JP5394403B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
本願は、2009年1月9日に出願された特願2009−004022号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。The present invention relates to a plasma processing apparatus.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2009-004022 for which it applied on January 9, 2009, and uses the content here.
従来から、プラズマを用いて原料ガスを分解し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
このプラズマCVD装置を用いて太陽電池、特にマイクロクリスタルシリコン(μc−Si)を利用した太陽電池を製造する際には、生産性の観点から成膜速度の高速化が必要である。
成膜速度の高速化を実現するためには、成膜ガスを基板表面に噴出するシャワープレート表面と基板表面との距離を狭くした状態(ナローギャップ)における高圧枯渇法が有効である。
例えば、図3に示すように、従来のプラズマCVD装置100においては、基板10の周縁部及びシャワープレート105の周縁部に絶縁材で形成されたマスク部材135,143が配置された状態で成膜が行われていた。
このマスク部材135,143は、成膜空間において発生するプラズマが電極間(シャワープレート105と基板10との間)以外へ拡散することを抑制するため、つまり、プラズマを成膜空間内に閉じ込めるために設けられている。
また、CVD装置内に配置された構成部材の各々が熱膨張することで、各部材間で摩擦が生じる。その摩擦に起因して発生するパーティクルを極力減らすためにマスク部材135,143が設けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, a plasma CVD apparatus that decomposes a source gas using plasma and forms a thin film on a substrate is known (see, for example, Patent Document 1).
When manufacturing a solar cell, particularly a solar cell using microcrystal silicon (μc-Si), using this plasma CVD apparatus, it is necessary to increase the deposition rate from the viewpoint of productivity.
In order to increase the deposition rate, a high-pressure depletion method is effective in a state where the distance between the shower plate surface for ejecting deposition gas to the substrate surface and the substrate surface is narrow (narrow gap).
For example, as shown in FIG. 3, in the conventional
The
Further, each of the constituent members arranged in the CVD apparatus is thermally expanded, so that friction is generated between the members.
ところで、従来のプラズマCVD装置100においては、表面135cを有するマスク部材135が、基板10の周縁部に設けられている。また、表面143aを有するマスク部材143は、表面105aを有するシャワープレート105の周縁部に設けられている。また、シャワープレート105の表面105aと基板10の上面10aとが対向するようにシャワープレート105と基板10とが配置されている。
このような従来の構成において、特に基板10の鉛直方向においては、表面135cと表面105aとの距離は、上面10aと表面105aとの距離よりも小さく、表面143aと表面135cとの距離は、表面105aと表面135cとの距離よりも小さい。
従って、基板10の上面10aとシャワープレート105の表面105aとの間の距離を例えば10mm以下に設定して成膜を行うナローギャッププロセスを実現することが困難である。Incidentally, in the conventional
In such a conventional configuration, particularly in the vertical direction of the
Therefore, it is difficult to realize a narrow gap process in which film formation is performed with the distance between the
具体的には、厚さが薄くなるように加工されたマスク部材135,143を従来のプラズマCVD装置100に用いた場合、マスク部材135,143の割れが頻発するという問題がある。
また、従来のプラズマCVD装置100の構成を変えずに、このプラズマCVD装置100において基板10とシャワープレート105との距離をナローギャップとして設定すると、互いに対向するマスク部材135,143間の距離がかなり狭くなる。その結果、成膜ガスが排気される経路(ギャップ)が狭くなる。
つまり、例えば、P層,I層,及びN層を連続的に成膜する工程のように、互いに異なる複数種類の膜を同じチャンバ内で形成する場合、電極間距離(基板10とシャワープレート105との距離)を少し変化させるだけで、コンダクタンスが大きく変動する。このため、コンダクタンスの変動に伴ってガスの流れの面内均一性が不安定になり、膜厚が不均一になるという問題がある。Specifically, when the
If the distance between the
That is, for example, when a plurality of different types of films are formed in the same chamber as in the process of continuously forming the P layer, the I layer, and the N layer, the distance between the electrodes (the
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができるプラズマ処理装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a plasma processing apparatus capable of confining plasma between electrodes even when a narrow gap process is performed.
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置であって、
プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、
基板が載置される第1ベース面,前記第1ベース面の周縁部に設けられた第2ベース面,及び前記第1ベース面と前記第2ベース面との間に設けられたベース段差部を有し、前記チャンバ内に配置されたベース部材と、
前記第2ベース面から前記第1ベース面に載置された前記基板の上面までの高さ以下である高さを有し、前記第2ベース面上に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、
噴出孔が形成されている第1シャワー面,前記第1シャワー面の周縁部に設けられた第2シャワー面,及び前記第1シャワー面と前記第2シャワー面との間に設けられたシャワー段差部を有し、前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、
前記第2シャワー面から前記第1シャワー面までの高さ以下である高さを有し、前記絶縁プレートに対向するように前記第2シャワー面上に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクと、
を含み、
前記絶縁プレートは、前記基板の側面に当接される第1当接面と、前記基板の前記上面とは反対の裏面に当接される第2当接面を有する突出部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置であって、
プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、
基板が載置される第1ベース面,前記第1ベース面の周縁部に設けられた第2ベース面,及び前記第1ベース面と前記第2ベース面との間に設けられたベース段差部を有し、前記チャンバ内に配置されたベース部材と、
前記第2ベース面から前記第1ベース面に載置された前記基板の上面までの高さ以下である高さを有し、前記第2ベース面上に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、
前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、
前記絶縁プレートに対向するように前記シャワープレートの周縁部に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクと、
を含み、
前記絶縁プレートは、前記基板の側面に当接される第1当接面と、前記基板の前記上面とは反対の裏面に当接される第2当接面を有する突出部とを含むことを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の第1態様のプラズマ処理装置は、プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、基板が載置される第1ベース面,前記第1ベース面の周縁部に設けられた第2ベース面,及び前記第1ベース面と前記第2ベース面との間に設けられたベース段差部を有し、前記チャンバ内に配置されたベース部材と、前記第2ベース面から前記第1ベース面に載置された前記基板の上面までの高さ(距離)以下である高さを有し、前記第2ベース面上に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、噴出孔が形成されている第1シャワー面,前記第1シャワー面の周縁部に設けられた第2シャワー面,及び前記第1シャワー面と前記第2シャワー面との間に設けられたシャワー段差部を有し、前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、前記第2シャワー面から前記第1シャワー面までの高さ(距離)以下である高さを有し、前記絶縁プレートに対向するように前記第2シャワー面上に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクとを含む。
プラズマ処理装置においては、チャンバ内に配置された電極間(ベース部材とシャワープレートとの間)には、交流電圧が印加される。これによって電極間にはプロセスガスからなるプラズマが生成される。
このプラズマ処理装置においては、前記ベース部材における前記絶縁プレートが載置される領域であるプレート載置面と、前記基板が載置される領域である基板載置面との間に段差部が形成されている。前記基板及び前記絶縁プレートが前記ベース部材に載置された状態で、プレート載置面から前記絶縁プレートの表面までの高さは、プレート載置面から前記基板の上面までの高さ以下である。
また、前記シャワープレートにおける前記電極マスクが載置される領域であるマスク載置面と、前記シャワープレートにおける噴出孔が形成されている領域である噴出孔形成面との間に段差部が形成されている。前記電極マスクが前記シャワープレートに配置された状態で、マスク載置面から前記電極マスクの表面までの高さは、マスク載置面から噴出孔形成面までの高さ以下である。
The plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus,
A chamber in which a process gas is introduced and a plasma composed of the process gas is generated;
A first base surface on which a substrate is placed, a second base surface provided at a peripheral portion of the first base surface, and a base step portion provided between the first base surface and the second base surface A base member disposed in the chamber;
An insulation having a height equal to or less than a height from the second base surface to an upper surface of the substrate placed on the first base surface, and disposed on the second base surface and formed of an insulating material Plates,
A first shower surface in which an ejection hole is formed, a second shower surface provided at a peripheral portion of the first shower surface, and a shower step provided between the first shower surface and the second shower surface A shower plate disposed in the chamber, and supplying the process gas toward the substrate;
An electrode mask having a height equal to or less than a height from the second shower surface to the first shower surface, disposed on the second shower surface so as to face the insulating plate, and formed of an insulating material. When,
Including
The insulating plate includes a first abutting surface that abuts against a side surface of the substrate and a protrusion having a second abutting surface that abuts against a back surface opposite to the top surface of the substrate. Features.
The plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus,
A chamber in which a process gas is introduced and a plasma composed of the process gas is generated;
A first base surface on which a substrate is placed, a second base surface provided at a peripheral portion of the first base surface, and a base step portion provided between the first base surface and the second base surface A base member disposed in the chamber;
An insulation having a height equal to or less than a height from the second base surface to an upper surface of the substrate placed on the first base surface, and disposed on the second base surface and formed of an insulating material Plates,
Supplying the process gas toward the substrate, and a shower plate disposed in the chamber;
An electrode mask disposed on the peripheral edge of the shower plate so as to face the insulating plate, and formed of an insulating material;
Including
The insulating plate includes a first abutting surface that abuts against a side surface of the substrate and a protrusion having a second abutting surface that abuts against a back surface opposite to the top surface of the substrate. Features.
In order to solve the above problems, a plasma processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a chamber in which a process gas is introduced and plasma made of the process gas is generated, a first base surface on which a substrate is placed, A second base surface provided at a peripheral edge portion of the first base surface; and a base step portion provided between the first base surface and the second base surface, and disposed in the chamber. A base member, and a height that is equal to or less than a height (distance) from the second base surface to the upper surface of the substrate placed on the first base surface, and is disposed on the second base surface; An insulating plate formed of an insulating material; a first shower surface in which an ejection hole is formed; a second shower surface provided at a peripheral edge of the first shower surface; and the first shower surface and the second shower Shower between the surface It has a stepped portion, supplies the process gas toward the substrate, and is below the height (distance) from the shower plate disposed in the chamber and the second shower surface to the first shower surface. An electrode mask having a height and disposed on the second shower surface to face the insulating plate and formed of an insulating material.
In the plasma processing apparatus, an alternating voltage is applied between the electrodes (between the base member and the shower plate) arranged in the chamber. As a result, plasma composed of process gas is generated between the electrodes.
In this plasma processing apparatus, a step portion is formed between a plate placement surface, which is a region where the insulating plate is placed on the base member, and a substrate placement surface, which is a region where the substrate is placed. Has been. In a state where the substrate and the insulating plate are mounted on the base member, the height from the plate mounting surface to the surface of the insulating plate is not more than the height from the plate mounting surface to the upper surface of the substrate. .
In addition, a step portion is formed between a mask placement surface, which is a region where the electrode mask is placed on the shower plate, and an ejection hole formation surface, which is a region where the ejection holes are formed in the shower plate. ing. In a state where the electrode mask is disposed on the shower plate, the height from the mask mounting surface to the surface of the electrode mask is not more than the height from the mask mounting surface to the ejection hole forming surface.
このようにプラズマ処理装置が構成されているので、基板の上面とシャワープレートの表面(第1シャワー面,噴出孔形成面)との間に形成される成膜空間において、基板の上面とシャワープレートの噴出孔が形成された領域である第1シャワー面(噴出孔形成面)との間の距離を最短にすることができる。
従って、絶縁プレートの厚さ及び電極マスクの厚さに影響されず、基板とシャワープレートとの間の距離を設定することができ、ナローギャップを実現することができる。
また、段差部(ベース段差部及びシャワー段差部)が形成されているので、十分な厚さを有する絶縁プレート及び電極マスクを用いることができ、絶縁プレート及び電極マスクの割れを防止することができる。
また、絶縁プレート及び電極マスクを配置することにより、プラズマを電極間(シャワープレートと基板との間)に閉じ込めることができる。
結果として、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができる。
さらに、基板とシャワープレートとの距離をナローギャップとして設定した場合であっても、絶縁プレートと電極マスクとの間には成膜ガスを排気するための十分な隙間が形成され、ガスの流れの面内均一性を安定化させることができ、膜厚を均一にすることができる。Since the plasma processing apparatus is configured in this manner, the upper surface of the substrate and the shower plate are formed in the film formation space formed between the upper surface of the substrate and the surface of the shower plate (first shower surface, ejection hole forming surface). The distance from the first shower surface (spout hole forming surface), which is the region where the spout holes are formed, can be minimized.
Therefore, the distance between the substrate and the shower plate can be set without being affected by the thickness of the insulating plate and the thickness of the electrode mask, and a narrow gap can be realized.
Further, since the step portions (base step portion and shower step portion) are formed, an insulating plate and electrode mask having a sufficient thickness can be used, and cracking of the insulating plate and electrode mask can be prevented. .
Further, by arranging the insulating plate and the electrode mask, the plasma can be confined between the electrodes (between the shower plate and the substrate).
As a result, the plasma can be confined between the electrodes even when a narrow gap process is performed.
Furthermore, even when the distance between the substrate and the shower plate is set as a narrow gap, a sufficient gap for exhausting the film forming gas is formed between the insulating plate and the electrode mask. In-plane uniformity can be stabilized, and the film thickness can be made uniform.
上記課題を解決するために、本発明の第2態様のプラズマ処理装置は、プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、基板が載置される第1ベース面,前記第1ベース面の周縁部に設けられた第2ベース面,及び前記第1ベース面と前記第2ベース面との間に設けられたベース段差部を有し、前記チャンバ内に配置されたベース部材と、前記第2ベース面から前記第1ベース面に載置された前記基板の上面までの高さ(距離)以下である高さを有し、前記第2ベース面上に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、前記絶縁プレートに対向するように前記シャワープレートの周縁部に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクとを含む。
プラズマ処理装置においては、チャンバ内に配置された電極間(ベース部材とシャワープレートとの間)には、交流電圧が印加される。これによって電極間にはプロセスガスからなるプラズマが生成される。
このプラズマ処理装置においては、前記ベース部材における前記絶縁プレートが載置される領域であるプレート載置面と、前記基板が載置される領域である基板載置面との間に段差部が形成されている。前記基板及び前記絶縁プレートが前記ベース部材に載置された状態で、プレート載置面から前記絶縁プレートの表面までの高さは、プレート載置面から前記基板の上面までの高さ以下である。In order to solve the above problems, a plasma processing apparatus according to a second aspect of the present invention includes a chamber in which a process gas is introduced and plasma made of the process gas is generated, a first base surface on which a substrate is placed, A second base surface provided at a peripheral edge portion of the first base surface; and a base step portion provided between the first base surface and the second base surface, and disposed in the chamber. A base member, and a height that is equal to or less than a height (distance) from the second base surface to the upper surface of the substrate placed on the first base surface, and is disposed on the second base surface; An insulating plate formed of an insulating material; a process gas supplied to the substrate; a shower plate disposed in the chamber; and a peripheral portion of the shower plate facing the insulating plate. Comprising an electrode mask formed of an insulating material.
In the plasma processing apparatus, an alternating voltage is applied between the electrodes (between the base member and the shower plate) arranged in the chamber. As a result, plasma composed of process gas is generated between the electrodes.
In this plasma processing apparatus, a step portion is formed between a plate placement surface, which is a region where the insulating plate is placed on the base member, and a substrate placement surface, which is a region where the substrate is placed. Has been. In a state where the substrate and the insulating plate are mounted on the base member, the height from the plate mounting surface to the surface of the insulating plate is not more than the height from the plate mounting surface to the upper surface of the substrate. .
このようにプラズマ処理装置が構成されているので、基板の上面とシャワープレートの表面との間に形成される成膜空間において、基板の上面とシャワープレートの噴出孔が形成された領域である第1シャワー面(噴出孔形成面)との間の距離を従来よりも短くすることができる。
従って、基板とシャワープレートとの間の距離を短くすることができ、ナローギャッププロセスを実現することができる。
また、段差部(ベース段差部)が形成されているので、十分な厚さを有する絶縁プレートを用いることができ、絶縁プレートの割れを防止することができる。
また、絶縁プレート及び電極マスクを配置することにより、プラズマを電極間(シャワープレートと基板との間)に閉じ込めることができる。
結果として、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができる。
さらに、基板とシャワープレートとの距離をナローギャップとして設定した場合であっても、絶縁プレートと電極マスクとの間には成膜ガスを排気するための十分な隙間が形成され、ガスの流れの面内均一性を安定化させることができ、膜厚を均一にすることができる。Since the plasma processing apparatus is configured in this way, in the film formation space formed between the upper surface of the substrate and the surface of the shower plate, the first surface is an area where the upper surface of the substrate and the ejection holes of the shower plate are formed. The distance from 1 shower surface (jet hole formation surface) can be made shorter than before.
Therefore, the distance between the substrate and the shower plate can be shortened, and a narrow gap process can be realized.
In addition, since the step portion (base step portion) is formed, an insulating plate having a sufficient thickness can be used, and cracking of the insulating plate can be prevented.
Further, by arranging the insulating plate and the electrode mask, the plasma can be confined between the electrodes (between the shower plate and the substrate).
As a result, the plasma can be confined between the electrodes even when a narrow gap process is performed.
Furthermore, even when the distance between the substrate and the shower plate is set as a narrow gap, a sufficient gap for exhausting the film forming gas is formed between the insulating plate and the electrode mask. In-plane uniformity can be stabilized, and the film thickness can be made uniform.
上記課題を解決するために、本発明の第3態様のプラズマ処理装置は、プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、基板が載置されるベース部材と、前記ベース部材の周縁部に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、噴出孔が形成されている第1シャワー面,前記第1シャワー面の周縁部に設けられた第2シャワー面,及び前記第1シャワー面と前記第2シャワー面との間に設けられたシャワー段差部を有し、前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、前記第2シャワー面から前記第1シャワー面までの高さ(距離)以下である高さを有し、前記絶縁プレートに対向するように前記第2シャワー面上に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクと、を含む。
プラズマ処理装置においては、チャンバ内に配置された電極間(ベース部材とシャワープレートとの間)には、交流電圧が印加される。これによって電極間にはプロセスガスからなるプラズマが生成される。
このプラズマ処理装置においては、前記シャワープレートにおける前記電極マスクが載置される領域であるマスク載置面と、前記シャワープレートにおける噴出孔が形成されている領域である噴出孔形成面との間に段差部が形成されている。前記電極マスクが前記シャワープレートに配置された状態で、マスク載置面から前記電極マスクの表面までの高さは、マスク載置面から噴出孔形成面までの高さ以下である。
In order to solve the above-described problem, a plasma processing apparatus according to a third aspect of the present invention includes a chamber into which a process gas is introduced and plasma composed of the process gas is generated, and the substrate is placed in the chamber. Provided on the peripheral portion of the base member, the insulating plate formed of an insulating material, the first shower surface in which the ejection holes are formed, and the peripheral portion of the first shower surface A second shower surface, and a shower step provided between the first shower surface and the second shower surface, and the process gas is supplied toward the substrate and disposed in the chamber. A shower plate and a height equal to or less than a height (distance) from the second shower surface to the first shower surface, and on the second shower surface to face the insulating plate It is location, including an electrode mask formed of an insulating material, the.
In the plasma processing apparatus, an alternating voltage is applied between the electrodes (between the base member and the shower plate) arranged in the chamber. As a result, plasma composed of process gas is generated between the electrodes.
In this plasma processing apparatus, between the mask placement surface, which is a region where the electrode mask is placed on the shower plate, and the ejection hole formation surface, which is a region where the ejection holes are formed in the shower plate. A step portion is formed. In a state where the electrode mask is disposed on the shower plate, the height from the mask mounting surface to the surface of the electrode mask is not more than the height from the mask mounting surface to the ejection hole forming surface.
このようにプラズマ処理装置が構成されているので、基板の上面とシャワープレートの表面との間に形成される成膜空間において、基板の上面とシャワープレートの噴出孔が形成された領域である第1シャワー面(噴出孔形成面)との間の距離を従来よりも短くすることができる。
従って、基板とシャワープレートとの間の距離を短くすることができ、ナローギャッププロセスを実現することができる。
また、段差部(シャワー段差部)が形成されているので、十分な厚さを有する電極マスクを用いることができるため、電極マスクの割れを防止することができる。
また、絶縁プレート及び電極マスクを配置することにより、プラズマを電極間(シャワープレートと基板との間)に閉じ込めることができる。
結果として、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができる。
さらに、基板とシャワープレートとの距離をナローギャップとして設定した場合であっても、絶縁プレートと電極マスクとの間には成膜ガスを排気するための十分な隙間が形成され、ガスの流れの面内均一性を安定化させることができ、膜厚を均一にすることができる。Since the plasma processing apparatus is configured in this way, in the film formation space formed between the upper surface of the substrate and the surface of the shower plate, the first surface is an area where the upper surface of the substrate and the ejection holes of the shower plate are formed. The distance from 1 shower surface (jet hole formation surface) can be made shorter than before.
Therefore, the distance between the substrate and the shower plate can be shortened, and a narrow gap process can be realized.
In addition, since the step portion (shower step portion) is formed, an electrode mask having a sufficient thickness can be used, so that the electrode mask can be prevented from cracking.
Further, by arranging the insulating plate and the electrode mask, the plasma can be confined between the electrodes (between the shower plate and the substrate).
As a result, the plasma can be confined between the electrodes even when a narrow gap process is performed.
Furthermore, even when the distance between the substrate and the shower plate is set as a narrow gap, a sufficient gap for exhausting the film forming gas is formed between the insulating plate and the electrode mask. In-plane uniformity can be stabilized, and the film thickness can be made uniform.
また、上記の第1態様及び第2態様のプラズマ処理装置においては、前記絶縁プレートは、前記基板の側面に当接される第1当接面と、前記基板の前記上面とは反対の裏面に当接される第2当接面を有する突出部とを含むことが好ましい。
この構成においては、絶縁プレートは、第2ベース面に沿ってベース部材の中央に向けて突出する突出部を有する。In the plasma processing apparatus of the first aspect and the second aspect, the insulating plate is provided on a first contact surface that is in contact with a side surface of the substrate and a back surface opposite to the upper surface of the substrate. It is preferable to include a protrusion having a second abutting surface to be abutted.
In this configuration, the insulating plate has a protrusion that protrudes along the second base surface toward the center of the base member.
このようにプラズマ処理装置が構成されているので、ベース部材(第2ベース面)に絶縁プレートが載置され、ベース部材(第1ベース面)上と絶縁プレート上とに基板が配置された場合、基板の側面は第1当接面に接触し、基板の裏面は第2当接面に接触する。また、基板の鉛直方向から見て、基板と突出部とは重なっている。
従って、シャワープレートから噴出された成膜ガスは、基板又は絶縁プレートに向けて供給され(噴射され)、成膜ガスがベース部材に接触することを防止することができる。
従って、シャワープレートとベース部材との間にプラズマが生じて、ベース部材に成膜されることを防止することができる。Since the plasma processing apparatus is configured as described above, the insulating plate is placed on the base member (second base surface), and the substrate is disposed on the base member (first base surface) and the insulating plate. The side surface of the substrate contacts the first contact surface, and the back surface of the substrate contacts the second contact surface. Further, the substrate and the protruding portion overlap each other when viewed from the vertical direction of the substrate.
Therefore, the deposition gas ejected from the shower plate is supplied (injected) toward the substrate or the insulating plate, and the deposition gas can be prevented from coming into contact with the base member.
Therefore, it is possible to prevent plasma from being generated between the shower plate and the base member and forming a film on the base member.
本発明によれば、基板の上面とシャワープレートの表面との間に形成される成膜空間において、基板の上面とシャワープレートの噴出孔が形成された領域である第1シャワー面(噴出孔形成面)との間の距離を最短にすることができる。
従って、絶縁プレートの厚さ及び電極マスクの厚さに影響されず、基板とシャワープレートとの間の距離を設定することができ、ナローギャップを実現することができる。
また、段差部(ベース段差部及びシャワー段差部)が形成されているので、十分な厚さを有する絶縁プレート及び電極マスクを用いることができ、絶縁プレート及び電極マスクの割れを防止することができる。
また、絶縁プレート及び電極マスクを配置することにより、プラズマを電極間(シャワープレートと基板との間)に閉じ込めることができる。
結果として、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができる。According to the present invention, in the film forming space formed between the upper surface of the substrate and the surface of the shower plate, the first shower surface (spout hole formation), which is the region where the upper surface of the substrate and the shower hole of the shower plate are formed. The distance to the surface) can be minimized.
Therefore, the distance between the substrate and the shower plate can be set without being affected by the thickness of the insulating plate and the thickness of the electrode mask, and a narrow gap can be realized.
Further, since the step portions (base step portion and shower step portion) are formed, an insulating plate and electrode mask having a sufficient thickness can be used, and cracking of the insulating plate and electrode mask can be prevented. .
Further, by arranging the insulating plate and the electrode mask, the plasma can be confined between the electrodes (between the shower plate and the substrate).
As a result, the plasma can be confined between the electrodes even when a narrow gap process is performed.
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の実施形態を図面に基づき説明する。
また、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
また、本実施形態においては、プラズマCVD法を用いた成膜装置を説明する。Hereinafter, embodiments of a plasma processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
In the drawings used for the following description, the dimensions and ratios of the respective components are appropriately changed from the actual ones in order to make the respective components large enough to be recognized on the drawings.
In this embodiment, a film forming apparatus using a plasma CVD method will be described.
図1は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図1に示すように、プラズマCVD法を実施する成膜装置1は、真空チャンバ2(チャンバ)を有している。
真空チャンバ2の底部11には、開口部が形成されている。この開口部には支柱25が挿通され、支柱25は真空チャンバ2の下部に配置されている。支柱25の先端(真空チャンバ2内)には、ヒータ16が内蔵された板状のベース部材3が接続されている。
真空チャンバ2の上部には、絶縁フランジ31を介して電極フランジ4が取り付けられている。
また、真空チャンバ2には、排気管27が接続されている。排気管27の先端には、真空ポンプ28が設けられている。真空ポンプ28は、真空チャンバ2内が真空状態となるように減圧する。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, a film forming apparatus 1 that performs a plasma CVD method includes a vacuum chamber 2 (chamber).
An opening is formed in the bottom 11 of the
An
Further, an
また、支柱25は、真空チャンバ2の外部に設けられた昇降機構(不図示)に接続されており、基板10の鉛直方向において上下に移動可能である。
つまり、支柱25の先端に接続されているベース部材3は、上下方向に昇降可能に構成されている。
また、真空チャンバ2の外部においては、支柱25の外周を覆うようにベローズ26が設けられている。The
In other words, the
A bellows 26 is provided outside the
電極フランジ4は、絶縁フランジ31上に載置され、板状に形成されている。
成膜空間に面している電極フランジ4の面には、導電体32が連結されている。導電体32の先端には板状のシャワープレート5が取り付けられている。
そして、シャワープレート5と電極フランジ4との間に空間24が形成されている。The
A
A
また、電極フランジ4にはガス導入管7が接続されている。ガス導入管7は、真空チャンバ2の外部に設けられた成膜ガス供給部21から空間24に向けて原料ガス(例えば、SiH4)を供給する。
また、図2を参照して後述するように、シャワープレート5は、多数のガス噴出孔6が設けられている第1シャワー面5aと、第1シャワー面5aの周縁部に設けられた第2シャワー面5bと、第1シャワー面5aと第2シャワー面5bとの間に設けられたシャワー段差部42とを有する。ガス噴出孔6は、シャワープレート5を貫通している。空間24内に導入された成膜ガスは、ガス噴出孔6を通じて真空チャンバ2内に供給される。A
Moreover, as will be described later with reference to FIG. 2, the
また、電極フランジ4とシャワープレート5とは、ともに導電材で構成されている。電極フランジ4は、真空チャンバ2の外部に設けられたRF電源(高周波電源)9に接続されている。
The
さらに、真空チャンバ2には、ガス導入管7とは異なるガス導入管8が接続されている。
ガス導入管8にはフッ素ガス供給部22とラジカル源23とが設けられている。ラジカル源23は、フッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスを分解する。ガス導入管8は、フッ素ガスが分解されて得られたフッ素ラジカルを、真空チャンバ2内の成膜空間に供給する。Further, a
The
ベース部材3は、表面が平坦に形成された略板状の部材である。図2を参照して後述するように、ベース部材3は、基板10が載置される第1ベース面33と、第1ベース面33の周縁部に設けられた第2ベース面33aと、第1ベース面33と第2ベース面33aとの間に設けられたベース段差部34とを有し、真空チャンバ2内に配置されている。
ベース部材3は、接地電極として機能し、例えばアルミニウム合金で構成されている。なお、ベース部材3の材料としては、剛性を有し、耐食性及び耐熱性を有する材料であれば、上記の材料以外の材料が採用されてもよい。
基板10がベース部材3の第1ベース面33上に配置されると、基板10とシャワープレート5とは互いに近接して平行になる。
ベース部材3上に基板10が配置された状態で、ガス噴出孔6を通じて成膜ガスは基板10の表面に向けて成膜空間に供給される。The
The
If the board |
In a state where the
また、ベース部材3の内部には、電源線に接続されたヒータ16が設けられている。ヒータ16によってベース部材3の温度が所定の温度に調整される。ヒータ16の電源線は、ベース部材3の鉛直方向から見たベース部材3の略中央部、かつ、ベース部材3の底面17から突出され、支柱25の内部に挿通され、真空チャンバ2の外部へと導かれている。
そして、ヒータ16は、真空チャンバ2の外部において電源(不図示)と接続され、ベース部材3の温度を調節する。In addition, a
The
また、ベース部材3と真空チャンバ2との間を接続する複数アースプレート30が真空チャンバ2の底部11において略等間隔に配置されている。
このアースプレート30は、フレキシブルな金属プレートで形成されており、例えば、ニッケル系合金又はアルミ合金などで構成されている。In addition, a plurality of
The
図2は、図1の符号Aで示された部分が拡大して示された断面図である。
なお、以下の説明において、「低い位置」とは、成膜空間の位置から真空チャンバ2の底部11に向けた方向において、一方の位置よりも他方の位置が低いことを意味する。また、「高い位置」とは、成膜空間の位置から電極フランジ4に向けた方向において一方の位置よりも他方の位置が高いことを意味する。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the portion indicated by the symbol A in FIG.
In the following description, “low position” means that the other position is lower than one position in the direction from the position of the film formation space toward the bottom 11 of the
図2に示すように、ベース部材3の第1ベース面33における周縁部には、第1ベース面33よりも低い位置に形成された第2ベース面33aが設けられている。第1ベース面33と第2ベース面33aとの間には、ベース段差部34が形成されている。第1ベース面33の水平方向におけるベース段差部34の位置は、基板10の長さ(直径)よりも第1ベース面33の長さ(直径)が小さくなるように決定されている。即ち、基板10がベース部材3の第1ベース面33上に載置された場合、基板10の水平方向における基板10の周縁部の位置がベース段差部34から突出している。換言すれば、基板10の周縁部が第1ベース面33の外側に位置している。
つまり、ベース段差部34は基板10の裏面10cに当接する位置に形成されている。As shown in FIG. 2, a
That is, the
また、ベース段差部34を介して第1ベース面33よりも低い位置に形成された第2ベース面33aには、絶縁プレート35が載置されている。絶縁プレート35は、基板10の周縁部に沿ってフレーム状に形成されている。
絶縁プレート35の材料としては、例えば絶縁物であるアルミナが採用される。
絶縁プレート35の厚さ(高さ)は、第2ベース面33aから、第1ベース面33に載置された基板10の上面10までの高さ以下である。本実施形態においては、第2ベース面33aに絶縁プレート35が載置されたときに、絶縁プレート35の表面35cの位置と基板10の上面10aの位置とが基板10の鉛直方向において一致している。
また、絶縁プレート35は、第2ベース面33aに絶縁プレート35が載置されたときに、基板10の鉛直方向において少なくとも第2ベース面33aを全て覆う大きさを有している。
また、絶縁プレート35は、基板10の側面10bに当接される第1当接面35aと、基板10の上面10aとは反対の裏面10cに当接される第2当接面35dとを含む。換言すれば、絶縁プレート35は、第2ベース面33aに沿ってベース部材3の中央に向けて突出する突出部35bを有する。突出部35bは、基板10の裏面10cの下に位置し、基板10の裏面10cに当接している。また、突出部35bは、ベース段差部34に略当接している。
なお、本実施形態においては、絶縁プレート35は、水平方向にベース部材3の端部よりも突出して形成され、ベース部材3の周縁部(第2ベース面33a)に設けられている。絶縁プレート35の端部は、ベース部材3を支持する支持部材36に支持されている。
なお、支持部材36に対向する真空チャンバ2の内面には、例えば、アルミナで形成された絶縁物37が取り付けられている。An insulating
As a material of the insulating
The thickness (height) of the insulating
The insulating
The insulating
In the present embodiment, the insulating
Note that an
一方、図2に示すように、シャワープレート5の第1シャワー面5aにおける周縁部には、第1シャワー面5aよりも高い位置に形成された第2シャワー面5bが設けられている。第1シャワー面5aと第2シャワー面5bとの間には、シャワー段差部42が形成されている。
また、シャワー段差部42を介して第1シャワー面5aより高い位置に形成された第2シャワー面5bには、フレーム状に形成された電極マスク43が載置されている。
電極マスク43の材料としては、例えば絶縁物であるアルミナが採用される。電極マスク43は、絶縁プレート35に対向するように第2シャワー面5b上に配置されている。
電極マスク43の厚さ(高さ)は、第2シャワー面5bから第1シャワー面5aまでの高さ以下である。本実施形態においては、
第2シャワー面5bに電極マスク43が載置されたときに、電極マスク43の表面43aの位置と第1シャワー面5aの位置とがシャワープレート5の鉛直方向において一致している。
また、電極マスク43は、第2シャワー面5bに電極マスク43が載置されたときに、シャワープレート5の鉛直方向において少なくとも第2シャワー面5bを全て覆う大きさを有している。
なお、本実施形態においては、電極マスク43は、水平方向にシャワープレート5の端部よりも突出して形成されている。また、電極マスク43は、シャワープレート5を支持する支持部材44及び真空チャンバ2と絶縁フランジ31との間に設けられた支持部材45の表面を覆う大きさを有する。On the other hand, as shown in FIG. 2, a
An
As a material of the
The thickness (height) of the
When the
The
In the present embodiment, the
次に、成膜装置1を用いて基板10に成膜する場合の作用について説明する。
上記のように構成された成膜装置1を用いて基板10の表面に薄膜を成膜する前に、真空ポンプ28を用いて真空チャンバ2内を減圧する。
真空チャンバ2内が真空に維持された状態で、基板10は真空チャンバ2内に搬入され、ベース部材3上に載置される。
ここで、基板10を載置する前は、ベース部材3は真空チャンバ2内の下側に位置している。
つまり、基板10が搬入される前においては、ベース部材3とシャワープレート5との間隔が広くなっているので、ロボットアーム(不図示)を用いて基板10をベース部材3上に容易に載置することができる。
基板10がベース部材3上に載置された後には、昇降装置(不図示)が起動し、支柱25が上方へ押し上げられ、ベース部材3上に載置された基板10も上方へ移動する。これによって、適切に成膜を行うために必要な間隔になるようにシャワープレート5と基板10との間隔が所望に決定され、この間隔が維持される。
このとき、基板10の鉛直方向において、絶縁プレート35の表面35cの位置と基板10の上面10aの位置とが一致し、電極マスク43の表面43aの位置と第1シャワー面5aの位置とが一致している。このため、絶縁プレート35と電極マスク43とが接触することなく、基板10とシャワープレート5との間隔を小さくすることができ、ナローギャップ(3〜10mm)を実現することができる。
その後、ガス導入管7から成膜ガス(原料ガス)を導入して、ガス噴出孔6から真空チャンバ2(成膜空間)内に成膜ガスが供給される。Next, an operation when a film is formed on the
Before forming a thin film on the surface of the
The
Here, before the
That is, before the
After the
At this time, in the vertical direction of the
Thereafter, a film forming gas (raw material gas) is introduced from the
絶縁フランジ31を介して電極フランジ4と真空チャンバ2とは電気的に絶縁され、かつ、真空チャンバ2が接地電位に接続された状態で、RF電源9を起動して電極フランジ4に高周波電圧が印加される。
このとき、シャワープレート5とベース部材3との間に高周波電圧が印加されて放電が生じ、電極フランジ4と基板10の表面との間にプラズマが発生する。
こうして発生したプラズマ内で成膜ガスが分解され、基板10の表面で気相成長反応が起こることにより、基板10の表面に薄膜が成膜される。In a state where the
At this time, a high frequency voltage is applied between the
The deposition gas is decomposed in the plasma generated in this way, and a vapor phase growth reaction occurs on the surface of the
また、上記のような成膜工程が何度か繰り返されると、真空チャンバ2の内壁面などに成膜材料が付着するため、真空チャンバ2内は定期的にクリーニングされる。クリーニング工程においては、フッ素ガス供給部22から供給されたフッ素ガスがラジカル源23によって分解され、フッ素ラジカルが生じ、フッ素ラジカルが真空チャンバ2に接続されたガス導入管8を通り、真空チャンバ2内に供給される。
このように真空チャンバ2内の成膜空間にフッ素ラジカルを供給することによって、化学反応が生じ、例えば、シャワープレート5の第1シャワー面5a,電極マスク43の表面43a,又は絶縁プレート35の表面35c等に付着された付着物が除去される。Further, when the film forming process as described above is repeated several times, the film forming material adheres to the inner wall surface of the
By supplying fluorine radicals to the film formation space in the
本実施形態によれば、絶縁プレート35が載置される領域である第2ベース面33aと、基板10が載置される領域である第1ベース面33との間にベース段差部34が形成されている。また、基板10及び絶縁プレート35がベース部材3に載置された状態で、絶縁プレート35の表面35cの位置と基板10の上面10aの位置とが基板10の鉛直方向において一致している。また、電極マスク43が載置される領域である第2シャワー面5bと、複数の噴出孔6が形成されている領域である第1シャワー面5aとの間にシャワー段差部42が形成されている。また、電極マスク43がシャワープレート5に載置された状態で、電極マスク43の表面43aの位置と第1シャワー面5aの位置とがシャワープレート5の鉛直方向において一致している。
従って、基板10の上面10aとシャワープレート5の第1シャワー面5aとの間に形成される成膜空間において、基板10の上面10aとシャワープレート5の第1シャワー面5aとの間の距離を最短にすることができる。
従って、絶縁プレートの厚さ35及び電極マスク43の厚さに影響されず、基板10とシャワープレート5との間の距離を設定することができ、ナローギャップを実現することができる。
また、段差部34,42(ベース段差部及びシャワー段差部)が形成されているので、十分な厚さを有する絶縁プレート35及び電極マスク43を用いることができ、絶縁プレート35及び電極マスク43の割れを防止することができる。
また、絶縁プレート35及び電極マスク43を配置することにより、プラズマを電極間(シャワープレート5と基板10との間)に閉じ込めることができる。
結果として、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができる。
さらに、基板10とシャワープレート5との距離をナローギャップとして設定した場合であっても、絶縁プレート35と電極マスク43との間には成膜ガスを排気するための十分な隙間が形成され、ガスの流れの面内均一性を安定化させることができ、膜厚を均一にすることができる。
つまり、このように構成されたプラズマ処理装置において、μc−Siの成膜を行うことができる。According to the present embodiment, the
Therefore, in the film forming space formed between the
Therefore, the distance between the
Further, since the
Further, by disposing the insulating
As a result, the plasma can be confined between the electrodes even when a narrow gap process is performed.
Further, even when the distance between the
That is, the μc-Si film can be formed in the plasma processing apparatus configured as described above.
また、絶縁プレート35は、基板10の側面10bに当接される第1当接面35aと、基板10の裏面10cに当接される第2当接面35dと、第2ベース面33aに沿ってベース部材3の中央に向けて突出する突出部35bを有する。このような構成を有する絶縁プレート35がベース部材3に載置され、第1ベース面33上に基板10が配置されると、基板10の裏面10cは第2当接面に接触する。また、基板10の鉛直方向から見て、基板10と突出部35bとは重なる。
従って、シャワープレート5から供給された成膜ガスは基板10又は絶縁プレート35に接触するため、ベース部材3に成膜ガスが直接接触することを防止することができる。
従って、シャワープレート5とベース部材3との間にプラズマが生じて、ベース部材3の表面に成膜されることを防止することができる。The insulating
Accordingly, since the film forming gas supplied from the
Therefore, it is possible to prevent plasma from being generated between the
また、電極マスク43は、水平方向にシャワープレート5の端部よりも突出して形成されており、シャワープレート5を支持する支持部材44及び真空チャンバ2と絶縁フランジ31との間に設けられた支持部材45の表面を覆う大きさを有する。このような電極マスク43を用いることにより、シャワープレート5の近傍で生じたパーティクルが基板10上に落下することを抑制することができる。
The
次に、上述した成膜装置1を用いてμc−Siを成膜する実施例について説明する。
表1に示すように、RF電源9から印加される電力周波数は、27.12MHzに設定し、RFPower密度を1.2W/cm2に設定した。
また、シャワープレート5と基板10との間隔を7mm(ナローギャップ)に設定し、成膜空間の圧力を1400Paに設定した。
そして、成膜ガスのSiH4の流量(slm)とH2の流量(slm)との比率を1:15に設定し、μc−Siを基板10上に成膜した。Next, an example in which μc-Si is formed using the film forming apparatus 1 described above will be described.
As shown in Table 1, the power frequency applied from the
In addition, the distance between the
Then, the ratio of the flow rate (slm) of the deposition gas SiH 4 and the flow rate (slm) of H 2 was set to 1:15, and μc-Si was deposited on the
その結果、成膜速度は2.1nm/secであり、膜厚分布(膜厚均一性:thickness uniformity)が11%であるμc−Siの膜を成膜することができた。 As a result, a film formation rate was 2.1 nm / sec, and a μc-Si film having a film thickness distribution (thickness uniformity) of 11% could be formed.
次に、図3に示すような従来の成膜装置を用いてμc−Siを成膜する比較例について説明する。
表2に示すように、RF電源から印加する電力周波数を27.12MHzに設定し、RFPower密度を1.2W/cm2に設定した。
また、シャワープレート5と基板10との間隔を11mmに設定し、成膜空間の圧力を700Paに設定した。
そして、成膜ガスのSiH4の流量(slm)とH2の流量(slm)との比率を1:15に設定し、μc−Siを基板10に成膜した。Next, a comparative example in which μc-Si is formed using a conventional film forming apparatus as shown in FIG. 3 will be described.
As shown in Table 2, the power frequency applied from the RF power source was set to 27.12 MHz, and the RFPower density was set to 1.2 W / cm 2 .
Further, the distance between the
Then, the ratio of the flow rate (slm) of SiH 4 and the flow rate (slm) of H 2 as the deposition gas was set to 1:15, and μc-Si was deposited on the
その結果、成膜速度は1.1nm/secであり、膜厚分布(膜厚均一性)が23%であるμc−Siの膜が成膜された。 As a result, a film formation rate was 1.1 nm / sec, and a film of μc-Si having a film thickness distribution (film thickness uniformity) of 23% was formed.
従って、本実施形態のように、絶縁プレート35の表面35cの位置と基板10の上面10aの位置とが基板10の鉛直方向において一致し、かつ、電極マスク43の表面43aの位置と第1シャワー面5aの位置とがシャワープレート5の鉛直方向において一致しているプラズマ処理装置を用いることにより、成膜速度を高速化でき、優れた膜厚分布(膜厚均一性)を有し、高品質なμc−Siを成膜することができる。
Therefore, as in the present embodiment, the position of the
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
すなわち、本実施形態で述べた具体的な材料又は構成等は本発明の一例であり、適宜変更が可能である。The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
That is, the specific materials or configurations described in this embodiment are examples of the present invention, and can be changed as appropriate.
例えば、本実施形態においては、絶縁プレート35の表面35cの位置と基板10の上面10aの位置とが基板10の鉛直方向において一致している構成を説明したが、基板10の上面の位置よりも絶縁プレート35の表面35cの位置が低い構成を採用してもよい。即ち、絶縁プレート35の厚さ(高さ)は、第2ベース面33aから、第1ベース面33に載置された基板10の上面10までの高さ以下である。
同様に、本実施形態においては、電極マスク43の表面43aの位置と第1シャワー面5aの位置とがシャワープレート5の鉛直方向において一致している構成を説明したが、第1シャワー面5aの位置よりも電極マスク43の表面43aの位置が高い構成を採用してもよい。即ち、電極マスク43の厚さ(高さ)は、第2シャワー面5bから第1シャワー面5aまでの高さ以下である。 For example, in the present embodiment, the configuration in which the position of the
Similarly, in the present embodiment, the configuration in which the position of the
また、本実施形態においては、絶縁プレート35の表面35cの位置と基板10の上面10aの位置とが基板10の鉛直方向において一致している第1構成と、電極マスク43の表面43aの位置と第1シャワー面5aの位置とがシャワープレート5の鉛直方向において一致している第2構成とが組み合わされたプラズマ処理装置について説明したが、本発明は、この構成に限定されない。第1構成及び第2構成のうちいずれか一方の構成と、従来の構成とが組み合わされたプラズマ処理装置が採用されてもよい。
つまり、基板10とシャワープレート5との間隔がナローギャップ(10mm以下)を実現するように設定されていれば、上述した効果が得られる。また、絶縁プレート35と電極マスク43との間に、成膜ガスをスムーズ排気するための十分な隙間が形成されていれば、上述した効果が得られる。In the present embodiment, the first configuration in which the position of the
That is, if the distance between the
さらに、本実施形態において、絶縁プレート35の表面35cと基板10の上面10aとの境界部、及び電極マスク43の表面43aとシャワープレート5の第1シャワー面5aとの境界部においては、上面と側面とが略直角に交わるように形成されているが、この境界部における上面と側面との間に曲面を形成してもよい。
このように境界部に曲面を形成することにより、異常放電の発生を抑制することができる。Further, in the present embodiment, the boundary between the
By forming a curved surface at the boundary portion in this way, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge.
以上詳述したように、本発明は、ナローギャッププロセスを行う場合であってもプラズマを電極間に閉じ込めることができるプラズマ処理装置に有用である。 As described above in detail, the present invention is useful for a plasma processing apparatus capable of confining plasma between electrodes even when a narrow gap process is performed.
1…成膜装置(プラズマ処理装置) 2…真空チャンバ(チャンバ) 3…ベース部材 5…シャワープレート 5a…第1シャワー面 5b…第2シャワー面 6…ガス噴出孔 10…基板 10a…上面 10b…側面 10c…裏面 33…第1ベース面 33a…第2ベース面 34…ベース段差部 35…絶縁プレート 35a…第1当接面 35b…突出部 35c…表面 35d…第2当接面 42…シャワー段差部 43…電極マスク 43a…表面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus (plasma processing apparatus) 2 ... Vacuum chamber (chamber) 3 ...
Claims (2)
プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、
基板が載置される第1ベース面,前記第1ベース面の周縁部に設けられた第2ベース面,及び前記第1ベース面と前記第2ベース面との間に設けられたベース段差部を有し、前記チャンバ内に配置されたベース部材と、
前記第2ベース面から前記第1ベース面に載置された前記基板の上面までの高さ以下である高さを有し、前記第2ベース面上に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、
噴出孔が形成されている第1シャワー面,前記第1シャワー面の周縁部に設けられた第2シャワー面,及び前記第1シャワー面と前記第2シャワー面との間に設けられたシャワー段差部を有し、前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、
前記第2シャワー面から前記第1シャワー面までの高さ以下である高さを有し、前記絶縁プレートに対向するように前記第2シャワー面上に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクと、
を含み、
前記絶縁プレートは、前記基板の側面に当接される第1当接面と、前記基板の前記上面とは反対の裏面に当接される第2当接面を有する突出部とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus,
A chamber in which a process gas is introduced and a plasma composed of the process gas is generated;
A first base surface on which a substrate is placed, a second base surface provided at a peripheral portion of the first base surface, and a base step portion provided between the first base surface and the second base surface A base member disposed in the chamber;
An insulation having a height equal to or less than a height from the second base surface to an upper surface of the substrate placed on the first base surface, and disposed on the second base surface and formed of an insulating material Plates,
A first shower surface in which an ejection hole is formed, a second shower surface provided at a peripheral portion of the first shower surface, and a shower step provided between the first shower surface and the second shower surface A shower plate disposed in the chamber, and supplying the process gas toward the substrate;
An electrode mask having a height equal to or less than a height from the second shower surface to the first shower surface, disposed on the second shower surface so as to face the insulating plate, and formed of an insulating material. When,
Only including,
The insulating plate, a first abutment surface which abuts against the side surface of the substrate, and the upper surface of the substrate and over there including a protruding portion having a second contact surface that contacts the rear surface of the opposite A plasma processing apparatus.
プロセスガスが導入され、前記プロセスガスからなるプラズマが生成されるチャンバと、
基板が載置される第1ベース面,前記第1ベース面の周縁部に設けられた第2ベース面,及び前記第1ベース面と前記第2ベース面との間に設けられたベース段差部を有し、前記チャンバ内に配置されたベース部材と、
前記第2ベース面から前記第1ベース面に載置された前記基板の上面までの高さ以下である高さを有し、前記第2ベース面上に配置され、絶縁物質で形成された絶縁プレートと、
前記基板に向けて前記プロセスガスを供給し、前記チャンバ内に配置されたシャワープレートと、
前記絶縁プレートに対向するように前記シャワープレートの周縁部に配置され、絶縁物質で形成された電極マスクと、
を含み、
前記絶縁プレートは、前記基板の側面に当接される第1当接面と、前記基板の前記上面とは反対の裏面に当接される第2当接面を有する突出部とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus,
A chamber in which a process gas is introduced and a plasma composed of the process gas is generated;
A first base surface on which a substrate is placed, a second base surface provided at a peripheral portion of the first base surface, and a base step portion provided between the first base surface and the second base surface A base member disposed in the chamber;
An insulation having a height equal to or less than a height from the second base surface to an upper surface of the substrate placed on the first base surface, and disposed on the second base surface and formed of an insulating material Plates,
Supplying the process gas toward the substrate, and a shower plate disposed in the chamber;
An electrode mask disposed on the peripheral edge of the shower plate so as to face the insulating plate, and formed of an insulating material;
Only including,
The insulating plate, a first abutment surface which abuts against the side surface of the substrate, and the upper surface of the substrate and over there including a protruding portion having a second contact surface that contacts the rear surface of the opposite A plasma processing apparatus.
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