することができ、チョッパ電流制御を安定させることができる。
一方、直流母線の電圧Vdcの検出値が基準値Vref以下の場合、スイッチング制御部5は、直流母線の電流Idcを検出する(ステップS7)。そして、ローパスフィルタを介して直流母線の電流Idcの検出値からリプッル成分を除去した後(ステップS8)、直流母線の電流Idcの検出値が0を超えたかどうかを判断し(ステップS9)、直流母線の電流Idcの検出値が0以下の場合には、インダクタLの電流Icapの検出値が0になるようにスイッチング素子M21、M22のデューティを制御する。
すなわち、スイッチング制御部5は、直流母線の電流Ichの指令値Ichを0に設定し(ステップS14)、ステップS4に進む。
一方、直流母線の電流Idcの検出値が0を超えた場合、負荷平準化モードとして定率アシストモードまたは上限制限モードを選択する(ステップS10)。なお、負荷平準化モードは、インバータ2の力行時に必要となるエネルギーの一部または全てをチョッパ4を介して供給し、インバータ2の入力電力の平準化を図るモードである。
ここで、定率アシストモードが選択された場合、蓄電コンデンサC3から直流母線の電流Idcの一部が供給されるようにスイッチング素子M21、M22のデューティを制御する。
すなわち、スイッチング制御部5は、アシスト係数をαとすると、以下の式にてチョッパ4の直流母線の電流Ichの指令値Ichを計算し、直流母線の電流Idcに比例する電流をチョッパ4を介して放電する(ステップS11)。
Ich=Idc×α
一方、上限制限モードが選択された場合、直流母線の電流Idcの検出値が上限値Imaxを超えたかどうかを判断し(ステップS12)、直流母線の電流Idcの検出値が上限値Imax以下の場合には、ステップS14に進み、インダクタLの電流Icapの検出値が0になるようにスイッチング素子M21、M22のデューティを制御する。
一方、直流母線の電流Idcの検出値が上限値Imaxを超えた場合、直流母線の電流Idcの検出値が上限値Imaxを超えないように蓄電コンデンサC3から直流母線の電流Idcの不足分が供給されるようにスイッチング素子M21、M22のデューティを制御する。
すなわち、スイッチング制御部5は、以下の式にてチョッパ4の直流母線の電流Ichの指令値Ichを計算し、上限値Imaxに対する電流Idcの超過分に対応する電流をチョッパ4を介して放電する(ステップS13)。
Ich=Idc−Imax
なお、蓄電コンデンサC3に充電を行う場合、スイッチング素子M21をスイッチング動作させる。そして、スイッチング素子M21のオン期間には、直流母線からスイッチング素子M21を介してインダクタLに電流Icapを正方向に流すことで、蓄電コンデンサC3に充電することができる。また、スイッチング素子M21のオフ期間には、インダクタLから蓄電コンデンサC3および還流ダイオードD21を順次介して電流Icapを正方向に流しインダクタLに戻すことで、電流Icapを循環させることができる。
また、蓄電コンデンサC3から放電を行う場合、スイッチング素子M22をスイッチング動作させる。そして、スイッチング素子M22のオン期間には、蓄電コンデンサC3からインダクタLおよびスイッチング素子M22を順次介して電流Icapを負方向に流すことで、インダクタLに電磁エネルギーを蓄積することができる。また、スイッチング素子M22のオフ期間には、蓄電コンデンサC3からインダクタLおよび還流ダイオードD21を順次介して直流母線に電流Icapを負方向に流すことで、蓄電コンデンサC3から放電させることができる。
ここで、直流母線の電流Idcをインバータ2からチョッパ4に引き込むことにより、インバータ2がどの程度の負荷3で力行しているかをチョッパ4外で検出させることなく、インバータ2の力行状態をチョッパ4側で判断することが可能となる。このため、放出指令と放出量指令を外部からチョッパ4に与えることなく、負荷平準化モードでチョッパ4を動作させることができ、放出指令と放出量指令を与える検出器やコントローラをチョッパとは別に用意する必要がなくなることから、システム構成を簡略化することが可能となるとともに、それらの検出器やコントローラの増設が難しい既設設備においても適用することができる。
また、直流母線の電流Idcをインバータ2からチョッパ4に引き込むために、正側直流端子P1、Pに接続可能な正側直流端子P1´、P´をチョッパ4に設けることにより、インバータ2の構成を変更する必要がなくなり、既存のインバータ2に容易に適用することができる。
以上のように本発明に係るチョッパ装置は、インバータがどの程度の負荷で力行しているかをチョッパ外で検出させることなく、インバータの力行状態をチョッパ側で判断することができ、チョッパにてインバータをアシストさせる方法に適している。
1 交流電源
2 インバータ
3 負荷
4 チョッパ
5 スイッチング制御部
6 突入電流防止回路
7 整流回路
8 アーム回路
D1〜D6、D21、D22 還流ダイオード
D11〜D16 整流ダイオード
M1〜M6、M21、M22 スイッチング素子
P、P1、P´、P1´ 正側直流端子
N、N´、N´´ 負側直流端子
CP 充放電端子
SW スイッチ
R 抵抗
C1、C2 平滑コンデンサ
L インダクタ
C3 蓄電コンデンサ
K1、K2 電流センサ

Claims (13)

  1. 直流母線から供給される直流電圧の通電経路を断続することで充放電を行うチョッパ装置において、
    前記直流母線の分断箇所の一端に接続可能な第1の正側直流端子と、前記分断箇所の他端に接続可能な第2の正側直流端子が設けられ、前記直流母線の電流が前記第1の正側直流端子を介して前記チョッパ装置内に引き込まれ、前記第2の正側直流端子を介して前記直流母線に戻されることを特徴とするチョッパ装置。
  2. 前記直流母線の分断箇所は前記チョッパ装置が接続されるインバータに設けられていることを特徴とする請求項1に記載のチョッパ装置。
  3. 前記直流母線の分断箇所は、前記直流母線上のリップルを減らすリアクトルが接続可能であることを特徴とする請求項2に記載のチョッパ装置。
  4. 前記第1の正側端子を介して前記直流母線の電流を前記チョッパ装置内に引き込む引き込み線には、前記直流母線の電流を検出する電流センサが設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のチョッパ装置。
  5. 前記直流母線の前記第1の正側直流端子と負側直流端子との間に接続された第1および第2のスイッチング素子の直列回路と、
    第1および第2のスイッチング素子の接続点と充放電端子との間に接続されたインダクタと、
    前記直流母線の電流検出値と、前記直流母線の電圧検出値と、前記インダクタの電流検出値とに基づいて、前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御するスイッチング制御部とを備えることを特徴とする請求項4に記載のチョッパ装置。
  6. 前記スイッチング制御部は、前記直流母線の電圧検出値が基準値を超えた場合、前記充放電端子に接続された蓄電器に充電が行われるように前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御することを特徴とする請求項5に記載のチョッパ装置。
  7. 前記スイッチング制御部は、前記直流母線の電圧検出値が基準値以下かつ前記直流母線の電流検出値が0以下の場合、前記インダクタの電流検出値が0になるように前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御することを特徴とする請求項5または6に記載のチョッパ装置。
  8. 前記スイッチング制御部は、前記直流母線の電圧検出値が基準値以下かつ前記直流母線の電流検出値が0を超えている場合、前記充放電端子に接続された蓄電器から前記直流母線の電流の一部が供給されるように前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御することを特徴とする請求項5から7のいずれか1項に記載のチョッパ装置。
  9. 前記スイッチング制御部は、前記直流母線の電圧検出値が基準値以下かつ前記直流母線の電流検出値が0を超えている場合、前記直流母線の電流検出値が上限値を超えないように前記充放電端子に接続された蓄電器から前記直流母線の電流の不足分が供給されるように前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御することを特徴とする請求項5から8のいずれか1項に記載のチョッパ装置。
  10. 前記スイッチング制御部は、前記直流母線の電圧検出値が基準値以下かつ前記直流母線の電流検出値が前記上限値を超えている場合、前記インダクタの電流検出値が0になるように前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御することを特徴とする請求項9に記載のチョッパ装置。
  11. 前記スイッチング制御部は、前記直流母線側の電流指令値を前記インダクタ側の電流指令値に変換し、前記インダクタの電流検出値が前記インダクタ側の電流指令値に近づくように前記第1および第2のスイッチング素子のデューティを制御することを特徴とする請求項9に記載のチョッパ装置。
  12. 前記第1および第2のスイッチング素子はワイドバンドギャップ半導体で構成されていることを特徴とする請求項5から11のいずれか1項に記載のチョッパ装置。
  13. 前記ワイドバンドギャップ半導体は炭化珪素系材料、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項12に記載のチョッパ装置。
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