JP5370164B2 - 液晶装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に無機配向膜を有する液晶装置の製造方法に関する。

液晶装置の製造方法は、例えば、基板上に画素電極を含む複数の画素を形成する工程と、画素と外部駆動回路との間で信号を伝達するための端子部を形成する工程とを有する。端子部は、例えば、アルミニウムを含む金属膜からなり、所定の方向に複数配列して構成されている。その後、画素電極を覆うように無機材料からなる無機配向膜を形成する。

次に、無機配向膜に付着した異物等を除去するため、例えば、特許文献１に記載のようなＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いて基板を洗浄する。その後、基板を乾燥させる乾燥処理を施す。

特開２００８−８３２２２号公報

上記無機配向膜のＩＰＡ洗浄・乾燥工程では、基板に乾燥処理を施す際、乾燥の温度が高温になることから、基板に形成された端子部の極一部がＩＰＡに溶解し、基板を乾燥させる状態（例えば、表示領域より上方に端子部が配置される状態）によっては、溶けた金属膜を含むＩＰＡが無機配向膜が形成された表示領域に流れていた。これにより、無機配向膜の表面状態に影響を及ぼし、例えば、液晶分子のチルト角が変わって配向ムラが発生し、この液晶装置を表示装置に使用して画像を表示させた際、配向ムラに起因するしみが表示される等、表示品質が低下するという課題があった。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、基板の第１方向に沿ってアルミニウムを含む金属膜からなる端子が複数配列する端子部を形成する端子部形成工程と、少なくとも表示領域に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、前記基板をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いて洗浄する洗浄工程と、前記第１方向が略鉛直方向となるように前記基板を配置して乾燥させる乾燥工程と、を有することを特徴とする。

この方法によれば、第１方向に向かって形成された複数の端子の配列方向が略鉛直方向と同じ方向になる状態でＩＰＡを乾燥させるので、乾燥させる温度によって端子部の極一部がＩＰＡに溶解しても、溶けた金属膜を含むＩＰＡが、第１方向と交差する第２方向に形成された表示領域に流れることを抑えることができる。よって、無機配向膜のチルト角などが変わることを抑え、その結果、表示品質を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記乾燥工程は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気に前記基板を暴露して乾燥させることが好ましい。

この方法によれば、ＩＰＡの蒸気で基板を乾燥させるので、基板の表面に付着している液分がＩＰＡに置換され、基板の表面から液分を効率よく除去することができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記基板における前記第１方向の一方から他方に向けて気体を吹き付けることが好ましい。

この方法によれば、複数の端子が配列する第１方向の一方から他方に気体を吹きつけるので、自重でＩＰＡ（溶けた金属膜を含む）を第１方向に流す方法に比べて、強制的にＩＰＡの流れる方向を規制することができる。よって、溶けた金属膜が表示領域側に流れることを抑えることができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記基板の表面を略鉛直方向に対して傾斜させて乾燥することが好ましい。

この方法によれば、基板の表面を略鉛直方向に対して傾斜させているので、例えば、四角形の基板を傾斜させずに乾燥させたときと比較して、基板の下側の辺（端面）に液が溜まることを抑えることができる。

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記端子部形成工程は、前記基板の表面より低い位置に前記端子部を形成することが好ましい。

この方法によれば、基板の表面より低い位置に端子部を形成するので、乾燥工程において溶けた金属膜を含むＩＰＡが表示領域側に流れ出ることを抑えることができる。

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記端子部形成工程は、前記第１方向における複数の前記端子を含む領域に繋がった凹部を形成することが好ましい。

この方法によれば、複数の端子を含む領域を第１方向に繋げて凹部を形成するので、ＩＰＡを乾燥する際、ＩＰＡ（溶けた金属膜を含む）を凹部に沿って流すことが可能となり、溶けた金属膜が表示領域側に流れることを抑えることができる。

液晶装置の構造を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 マザー基板の構成を示す模式図、及び液晶装置の製造方法のうち乾燥方法を示す模式図。 乾燥工程の変形例におけるマザー基板とノズルとの配置関係を示す模式図。 マザー基板の変形例の構成を示す模式平面図。 図７に示すマザー基板のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。 洗浄工程及び乾燥工程の変形例におけるマザー基板の状態を示す模式図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、例えば、投射型映像装置である液晶プロジェクターにおいてライトバルブとして用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。

なお、以下の形態において、「上」とは、基板から見て液晶層が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。

素子基板１２を構成する基板としての第１基板７１、及び対向基板１３を構成する第２基板７２は、例えば、石英などの透光性材料によって構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための液晶注入口１６が設けられ、液晶注入口１６は封止材１７により封止されている。

液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。

額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミニウム（Ａｌ）で形成されており、対向基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。

表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び端子部としての接続端子部２３’が第１基板７１の一辺（図１における下側の辺）に沿って形成されている。接続端子部２３’は、複数の端子２３からなり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜で構成されている。

また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第１基板７１の残る一辺（図１における上側）には、検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（平面的に重なる位置）に形成されている。

一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。

また、図２に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７やＴＦＴ素子３３等が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。そして、これら画素電極２７を覆うように、所定の方向に配向処理が施された配向膜２８が形成されている。

配向膜２８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の無機材料によって形成されている。配向膜２８は、素子基板１２の配向膜形成面に対して所定の角度で結晶成長させた柱状結晶からなる無機配向膜である。

配向膜２８上には、図示しない反応層が形成されている。反応層は、配向膜２８を洗浄する際に形成されるものである。具体的には、配向膜２８の表面をＩＰＡで洗浄（ＩＰＡ洗浄）することで、例えば、液晶との反応性の高いシラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）との反応活性を低減させることができる。つまり、配向膜２８の表面を改質することが可能となり、界面における液晶との反応活性を抑制することができる。

配向膜２８上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。シール材１４は、素子基板１２及び対向基板１３をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板１２，１３間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

対向基板１３の液晶層１５に面する側には、平面ベタ状の透明な共通電極３１を覆って、所定の方向に配向処理が施された配向膜３２が形成されている。配向膜３２は、素子基板１２側の配向膜２８と同様、酸化シリコンなどの無機材料によって形成された無機配向膜である。

また、配向膜３２上には、配向膜３２を洗浄する際に形成された反応層（図示せず）が設けられている。なお、反応層は、配向膜２８，３２のうち一方の配向膜のみに形成するようにしてもよい。

液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８及び配向膜３２によって所定の配向状態をとる。液晶装置１１は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。

図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。

図３に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。

ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。

また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。

走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。

画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極と容量線の一例であるシールド層（図示せず）に電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７が形成されている。

このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。

＜液晶装置の製造方法＞
図４は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図５は、マザー基板の構成を示す模式図、及び液晶装置の製造方法のうち乾燥方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図４及び図５を参照しながら説明する。なお、ここでは、素子基板１２（対向基板１３）が多数面付けされている大型のマザー基板に各処理を施すものとする。

最初に、素子基板１２側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、第１基板７１上にＴＦＴ素子３３等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基板７１上にＴＦＴ素子３３などを形成する。

ステップＳ１２（端子部形成工程）では、画素電極２７と共に接続端子部２３’を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ素子３３や層間絶縁膜（図示せず）の上に画素電極２７を形成する。また、表示領域１９の外側に、画素と外部駆動回路との間で信号を伝達するための接続端子部２３’を形成する。

ステップＳ１３（無機配向膜形成工程）では、画素電極２７上に配向膜２８（無機配向膜）を形成する。配向膜２８の製造方法としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。これにより、無機材料の柱状構造物が、素子基板１２の配向膜形成面に対して所定の角度をなして配列しながら堆積し、無機の配向膜２８が形成される。

ステップＳ１４（洗浄工程）では、配向膜２８が形成されたマザー基板１２’（素子基板１２）を洗浄する（ＩＰＡ洗浄）。具体的には、マザー基板１２’を洗浄液に浸漬して、無機の配向膜２８を超音波洗浄する。洗浄液としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。洗浄液の温度は、例えば、２５℃である。浸漬する時間は、例えば、１０分である。これにより、配向膜２８に付着した異物などが除去される。

同時に、ＩＰＡによって配向膜２８の表面が表面処理される。具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の無機材料で形成された配向膜２８の表面に生成されているシラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）が、ＩＰＡの溶液中のイソプロピル基（−Ｃ３Ｈ７）と脱水反応、或いは縮合反応して、配向膜２８の表面に反応層が形成される。

その結果、イソプロピル基（−Ｃ３Ｈ７）が配向膜２８の表面に反応固着されて、配向膜２８の表面が改質され、アンカリング力を向上させることができる。加えて、配向膜２８の表面での液晶との反応活性が抑制、或いは阻止される。その後、マザー基板１２’をＸ方向に沿って引き上げる。なお、Ｘ方向は略鉛直方向となっている。

ステップＳ１５（乾燥工程）では、マザー基板１２’を乾燥させる。具体的には、図５を参照しながら説明する。図５は、乾燥室４１内においてＩＰＡ４２を用いた洗浄後のマザー基板１２’を乾燥させている状態を示している。まず、マザー基板１２’の構成について、図５を参照しながら説明する。

マザー基板１２’には、複数の素子基板１２がマトリクス状に面付けされている。個々の素子基板１２には、端子２３が第１方向としてのＸ方向（素子基板１２の一方の辺部に沿った方向）に複数配列する接続端子部２３’と、この方向と交差する第２方向としてのＹ方向（素子基板１２の上記一方の辺部と交差する他方の辺部に沿った方向）に画素電極２７などを覆うように形成された配向膜２８を有する表示領域１９と、が形成されている。また、マザー基板１２’には、円周の一部が切り欠かれたオリフラ４３が形成されている。マザー基板１２’は、この状態で乾燥室４１内に配置されている。

マザー基板１２’を乾燥させる方法は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いたＩＰＡ蒸気乾燥を行う。乾燥室４１内の温度は、例えば、８２〜８３℃程度である。また、乾燥室４１内は、ＩＰＡの蒸気４２’で充満されている。この乾燥室４１内にマザー基板１２’を投入すると、ＩＰＡの蒸気４２’がマザー基板１２’の表面で凝縮し、この表面に付着されている液分と置換されて、その表面から液分が除去される。

このとき、接続端子部２３’を構成する複数の端子２３の極一部が、乾燥する温度に影響を受けて溶解する場合がある。しかしながら、マザー基板１２’の配置を、複数の端子２３の配列方向（Ｘ方向）が略鉛直方向と同じ方向になる状態にしてＩＰＡを乾燥させるので、乾燥させる温度によって端子２３の極一部がＩＰＡに溶解しても、溶けた金属膜を含むＩＰＡが、Ｘ方向と交差するＹ方向に形成された表示領域１９側に流れることを抑えることができる。よって、配向膜２８のチルト角などが変わることを抑え、その結果、表示品質を向上させることができる。その後、マザー基板１２’を所定時間、乾燥室４１内に放置した後にＸ方向に沿って引き上げる。なお、Ｘ方向は略鉛直方向となっている。以上により、素子基板１２側が完成する。

次に、図４を参照しながら対向基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、石英基板等の透光性材料からなる第２基板７２上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極３１を形成する。

ステップＳ２２では、共通電極３１上に配向膜３２（無機配向膜）を形成する。配向膜３２の製造方法は、素子基板１２側に形成した配向膜２８と同様であり、斜方蒸着法を用いる。

ステップＳ２３では、ＩＰＡを洗浄液として用いて対向基板１３の配向膜３２を洗浄する。これにより、素子基板１２側と同様、配向膜３２に付着した異物などが除去されると共に、ＩＰＡによって配向膜３２の表面が表面処理される。ＩＰＡの洗浄条件は、上記した素子基板１２側と同様である。

ステップＳ２４では、マザー基板（対向基板１３）を乾燥させる。乾燥方法は、素子基板１２側と同様、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いたＩＰＡ蒸気乾燥である。以上により、対向基板１３側が完成する。以下、引き続き図４を参照しながら、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる方法を説明する。

ステップＳ３１では、素子基板１２上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１２とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１２における表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）シール材１４を塗布する。

ステップＳ３２では、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１２に塗布されたシール材１４を介して素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１２，１３の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。

ステップＳ３３では、液晶注入口１６（図１参照）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口１６を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材１７が用いられる。以上により、液晶装置１１が完成する。

以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態によれば、Ｘ方向（第１方向）に向かって形成された複数の端子２３の配列方向が略鉛直方向と同じ方向になるようにマザー基板１２’を配置し、その状態でＩＰＡの溶液を乾燥させるので、乾燥させる温度によって接続端子部２３’（端子２３）の極一部がＩＰＡに溶解しても、溶けた金属膜を含むＩＰＡが、Ｘ方向と交差するＹ方向（第２方向）に形成された表示領域１９に流れることを抑えることができる。よって、配向膜２８（無機配向膜）のチルト角などが変わることを抑え、その結果、優れた表示品質を有する液晶装置１１を歩留まりよく製造することができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、ＩＰＡの蒸気４２’のみで乾燥させることに限定されず、例えば、図６に示すように、エアーブローを利用して洗浄液の流れる方向を規制するようにしてもよい。図６（ａ）は、乾燥工程におけるマザー基板とノズルとの配置関係を示す模式図である。図６（ｂ）は、（ａ）に示す模式図をＢ方向から見た模式図である。

図６に示すように、まず、ＩＰＡによる洗浄工程の後、本実施形態と同様、複数の端子２３の配列方向が略鉛直方向と同じ方向になるようにマザー基板１２’の配置方向を調整する。次に、マザー基板１２’の斜め上方に設けられたノズル５１からマザー基板１２’に対し気体５２を吹きつける。具体的には、複数の端子２３が配列する接続端子部２３’の一方から他方（マザー基板１２’の上方から下方）に向かって気体５２を吹きつける。これにより、端子２３の配列方向に沿って気体５２を吹きつけることが可能となり、ＩＰＡ４２を所定の方向に強制的に流すことができる。よって、ＩＰＡ４２が表示領域１９側に流れることを抑えることができる。なお、ノズル５１は、上下方向（端子２３の配列方向）にスライド移動できることが望ましい。気体５２は、窒素などの不活性ガスを用いることが引火防止などの安全性を確保する点で好ましい。

（変形例２）
図２に示したように、接続端子部２３’（端子２３）を素子基板１２上に突起させて形成することに限定されず、例えば、図７及び図８に示すように、素子基板１２（表示領域）の表面より第１基板７１側に入り込んだ低い位置に形成するようにしてもよい。図７は、マザー基板の構成を示す模式平面図である。図８は、図７に示すマザー基板のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。

詳述すると、このマザー基板１１２’は、第１基板７１上にＴＦＴ素子（図示せず）などが形成されており、その上に接続配線６１や層間絶縁膜６２ａ，６２ｂなどが形成されている。そして、表示領域１９の外側において、接続配線６１の端部を露出させるための凹部６３を形成し、この部分を接続端子部１２３’を構成する端子１２３とする。

このように、マザー基板１１２’の表面より低い位置である凹部６３の中に端子１２３を設けることにより、マザー基板１１２’を乾燥させる際、乾燥させる温度に起因して、端子１２３の極一部がＩＰＡに溶解した場合でも、凹部６３の中に留めることが可能となり、表示領域１９側に流れ出ることを抑えることができる。また、凹部６３の中からマザー基板１１２’の表面に出た場合でも、複数の端子１２３の配列方向が略鉛直方向と同じ方向になる状態でＩＰＡを乾燥させるので、溶けた金属膜を含むＩＰＡが表示領域１９側に流れることを抑えることができる。

また、１つの端子１２３に対して１つの凹部６３を設けることに限定されず、例えば、１つの接続端子部１２３’の領域を含む長い凹部を形成するようにしてもよい。また、Ｘ方向に沿って（図５参照）、複数の素子基板１２の領域に跨って複数の接続端子部１２３’の領域を含む１つの長い凹部、又は溝部を形成するようにしてもよい。これによれば、ＩＰＡを乾燥する際、ＩＰＡ（溶けた金属膜を含む）を凹部又は溝部に沿って流すことが可能となり、溶けた金属膜が表示領域１９側に流れることを抑えることができる。

（変形例３）
上記したように、マザー基板１２’，１１２’の形状は、丸形状であることに限定されず、例えば、図９に示すような、四角形状であってもよい。図９は、洗浄工程及び乾燥工程におけるマザー基板２１２’の状態を示す模式図である。図９に示すような、四角形状のマザー基板２１２’には、複数の素子基板１２が面付けされている。なお、洗浄工程において、マザー基板２１２’をＩＰＡの溶液から引き上げる際は、略鉛直方向に対してマザー基板２１２’の表面２１２ａ’の方向にマザー基板２１２’を傾斜させていることが好ましい。これによれば、マザー基板２１２’を傾斜させずに引き上げたときと比較して、マザー基板２１２’の下側の辺（端面）２１２ｂ’にＩＰＡの溶液が溜まることを抑えることができる。

また、乾燥工程において、マザー基板２１２’を乾燥させる際は、洗浄工程と同様に、略鉛直方向に対してマザー基板２１２’の表面２１２ａ’の方向にマザー基板２１２’を傾斜させていることが好ましい。これによれば、マザー基板２１２’を傾斜させずに配置した場合と比較して、マザー基板２１２’の下側の辺（端面）２１２ｂ’にＩＰＡの溶液が溜まることを抑えることができる。

（変形例４）
上記したように、液晶装置１１を液晶プロジェクターに搭載することに限定されず、例えば、高精細ＥＶＦ（Electric View Finder）、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器などに用いることができる。

１１…液晶装置、１２，１１２…素子基板、１２’，１１２’，２１２’…マザー基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…液晶注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…データ線駆動回路、２３，１２３…端子、２３’…端子部としての接続端子部、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、３１…共通電極、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄積容量、４１…乾燥室、４２…ＩＰＡ、４３…オリフラ、５１…ノズル、５２…気体、６１…接続配線、６２…層間絶縁膜、６３…凹部、７１…基板としての第１基板、７２…第２基板。

Claims (5)

1. 基板の第１方向に沿ってアルミニウムを含む金属膜からなる端子が複数配列する端子部を形成する端子部形成工程と、
   少なくとも表示領域に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、
   前記基板をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いて洗浄する洗浄工程と、
   前記第１方向が略鉛直方向となるように前記基板を配置して乾燥させる乾燥工程と、
   を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記乾燥工程は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気に前記基板を暴露して乾燥させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記乾燥工程は、前記基板における前記第１方向の一方から他方に向けて気体を吹き付けることを特徴とする液晶装置の製造方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記端子部形成工程は、前記基板の表面より低い位置に前記端子部を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記端子部形成工程は、前記第１方向における複数の前記端子を含む領域に繋がった凹部を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。

Images