JP5382711B2 - 光照射によって誘電率が変化する膜を用いた電子デバイス - Google Patents
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Description
本発明の膜は、有機重合体(以下、「有機重合体(P)」という場合がある)と、有機重合体(P)中に分散された化合物とを含む。その化合物は、以下の式(1)で表される化合物および以下の式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である。
上記式(1)において、R1は、水素原子または炭素数が1〜4のアルキル基であってもよい。また、R2は、炭素数が1〜4のアルキル基が1〜3個結合したフェニル基であってもよい。Xは1価〜3価の陰イオンであってもよい。Xは、1価の陰イオンであってもよいし、2価の陰イオンであってもよいし、3価の陰イオンであってもよい。また、Xは複数種の陰イオンを含んでもよい。Xは、たとえばPF6 -、ClO4 -、BF4 -、SO4 2-、CO3 2-、またはPO4 3-であってもよい。好ましい一例では、R1はメチル基またはエチル基であり、R2は、炭素数が1〜3個のアルキル基(たとえばメチル基またはエチル基)が結合したフェニル基であり、XはPF6 -、ClO4 -またはBF4 -である。
上記式(2)において、R3は、メトキシカルボニル基(−COOCH3)またはエトキシカルボニル基(−COOC2H5)であってもよい。R4は水素原子または炭素数が1〜3個のアルキル基(たとえばメチル基またはエチル基)であってもよい。R5およびR6はそれぞれ独立に、炭素数が1〜3のアルキル基(たとえばメチル基またはエチル基)であってもよいし、芳香環であってもよい。たとえば、R5およびR6はそれぞれ独立に、フェニル基であってもよく、そのフェニルに基には炭素数が1〜3個のアルキル基(たとえばメチル基またはエチル基)が結合していてもよい。式(2)の化合物の一例では、R3がメトキシカルボニル基(−COOCH3)またはエトキシカルボニル基(−COOC2H5)であり、R4が水素原子であり、R5およびR6がそれぞれ芳香環(たとえばフェニル基)である。たとえば、上記式(2)で表される化合物は、以下の式(4)で表される化合物であってもよい。
本発明の膜の製造方法について特に限定はない。本発明の膜の製造方法の一例を以下に説明する。この一例は、以下の工程(i)および(ii)を含む。
式(1)で表される化合物は、公知の方法(たとえば特開2005−145853号公報に記載の方法)で合成できる。たとえば、後述する式(7)で示される過塩素酸9−メシチル−10−メチルアクリジニウム(または9−メシチル−10−メチルアクリジニウム過塩素酸塩)は以下の方法で合成することが可能である。
式(2)で表される化合物は、公知の方法(たとえば特開2008−214328号公報に記載の方法)で合成できる。たとえば、以下の式(a)で示されるクマリンと以下の式(b)で示される化合物とを縮合反応させることによって合成できる。式(b)で表される化合物の一例は、以下の式(b’)で表される化合物である。
本発明の電子デバイスは、本発明の膜を含み、光照射によってその膜の誘電率が変化することを利用する。そのため、本発明の電子デバイスは、その膜に光を照射することが可能な構成となっている。本発明の電子デバイスは、本発明の膜の誘電率を変化させることが可能な光を当該膜に照射するための光源をさらに備えてもよい。光源の例には、電球や発光ダイオードなどが含まれる。
本発明のコンデンサの一例を図1に示す。図1のコンデンサ10は、基板11と、基板11上に積層された第1の電極12、絶縁膜13および第2の電極14とを備える。絶縁膜13は、光照射によって誘電率が変化する本発明の膜である。
本発明の電界効果トランジスタの一例は、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を備える。ソース電極およびドレイン電極はそれぞれ、半導体層に接続されている。ゲート絶縁膜は、半導体層とゲート電極との間に配置されている。ゲート絶縁膜は、光照射によって誘電率が変化する本発明の膜である。本発明の電界効果トランジスタの典型的な一例は、本発明の膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタである。
実施例1では、図1に示したコンデンサ10と同様の構造を有するコンデンサを作製した。まず、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)のアセトニトリル溶液(PMMA濃度:5重量%)を調製した。この溶液に対して以下の式(5)で表される化合物1(化合物名:過塩素酸9−フェニル−10−メチルアクリジニウム)を加えた。具体的には、PMMAのアセトニトリル溶液1gに対して、0.25mmolの化合物1を加えた。このようにして、モル比で[PMMAの構成単位(繰り返し単位)]:[化合物1]=2:1となる溶液を調製した。
実施例2では、図1に示したコンデンサ10と同様の構造を有するコンデンサを作製した。まず、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)のアセトニトリル溶液(PMMA濃度:5重量%)を調製した。この溶液に対して以下の式(6)で表される化合物2(化合物名:過塩素酸9−(2,6−ジメチルフェニル)−10−メチルアクリジニウム)を加えた。具体的には、PMMAのアセトニトリル溶液1gに対して、0.50mmolの化合物2を加えた。このようにして、モル比で[PMMAの構成単位]:[化合物2]=1:1となる溶液を調製した。
実施例3では、図1に示したコンデンサ10と同様の構造を有するコンデンサを作製した。まず、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)のアセトニトリル溶液(PMMA濃度:5重量%)を調製した。この溶液に対して以下の式(7)で表される化合物3(化合物名:過塩素酸9−メシチル−10−メチルアクリジニウム)を加えた。具体的には、PMMAのアセトニトリル溶液1gに対して、0.50mmolの化合物3を加えた。このようにして、モル比で[PMMAの構成単位]:[化合物3]=1:1となる溶液を調製した。
実施例4では、図1に示したコンデンサ10と同様の構造を有するコンデンサを作製した。まず、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)のクロロホルム溶液(PMMA濃度:5重量%)を調製した。この溶液に対して以下の式(4)で表される化合物4(化合物名:6−(4−ジフェニルアミノフェニル)クマリン−3−カルボン酸エチル)を加えた。具体的には、PMMAのクロロホルム溶液1gに対して、0.25mmolの化合物4を加えた。このようにして、モル比で[PMMAの構成単位]:[化合物4]=2:1となる溶液を調製した。
実施例5では、化合物4を含むPMMA薄膜の厚さが4.6μmであることを除き、実施例4と同様のコンデンサを作製した。
実施例6では、図1に示したコンデンサ10と同様の構造を有するコンデンサを作製した。まず、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)のクロロホルム溶液(PMMA濃度:5重量%)を調製した。この溶液に対して以下の式(8)で表される化合物5(化合物名:6−(4−ジメチルアミノフェニル)クマリン−3−カルボン酸エチル)を加えた。具体的には、PMMAのクロロホルム溶液1gに対して、0.25mmolの化合物5を加えた。このようにして、モル比で[PMMAの構成単位]:[化合物5]=2:1となる溶液を調製した。
11 基板
12 第1の電極
13 絶縁膜
14 第2の電極
20 薄膜トランジスタ
21 ガラス基板
22 ゲート電極
23 ゲート絶縁膜
24 半導体層
25 ソース電極
26 ドレイン電極
Claims (7)
- 光照射によって誘電率が変化する膜を用いた電子デバイスであって、
前記膜は、有機重合体と、前記有機重合体中に分散された化合物とを含み、
前記化合物が、以下の式(1)で表される化合物および以下の式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である、電子デバイス。
- 前記有機重合体中に分散された前記化合物の電荷移動を生じさせる光を前記膜に照射したときの誘電率が、前記光を照射していないときの誘電率の1.2倍以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記有機重合体がポリメタクリル酸メチルである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記膜を絶縁膜として用いたコンデンサである、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタである、請求項1に記載の電子デバイス。
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