JP5391392B2 - Phenazacillin polymer and organic thin-film transistor using the phenazacillin polymer - Google Patents
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Description
本発明は、フェナザシリン誘導体を主鎖に持つポリマー、即ち、5,10−ジヒドロ−5H−フェナザシリン(以下、単に「フェナザシリン」という)化合物を主鎖に持つ新規なフェナザシリン系重合体、および当該フェナザシリン系重合体を用いた有機薄膜トランジスタに関する。 The present invention relates to a polymer having a phenazacillin derivative in the main chain, that is, a novel phenazacillin polymer having a 5,10-dihydro-5H-phenazacillin (hereinafter simply referred to as “phenazacillin”) compound in the main chain, and the phenazacillin-based polymer. The present invention relates to an organic thin film transistor using a polymer.
フェナザシリン化合物は酸化を防止する化合物として知られている(例えば、非特許文献1参照)。また、ジェットエンジンの潤滑剤用の耐熱性添加剤としても知られている(例えば、非特許文献2参照)。さらに、フェナザシリンの低分子化合物については、発光素子の正孔輸送材料として好適に用いられることも知られている(例えば、特許文献1,2参照)。一方で、ポリアニリンを初めとする芳香族アミン型ポリマーは、高い電気活性を示すことが知られている。
しかしながら、上記した従来のフェナザシリンをはじめとする低分子化合物を、発光素子をはじめとする電子素子の構成材料として用いる場合、キャスト法では膜形成がうまくいかないので、真空蒸着等の方法が用いられる。その場合、真空蒸着装置等の高価な機器が必要とされるので、より簡便な手段によって電子素子の構成材料として利用できることが求められていた。また、ポリアニリンを初めとする芳香族アミン型ポリマーは、一般の有機溶媒への溶解性が低いため、膜形成がしにくく、素子化が難しいという問題点があった。 However, when the above-described low molecular weight compounds such as conventional phenazacillin are used as a constituent material of an electronic element such as a light emitting element, film formation is not successful by the casting method, and thus a method such as vacuum deposition is used. In that case, since expensive equipment such as a vacuum vapor deposition apparatus is required, it has been demanded that it can be used as a constituent material of an electronic element by a simpler means. In addition, aromatic amine type polymers such as polyaniline have a problem in that it is difficult to form a film because it is difficult to form a film because of its low solubility in general organic solvents.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、均質な膜を容易かつ低廉に作成できるフェナザシリン系重合体および当該フェナザシリン系重合体を用いた有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a phenazacillin polymer capable of easily and inexpensively producing a homogeneous film and an organic thin film transistor using the phenazacillin polymer. .
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式(1)で表されるフェナザシリン化合物を主鎖骨格とする重合体が有機溶媒への溶解性が高いことを発見し、キャスト法による膜作成が可能であることを見いだした。即ち、第一発明の重合体は下記一般式(1)で示されるようなフェナザシリン化合物を主鎖骨格とすることを特徴とする。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a polymer having a main chain skeleton of a phenazacillin compound represented by the following general formula (1) has high solubility in an organic solvent. I discovered that it was possible to create a film by the casting method. That is, the polymer of the first invention is characterized in that the main chain skeleton is a phenazacillin compound represented by the following general formula (1).
第二発明の重合体は、下記一般式(2)で示されるようなフェナザシリン化合物を主鎖骨格とすることを特徴とする。
第三発明の重合体は、下記一般式(3)で示されるようなフェナザシリン化合物を主鎖骨格とすることを特徴とする。
さらに、本発明によると、一般式(1)〜(3)の重合体を含む一般式(4)に記載の重合体を薄膜に用いることにより、有機トランジスタが提供される。
前記一般式(1)〜(4)において、R1,R2,R4,R5で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、n−またはiso−プロピル、n−、iso−またはtert−ブチル、n−、iso−またはneo−ペンチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル等の直鎖、分岐、環状の炭素数1〜24、好ましくは1〜12のアルキル基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、o−、m−、p−トリル基、1−および2−ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基等の炭素数6〜50、好ましくは6〜32のアリール基が挙げられる。 In the general formulas (1) to (4), the alkyl group represented by R 1 , R 2 , R 4 , R 5 is methyl, ethyl, n- or iso-propyl, n-, iso- or tert. A linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, preferably 1 to 12 carbon atoms such as -butyl, n-, iso- or neo-pentyl, n-hexyl, cyclohexyl, n-heptyl, n-octyl, etc. Can be mentioned. Examples of the aryl group include phenyl groups, o-, m-, p-tolyl groups, 1- and 2-naphthyl groups, anthryl groups, fluorenyl groups and the like, and aryl groups having 6 to 50 carbon atoms, preferably 6 to 32 carbon atoms. It is done.
前記一般式(1)〜(4)において、R1,R2,R5で表されるアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、n−またはiso−プロポキシ、n−、iso−またはtert−ブトキシ、n−、iso−またはneo−ペントキシ、n−ヘキソキシ、シクロヘキソキシ、n−ヘプトキシ、n−オクトキシ等の直鎖、分岐、環状の炭素数1〜24、好ましくは1〜12のアルコキシ基があげられる。アリーロキシ基としては、フェノキシ基、o−、m−、p−トリロキシ基、1−および2−ナフトキシ基、アントロキシ基、フルオレニル基等の炭素数6〜50、好ましくは6〜32のアリーロキシ基が挙げられる。 In the general formulas (1) to (4), examples of the alkoxy group represented by R 1 , R 2 , R 5 include methoxy, ethoxy, n- or iso-propoxy, n-, iso- or tert-butoxy, Examples thereof include linear, branched and cyclic alkoxy groups having 1 to 24 carbon atoms, preferably 1 to 12 carbon atoms such as n-, iso- or neo-pentoxy, n-hexoxy, cyclohexoxy, n-heptoxy and n-octoxy. . Examples of the aryloxy group include aryloxy groups having 6 to 50 carbon atoms, preferably 6 to 32 carbon atoms such as phenoxy group, o-, m-, p-triloxy group, 1- and 2-naphthoxy group, anthoxy group and fluorenyl group. It is done.
また、R3で表される二価のアルキル基としては、メチレン、エタン−1,2−ジイル、エタン−1,1−ジイル、プロパン−1,1−ジイル、プロパン−1,2−ジイル、プロパン−1,3−ジイル等の直鎖、分岐の炭素数1〜20、望ましくは2〜8の二価のアルキル基が挙げられる。 Examples of the divalent alkyl group represented by R 3 include methylene, ethane-1,2-diyl, ethane-1,1-diyl, propane-1,1-diyl, propane-1,2-diyl, Examples thereof include a linear or branched divalent alkyl group having 1 to 20, preferably 2 to 8, carbon atoms such as propane-1,3-diyl.
前記一般式(1)〜(4)における平均重合度nは、1を超える任意の数字を取りうるが、2<n<10000の範囲であることが望ましい。 The average degree of polymerization n in the general formulas (1) to (4) can take any number exceeding 1, but is preferably in the range of 2 <n <10000.
本発明のフェナザシリン系重合体は、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、トリフルオロ酢酸等の有機酸、トルエンやTHF等の通常の有機溶剤に容易に結晶化することなく溶解するから、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法等の通常の塗布法を用いて簡易に成膜化して薄膜を形成できるものであり、有機薄膜トランジスタの構成材料に用いることが可能である。 Since the phenazacillin polymer of the present invention is easily dissolved in a normal organic solvent such as halogenated hydrocarbons such as dichloromethane, dichloroethane and chloroform, organic acids such as trifluoroacetic acid, toluene and THF without crystallization, A thin film can be formed by simply forming a film using a normal coating method such as a spin coating method, a dip coating method, or a roll coating method, and can be used as a constituent material of an organic thin film transistor.
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited only to these examples.
・実施例1
ポリ(5,10−ジメチル−10−{2−[(9H−フルオレン−2−イル)イミノカルボニルオキシ]エチル}−5,10−ジヒドロフェナザシリン−2,8−ジイル)の合成(一般式(1),R1=R2=メチル基,R3=エタン−1,2−ジイル,R4=フルオレニル基)
Synthesis of poly (5,10-dimethyl-10- {2-[(9H-fluoren-2-yl) iminocarbonyloxy] ethyl} -5,10-dihydrophenazacillin-2,8-diyl) (general formula (1), R 1 = R 2 = methyl group, R 3 = ethane-1,2-diyl, R 4 = fluorenyl group)
まず、氷浴中で5.07gのN−メチル−2,2’,4,4’−テトラブロモジフェニルアミンを80mLのエーテルに懸濁させた後に13.0mLのn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.6M)を加えた。さらにジクロロメチルビニルシランを1.43g加え、沈殿が生成した後に氷浴を外して24時間攪拌した。反応液を氷水に注ぎ、エーテルで抽出した後にヘキサンで洗浄することにより2.86gの2,8−ジブロモ−5,10−ジメチル−10−ビニル−5,10−ジヒドロフェナザシリンを白い粉末として単離した。 First, 5.07 g of N-methyl-2,2 ′, 4,4′-tetrabromodiphenylamine was suspended in 80 mL of ether in an ice bath, and then 13.0 mL of n-butyllithium in hexane solution (1 .6M) was added. Further, 1.43 g of dichloromethylvinylsilane was added, and after the precipitate was formed, the ice bath was removed and the mixture was stirred for 24 hours. The reaction solution was poured into ice water, extracted with ether and then washed with hexane to obtain 2.86 g of 2,8-dibromo-5,10-dimethyl-10-vinyl-5,10-dihydrophenazacillin as a white powder. Isolated.
続いて、400mgの2,8−ジブロモ−5,10−ジメチル−10−ビニル−5,10−ジヒドロフェナザシリンを10mLのTHFに溶かした溶液に、660mgの9−BBNダイマーを加えて3日攪拌した。さらに、5mLの34.5%過酸化水素水、7mLの3N水酸化ナトリウム水溶液を加えて一日攪拌した。生成物を酢酸エチルで抽出し、シリカゲルのカラムで精製したものをさらにヘキサンで洗浄することにより、314mgの2,8−ジブロモ−5,10−ジメチル−10−(2−ヒドロキシエチル)−5,10−ジヒドロフェナザシリンを得た。 Subsequently, 660 mg of 9-BBN dimer was added to a solution of 400 mg of 2,8-dibromo-5,10-dimethyl-10-vinyl-5,10-dihydrophenazacillin in 10 mL of THF for 3 days. Stir. Further, 5 mL of 34.5% hydrogen peroxide solution and 7 mL of 3N aqueous sodium hydroxide solution were added and stirred for one day. The product was extracted with ethyl acetate and the silica gel column purified was further washed with hexane to give 314 mg of 2,8-dibromo-5,10-dimethyl-10- (2-hydroxyethyl) -5, 10-dihydrophenazacillin was obtained.
さらに、2,8−ジブロモ−5,10−ジメチル−10−(2−ヒドロキシエチル)−5,10−ジヒドロフェナザシリン0.44gを10mLのトルエンに溶かした溶液に、9H−フルオレン−2−イルイソシアネートを0.22g加えて100℃にて攪拌した。反応溶液をヘキサンに注いで得られた沈殿をろ過することにより、黄色い粉末として2,8−ジブロモ−5,10−ジメチル−10−{2−[(9H−フルオレン−2−イル)イミノカルボニルオキシ]エチル}−5,10−ジヒドロフェナザシリンを0.56g単離した。 Further, 9H-fluorene-2- (2,8-dibromo-5,10-dimethyl-10- (2-hydroxyethyl) -5,10-dihydrophenazacillin in a solution of 0.44 g in 10 mL of toluene was added. 0.22 g of yl isocyanate was added and stirred at 100 ° C. The precipitate obtained by pouring the reaction solution into hexane was filtered to obtain 2,8-dibromo-5,10-dimethyl-10- {2-[(9H-fluoren-2-yl) iminocarbonyloxy as a yellow powder. ] 0.56 g of ethyl} -5,10-dihydrophenazacillin was isolated.
さらに、窒素雰囲気下で320mgのビス(シクロオクタジエン)ニッケル(0)に1,5−シクロオクタジエン1mLを加えた後にトルエン5mLを加えて懸濁させた。さらに2,2’−ビピリジル190mgを加えて攪拌した。さらに484mg(0.76mmol)の2,8−ジブロモ−5,10−ジメチル−10−{2−[(9H−フルオレン−2−イル)イミノカルボニルオキシ]エチル}−5,10−ジヒドロフェナザシリンを加えた後に60℃に昇温して48時間攪拌した。反応液をメタノールに注いで析出した粉末を水、ついでメタノールで洗浄した。さらにこの粉末をクロロホルムに溶かしてヘキサンで再沈殿することにより上記重合体(ポリマー1)を315mg(モノマーユニットとして0.66mmol)を単離した。 Further, 1 mL of 1,5-cyclooctadiene was added to 320 mg of bis (cyclooctadiene) nickel (0) under a nitrogen atmosphere, and then 5 mL of toluene was added to suspend the mixture. Further, 190 mg of 2,2'-bipyridyl was added and stirred. Further 484 mg (0.76 mmol) 2,8-dibromo-5,10-dimethyl-10- {2-[(9H-fluoren-2-yl) iminocarbonyloxy] ethyl} -5,10-dihydrophenazacillin The mixture was heated to 60 ° C. and stirred for 48 hours. The reaction solution was poured into methanol, and the precipitated powder was washed with water and then with methanol. Further, 315 mg (0.66 mmol as a monomer unit) of the polymer (polymer 1) was isolated by dissolving the powder in chloroform and reprecipitating with hexane.
得られたポリマー1の数平均分子量は4200(n=8.9)、重量平均分子量は8200(n=17.3)であり、キャストフィルムを作製するためには十分な重合度であった。また、本物質は、IRおよび1H−NMRスペクトルで同定した。 The obtained polymer 1 had a number average molecular weight of 4200 (n = 8.9) and a weight average molecular weight of 8200 (n = 17.3), which was a sufficient degree of polymerization for producing a cast film. This substance was identified by IR and 1 H-NMR spectrum.
・実施例2
下記に示すポリ(5,10−ジメチル−10−ビニル−5,10−ジヒドロフェナザシリン−2,8−ジイル)の合成(一般式(3),R1=R2=メチル基)
Synthesis of poly (5,10-dimethyl-10-vinyl-5,10-dihydrophenazacillin-2,8-diyl) shown below (general formula (3), R 1 = R 2 = methyl group)
ポリマー2のクロロホルム可溶部の数平均分子量は1300(n=5.2)、重量平均分子量は1900(n=7.6)であった。なお、本物質は、IRおよび1H−NMRスペクトルで同定した。
The number average molecular weight of the chloroform soluble part of the
・実施例3
下記に示すポリ(5,10−ジメチル−10−(2−ヒドロキシメチル)−5,10−ジヒドロフェナザシリン−2,8−ジイル)の合成(一般式2,R3=エタン−1,2−ジイル,R1=R2=メチル基)
Synthesis of poly (5,10-dimethyl-10- (2-hydroxymethyl) -5,10-dihydrophenazacillin-2,8-diyl) shown below (
・実施例4
ポリフェナザシリンを用いたトランジスタの作成
図1は、有機薄膜トランジスタ10の概略断面図を示したものである。基板6には厚さ0.7mmのガラス板を用い、このガラス板を超純水と有機溶媒を用いた超音波洗浄をした後、ゲート電極5としてアルミニウムを50nm真空蒸着した。
Example 4
1 is a schematic cross-sectional view of an organic
次に、オゾン洗浄を行った後、ゲート電極5上にポリイミド前駆体をスピンコート法で成膜し、200℃でベークして厚さ270nmのゲート絶縁層4とした。その後、背面露光を用いてゲート電極5上にレジストを形成し、この上から金を50nm真空蒸着で成膜した後リフトオフを行うことでソース電極2とドレイン電極3を形成した。この上からポリフェナザシリンの1.5wt%トルエン溶液をスピンコート法で成膜することによりポリマー層とし、有機薄膜トランジスタ10の作製を行った。
Next, after ozone cleaning, a polyimide precursor film was formed on the
ポリフェナザシリンとして、ポリ(10,10−ジオクチル−5−メチルフェナザシリン)(一般式(4),R1=R5=オクチル基,R2=メチル基)を用い、ゲート長193μm、ゲート幅688μmで作製された素子は、移動度2.14×10−4[cm2/Vs]、on−off比103.10、閾値電圧−25.5Vのp型トランジスタ特性を示した。
・実施例5
実施例4に記載の方法にて作成された素子におけるポリマーとして、ポリマー1(一般式(4),R1=R2=メチル基,R5=2−[(9H−フルオレン−2−イル)イミノカルボニルオキシ]エチル基)を用い、ゲート長50μm、ゲート幅700μmで作製された素子は、移動度3.38×10−7[cm2/Vs]、on−off比101.09、閾値電圧−9.83Vのp型トランジスタ特性を示した。
Example 5
As a polymer in the device prepared by the method described in Example 4, polymer 1 (general formula (4), R 1 = R 2 = methyl group, R 5 = 2-[(9H-fluoren-2-yl)) imino used carbonyloxy] ethyl group), a gate length 50 [mu] m, the element fabricated by the gate width 700 .mu.m, mobility 3.38 × 10- 7 [cm 2 / Vs], on-off ratio 10 1. 09 , p-type transistor characteristics with a threshold voltage of −9.83 V were shown.
1 ポリフェナザシリン
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート絶縁層
5 ゲート電極
6 基板
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