JP5386365B2 - バイステイブルネマチック液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、バイステイブルネマチック液晶表示素子に好適に適用可能なネマチック液晶組成物及びこれを用いたバイステイブルネマチック液晶表示素子に関する。

液晶表示素子（ＬＣＤ）は、薄く、軽く、低消費電力であるため、様々な用途に応用されている。このＬＣＤは、液晶組成物を少なくとも一方の基板が透明である２枚の基板の間に挟み込んだ構造を有し、２枚の基板はそれぞれの内側の面（互いに対向する面）に、液晶組成物に電界を印加し得るよう電極層と、液晶を配向させるための配向処理がなされた配向膜が施されている。この配向処理は、液晶組成物を配向膜に並べると同時に束縛する働きを持つ。
液晶組成物にフレデリック（Ｆｒｅｅｄｅｒｉｃｋｓｚ）転移電圧以上の電界を印加すると、液晶組成物の配向方向が変化し、液晶組成物の持つ複屈折性により光学的変化が生じ、さらに偏光板を用いることにより表示素子として機能する。

上記のごときＬＣＤ（「クラシックＬＣＤ」と称する。）は、以下の特性を持つ。
（１）外部電場を印加し、情報表示をさせた後、電場を切ると表示も消える。
（２）配向膜は液晶分子を配向膜に対して水平に配向させる働きを持ち、かつ液晶分子に対し非常に強いアンカリング力を有する。そのため、電場を印加している状態でも配向膜近傍の液晶分子は電場方向には並ばず、ほぼ配向膜に対して水平方向を維持する。
（３）電場が切られた場合、電場印加前の状態に戻る。

これらクラシックＬＣＤ用の液晶組成物では、温度範囲、粘性、弾性定数、複屈折率、誘電異方性、しきい値特性等の特性を最適化し、ＬＣＤの特性を高めるため様々な検討がなされてきた。上記特性を最適化するには、単一化合物では達成されず、複数の化合物を組み合わせることが必要となる（非特許文献１を参照）。

さらにこのクラシックＬＣＤでは、配向膜の液晶分子に対するアンカリング力に関しては厳密な設計は必要なく、「強い」アンカリング力が必要、言い換えれば、ある強さ以上が必要（Ｌ_Ｚ＜１５ｎｍ、なおＬ_Ｚについては後述する。）とされている。この強いアンカリング力が得られる配向膜については既に研究がなされており、現在では数種類の配向膜材料が使用されている（非特許文献２を参照）。

近年、「バイステイブル」（双安定）ネマチックディスプレイと呼ばれる新しいネマチック液晶表示素子が研究されている。このディスプレイでは、液晶分子は２つの安定な配向状態を持ち、２つの配向状態を切り替える時にのみ電圧印加が必要で、表示を維持するため電圧を印加し続ける必要はない。この表示原理では、消費電力は表示の切り替え回数に比例することとなり、切り替え周期が長くなればなるほど消費電力は０に近づいていくこととなる。そのため、低消費電力が要求されるようなモバイル系ディスプレイに非常に有用である。

基板上の配向膜の作用によって安定化されるバイステイブルディスプレイが２つ提案されている。一つは、配向膜上で２つの配向状態を持つもの（双安定（バイステイブル））、もう一つは、配向膜上で１つの配向状態を持つもの（単安定（モノステイブル））である。これらのディスプレイでは、少なくとも一つの配向膜上の液晶分子のアンカリングを破壊することにより、２つの安定状態間をスイッチングする。電圧を印加することにより、配向膜上の液晶分子は界面トルクが０、エネルギーが最大になる方向へ向く。電圧を切ると配向膜上の液晶分子は安定な配向状態へ戻り、バルクの液晶は一つ又はもう一つの安定状態へ移行する。

ＺＢＤディスプレイズによって開発されたディスプレイは（非特許文献３を参照）、２つの安定状態を持つ配向膜を使用している。配向膜上の液晶分子は、基板に対しほぼ水平な配向状態とほぼ垂直な配向状態の２つの安定状態を持つ。Ｏｒｓａｙ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙでは、２つの異なるチルト角によるバイステイブルな配向状態をもつバイステイブルネマチックディスプレイが提案されている。一つはフレクソエレクトリック効果を用いる手法で（特許文献１を参照）、もう一つは電子キラル効果を用いる手法である（特許文献２を参照）。

この２つのバイステイブルネマチックディスプレイはモノステイブルな配向膜、及びアンカリングの破壊によるスイッチングを使用し、ＢｉＮｅｍ（登録商標）ディスプレイとしてフランス国のネモプティック社により（特許文献３〜５を参照）、またＳＢｉＮＤディスプレイとしてイタリア国のＬＩＣＥＴ社により（特許文献６〜８を参照）、更なる改良がなされている。

ネモプティック社によるバイステイブルネマチックディスプレイのスイッチング方式を図１に示す。このディスプレイは、２つの状態を用いている。一つの状態は、均一な、もしくはわずかに捩れた状態（Ｔ_０）で、この状態では液晶分子は互いにほぼ水平（０±２０°）となる。もう一つの状態は、１８０（±２０）°捩れた状態（Ｔ_１８０）である。この２つの状態がエネルギー的に等しくなるよう、液晶組成物の自然ピッチＰ_０はセル厚の４倍となるよう調製されている。電圧無印加時は、上記２状態がエネルギー的に最小値となり、安定な配向状態を維持する。高電圧を印加すると、少なくとも一方の基板上（詳しくは配向膜上）でアンカリング破壊が起こり、液晶分子はほぼホメオトロピック配向（Ｈ）となる。この配向状態（Ｈ）は遷移状態にあり、２つの安定状態（Ｔ_０、Ｔ_１８０）のうちいずれか一方へスイッチングできる。電圧をゆっくり切ると弾性カップリング効果によりＴ_０状態へ、電圧をすばやく切ると流体力学的カップリングによりＴ_１８０状態へと変化させることができる。

アンカリングの破壊によりスイッチングされるバイステイブルディスプレイには特殊な特性を持つ液晶材料、配向膜が求められる。

１）少なくとも一方の配向膜のアンカリングは、ネマチック液晶化合物の電気的、電気化学的特性に見合った印加電圧によってアンカリングが破壊する程度に弱い必要がある。
２）配向膜のアンカリングは液晶材料がアンカリングによって安定な状態になるよう、あまり弱すぎてもいけない。テクスチャーを維持するため、アンカリングによるトルクは、安定状態におけるバルク液晶による配向膜上の液晶の弾性的なトルクより大きい必要がある。

３）液晶材料の電気化学的安定性は、通常のクラシックＬＣＤより高い必要がある。実際のクラシックＬＣＤでは、バルクの液晶しか動いていない。その電圧はフレデリックス転移電圧の２〜３倍に近く、ミニマムの電圧はネマチックの弾性定数により決まる。アンカリングの破壊により動作させる場合、テクスチャーの安定条件を考慮すると、フレデリックス転移電圧の約１０倍が必要となる。

４）ディスプレイの光学応答は、液晶材料の粘性、及び弾性定数により決定される。流体力学的カップリングにより、安定状態が決定される場合、粘性・弾性定数は駆動における基礎定数となる。
５）クラシックＬＣＤより薄いセル厚を用いるため、良好なコントラストを得るためには、高い屈折率異方性（０．１４〜０．２０）が必要である。上述のような液晶材料、配向膜を用いた、アンカリングの破壊を用いるバイステイブルディスプレイでは、アンカリング破壊電圧はセル厚に比例する、すなわち、小さいセル厚では低い電圧となる。

６）ネマチック液晶の温度範囲は動作温度範囲より広い必要がある。実際、ネマチック液晶の全温度範囲で、前述の特性がすべて満たされるわけではない。ネマチック温度範囲（ΔＴ_Ｎ）はＴ_Ｎ−Ｉ（ネマチック−アイソトロピック転移温度）とＴ_Ｘ−Ｎ（ネマチックからより高次の液晶相への転移温度、又は結晶層、ガラス状態への転移温度）間のことである。技術的に許容できる温度範囲（室温を中心に５０〜８０℃の温度範囲）で前述の特性が得られるには、ネマチック温度範囲（ΔＴ_Ｎ）は動作温度範囲より広い必要がある。

表面上の液晶分子に関するアンカリング及びアンカリングの破壊の概念は、非常に高度であり、また定義することができる。表面上の液晶分子の配向をアンカリングと呼ぶ。このアンカリング源は、界面と液晶化合物との間の相互作用の異方性にある。アンカリングは、液晶分子が隣接する界面によって誘起される方向性及びその強さにより特徴付けられる。この方向は容易軸と呼ばれ、容易軸の方向ｎ_０は、方位角（φ_０）及び極角（θ_０）で表される（図２を参照）。ネマチック液晶の平均的な配向方向は、この容易軸に沿う。外部からの影響がない場合、界面からの相互作用エネルギーを最小にするため液晶分子は容易軸に並行に配向する。この相互作用エネルギー（アンカリングエネルギー）は一次近似を用いて数式（１）で表される（非特許文献４を参照）。

数式（１）中、φは界面上のネマチック液晶の方位角（ａｚｉｍｕｔｈａｌ ａｎｇｌｅ）を表し、θは界面上のネマチック液晶の極角（ｚｅｎｉｔｈａｌ ａｎｇｌｅ）を表し、Ｗ_Ａは方位角アンカリングエネルギーを表し、Ｗ_Ｚは極角アンカリングエネルギーを表す。

方位角アンカリングエネルギーＷ_Ａはネマチック液晶の性質より、配向等の処理による配向膜に励起された異方性に依存する。もし、ツイストテクスチャーを維持するために十分な方位角アンカリングが必要であったとしても、本明細書ではこの問題には言及しない。
アンカリングの破壊による駆動されるバイステイブルディスプレイおいては、極角アンカリング破壊が重要であり、我々はこの現象について注目する。
極角アンカリングエネルギーＷ_Ｚは配向膜の化学的性質、及びネマチック液晶材料に強く依存する。大部分の固体の配向膜では、極角アンカリングエネルギーは方位角アンカリングエネルギーより１〜２ケタ高い。
液晶組成物のダイレクターの向きが容易軸からずれると、界面エネルギーは０ではなくなり、弾性定数に由来したエネルギーも持つようになる。この界面エネルギーは、バルク液晶の弾性エネルギーとアンカリングエネルギーとの比である外挿長と関連付けられる。極角アンカリングの外挿長Ｌ_Ｚは、Ｌ_Ｚ＝Ｋ_３３／Ｗ_Ｚで表される。ここでＫ_３３は曲げ弾性定数である。Ｌ_Ｚ＜１５ｎｍの場合は強い極角アンカリング、Ｌ_Ｚ＞２５ｎｍの場合は弱い極角アンカリングと考えられる。

液晶分子の配向方向は外部の電界や磁界によって変えることができる。例えば、基板表面に対して垂直な電界を印加すると、セル内部の液晶分子は正の誘電異方性を持つ場合、電界方向に沿って配向し（すなわちθ＝０）、電界がない場合は基板表面にほぼ平行に配向する（すなわちθ＝約９０°）。基板表面上の液晶分子ダイレクターの極角方向の角度θは、電界の関数として与えられ、連続的に変化している。電界が臨界電界強度Ｅ_Ｃを超えるとθは０となり、基板表面上の液晶分子のダイレクターは、アンカリングトルクや電気的トルクに無関係となる。この状態を極角アンカリング破壊（極角アンカリングブレイク）された状態と呼ぶ。臨界電界強度Ｅ_Ｃは数式（２）で表される。

数式（２）中、Ｗ_Ｚは極角アンカリングエネルギー、Ｋ_３３は曲げ弾性定数、Δεは誘電異方性（ただし、真空の誘電率ε_０に対する相対比）を表す。

この臨界電界強度Ｅ_Ｃは、極角アンカリング破壊を利用するデバイスを駆動させるのに必要な電界である。よって、大きなΔε、大きな曲げ弾性定数と、小さな極角アンカリングエネルギーが、このデバイスをコントロールするために必要となる。

実際、極角アンカリング破壊を用いるディスプレイで重要なのは、極角アンカリング破壊を起こす電圧Ｕ_Ｚである。すなわち、臨界電界とセル厚の積である。通常、バイステイブルネマチックディスプレイのセルの複屈折の大きさは、光の通過帯域の中心波長の半波長分に等しく調整される。極角アンカリングを定義する場合は、しきい値ブレイク電圧Ｕ_λ／２を用いる。これは光学的厚さがλ／２のセルにおけるブレイク電圧Ｕ_Ｚの値である。Ｕ_λ／２は数式（３）で表される。

数式（３）中、λは光の通過帯域の中心波長、Ｗ_Ｚは極角アンカリングエネルギー、Ｌ_Ｚは極角アンカリングの外挿長、Δｎは波長λにおける屈折率異方性、Ｋ_３３は曲げ弾性定数、Δεは誘電異方性を表す。発明者らは、動作温度範囲におけるＵ_λ／２が現在通常使用されているドライバで供給可能な電圧であれば、この極角アンカリングは弱い部類に入ると考えており、経験的にはＵ_λ／２が２５Ｖ以下であれば低アンカリングであると言える。

極角アンカリングエネルギーは、配向膜の材質、表面処理方法、使用する液晶組成物、及び温度に依存する。配向膜の性質は、極角アンカリングエネルギーに大きく影響する。クラシックＬＣＤに用いられているポリイミド配向膜は、ほとんどのネマチック液晶材料に対して強い極角アンカリングエネルギーを示す。例えば市販のポリイミド配向膜（ＳＥ１４０、日産化学社製）は、ペンチルシアノビフェニル（５ＣＢ）に対しＬ_Ｚ＝７ｎｍであり、極角アンカリングは強い。一方、特許文献９、特許文献１１にはネモプティック社により、５ＣＢやその他ネマチック液晶材料に対して極角アンカリングの弱い共重合体皮膜の開発が報告されている（５ＣＢに対しては２０℃においてＬ_Ｚ＞２５ｎｍ）。両特許とも、通常のラビング処理により、中程度から強程度の方位角アンカリングが得られ、Ｔ_０とＴ_１８０のテクスチャーが安定的に得られている。

特許文献１０には、極角アンカリングが小さい液晶組成物の例が開示されている。これによると、特定の液晶化合物の組み合わせによってＵ_λ／２の低い液晶組成物が得られていること、さらに、ネマチック相の温度範囲の広い組み合わせについても記述されている。実際、バイステイブルディスプレイにおいて最適化されたアンカリング特性は配向膜と液晶材料に依存する。

しかし、極角アンカリング破壊を用いるバイステイブルネマチックディスプレイでは、ネマチック相の温度範囲とディスプレイの動作温度範囲は比例関係にない。すなわち、室温で動作電圧が低くても、その温度依存性が大きければ、実質的に動作温度範囲は狭くなってしまう。実際、幅広い温度範囲において動作可能なバイステイブルネマチックディスプレイは現在得られていないのが実情である。そのため、幅広い動作温度範囲で駆動可能な液晶組成物の組み合わせを見出すことが必要であった。

仏国特許出願公開第２６６３７７０号明細書 仏国特許出願公開第２６５７６９９号明細書 仏国特許出願公開第２７４０８９３号明細書 仏国特許出願公開第２７４０８９４号明細書 米国特許第６，３２７，０１７号明細書 欧州特許出願公開第０７７３４６８号明細書 米国特許第５，９９５，１７３号明細書 特開平９−２７４２０５号公報 欧州特許出願公開第１２５９８５４号明細書 特開２００５−１３３０５７号公報 米国特許第７，０６７，１８０号明細書

ハンドブック オブ リキッドクリスタル（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ）、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ Ｗｅｉｎｈｅｉｍ、１９９８年 リキッドクリスタル―アプリケーション アンド ユース（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ― Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｕｓｅｓ）、Ｗｏｒｌｄ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ． Ｐｔｅ．Ｌｔｄ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ、１９９０年 Ｇ．Ｐ．Ｂｒｙａｎ−Ｂｒｏｗｎら、ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、第３９９巻、第３３８ページ、１９９９年 Ａ．Ｒａｐｉｎｉ及びＭ．Ｐａｐｏｕｌａｒ、Ｊ．Ｐｈｙｓ．（Ｆｒ）、Ｃ４、第３０巻、第５４−５６頁、１９６９年

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、バイステイブルネマチック液晶表示素子に使用したときに幅広い動作温度範囲を有するネマチック液晶組成物及びこれを用いたバイステイブルネマチック液晶表示素子を提供することを課題とする。

本発明は、上記課題を解決するために種々の液晶化合物の組み合わせを検討した結果、以下の知見を見出したものである。
すなわち、ａ）一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）

（式中、Ｒ^１は炭素原子数２から７のアルキル基又はアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
Ｘ^１はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、又はジフルオロメトキシ基（−ＯＣＨＦ_２）を表し、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合を表し、
Ｚ^３及びＺ^４はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
Ｚ^５は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
Ｙ^１からＹ^６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基を表し、
環Ｔ^１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
ｍは０又は１を表し、
ｐ及びｑは０又は１を表し、ただしｐ＋ｑは０又は１である。）
で表される化合物群Ａから選ばれる１又は２以上の化合物を２０質量％以上含有し、

ｂ）一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）

（式中、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立して、炭素原子数１から７のアルキル基又は炭素原子数２から７のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
Ｚ^６は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合を表し、
Ｚ^７は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
Ｚ^８は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
Ｚ^９及びＺ^１０はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、
Ｙ^７からＹ^１４はそれぞれ独立して、水素原子、メチル基、フッ素原子、又は塩素原子を表し、
環Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
ｎは０又は１を表す。）
で表される化合物群Ｂから選ばれる１又は２以上の化合物を５〜５０質量％含有し、ただしＲ^２及び／又はＲ^３がアルケニル基である化合物を３質量％以上含有するネマチック液晶組成物であって、

前記ネマチック液晶組成物に使用される前記化合物の相対的な比率が、前記組成物に関して下記の物理的特性：
−液晶組成物のネマチック−アイソトロピック転移温度（Ｔ_Ｎ−Ｉ）が６０℃以上であり、
−液晶組成物がネマチック相を示す温度範囲（ΔＴ_Ｎ）が７０℃以上であり、
−２０℃における誘電異方性が８×１０^−１１Ｆ／ｍ以上であり、
−２０℃における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍであって少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚のバイステイブルネマチック液晶表示素子用基板の間に支持されたときのアンカリング破壊電圧Ｕ_λ／２が２５Ｖ以下であることを、
同時に得るように決定されていることを特徴とするネマチック液晶組成物を提供する。

本発明の液晶組成物は、少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚の基板上に支持されたバイステイブルネマチック液晶表示素子用途に用いること、動作温度範囲の広いバイステイブルネマチック液晶表示素子を得ることができる。

アンカリング破壊によるバイステイブルネマチック液晶表示素子の動作を模式的に示す図である。 アンカリングの方向を説明する図である。

以下に、本発明の一例について説明する。
本発明の液晶組成物中、上記化合物群Ａに属する一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）の化合物は、末端に極性基を有する化合物であり、アンカリング破壊を引き起こすために重要な化合物である。

一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物について特に好ましい場合を、以下に例示する。
Ｘ^１としては、シアノ基又はフッ素原子が好ましい。
Ｚ^１及びＺ^２としては、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合が好ましい。
Ｚ^３及びＺ^４としては、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、又は単結合が好ましく、単結合がより好ましい。
Ｚ^５としては、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、又は単結合が好ましく、単結合がより好ましい。
Ｙ^１からＹ^６としては、水素原子又はフッ素原子が好ましい。
環Ｔ^１としては、１，４−シクロヘキシレン基が好ましい。

Ｒ^１としては、炭素原子数２から６のアルキル基又はアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）が好ましく、炭素原子数２から５のアルキル基又はアルケニル基がより好ましい。

また、一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）のそれぞれについて、より好ましい場合を、以下に例示する。
一般式（ＡＩ）及び（ＡＩＩ）において、Ｘ^１がフッ素原子であり、Ｙ^１からＹ^５がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましい。
一般式（ＡＩＩＩ）において、ｍが０を表し、Ｚ^１が−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、Ｘ^１がシアノ基であり、Ｙ^１からＹ^６がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましい。
一般式（ＡＩＶ）において、ｍが１を表し、Ｚ^１及びＺ^３がそれぞれ独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、Ｘ^１がシアノ基であり、Ｙ^１からＹ^４がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましい。
一般式（ＡＶ）において、ｐが０、ｑが１を表し、環Ｔ^１が１，４−シクロヘキシレン基を表し、Ｚ^４及びＺ^５がそれぞれ独立して−ＣＨ_２ＣＨ_２−、又は単結合を表し、Ｘ^１がフッ素原子又はシアノ基であり、Ｙ^１及びＹ^２がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましい。
一般式（ＡＶＩ）において、Ｘ^１がフッ素原子又はシアノ基であり、Ｙ^１及びＹ^２がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましい。
一般式（ＡＶＩＩ）において、ｍが１を表し、Ｘ^１がフッ素原子又はシアノ基であり、Ｙ^１及びＹ^２がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましい。

より具体的には、以下の化合物が好ましい。

（式（Ｉ−１）から（Ｉ−６９）中、Ｒ^４は炭素原子数２から６のアルキル基又はアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表す。さらに、Ｒ^４は、炭素原子数２から６のアルキル基又はアルケニル基が好ましい。さらに、これらのアルキル基又はアルケニル基は、直鎖のアルキル基又はアルケニル基が好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物群Ａから選ばれる１又は２以上の化合物を２０質量％以上含有することが好ましい。
また、液晶組成物が、一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物群Ａから選ばれる１又は２以上の化合物を３０質量％以上含有し、かつ一般式（ＡＩＩＩ）又は（ＡＩＶ）で表される化合物を２０質量％以上含有することがより好ましい。
また、液晶組成物が、一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物群Ａから選ばれる１又は２以上の化合物を５０質量％以上含有し、かつ一般式（ＡＩＩＩ）又は（ＡＩＶ）で表される化合物を３０質量％以上含有することが更により好ましい。
また、液晶組成物が、一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物群Ａから選ばれる２つ以上の化合物を２０質量％以上含有することがより好ましい。
一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物群Ａのうち、誘電異方性が３．５×１０^−１０Ｆ／ｍ以上である化合物の含有量が２５質量％以下であることが好ましい。

なお、液晶混合物の信頼性を改善させるために本発明の一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩ）で表される化合物に加えて一般式（ＡＶＩＩ）で表される化合物を添加することができる。これらの例示において、化合物群Ａ又はそのうちの各一般式に該当する化合物を２つ以上配合する場合、上記の数値は、当該２つ以上の化合物の含有率の合計を意味する。また、一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）で表される化合物を２つ以上含有する場合、各々の化合物のＲ^１、Ｘ^１、Ｙ^１からＹ^６、Ｚ^１からＺ^５、Ｔ^１、ｍ、ｐ及びｑは、それぞれ、互いに同じでも異なっていても良い。

本発明の液晶組成物中、上記化合物群Ｂに属する一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）の化合物は、末端に極性基を持たない化合物である。
これらの化合物の中でも、Ｒ^２及び／又はＲ^３がアルケニル基である化合物を３質量％以上含有することで、駆動電圧の温度依存性を改善することができ、動作温度範囲を広くすることができる。

一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）で表される化合物について特に好ましい場合を、以下に例示する。
Ｒ^２及びＲ^３としては、炭素原子数１から６のアルキル基又は炭素原子数２から６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）が好ましく、炭素原子数１から６のアルキル基又は炭素原子数２から６のアルケニル基がより好ましい。
Ｚ^６としては、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合がより好ましい。
Ｚ^７、Ｚ^８、Ｚ^９及びＺ^１０としては、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、又は単結合が好ましい。
環Ｔ^２及びＴ^３としては、１，４−シクロヘキシレン基が好ましい。
Ｙ^７からＹ^１４としては、水素原子又はフッ素原子が好ましい。

より具体的には、以下の化合物が好ましい。

（式（ＩＩ−１）から（ＩＩ−２６）中、Ｒ^５及びＲ^６は炭素原子数１から６のアルキル基又は炭素原子数２から６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、Ｙ^３１からＹ^３５は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表す。）

本発明の液晶組成物は、一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）で表される化合物群Ｂから選ばれる１又は２以上の化合物を５〜５０質量％含有することが必要である。
また、液晶組成物が、一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）で表される化合物群Ｂから選ばれる１又は２以上の化合物を５〜４０質量％含有することがより好ましい。
また、液晶組成物が、一般式（ＢＶＩ）又は（ＢＶＩＩＩ）で表される化合物を１０質量％以上含有することが好ましい。
特に、（ＩＩ−１０）又は（ＩＩ−２４）で表される化合物で、Ｒ^５及び／又はＲ^６が炭素原子数２から７のアルケニル基であることがより好ましく、液晶組成物が、これらの化合物を１０質量％以上含有することが更により好ましい。

なお、これらの例示において、化合物群Ｂ又はそのうちの各一般式に該当する化合物を２つ以上配合する場合、上記の数値は、当該２つ以上の化合物の含有率の合計を意味する。また、一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）で表される化合物を２つ以上含有する場合、各々の化合物のＲ^２、Ｒ^３、Ｙ^７からＹ^１４、Ｚ^６からＺ^１０、Ｔ^２、Ｔ^３、及びｎは、それぞれ、互いに同じでも異なっていても良い。

これらの液晶組成物のネマチック−アイソトロピック転移温度（Ｔ_Ｎ−Ｉ）は、６０℃以上であることが必要である。液晶組成物は、Ｔ_Ｎ−Ｉが７０℃以上であることがより好ましい。
また、液晶表示素子が幅広い駆動温度範囲を実現するためには、液晶組成物がネマチック相を示す温度範囲（ΔＴ_Ｎ）自身も幅広いことが必須である。このため、上限温度（Ｔ_Ｎ−Ｉ）（ネマチック−アイソトロピック転移温度）と下限温度（Ｔ_Ｘ−Ｎ）（ネマチック相から、より高次の液晶相又はガラス状態又は結晶状態に転移する転移温度）との差で定義される温度範囲（ΔＴ_Ｎ）が、７０℃以上であることが好ましく、８０℃以上であることがより好ましく、９０℃以上であることが更により好ましい。
また、液晶組成物がネマチック相を示す下限温度（Ｔ_Ｘ−Ｎ）は、−１０℃以下が好ましく、−２０℃以下がより好ましい。

誘電異方性（ε_０Δε）は大きいほど駆動電圧は低くなるため、液晶組成物の２０℃における誘電異方性は、８×１０^−１１Ｆ／ｍ以上であることが必要であるが、極端に大きすぎると信頼性に問題が発生してしまう。そのため、誘電異方性（２０℃での値）としては、８×１０^−１１〜６×１０^−１０Ｆ／ｍが好ましく、１．３×１０^−１０〜４．５×１０^−１０Ｆ／ｍがより好ましく、１．７×１０^−１０〜３．５×１０^−１０Ｆ／ｍが更により好ましい。さらに、ε_０Δεとして、１．３×１０^−１０〜３．０×１０^−１０Ｆ／ｍ（Δεとしては１５〜３５）がより好ましい。なお、ε_０は真空の誘電率である。

２０℃における屈折率異方性（Δｎ）は、０．１３〜０．１９が好ましく、０．１４〜０．１８がより好ましく、０．１５〜０．１８が更により好ましい。
また、２０℃の温度における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍであって少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚のバイステイブルネマチック液晶表示素子用基板の間に支持されたときのアンカリング破壊電圧Ｕ_λ／２（数式３で表されるもの）が２５Ｖ以下であることが必要である。この温度２０℃、Δｎ・ｄ＝２７５ｎｍにおけるＵ_λ／２は、２０Ｖ以下がより好ましく、１５Ｖ以下が更により好ましい。

本発明の液晶組成物は、
ａ）少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚の基板の間に液晶組成物が挟み込まれ、該２枚の基板間の液晶組成物へ電界を印加し得るように、前記基板が互いに対向する内側の表面上に電極を備えており、少なくとも一方の基板及び電極が光学的に透明であり、
ｂ）液晶組成物を配向し、電界の不在下で安定又は準安定な少なくとも２つの択一的な異なるテクスチャーを形成し得る処理が施され、前記テクスチャーのうち、一方が捩れていないが、又は−９０°から＋９０°の範囲で捩れており、他方のテクスチャーは、１８０°に近い角度で捩れを有し、
ｃ）２０℃における積（Δｎ・ｄ）（ただしｄは液晶組成物層の厚さ、Δｎは液晶組成物の屈折率異方性を表す。）が、λ_０／２（ただしλ_０は表示素子の有効スペクトル帯の中心波長を表す。）、又はλ_０の整数倍、あるいはこれらの２種類の値のうちのいずれか一つに近づくように設計され、
ｄ）２枚の基板のうち、少なくとも一方の基板でアンカリングを破壊することにより、上記の異なるテクスチャー間を切り替えることができ、電界が除かれた後もいずれかのテクスチャーに保持することができる、バイステイブルネマチック液晶表示素子（例えばネモプティック社のＢｉＮｅｍ（登録商標）ディスプレイ、図１を参照）に有用である。

図１に示す構造の液晶表示素子において、基板１としては、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）等の透明導電体からなる電極層２を有したガラス基板が挙げられる。２つの基板１，１の配向膜３，４によるアンカリングは、両方ともモノステイブルであることが好ましい。また、少なくとも１つの配向膜は、弱い極角アンカリング力を有する。ここで極角アンカリングの外挿長をＬ_Ｚとするとき、Ｌ_Ｚ＜１５ｎｍの場合は強い極角アンカリング力を有し、Ｌ_Ｚ＞２５ｎｍの場合は弱い極角アンカリング力を有すると考えられる。

強い極角アンカリング力を有する配向膜３としては、ポリイミド、ポリアミド、ＳｉＯ蒸着膜等の通常に使用される配向膜材料が挙げられる。弱い極角アンカリング力を有する配向膜４としては、例えば特許文献９に記載されているように、ポリ塩化ビニル（ホモポリマー）又は塩化ビニル共重合体（コポリマー）からなるものが好適である。塩化ビニル共重合体に用いられる塩化ビニル以外のモノマーとしては、酢酸ビニル、ビニルエーテル、アクリル酸エステル等が例示される。
本発明では、液晶表示素子の基板間に支持される液晶組成物として、上述した本発明の液晶組成物を用いているので、動作温度範囲の広いバイステイブルネマチック液晶表示素子を得ることができる。

弱い極角アンカリング力を有する配向膜４は、２０℃の温度における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍである厚さｄを有するセルにおいてアンカリング破壊電圧Ｕ_λ／２が２５Ｖ以下となることとして定義される弱い極角アンカリング力を有することが好ましい。これにより、液晶組成物が弱い極角アンカリング力によって少なくとも２つの異なる安定状態をとることができ、電極層２に適当な電気信号が印加されたときに少なくとも２つの異なる安定状態の間のスイッチングを達成することができる。このスイッチングは、アンカリング破壊型であることが好ましい。

また、少なくとも２つの異なる安定状態として、液晶組成物中の分子が互いに少なくとも略平行に配列されて均一又はわずかにねじれた第１の安定テクスチャー（Ｔ_０）と、２枚の基板間で１８０°又はそれに近い角度でねじれたテクスチャーをとる第２の安定テクスチャー（Ｔ_１８０）とを有することが好ましい（図１を参照）。これにより、電極層２に適当な電気信号が印加されたときに、Ｔ_０とＴ_１８０との間のスイッチングを達成することができる。このスイッチングは、少なくとも１つの基板における極角アンカリングの破壊によって達成されることが好ましい。

本発明のバイステイブルネマチック液晶表示素子において、セルは、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２００〜３００ｎｍであることが好ましく、２２０〜２８０ｎｍであることがより好ましい。２０℃における屈折率異方性（Δｎ）は使用する液晶組成物によって決まるので、スペーサーによって基板間のギャップを調整することにより、所望の積（Δｎ・ｄ）を得ることができる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は「質量％」を意味する。また、ネマチック相温度範囲とは特に指定のない限り、固体相又はスメクチック相−ネマチック相転移温度から、ネマチック相−等方性液体相転移温度までの温度範囲（温度差）を意味する。

Ｔ_Ｎ−Ｉ：ネマチック相−等方性液体相転移温度
Ｔ_Ｘ−Ｎ：固体相又はスメクチック相−ネマチック相転移温度
Δε：２０℃における誘電異方性
Δｎ：２０℃における屈折率異方性

（実施例１）
液晶組成物を支持する基板として２枚のＩＴＯ付ガラス基板を用意し、一方のＩＴＯ付ガラス基板には、高チルトの強い極角アンカリング力を得るため、ＳｉＯ_２（厚さ１０７ｎｍ）を蒸着し、もう一方には、弱い極角アンカリング力を得るため、式（Ｇ）

で表されるポリマー（塩化ビニル−イソブチルビニルエーテル共重合体）を下記手法にて厚さ２０ｎｍで被覆した。

工程１：Ｎ−メチル−ピロリドン／ブトキシエタノールの５０／５０混合物に上記ポリマーを溶解した０．７５％溶液を、スピンコーティングにより付着させる。
工程２：１５０℃、１．５時間の条件でアニーリングする。
工程３：１００ワットの水銀灯を用いて、２時間紫外線照射（λ＝２５４ｎｍ）する。
工程４：１５０℃、３０分の条件でアニーリングする。
工程５：織物ベルベットを被覆したローラーによりブラッシング処理（ラビング）して、方位角アンカリングを誘起させる。

上記２枚の基板を１．５μｍのスペーサーを介して張り合わせ、ＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルを組み、以下に示す液晶組成物（Ｈ）中に、２５℃における自然ピッチが６μｍとなるようカイラル剤Ｓ−８１１（Ｍｅｒｃｋ社）を添加した後、セル内に注入した。

動作温度を測定するため複数の測定温度を設定し、各温度にて前記セルにパルス幅５ｍｓの電圧を１Ｖ刻みに最大３０Ｖまで印加し、アンカリング破壊電圧を測定することによって駆動電圧を測定し、動作温度範囲を評価した。

液晶組成物（Ｈ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を２１質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝７９．３℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−１６℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝９５．３℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝３．６６×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１５０６であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２２５．９ｎｍである。

この液晶組成物（Ｈ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−１〜７１℃であり、動作温度幅は７２℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１３．３Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．２Ｖである。積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２は、次の数式（４）によって換算した。

（実施例２）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｉ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｉ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を２１質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝７３．９℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−４０℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１１３．９℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．０１×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１５８６であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２３７．９ｎｍである。

この液晶組成物（Ｉ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は０〜６０℃であり、動作温度幅は６０℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１６．８Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１９．４Ｖである。

（実施例３）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｊ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｊ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を３５質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝７１．３℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−１９℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝９０．３℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．０２×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１５８８であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２３８．２ｎｍである。

この液晶組成物（Ｊ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は０〜６０℃であり、動作温度幅は６０℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１５．３Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１７．７Ｖである。

（実施例４）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｒ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｒ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を３４質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６３．３℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３７℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１００．３℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝１．９４×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１６１５であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２４２．２５ｎｍである。

この液晶組成物（Ｒ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−５〜６０℃であり、動作温度幅は６５℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１４．５Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．５Ｖである。

（実施例５）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｓ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｓ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を２５質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６１．４℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３９℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１００．４℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝１．９４×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１６０５であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２４０．７５ｎｍである。

この液晶組成物（Ｓ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−８〜５７℃であり、動作温度幅は６５℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１０．８Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１２．３Ｖである。

（実施例６）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｔ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｔ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を１２質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝７１．８℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３５℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１０６．８℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝１．９７×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１４８であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２２２ｎｍである。

この液晶組成物（Ｔ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−５〜６５℃であり、動作温度幅は７０℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１６．１Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１９．９Ｖである。

（実施例７）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｕ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｕ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を２９質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６８．０℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３６℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１０４．０℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝１．９０×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１６９であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２５３．５ｎｍである。

この液晶組成物（Ｕ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−６〜６２℃であり、動作温度幅は６８℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１４．８Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．１Ｖである。

（実施例８）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｖ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｖ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を２０質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６７．１℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３３℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１００．１℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．０５×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１６８であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２５２ｎｍである。

この液晶組成物（Ｖ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−６〜６１℃であり、動作温度幅は６７℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１４．６Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１５．９Ｖである。

（実施例９）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｗ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｗ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を２２質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６４．８℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３３℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝９７．８℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝１．８×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１７０であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２５５ｎｍである。

この液晶組成物（Ｗ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−５〜６０℃であり、動作温度幅は６５℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１５．５Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．７Ｖである。

（実施例１０）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｍ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｍ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を６質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６２．４℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３４℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝９６．４℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．０３×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１３７であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２０６ｎｍである。

この液晶組成物（Ｍ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−５〜６０℃であり、動作温度幅は６５℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１２．０Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．０Ｖである。

（実施例１１）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｎ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｎ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を６質量％含有する液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６６．０℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−３５℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝１０１．０℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．１４×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１４３であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２１５ｎｍである。

この液晶組成物（Ｎ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−５〜６０℃であり、動作温度幅は６５℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１４．０Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１７．９Ｖである。

（比較例１）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｐ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｐ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を含有しない液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６１．３℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−２５℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝８６．３℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．２８×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１５７であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２３５．５ｎｍである。

この液晶組成物（Ｐ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は−０〜５０℃であり、動作温度幅は５０℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１４．１Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．５Ｖである。

（比較例２）
実施例１における液晶組成物（Ｈ）を、以下に示す液晶組成物（Ｑ）に変えて、同様の評価を行った。

この液晶組成物（Ｑ）は化合物群Ｂから選ばれるアルケニル基を持つ化合物を含有しない液晶組成物であり、この液晶組成物の物性値は、Ｔ_Ｎ−Ｉ＝６１．０℃、Ｔ_Ｘ−Ｎ＝−２０℃で、ネマチック液晶相温度範囲（ΔＴ_Ｎ）＝８１．０℃であった。また、誘電異方性（ε_０Δε）＝２．５７×１０^−１０Ｆ／ｍ、屈折率異方性（Δｎ）＝０．１５６であった。したがってこのセルの積（Δｎ・ｄ）は２３４ｎｍである。

この液晶組成物（Ｑ）のＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルにおける動作温度範囲は５〜５０℃であり、動作温度幅は４５℃であった。また、２０℃におけるしきい値電圧Ｕ_Ｚは１４．２Ｖであった。このしきい値電圧Ｕ_Ｚを、積（Δｎ・ｄ）を２７５ｎｍとしたときのＵ_λ／２に換算すると、１６．７Ｖである。

以上の実施例及び比較例で調製した液晶組成物について物性値を評価した結果及びこれらの液晶組成物を用いて液晶表示素子を作製して特性を評価した結果を表１に示す。

実施例と比較例とを比較すると、実施例の方がＢｉＮｅｍ（登録商標）型セルによる動作温度範囲が広いことが分かる。すなわち、本発明の液晶材料の組み合わせによって、バイステイブルネマチック液晶表示素子における動作温度範囲が広い液晶組成物を得ることができた。

上述した本発明の好ましい具体例は、本発明の例示であって本発明を限定するものでない。本発明の趣旨又は範囲を超えない付加、省略、置換及びその他の変形が可能である。したがって、本発明は前記記載によって限定されるものでなく、特許請求の範囲のみによって限定される。

本発明の液晶組成物は、少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚の基板上に支持されたバイステイブルネマチック液晶表示素子用途に好適に利用することができ、動作温度範囲の広いバイステイブルネマチック液晶表示素子を得ることができる。

１…ガラス基板、２…ＩＴＯ電極層、３…強アンカリング配向膜、４…弱アンカリング配向膜。

Claims (9)

1. ａ）一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^１は炭素原子数２から７のアルキル基又はアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
   Ｘ^１はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、又はジフルオロメトキシ基（−ＯＣＨＦ_２）を表し、
   Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合を表し、
   Ｚ^３及びＺ^４はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｚ^５は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｙ^１からＹ^６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基を表し、
   環Ｔ^１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   ｍは０又は１を表し、
   ｐ及びｑは０又は１を表し、ただしｐ＋ｑは０又は１である。）
   で表される化合物群Ａから選ばれる１又は２以上の化合物を２０質量％以上含有し、
   ｂ）一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立して、炭素原子数１から７のアルキル基又は炭素原子数２から７のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
   Ｚ^６は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合を表し、
   Ｚ^７は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｚ^８は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｚ^９及びＺ^１０はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、
   Ｙ^７からＹ^１４はそれぞれ独立して、水素原子、メチル基、フッ素原子、又は塩素原子を表し、
   環Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   ｎは０又は１を表す。）
   で表される化合物群Ｂから選ばれる１又は２以上の化合物を５〜５０質量％含有し、ただしＲ^２及び／又はＲ^３がアルケニル基である化合物を３質量％以上含有するネマチック液晶組成物であって、
   前記ネマチック液晶組成物に使用される前記化合物の相対的な比率が、前記組成物に関して下記の物理的特性：
   液晶組成物のネマチック−アイソトロピック転移温度（Ｔ_Ｎ−Ｉ）が６０℃以上であり、
   液晶組成物がネマチック相を示す温度範囲（ΔＴ_Ｎ）が７０℃以上であり、
   ２０℃における誘電異方性が８×１０^−１１Ｆ／ｍ以上であり、
   ２０℃における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍであって少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚のバイステイブルネマチック液晶表示素子用基板の間に支持されたときのアンカリング破壊電圧Ｕ_λ／２が２５Ｖ以下であることを、
   同時に得るように決定されているネマチック液晶組成物がセルを形成する２枚の基板の間に支持され、これら基板の内側の面に配向膜及び電極構造を備えており、
   前記少なくとも一方の基板の配向膜は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍである厚さ（ｄ）を有するセルにおいてアンカリング破壊電圧Ｕ _λ／２ が２５Ｖ以下となることとして定義される弱い極角アンカリング力を有し、前記弱い極角アンカリング力によって前記液晶組成物が少なくとも２つの異なる安定状態をとることができ、
   前記電極構造に適当な電気信号が印加されたときに少なくとも２つの異なる安定状態の間のスイッチングが達成されるバイステイブルネマチック液晶表示素子。
2. ａ）一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^１は炭素原子数２から７のアルキル基又はアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
   Ｘ^１はシアノ基、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、又はジフルオロメトキシ基（−ＯＣＨＦ_２）を表し、
   Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合を表し、
   Ｚ^３及びＺ^４はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｚ^５は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｙ^１からＹ^６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基を表し、
   環Ｔ^１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   ｍは０又は１を表し、
   ｐ及びｑは０又は１を表し、ただしｐ＋ｑは０又は１である。）
   で表される化合物群Ａから選ばれる１又は２以上の化合物を２０質量％以上含有し、
   ｂ）一般式（ＢＩ）から（ＢＸＩ）
   

   

   （式中、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立して、炭素原子数１から７のアルキル基又は炭素原子数２から７のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
   Ｚ^６は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、又は単結合を表し、
   Ｚ^７は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｚ^８は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は単結合を表し、
   Ｚ^９及びＺ^１０はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、
   Ｙ^７からＹ^１４はそれぞれ独立して、水素原子、メチル基、フッ素原子、又は塩素原子を表し、
   環Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   ｎは０又は１を表す。）
   で表される化合物群Ｂから選ばれる１又は２以上の化合物を５〜５０質量％含有し、ただしＲ^２及び／又はＲ^３がアルケニル基である化合物を３質量％以上含有するネマチック液晶組成物であって、
   前記ネマチック液晶組成物に使用される前記化合物の相対的な比率が、前記組成物に関して下記の物理的特性：
   液晶組成物のネマチック−アイソトロピック転移温度（Ｔ_Ｎ−Ｉ）が６０℃以上であり、
   液晶組成物がネマチック相を示す温度範囲（ΔＴ_Ｎ）が７０℃以上であり、
   ２０℃における誘電異方性が８×１０^−１１Ｆ／ｍ以上であり、
   ２０℃における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍであって少なくとも一方の基板が弱い極角アンカリング力を有する２枚のバイステイブルネマチック液晶表示素子用基板の間に支持されたときのアンカリング破壊電圧Ｕ_λ／２が２５Ｖ以下であることを、
   同時に得るように決定されているネマチック液晶組成物がセルを形成する２枚の基板の間に支持され、これら基板の内側の面に配向膜及び電極構造を備えており、
   前記少なくとも一方の基板の配向膜は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）と厚さ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）が２７５ｎｍである厚さ（ｄ）を有するセルにおいてアンカリング破壊電圧Ｕ _λ／２ が２５Ｖ以下となることとして定義される弱い極角アンカリング力を有し、前記弱い極角アンカリング力によって前記液晶組成物が少なくとも２つの異なる安定状態をとることができ、
   前記電極構造に適当な電気信号が印加されたときに少なくとも２つの異なる安定状態の間のスイッチングが達成されるバイステイブルネマチック液晶表示素子。
3. 前記２０℃における誘電異方性が１．３×１０^−１０〜３．０×１０^−１０Ｆ／ｍである請求項１に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。
4. 一般式（ＡＩ）及び（ＡＩＩ）において、Ｘ^１がフッ素原子であり、
   一般式（ＡＩＩＩ）において、ｍが０を表し、Ｚ^１が−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、Ｘ^１がシアノ基であり、
   一般式（ＡＩＶ）において、ｍが１を表し、Ｚ^１及びＺ^３がそれぞれ独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は単結合を表し、Ｘ^１がシアノ基であり、
   一般式（ＡＶ）において、ｐが０、ｑが１を表し、環Ｔ^１が１，４−シクロヘキシレン基を表し、Ｚ^４及びＺ^５がそれぞれ独立して−ＣＨ_２ＣＨ_２−、又は単結合を表し、Ｘ^１がフッ素原子又はシアノ基であり、
   一般式（ＡＶＩ）において、Ｘ^１がフッ素原子又はシアノ基であり、
   さらに一般式（ＡＩ）から（ＡＶＩ）において、Ｙ^１からＹ^６がそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す請求項１に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。
5. 前記ネマチック液晶組成物が一般式（ＢＶＩ）又は（ＢＶＩＩＩ）で表される化合物を１０質量％以上含有する請求項１に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。
6. 前記バイステイブルネマチック液晶表示素子がアンカリング破壊型である請求項５に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。
7. 前記少なくとも２つの異なる安定状態として、液晶組成物中の分子が互いに少なくとも０±２０°の範囲で略平行に配列されて均一又はわずかにねじれた第１の安定テクスチャーと、前記２枚の基板間で１８０±２０°でねじれたテクスチャーをとる第２の安定テクスチャーとを有し、
   前記電極構造に適当な電気信号が印加されたときに前記第１の安定テクスチャーと第２の安定テクスチャーとの間のスイッチングが達成される請求項５に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。
8. 前記２つの安定テクスチャー間のスイッチングは、少なくとも１つの基板の極角アンカリングの破壊によって達成される請求項７に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。
9. 前記２つの基板の配向膜によるアンカリングは、両方ともモノステイブルである請求項５に記載のバイステイブルネマチック液晶表示素子。

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