JP5380872B2 - 光ゲート素子の監視装置及び方法並びに光スイッチシステム - Google Patents
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Description
本件の目的の一つは、入力光を通過又は遮断する光ゲート素子の入出力特性を監視できるようにすることにある。
将来の広帯域で柔軟なネットワーク構成を可能とする技術として、光パケットスイッチング技術がある。光パケットスイッチングは、情報を光のままパケット交換する技術であり、光信号を電気信号に変換してからスイッチングする場合に比して、高速、大容量の伝送が可能である。
光利得[dB]=PDout−PDin …(1)
つまり、光出力パワーレベル算出部231は、光ゲートスイッチ制御部234でのスイッチ制御情報を基に求められる、或る測定期間においてSOA12が通過状態に制御された時間が占める割合と、前記測定期間におけるSOA12の出力光パワーとを基に、SOA12がON状態に制御された時間に相当するSOA12の光出力パワーレベルを算出する。
一例として、SOA12を冗長化して予備のSOA12への切り替えを可能にした光パケットスイッチシステムの構成例を図7に示す。
以下、上述した光パケットスイッチシステムの動作例について、図8及び図9を併用して説明する。
上述した実施例1で例示した光パケットスイッチシステムは、例えば、スーパーコンピュータなどに適用される光インターコネクトシステムに適用することが可能である。その一例を図10に示す。この図10において、符号10を付して示すn×n(nは2以上の整数)の光スイッチ部が、例えば、実施例1の図7に示す構成において受光器21,22及び光利得監視制御部23を除いた部分の構成に相当する。光利得監視制御部23に相当する部分は、例えば、符号20を付して示すアービタに含まれる。
実施例1で述べた光利得監視機能は、optical add-drop multiplexer(OADM、光分岐挿入装置)に適用することも可能である。その一例を図11に示す。図11は、複数の光伝送ノードの一例としてのOADM30−1〜30−N(Nは2以上の整数)が例えばリング状に接続された光ネットワークにおいて、或る1つのOADM30−2に着目した構成を例示している。なお、図11には、N=3台のOADM(#1〜#3)30−1〜30−3(以下、区別しない場合はOADM30と表記する)についてのみ図示している。
各可変光遅延器34,35での遅延量は、光ゲートスイッチ制御部234によるスイッチング(ゲーティング)タイミングに合わせて各SOA12T,12A,12Dへ光パケット信号(ダミー信号を含む)が入力されるように決定(制御)される。この制御は、例えば、光ゲートスイッチ制御部234によって行なうことができる。
なお、上述した実施形態においては、光ゲート素子の一例としてのSOAの光利得を監視する場合について説明したが、上述した監視手法は、電解吸収型光ゲート素子等のスイッチング機能を具備する光デバイスの入出力特性の監視に適用することも可能である。
以上の〔1〕〜〔5〕に例示した実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
入力光を制御情報に従って通過又は遮断する光ゲート素子の監視装置であって、
前記光ゲート素子の入出力光パワーを取得する受光部と、
前記制御情報と、前記入出力光パワーとに基づいて、前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間に相当する、前記光ゲート素子の光入出力特性を求める監視部と、
をそなえたことを特徴とする、光ゲート素子の監視装置。
前記監視部は、
前記制御に関する情報を基に求められる、或る測定期間において前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間が占める割合と、前記測定期間における前記光ゲート素子の出力光パワーとを基に、前記時間に相当する前記光ゲート素子の光出力パワーレベルを算出する光出力算出部と、
前記光出力算出部で算出された光出力パワーレベルと、前記測定期間における前記光ゲート素子の入力光パワーレベルとに基づいて、前記光入出力特性を算出する光入出力特性算出部と、
をさらにそなえたことを特徴とする、付記1記載の光ゲート素子の監視装置。
現用と予備の前記光ゲート素子をそなえるとともに、
前記監視部により求められた光入出力特性が所定の閾値を超えて劣化すると、前記光ゲート素子を現用から予備に切り替える光ゲート素子切替制御部をさらにそなえたことを特徴とする、付記1又は2に記載の光ゲート素子の監視装置。
前記入力光は、前記測定期間において光パワーレベルが一定となるように光信号の送信予定の無い期間にダミーの光信号が挿入された光である、ことを特徴とする、付記2記載の光ゲート素子の監視装置。
前記ダミーの光信号は、前記光信号と同じ光パワーレベル及びマーク率の光信号である、ことを特徴とする、付記4記載の光ゲート素子の監視装置。
前記光ゲート素子は、半導体増幅器であり、
前記光入出力特性は、前記半導体増幅器の光利得特性である、ことを特徴とする、付記1〜5のいずれか1項に記載の光ゲート素子の監視装置。
入力光を通過又は遮断する複数の光ゲート素子をそなえた光スイッチ部と、
前記光ゲート素子の前記通過又は遮断状態を制御する制御部と、
前記光ゲート素子毎の前記制御に関する情報と、前記光ゲート素子毎の入出力光パワーとに基づいて、前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間に相当する、前記光ゲート素子毎の光入出力特性を求める監視部と、
をそなえたことを特徴とする、光スイッチシステム。
前記光スイッチ部は、
n個(nは2以上の整数)の入力ポートと、n個の出力ポートと、いずれかの前記入力ポートへの入力光をいずれかの前記出力ポートに出力するためのn×n個の前記光ゲート素子と、を有する、n×n光スイッチ部である、ことを特徴とする、付記7記載の光スイッチシステム。
前記光スイッチ部は、
入力ポートから出力ポートへ通過させる光のために設けられた通過用光ゲート素子と、
前記出力ポートへアドする送信光のために設けられたアド用光ゲート素子と、
前記入力ポートへの入力光のうちドロップする受信光のために設けられた光ゲート素子と、を有する光アド/ドロップ/スルー部である、ことを特徴とする、付記7記載の光スイッチシステム。
前記光ゲート素子は、それぞれ、半導体増幅器であり、
前記光入出力特性は、前記半導体増幅器の光利得特性である、ことを特徴とする、付記7〜9のいずれか1項に記載の光スイッチシステム。
前記光ゲート素子の入出力光パワーを取得する過程と、
前記制御情報と、取得した前記入出力光パワーとに基づいて、前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間に相当する、前記光ゲート素子の光入出力特性を求める過程と、
を有することを特徴とする、光ゲート素子の監視方法。
11−1〜11−4 光カプラ(1:4分岐カプラ)
12−1〜12−4,12w−1〜12w−4,12p−1〜12p−4 SOA集積回路
12,12w,12p,12T,12D,12A,12−1−1〜12−1−4,12−2−1〜12−2−4,12−3−1〜12−3−4,12−4−1〜12−4−4,12w−1−1〜12w−1−4,12p−1−1〜12p−1−4 SOA
13−1〜13−4 光カプラ(4:1合流カプラ)
14,17 光カプラ
15−1−1〜15−1−14 光カプラ(1:2分岐カプラ)
16−1−1〜16−1−14 光カプラ(2:1合流カプラ)
20 アービタ
21,22 受光器(PD)
23 光利得監視制御部
231 光出力パワーレベル算出部
232 光利得算出部
233 冗長切替判定部
234 光ゲートスイッチ制御部
31,32 光カプラ(1:2分岐カプラ)
33 光カプラ(2:1合流カプラ)
34,35 可変光遅延器
36 デコーダ
Claims (10)
- 入力光を制御情報に従って通過又は遮断する光ゲート素子の監視装置であって、
前記光ゲート素子の入出力光パワーを取得する受光部と、
前記制御情報と、前記入出力光パワーとに基づいて、前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間に相当する、前記光ゲート素子の光入出力特性を求める監視部と、
をそなえたことを特徴とする、光ゲート素子の監視装置。 - 前記監視部は、
前記制御情報を基に求められる、或る測定期間において前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間が占める割合と、前記測定期間における前記光ゲート素子の出力光パワーとを基に、前記時間に相当する前記光ゲート素子の光出力パワーレベルを算出する光出力算出部と、
前記光出力算出部で算出された光出力パワーレベルと、前記測定期間における前記光ゲート素子の入力光パワーレベルとに基づいて、前記光入出力特性を算出する光入出力特性算出部と、
をさらにそなえたことを特徴とする、請求項1記載の光ゲート素子の監視装置。 - 現用と予備の前記光ゲート素子をそなえるとともに、
前記監視部により求められた光入出力特性が所定の閾値を超えて劣化すると、前記光ゲート素子を現用から予備に切り替える光ゲート素子切替制御部をさらにそなえたことを特徴とする、請求項1又は2に記載の光ゲート素子の監視装置。 - 前記入力光は、前記測定期間において光パワーレベルが一定となるように光信号の送信予定の無い期間にダミーの光信号が挿入された光である、ことを特徴とする、請求項2記載の光ゲート素子の監視装置。
- 前記ダミーの光信号は、前記光信号と同じ光パワーレベル及びマーク率の光信号である、ことを特徴とする、請求項4記載の光ゲート素子の監視装置。
- 前記光ゲート素子は、半導体増幅器であり、
前記光入出力特性は、前記半導体増幅器の光利得特性である、ことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光ゲート素子の監視装置。 - 入力光を通過又は遮断する複数の光ゲート素子をそなえた光スイッチ部と、
前記光ゲート素子の前記通過又は遮断状態を制御する制御部と、
前記光ゲート素子毎の前記制御に関する情報と、前記光ゲート素子毎の入出力光パワーとに基づいて、前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間に相当する、前記光ゲート素子毎の光入出力特性を求める監視部と、
をそなえたことを特徴とする、光スイッチシステム。 - 前記光スイッチ部は、
n個(nは2以上の整数)の入力ポートと、n個の出力ポートと、いずれかの前記入力ポートへの入力光をいずれかの前記出力ポートに出力するためのn×n個の前記光ゲート素子と、を有する、n×n光スイッチ部である、ことを特徴とする、請求項7記載の光スイッチシステム。 - 前記光スイッチ部は、
入力ポートから出力ポートへ通過させる光のために設けられた通過用光ゲート素子と、
前記出力ポートへアドする送信光のために設けられたアド用光ゲート素子と、
前記入力ポートへの入力光のうちドロップする受信光のために設けられた光ゲート素子と、を有する光アド/ドロップ/スルー部である、ことを特徴とする、請求項7記載の光スイッチシステム。 - 入力光を制御情報に従って通過又は遮断する光ゲート素子の監視方法であって、
前記光ゲート素子の入出力光パワーを取得する過程と、
前記制御情報と、取得した前記入出力光パワーとに基づいて、前記光ゲート素子が通過状態に制御された時間に相当する、前記光ゲート素子の光入出力特性を求める過程と、
を有することを特徴とする、光ゲート素子の監視方法。
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