JP5385449B2 - ゲート電圧制御発振器およびクロックデータ再生回路 - Google Patents

ゲート電圧制御発振器およびクロックデータ再生回路 Download PDF

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Description

本発明は、クロックデータ再生回路に関し、特に、ゲート電圧制御発振器に関するものである。
クロックデータ再生(CDR)回路は、入力データの位相と同期したクロック信号を抽出し、位相同期の情報に従ってデータ再生を行うために用いられる。
図1aは、従来技術のCDR回路10のブロック図である。CDR回路10は、エッジ検出器110、ゲート電圧制御発振器(GVCO)120、およびDフリップフロップ(DFF)130を含む。エッジ検出器110は、ディレイヤー112、排他的論理和(XOR)ゲート114、およびインバータ116を含む。エッジ検出器110は、入力データDIを受信し、入力データDIの上昇位相または下降位相と同期したゲート信号GSを発生する。GVCO120は、ゲート信号GSに従って、瞬時位相再整列(instantaneous phase realignment)を行い、入力データDIに対応するクロック信号CLKを発振する。DFF130は、GVCO120からクロック信号CLKを受信し、入力データDIからのデータを復元し、復元データDOを出力する。
図1bは、図1aのCDR回路10の波形図の例である。波形1は、入力データDIの波形である。波形2は、入力データDIがT/2だけ遅延した図1aのディレイヤー112の出力波形である。波形3は、XORゲート114の出力波形である。波形3のパルスは、入力データDIの上昇または下降エッジに対応する。ゲート信号GSの波形である波形4は、波形3を反転したものである。波形5は、図1aのGVCO120の出力波形である。即ち、波形5は、クロック信号CLKの波形である。
図1cは、図1aのGVCO120のブロック図である。一般的に、GVCO120は、NANDゲート122および複数のインバータ124−1〜124−nを含む。NANDゲート122の一方の入力端子は、ゲート信号GSを受信する。他方の入力端子は、最終段のインバータ124−1の出力端子に接続される。NANDゲート122の出力端子は、直列接続されたインバータ124−1〜124−nの初段のインバータ124−nの入力端子に接続される。直列接続されたインバータ124−1〜124−nは、遅延ユニットを構成する。図1dは、図1cのNANDゲート122の回路図の例である。図1dに示されるように、NANDゲート122が動作されている時、非対称性がある。
また、出力クロック信号は、NANDゲートがGVCOを構成するために用いられた時、不必要なジッターを持つ場合がある。不必要なジッターを防止するために、NANDゲートの帯域幅が通常増加される。しかしながら、帯域幅は、通常のCMOSの製造プロセスで制限されている。また、動作電流は、帯域幅が増加された時、増加されなければならず、したがって、回路領域が大きくなる。
本発明の目的は、上記課題を解決できる、ゲート電圧制御発振器およびクロックデータ再生回路を提供することにある。
これに鑑みて、本発明では、マルチプレクサが従来のゲート電圧制御発振器のNANDゲートに取って代わる。
1つの実施形態では、本発明は、ゲート信号を受信し、ゲート信号に対応する周波数を持つ発振信号を出力するゲート電圧制御発振器を提供し、ゲート電圧制御発振器は、第1の端子および第2の端子を持ち、第2の端子で受けた発振信号を遅延させて、遅延した発振信号を第1の端子から出力する遅延ユニットと、第1の入力端子、第2の入力端子、選択端子、および出力端子を持つマルチプレクサであって、第1の入力端子および選択端子には、ゲート信号が供給され、第2の入力端子は、遅延ユニットの第1の端子に接続され、出力端子は、遅延ユニットの第2の端子に接続され、遅延した発振信号を第2の入力端子で受け、ゲート信号に従って第1の入力端子または第2の入力端子の信号を選択して、選択した信号を発振信号として出力端子から出力するマルチプレクサとを含む。
もう1つの実施形態では、本発明は、入力データを受信し、入力データに従った復元データと、入力データの位相と同期したクロック信号とを出力するクロックデータ再生回路を提供し、データ再生回路は、 入力データを受信し、ゲート信号を出力するエッジ検出回路と、
ゲート信号を受信し、クロック信号を出力するゲート電圧制御発振器であって、
第1の端子および第2の端子を持ち、第2の端子で受けたクロック信号を遅延させて、遅延したクロック信号を第1の端子から出力する遅延ユニット、および
第1の入力端子、第2の入力端子、選択端子、および出力端子を持つマルチプレクサであって、第1の入力端子および選択端子には、ゲート信号が供給され、第2の入力端子は、遅延ユニットの第1の端子に接続され、出力端子は、遅延ユニットの第2の端子に接続され、遅延したクロック信号を第2の入力端子で受け、ゲート信号に従って第1の入力端子または第2の入力端子の信号を選択して、選択した信号をクロック信号として出力端子から出力するマルチプレクサ
から構成されたゲート電圧制御発振器と、
入力データおよびクロック信号を受信し、復元データを出力するDフリップフロップと、を含む。
従来技術のCDR回路のブロック図である。 図1aのCDR回路の波形図の例である。 図1aのゲート電圧制御発振器のブロック図である。 図1cのNANDゲートの回路図の例である。 本発明の一実施形態によるゲート電圧制御発振器のブロック図である。 本発明の一実施形態によるゲート電圧制御発振器のマルチプレクサの回路図である。 本発明の一実施形態によるクロックデータ再生回路のブロック図である。
以下の説明は、本発明を実施するベストモードが開示されている。この説明は、本発明の一般原理を例示する目的のためのもので本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、添付の請求の範囲を参考にして決定される。
図2は、本発明の一実施形態に基づいたゲート電圧制御発振器(GVCO)20のブロック図である。
GVCO20は、マルチプレクサ210および遅延ユニット220を有する。遅延ユニット220は、直列接続されたインバータ220−1〜220−nから成る。遅延ユニット220はインバータで構成されたものに限定されないことに注意されたい。他の構成要素が遅延ユニットを構成するために用いられてもよい。例えば、遅延ユニットは、バッファでもよい。マルチプレクサ210は、2:1マルチプレクサである。マルチプレクサ210は、入力端子IN0およびIN1と、選択端子Sと、および出力端子Oとを持ち、選択端子Sから受信した選択信号に従って入力端子IN0およびIN1の1つから信号を選択的に出力する。例えば、選択信号が低電圧レベル(ロジック“0”)である時、マルチプレクサ210は、入力端子IN0から信号を出力する。選択信号が高電圧レベル(ロジック“1”)である時、マルチプレクサ210は、入力端子IN1から信号を出力する。
実施の形態では、マルチプレクサ210の入力端子IN0には、ゲート信号GSが供給され、入力端子IN1は、遅延ユニット220の出力端子に接続される。マルチプレクサの選択端子Sは、入力端子IN0に接続される。即ち、選択端子Sおよび入力端子IN0の両方は、ゲート信号GSを受信する。マルチプレクサ210は、ゲート信号GSに従って、入力端子IN0およびIN1の1つから信号を選択的に出力する。よって、マルチプレクサ210がゲート信号GSの下降エッジを受信した時、マルチプレクサ210は、ゲート信号GSを直接出力する。マルチプレクサ210がゲート信号GSの上昇エッジを受信した時、マルチプレクサ210は、遅延ユニット220の出力信号を出力する。よって、発振信号OSが生成される。
図3は、本発明の一実施形態によるゲート電圧制御発振器(GVCO)のマルチプレクサ210の回路図の例である。端子INSP/INSNは、選択端子Sである。端子IN0P/IN0Nは、入力端子IN0である。端子IN1P/IN1Nは、入力端子IN1である。端子OUTP/OUTNは、出力端子Oである。マルチプレクサ210がゲート信号GSの下降エッジを受信した時、端子INSPは、低電圧レベルであり、端子INSNは、高電圧レベルであり、金属酸化膜半導体(MOS)素子M1は、オフし、MOS素子M2はオンする。マルチプレクサ210がゲート信号GSの下降エッジを受信した時、端子INSPは、高電圧レベルであり、端子INSNは、低電圧レベルであり、MOS素子M1は、オンし、MOS素子M2はオフする。よって、図3に示されたマルチプレクサ210がGVCOを構成するように用いられた時、マルチプレクサの対称性は、図1dのNANDゲートの対称性より良い。
本発明の一実施形態によるクロックデータ再生回路40のブロック図である。クロックデータ再生回路40は、エッジ検出器410、GVCO420、およびDフリップフロップ430を有する。エッジ検出器410は、入力データDIを受信し、入力データDIの上昇位相または下降位相と同期したゲート信号GSを発生する。GVCO420は、ゲート信号GSに従って、瞬時位相再整列を行い、入力データDIに対応するクロック信号CLKを発振する。Dフリップフロップ430は、GVCO420からクロック信号CLKを受信し、クロック信号CLKに従って入力データDIからのデータを復元し、復元データDOを出力する。
図2のGVCO20と同様のGVCO420は、マルチプレクサ210と遅延ユニット220とを有する。マルチプレクサの入力端子IN0には、ゲート信号GSが供給され、入力端子IN1は、遅延ユニット220の出力端子に接続される。選択端子Sは、入力端子IN0に接続される。即ち、選択端子Sには、ゲート信号GSが供給される。マルチプレクサ210は、ゲート信号GSに従って入力端子IN0およびIN1の中の1つから信号を選択的に出力する。よって、マルチプレクサ210がゲート信号GSの下降エッジを受けた時、マルチプレクサ210は、ゲート信号GSを直接出力する。マルチプレクサ210がゲート信号GSの上昇エッジを受けた時、マルチプレクサ210は、遅延ユニット220によって遅延された信号を出力する。このように、クロック信号CLKが生成される。本実施の形態において選択端子Sは、入力端子IN0に接続されているが、本発明はこれに限定されるものではない。他の実施例では、選択端子Sは、入力端子IN1に接続され、選択端子Sと入力端子IN1には、ゲート信号GSが供給され、且つ入力端子IN0は、遅延ユニット220の出力端子に接続される。これは、前端のエッジ検出器410の設計によって決まる。
上述のように、本発明は、マルチプレクサで構成されたゲート電圧制御発振器およびゲート電圧制御発振器を有するクロックデータ再生回路を提供する。また、本発明のゲート電圧制御発振器は、従来技術のNANDゲートによって構成されたゲート電圧制御発振器の対称性より、より良い対称性を有する。
この発明は、実施例の方法及び望ましい実施の形態によって記述されているが、本発明は、これらに限定されるものではないと理解されたい。逆に、種々の変更及び同様の配置をカバーするものである(当業者には明白なように)。よって、添付の請求の範囲は、最も広義な解釈が与えられ、全てのこのような変更及び同様の配置を含むべきである。
1,2,3,4,5 波形
10、40 クロックデータ再生回路
110、410 エッジ検出器
112 ディレイヤー
114 排他的論理和(XOR)ゲート
116、124−1〜124−n、220−1〜220−n インバータ
120、20、420 ゲート電圧制御発振器(GVCO)
122 NANDゲート
130、430 Dフリップフロップ(DFF)
210 マルチプレクサ
220 遅延ユニット
220−1〜220−n インバータ
CLK クロック信号
CS 電流源
Da、Dna、Db、Dnb、IN0P、IN0N、IN1P、IN1N、INSP、INSN、Vout、OUTP、OUTN 端子
DI 入力データ
DO 復元データ
GS ゲート信号
IN0、IN1 入力端子
M1、M2、M3、M4、M5、N6、Ta、Tna、Tb、Tnb 金属酸化膜半導体(MOS)素子
O 出力端子
OS 発振信号
R1、R2、R3、R4 抵抗器
S 選択端子

Claims (6)

  1. ゲート信号を受信し、前記ゲート信号に対応する周波数を持つ発振信号を出力するゲート電圧制御発振器であって、
    第1の端子および第2の端子を持つ遅延ユニットであって、前記第2の端子で前記発振信号を受け、前記発振信号を遅延させて、遅延した発振信号を前記第1の端子から出力する前記遅延ユニットと、
    第1の入力端子、第2の入力端子、選択端子、および出力端子を持つマルチプレクサであって、前記第1の入力端子および前記選択端子には、前記ゲート信号が供給され、前記第2の入力端子は、前記遅延ユニットの前記第1の端子に接続され、前記出力端子は、前記遅延ユニットの前記第2の端子に接続され、前記遅延した発振信号を前記第2の入力端子で受け、前記ゲート信号に従って前記第1の入力端子または前記第2の入力端子の信号を選択して、選択した信号を前記発振信号として前記出力端子から出力する前記マルチプレクサと、
    を含むゲート電圧制御発振器。
  2. 前記遅延ユニットは、更に少なくとも1つのインバータを含み、2つ以上のインバータがある場合には、これらのインバータは直列接続される、請求項1に記載のゲート電圧制御発振器。
  3. 前記遅延ユニットは、更に少なくとも1つのバッファを含み、前記少なくとも1つのバッファの数が2つ以上の場合には、これらのバッファは直列接続される、請求項1に記載のゲート電圧制御発振器。
  4. 入力データを受信し、前記入力データに従った復元データと、前記入力データの位相と同期したクロック信号とを出力するクロックデータ再生回路であって、
    前記入力データを受信し、ゲート信号を出力するエッジ検出器と、
    前記ゲート信号を受信し、前記クロック信号を出力するゲート電圧制御発振器であって、
    第1の端子および第2の端子を持つ遅延ユニットであって、前記第2の端子で前記クロック信号を受け、前記クロック信号を遅延させて、遅延したクロック信号を前記第1の端子から出力する遅延ユニット、および
    第1の入力端子、第2の入力端子、選択端子、および出力端子を持つマルチプレクサであって、前記第1の入力端子および前記選択端子には、前記ゲート信号が供給され、前記第2の入力端子は、前記遅延ユニットの前記第1の端子に接続され、前記出力端子は、前記遅延ユニットの前記第2の端子に接続され、前記遅延したクロック信号を前記第2の入力端子で受け、前記ゲート信号に従って前記第1の入力端子または前記第2の入力端子の信号を選択して、選択した信号を前記クロック信号として前記出力端子から出力する前記マルチプレクサ
    から構成される前記ゲート電圧制御発振器と、
    前記入力データおよび前記クロック信号を受信し、前記復元データを出力するDフリップフロップと、
    を含むクロックデータ再生回路。
  5. 前記遅延ユニットは、更に少なくとも1つのインバータを含み、2つ以上のインバータがある場合には、これらのインバータは直列接続される、請求項4に記載のクロックデータ再生回路。
  6. 前記遅延ユニットは、更に少なくとも1つのバッファを含み、2つ以上バッファがある場合には、これらのバッファは直列接続される、請求項4に記載のクロックデータ再生回路。
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