JP5392084B2 - 発光ダイオード素子およびその製造方法 - Google Patents

発光ダイオード素子およびその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、発光ダイオード素子およびその製造方法に関し、より詳しくは、発光ダイオードチップの光出射面における発光ダイオードチップの出射光の全反射を抑制した発光ダイオード素子およびその製造方法に関する。
発光ダイオード(以下、「LED」という。)は、p型半導体とn型半導体とを接合(pn接合)させたものである。LEDのカソードに対してアノードに正電圧を印加すると、p型半導体では正孔が形成し、n型半導体では電子が形成し、これらがpn接合部付近で禁制帯を超えて再結合する際に光子が放出されることにより発光する。
GaN系LEDは、一般にMOCVD法などによりpn接合を有するGaN系多層膜をサファイア基板上に形成することによって製造される。ところが、前記サファイア基板やGaN系多層膜の表面が平滑であるため、発光した光のうち外部に取り出される光はGaN系多層膜の表面に対して垂直に近い光のみであった。これは、GaN系多層膜の屈折率が空気の屈折率に比べて大きく、GaN系多層膜と空気の屈折率差により、発光した光のうちGaN系多層膜の表面に対してある角度以上で斜めに入射した光がこの表面で全反射するためであった。
このため、従来から、LEDチップから発光した光が光出射面で全反射することを防止するために、例えば、光出射面に酸化チタン蒸着膜などの反射防止膜を形成したLED素子(特開平10−70307号公報(特許文献1)参照)、光出射面を加工して凹凸を付与したLED素子(特開平8−195505号公報(特許文献2)、特開2000−349331公報(特許文献3)、特開2003−174191公報(特許文献4)参照)、高屈折率の樹脂でLEDチップを封止したLED素子(特開平9−107128公報(特許文献5)参照)などが提案されている。
このように、光出射面での光の全反射を防止することによって光取出効率を高めることは、電気エネルギーから光エネルギーへのエネルギー変換の観点からも重要であり、より光取出効率の高いLED素子の開発が求められている。
また、特開2005−200657号公報(特許文献6)には、LEDの封止材などの光学材料に用いられる組成物として、結晶性シリカなどの粒子状フィラーを含有する光学材料用組成物が開示され、前記粒子状フィラーの平均粒子径は目的とする光の波長以下であることが好ましいことが開示されている。また、実施例では10μm以下の粒子状フィラーが使用されている。
特開平10−70307号公報 特開平8−195505号公報 特開2000−349331公報 特開2003−174191公報 特開平9−107128公報 特開2005−200657号公報
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、発光ダイオードチップ(以下、「LEDチップ」という。)の光出射面におけるLEDチップの出射光の全反射を抑制し、光取出効率をより高めた発光ダイオード素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、LEDチップの光出射面に、前記LEDチップの出射光を透過する材料からなり、特定の平均短径を有する透光性微粒子を特定の厚みとなるように配置することによって、LEDチップの光出射面におけるLEDチップの出射光の全反射を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の発光ダイオード素子は、発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップの光出射面上に配置された透光性微粒子を含む透光性微粒子層とを備え、前記透光性微粒子が、前記発光ダイオードチップの出射光を透過する材料からなる微粒子であり、前記透光性微粒子の平均短径が20〜40μmであり、前記透光性微粒子層の厚みが20〜200μmである、ことを特徴とするものである。前記透光性微粒子を構成する前記材料は前記発光ダイオードチップの出射光により蛍光発光しない材料であることが好ましい。
本発明の発光ダイオード素子において、温度25℃での前記発光ダイオードチップの発光ピーク波長λにおける前記発光ダイオードチップの屈折率nと前記透光性微粒子の屈折率nとの差の絶対値が下記式(1):
|n−n|≦2.5 (1)
で表される条件を満たすことが好ましい。
前記透光性微粒子層は透光性樹脂と該透光性樹脂中に分散した前記透光性微粒子とを含むことが好ましく、温度25℃での前記発光ダイオードチップの発光ピーク波長λにおける前記透光性微粒子の屈折率nと前記透光性樹脂の屈折率nとの差の絶対値が下記式(2):
0.001≦|n−n|≦0.05 (2)
で表される条件を満たすことがより好ましい。
本発明の発光ダイオード素子は、前記透光性微粒子層上に、透光性微粒子を含有しない透光性樹脂層をさらに備えることが好ましい。
本発明の発光ダイオード素子の製造方法は、発光ダイオードチップの光出射面上に、前記発光ダイオードチップの出射光を透過する材料からなり、平均短径が20〜40μmの透光性微粒子を配置して、厚みが20〜200μmの透光性微粒子層を形成することを特徴とするものである。前記透光性微粒子を構成する前記材料は前記発光ダイオードチップの出射光により蛍光発光しない材料であることが好ましい。
本発明によれば、LEDチップの光出射面におけるLEDチップの出射光の全反射を抑制し、発光ダイオード素子(以下、「LED素子」という。)の光取出効率をより高めることが可能となる。
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
先ず、本発明のLED素子について説明する。本発明のLED素子は、LEDチップと、このLEDチップの光出射面上に配置された透光性微粒子を含む透光性微粒子層とを備えるものであり、前記透光性微粒子が、前記発光ダイオードチップの出射光を透過する材料からなる微粒子であり、前記透光性微粒子の平均短径が20〜40μmであり、前記透光性微粒子層の厚みが20〜200μmである、ことを特徴とするものである。
ここで、「LEDチップの出射光を透過する材料」とは、LEDチップの発光ピーク波長λにおける光透過率が90〜100%であるものを意味する。また、本発明では「微粒子の平均短径」を、面積が最大となる微粒子断面上の内接円の最大直径の数平均値と定義する。
本発明のLED素子において、前記透光性微粒子の平均短径は20〜40μmである。透光性微粒子の平均短径が上記下限未満になると、LED素子の光取出効率は透光性微粒子を使用しない場合に比べて向上することもあるが、透光性微粒子による光の散乱が多くなるために平均短径が上記範囲の透光性微粒子を使用した場合に比べて劣る。他方、上記上限を超えると、LED素子の光取出効率は透光性微粒子を使用しない場合に比べて低下する。また、このような観点から前記透光性微粒子の平均短径は20〜30μmであることが好ましい。
前記透光性微粒子層の厚みは20〜200μmである。透光性微粒子層の厚みが上記下限未満になると光取出効率が低下する。他方、上記上限を超えると透光性微粒子による光の散乱が多くなるために光源が大きくなり、点光源と見なすことができず、後段の光学系の設計が難しくなる。また、このような観点から前記透光性微粒子層の厚みは50〜100μmであることが好ましい。前記透光性微粒子層は、LEDチップの光出射面のみに形成してもよいし、光出射面および側面を含むLEDチップの全面に形成してもよい。
本発明に用いられるLEDチップは特に制限されず、GaN系の青色または緑色LEDチップ、GaP系の赤色LEDチップ、ZnO系青色LEDチップなどの従来公知のものを使用することができる。
本発明に用いられる透光性微粒子としては、前記LEDチップの出射光を透過する材料からなり、平均短径が前記範囲内のものであれば特に限定されない。例えば、平均短径が前記上限を超えるものを乳鉢などで粉砕し、平均短径が前記範囲内となるようにふるいなどにより分級したものを本発明にかかる透光性微粒子として使用してもよい。また、光取出効率の観点から、前記透光性微粒子を構成する前記材料としては、前記LEDチップの出射光により蛍光発光しない材料であることが好ましい。このような透光性微粒子としては、光学ガラスを上述のように粉砕して分級したもの、スプレードライヤーにより造粒したものなどが挙げられる。なお、本発明において、「LEDチップの出射光により蛍光発光しない材料」とは、LEDチップの発光ピーク波長λの光を照射した場合の励起光の吸収強度に対する総蛍光強度の割合(以下、「蛍光収率」という。)が0〜5%のものを意味する。
また、本発明のLED素子では、温度25℃での前記LEDチップの発光ピーク波長λにおける前記LEDチップの屈折率nと前記透光性微粒子の屈折率nとの差の絶対値が下記式(1):
|n−n|≦2.5 (1)
で表される条件を満たすことが好ましく、下記式(1a):
|n−n|≦1.5 (1a)
で表される条件を満たすことがより好ましい。
このようなLED素子は、前記範囲の平均短径を有する透光性微粒子の中から、使用するLEDチップとの屈折率の差の絶対値が、好ましくは前記式(1)で表される条件を満たすもの、より好ましくは前記式(1a)で表される条件を満たすものを選択することにより得ることができる。
前記屈折率の差の絶対値が上記上限を超えるとLEDチップの光出射面においてLEDチップの出射光の全反射が起こり、LED素子の光取出効率が低下する傾向にある。
なお、本発明において、LEDチップや透光性微粒子などの屈折率は、使用するLEDチップの発光ピーク波長λについてマルチ分光ゴニオフォトメータ(例えば、テックワールド社製TPM−2500)を用いて25℃の環境下で測定した値である。例えば、GaN系の青色LEDチップの発光ピーク波長λは470nmであり、λ=470nmにおける25℃での屈折率nは2.5である。GaP系の赤色LEDチップの発光ピーク波長λは630nmであり、λ=630nmにおける25℃での屈折率nは3.2である。
また、本発明のLED素子では、エポキシ樹脂接着剤などの接着剤を用いて前記透光性微粒子をLEDチップの光出射面上に接着して配置してもよい。前記接着剤としては、得られるLED素子の光取出効率の低下を防ぐ観点から、温度25℃および前記LEDチップの発光ピーク波長λにおいて前記透光性微粒子の屈折率と略同一の屈折率を有するものが好ましい。
本発明のLED素子において、前記透光性微粒子層は、透光性樹脂とこの透光性樹脂中に分散した前記透光性微粒子とを含むことが好ましい。この透光性微粒子層は、透光性樹脂と透光性微粒子とを含む樹脂組成物をLEDチップの光出射面に塗布するだけで形成することができ、作業の簡略化が可能となる。ここで、「透光性樹脂」とは、LEDチップの発光ピーク波長λにおける光透過率が90〜100%であるものを意味する。
前記透光性微粒子層中の透光性樹脂の含有量は、透光性微粒子100質量部に対して20〜80質量部であることが好ましく、40〜60質量部であることがより好ましい。透光性樹脂の含有量が上記下限未満になると流動性が乏しくなり塗布しづらくなり、前記透光性微粒子層が均一にならない傾向にある。他方、上記上限を超えると光取出効率が低下する傾向にある。
前記透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、エピスルフィド系樹脂、チオウレタン系樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
また、本発明のLED素子では、温度25℃での前記LEDチップの発光ピーク波長λにおける前記透光性微粒子の屈折率nと前記透光性樹脂の屈折率nとの差の絶対値が下記式(2):
0.001≦|n−n|≦0.05 (2)
で表される条件を満たすことが好ましく、下記式(2a):
0.001≦|n−n|≦0.02 (2a)
で表される条件を満たすことがより好ましく、下記式(2b):
0.001≦|n−n|≦0.01 (2b)
で表される条件を満たすことが特に好ましい。
このようなLED素子は、前記透光性樹脂の中から、前記透光性微粒子との屈折率の差の絶対値が、好ましくは前記式(2)で表される条件を満たすもの、より好ましくは前記式(2a)で表される条件を満たすもの、特に好ましくは前記式(2b)で表される条件を満たすものを選択することにより得ることができる。
前記屈折率の差の絶対値が上記下限未満になるとLEDチップの光出射面においてLEDチップの出射光の全反射が起こり、LED素子の光取出効率が低下する傾向にある。他方、上記上限を超えると透光性樹脂と透光性微粒子の界面での反射が増えて光取出効率が低下する傾向にある。
さらに、本発明のLED素子としては、前記nとnとの差の絶対値が前記式(1)(より好ましくは前記式(1a))で表される条件を満たし、且つ、前記nとnとの差の絶対値が前記式(2)(より好ましくは前記式(2a)、特に好ましくは前記式(2b))で表される条件を満たすものが特に好ましい。このようなLED素子は、透光性微粒子と透光性樹脂による相乗効果によって、より高い光取出効率を示す。
本発明のLED素子では、前記透光性微粒子層上に、透光性微粒子を含有しない透光性樹脂層を形成してもよい。前記透光性樹脂層を形成するための透光性樹脂(以下、「透光性樹脂層形成用樹脂」という。)としては、前記透光性微粒子層で例示したものが挙げられる。これらのうち、前記透光性微粒子層が透光性樹脂を含有しない場合には、温度25℃および前記LEDチップの発光ピーク波長λにおいて前記透光性微粒子の屈折率と略同一の屈折率を有する透光性樹脂を使用することが好ましい。一方、前記透光性微粒子層が透光性樹脂を含有する場合には、前記透光性微粒子層に含まれるものと同じ透光性樹脂を使用することが好ましい。
本発明のLED素子のうち、透光性微粒子層が透光性樹脂を含まないものは以下の方法で製造できる。先ず、前記透光性微粒子を適当な溶媒(例えばアルコールなどの有機溶媒)に分散させる。次いで、この透光性微粒子分散液をLEDチップの光出射面に塗布した後、加熱処理などにより溶媒を除去する。これによりLEDチップと透光性微粒子層とを備えたLED素子が得られる。その後、必要に応じて前記透光性樹脂を透光性微粒子層上に塗布して透光性樹脂層を形成してもよい。
前記透光性微粒子分散液の微粒子濃度および塗布量は、溶媒除去後の透光性微粒子層の厚みが前記範囲内となるように適宜設定される。前記透光性微粒子分散液は、LEDチップの光出射面のみに形成してもよいし、光出射面および側面を含むLEDチップの全面に形成してもよい。
一方、透光性微粒子層が透光性樹脂を含むLED素子は以下の方法により製造できる。先ず、前記透光性樹脂と前記透光性微粒子とを混合、攪拌して透光性微粒子含有樹脂組成物を調製する。前記透光性樹脂の混合量は前記透光性微粒子50質量部に対して20〜80質量部であることが好ましく、40〜60質量部であることがより好ましい。透光性樹脂の混合量が上記下限未満になると流動性が乏しくなり塗布しづらくなる傾向にある。他方、上記上限を超えると光取出効率が低下する傾向にある。
次に、この透光性微粒子含有樹脂組成物をLEDチップの光出射面に塗布した後、エネルギー線照射や加熱処理などにより前記透光性樹脂を硬化させる。これによりLEDチップと透光性微粒子層とを備えたLED素子が得られる。その後、必要に応じて前記透光性樹脂を透光性微粒子層上に塗布して透光性樹脂層を形成してもよい。
前記透光性微粒子含有樹脂組成物の塗布量は、硬化後の透光性微粒子層の厚みが前記範囲内となるように適宜設定される。前記透光性微粒子含有樹脂組成物は、LEDチップの光出射面のみに塗布してもよいし、光出射面および側面を含むLEDチップの全面に形成しても構わない。
本発明のLED素子はそのまま点光源として利用することができるが、このLED素子を封止して種々のLED光源として利用することが可能である。例えば、片面に凹部を設けたフライアイレンズやコリメータレンズなどの光学材料の該凹部に本発明のLED素子を封止すると、LED素子の出射光を平行化することができる。従って、前記光学材料に封止された本発明のLED素子は平行光線を発するLED光源として利用できる。
前記光学材料としては従来公知のLED用光学材料を使用することができる。特に、透光性、光学的安定性および経済性の観点から環状オレフィン系樹脂や直鎖オレフィン系樹脂の射出成型材料を使用することが好ましい。前記凹部の形状は、光学材料の屈折率と封止樹脂の屈折率とが略同一である場合には特に限定されないが、屈折率差によって光学材料と封止樹脂との界面でLED素子の出射光の全反射が発生する場合にはこれを低減するために前記凹部は半球面状であることが好ましい。
前記封止樹脂としては従来公知のLED用封止樹脂を使用することができるが、封止樹脂とLED素子との界面でLED素子の出射光の全反射を抑制するためには、温度25℃および前記LEDチップの発光ピーク波長λにおいて前記透光性樹脂の屈折率と略同一の屈折率を有する封止樹脂を使用することが好ましい。
以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、使用した原材料および得られた発光ダイオード素子の物性は以下の方法により測定した。
<光透過率>
厚さ1mmあたりの内部透過率を分光光度計を用いて測定した。
<蛍光収率>
励起光の吸収強度に対する総蛍光強度の割合を蛍光分光光度計を用いて蛍光分光法により測定した。
<平均短径>
走査型電子顕微鏡写真から微粒子100個の短径を測定し、それらの算術平均値を平均短径とした。
<屈折率>
対象物質をプリズム形状に加工して最小偏角法により測定した。
<光取出効率>
LEDチップ、LED素子およびLED光源の全光束をスフィアオプティクス社製LED評価システムLCSシリーズを用いて測定した。LEDチップには規格電流を流し、所定の波長の光を発光させた。LEDの光取出効率=外部量子効率/内部量子効率と定義されるが、同種のLEDチップでは内部量子効率は同等であり、外部量子効率比は全光束比に等しいから、光取出効率比は全光束比に等しいとみなすことができ、これにより光取出効率を評価した。
<強度>
LEDチップ、LED素子およびLED光源についてテックワールド社製マルチ分光ゴニオフォトメータTPM−2500を用いて配光測定を実施し、放射角度分布の最大強度(以下、「強度」という)を求めた。LEDチップには規格電流を流し、所定の波長の光を発光させた。
(実施例1)
LEDチップとして、サファイア基板とこの基板上に形成されたInGaN多層膜(pn接合)とを備えたもの(昭和電工(株)製、商品名「GU35R470T」、発光ピーク波長:λ=470nm(青色)、λ=470nmにおける屈折率(25℃):n=2.5、電流規格:直流20mA、光出射面の大きさ:350μm×350μm)を使用した。
透光性微粒子として、光学ガラス(HOYA(株)製、商品名「E−FEL6」)を乳鉢で粉砕してふるいにより分級し、粒径が20〜40μmのガラス粉を採取して使用した。このガラス粉の平均短径は30μmであり、λ=470nmにおける屈折率(25℃)はn=1.540であり、1cm当たりの光学損失は0.2%以下であった。また、前記LEDチップの発光ピーク波長λにおけるこのガラス粉の光透過率は約100%であり、蛍光収率は0%であった。
前記LEDチップを標準基板(NECショットコンポーネンツ(株)製、商品名「TO18」)上にフェースアップ実装し、このLEDチップの光出射面に、前記ガラス粉を分散したメタノール(ガラス粉濃度:0.5g/ml)を数回に分けて合計10μl塗布し、80℃の恒温槽で1時間加熱してメタノールを除去した。これによりLEDチップと透光性微粒子層とを備えたLED素子を得た。
このLED素子を光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡により観察したところ、前記LEDチップの光出射面は全て前記ガラス粉で被覆されていることが確認された。被覆されたガラス粉により形成された透光性微粒子層の厚みは50μmであり、光出射面上のガラス粉の個数は50〜100個の範囲内であった。
得られたLED素子の全光束を測定し、これを前記LEDチップ(ガラス粉で被覆していないもの)の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。その結果、前記LED素子の光取出効率は前記LEDチップの約1.2倍に増大していることが確認された。また、前記LED素子の強度も前記LEDチップの約1.2倍に増大していることが確認された。
(実施例2)
透光性樹脂としてλ=470nmにおける屈折率(25℃)nが1.518であり、光透過率が99%であるエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名「YX8000」)を使用した。このエポキシ樹脂と実施例1に記載のガラス粉(平均短径:30μm、n=1.540(25℃))とを質量比1:1で混合、攪拌し、ガラス粉含有エポキシ樹脂組成物を得た。
このガラス粉含有エポキシ樹脂組成物を、実施例1に記載の標準基板上にフェースアップ実装したLEDチップ(λ=470nm(青色)、n=2.5(25℃))の光出射面およびその周辺に1.5μl塗布した。次いで100℃の恒温槽で2時間加熱してエポキシ樹脂を硬化させ、厚みが50μmの透光性微粒子層を形成した。これによりLEDチップと透光性微粒子層とを備えたLED素子を得た。
次に、LED素子の出射光を平行化するためのLED用コリメータレンズを作製した。脂環族オレフィン樹脂(日本ゼオン(株)製、商品名「ZEONEX−480R」、λ=470nmにおける屈折率(25℃):1.53)を射出成型して、片面が凸曲面であり、その反対側の面が中心部に凹部を有する平面であるLED用コリメータレンズを作製した。
このLED用コリメータレンズの前記凹部に前記LED素子を配置してエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名「YX8000」、λ=470nmにおける屈折率(25℃):1.518、および光透過率:99%)を充填し、80℃の恒温槽で1時間加熱して前記エポキシ樹脂を半硬化させた。その後、100℃の恒温槽で1時間加熱して前記エポキシ樹脂を完全硬化させ、LED素子を封止した。これによりLED素子とコリメータレンズとを備えたLED光源を得た。なお、前記脂環族オレフィン樹脂「ZEONEX−480R」とエポキシ樹脂「YX8000」の屈折率はほぼ同一であり、前記封止によりこれらは光学的に一体化する。このため、LED用コリメータレンズの前記凹部の形状は特に制限されない。
得られたLED光源の全光束を測定し、下記の対照用LED光源の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。また、前記LED光源の強度を測定し、下記対照用LED光源と比較した。これらの結果を表1に示す。
<対照用LED光源>
実施例1に記載の標準基板上にフェースアップ実装したLEDチップ(λ=470nm(青色)、n=2.5(25℃))を前記LED用コリメータレンズの凹部に配置してエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名「YX8000」、λ=470nmにおける屈折率(25℃):1.518、および光透過率:99%)を充填し、80℃の恒温槽で1時間加熱して前記エポキシ樹脂を半硬化させた。その後、LEDチップを封止して、100℃の恒温槽で1時間加熱して前記エポキシ樹脂を完全硬化させた。これによりLEDチップとコリメータレンズとを備えた対照用LED光源を得た。
(比較例1)
透光性微粒子として、光学ガラス(HOYA(株)製、商品名「E−FEL6」)を乳鉢で粉砕してふるいにより分級し、粒径が20μm未満のガラス粉を採取して使用した。このガラス粉の平均短径は5μmであり、λ=470nmにおける屈折率(25℃)はn=1.540であり、1cm当たりの光学損失は0.2%以下であった。また、前記LEDチップの発光ピーク波長λにおけるこのガラス粉の光透過率は100%であり、蛍光収率は0%であった。
このガラス粉を使用した以外は実施例2と同様にしてLED光源を作製した。なお、透光性微粒子層の厚みは20μmであった。得られたLED光源の全光束を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。また、前記LED光源の強度を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源と比較した。これらの結果を表1に示す。
(比較例2)
透光性微粒子として、光学ガラス(HOYA(株)製、商品名「E−FEL6」)を乳鉢で粉砕してふるいにより分級し、粒径が40μmを超えるガラス粉を採取して使用した。このガラス粉の平均短径は50μmであり、λ=470nmにおける屈折率(25℃)はn=1.540であり、1cm当たりの光学損失は0.5%以下であった。また、前記LEDチップの発光ピーク波長λにおけるこのガラス粉の光透過率は100%であり、蛍光収率は0%であった。
このガラス粉を使用した以外は実施例2と同様にしてLED光源を作製した。なお、透光性微粒子層の厚みは50μmであった。得られたLED光源の全光束を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。また、前記LED光源の強度を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源と比較した。これらの結果を表1に示す。
Figure 0005392084
表1に示した結果から明らかなように、本発明に係る平均短径が30μmのガラス粉で光出射面を被覆した場合(実施例2)には、光出射面を被覆しなかった場合(対照用LED光源)に比べてLED光源の強度は18%、光取出効率は22%向上した。一方、平均短径が5μmのガラス粉で被覆した場合(比較例1)は、LED光源の強度および光取出効率は対照用LED光源に比べて向上したものの、実施例2に比べて劣るものであった。また、平均短径が50μmのガラス粉で被覆した場合(比較例2)には、LED光源の強度および光取出効率は対照用LED光源に比べて低下した。
(実施例3)
透光性樹脂としてエポキシ樹脂「YX8000」の代わりにλ=470nmにおける屈折率(25℃)nが1.543であり、光透過率が99%であるシリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製、商品名「OE6665」)を使用した以外は実施例2と同様にしてLED光源を作製した。なお、透光性微粒子層の厚みは50μmであった。
得られたLED光源の全光束を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。また、前記LED光源の強度を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源と比較した。これらの結果を表2に示す。
Figure 0005392084
表2に示した実施例2と実施例3の結果から明らかなように、ガラス粉と透光性樹脂との屈折率の差が小さくなるにつれて強度および光取出効率がより向上することが確認された。
(参考例1)
透光性微粒子として、光学ガラス(HOYA(株)製、商品名「FCD10」)を乳鉢で粉砕してふるいにより分級し、粒径が20〜40μmのガラス粉を採取して使用した。このガラス粉の平均短径は30μmであり、λ=470nmにおける屈折率(25℃)はn=1.461であり、1cm当たりの光学損失は0.5%以下であった。また、前記LEDチップの発光ピーク波長λにおけるこのガラス粉の光透過率は100%であり、蛍光収率は0%であった。
このガラス粉を使用した以外は実施例2と同様にしてLED光源を作製した。なお、透光性微粒子層の厚みは50μmであった。得られたLED光源の全光束を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。また、前記LED光源の強度を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源と比較した。これらの結果を表3に示す。
(参考例2)
透光性微粒子として、光学ガラス(HOYA(株)製、商品名「E−FD5」)を乳鉢で粉砕してふるいにより分級し、粒径が20〜40μmのガラス粉を採取して使用した。このガラス粉の平均短径は30μmであり、λ=470nmにおける屈折率(25℃)はn=1.690であり、1cm当たりの光学損失は0.5%以下であった。また、前記LEDチップの発光ピーク波長λにおけるこのガラス粉の光透過率は100%であり、蛍光収率は0%であった。
このガラス粉を使用した以外は実施例2と同様にしてLED光源を作製した。なお、透光性微粒子層の厚みは50μmであった。得られたLED光源の全光束を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源の全光束と比較して光取出効率の増減を調べた。また、前記LED光源の強度を測定し、実施例2に記載の対照用LED光源と比較した。これらの結果を表3に示す。
Figure 0005392084
以上説明したように、本発明によれば、LEDチップの光出射面におけるLEDチップの出射光の全反射を抑制することが可能となる。
したがって、本発明のLED素子は、光取出効率が高く、照明器具、自動車用ライト、信号機、標識、液晶ディスプレイなどのバックライトなどの高輝度光源として有用である。

Claims (5)

  1. 発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップの光出射面上に配置された透光性微粒子を含む透光性微粒子層とを備え、
    前記透光性微粒子が、前記発光ダイオードチップの出射光を透過する材料からなる微粒子であり、
    前記透光性微粒子の平均短径が20〜40μmであり、
    前記透光性微粒子層の厚みが20〜200μmであ
    温度25℃での前記発光ダイオードチップの発光ピーク波長λ における前記発光ダイオードチップの屈折率n と前記透光性微粒子の屈折率n との差の絶対値が下記式(1):
    |n −n |≦2.5 (1)
    で表される条件を満たし、
    前記透光性微粒子層が透光性樹脂と該透光性樹脂中に分散した前記透光性微粒子とを含み、
    温度25℃での前記発光ダイオードチップの発光ピーク波長λ における前記透光性微粒子の屈折率n と前記透光性樹脂の屈折率n との差の絶対値が下記式(2):
    0.001≦|n −n |≦0.05 (2)
    で表される条件を満たす、
    ことを特徴とする発光ダイオード素子。
  2. 前記透光性微粒子を構成する前記材料が前記発光ダイオードチップの出射光により蛍光発光しない材料であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード素子。
  3. 前記透光性微粒子層上に、透光性微粒子を含有しない透光性樹脂層をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ダイオード素子。
  4. 発光ダイオードチップの光出射面上に、前記発光ダイオードチップの出射光を透過する材料からなり、平均短径が20〜40μmの透光性微粒子配置して、厚みが20〜200μmの透光性微粒子層を形成することを特徴とし、
    温度25℃での前記発光ダイオードチップの発光ピーク波長λ における前記発光ダイオードチップの屈折率n と前記透光性微粒子の屈折率n との差の絶対値が下記式(1):
    |n −n |≦2.5 (1)
    で表される条件を満たし、
    前記透光性微粒子層が透光性樹脂と該透光性樹脂中に分散した前記透光性微粒子とを含み、
    温度25℃での前記発光ダイオードチップの発光ピーク波長λ における前記透光性微粒子の屈折率n と前記透光性樹脂の屈折率n との差の絶対値が下記式(2):
    0.001≦|n −n |≦0.05 (2)
    で表される条件を満たす、
    ことを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。
  5. 前記透光性微粒子を構成する前記材料が前記発光ダイオードチップの出射光により蛍光発光しない材料であることを特徴とする請求項に記載の発光ダイオード素子の製造方法。
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