JP5365174B2 - 電子デバイスの電気特性評価方法及び電子デバイスの電気特性評価装置 - Google Patents
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Description
ρ=ρ0+Δρ=ρ0(1+m・ε) ・・・(1)
ステップ2:次いで、同じトランジスタ領域をTEM分析し、このTEM像を基にして実トランジスタの構造像、ドーパント元素分布及び歪み分布を得る。この時、例えば、元素分布はEDX法を、歪み分布は本発明者が開発した手法(例えば、特開2006−242914号公報或いは特開2007−093344号公報参照)を用いれば実測できる。
ステップ4:次に、ステップ2で取得したドーパント元素分布と歪み分布を畳み込み、ソース・ドレイン領域の電気抵抗モデルを作成する。即ち、ある領域の電気抵抗は、別途取得したドーパント濃度に対する抵抗値に係数を掛けた値とする。
ステップ7:ステップ2で取得した実トランジスタの歪みεと、ステップ6において差分が最小になった時点で取得した係数A(=m・ε)とにより圧電抵抗係数mをA/εとして求める。
ステップ8:ステップ3で得た構造モデルと、ステップ6で得た電気抵抗モデルを基に、実トランジスタの動作電圧をゲート、ソース及びドレインに印加し、FEM法を用いて電流像を計算する。
ステップ2:次いで、同じトランジスタ領域をTEM分析し、このTEM像を基にして実トランジスタの構造像、ドーパント元素分布及び歪み分布を得る。この時、例えば、元素分布はEDX法を、歪み分布は本発明者が開発した手法(例えば、特開2006−242914号公報或いは特開2007−093344号公報参照)を用いれば実測できる。
このステップ1〜ステップ3までは、上記の実施例1と全く同様である。
なお、図においては、n型イクステンション領域に相当する部分の形状を変更した場合を例示している。
ステップ7:ステップ3で得た構造モデルと、ステップ6で得たキャリア分布モデルを基に、実トランジスタの動作電圧をゲート、ソース及びドレインに印加し、FEM法を用いて電流像を計算する。
12 ゲート絶縁膜
13 多結晶シリコンゲート電極
14 n型イクステンション領域
15 第1サイドウォール
16 第2サイドウォール
17 第3サイドウォール
18 n型ソース・ドレイン領域
19 コンタクト領域
20 ゲートコンタクト領域
21 SiN膜
22 層間絶縁膜
23 サイドウォール
24 プラグ
25 STI領域
30 電子デバイス
31 シリコン基板
32 STI領域
33 ゲート絶縁膜
34 ゲート電極
35 イクステンション領域
36 サイドウォール
37 ソース・ドレイン領域
38 シリサイド電極
39 SiN膜
40 層間絶縁膜
41 電源
42 導電性探針
43 電流増幅器
44 レーザ光源
45 レーザ光
46 反射光
47 光検出器
Claims (5)
- 電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、
前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイスの動作状態における電流分布を計算する計算工程と、
前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程と、
前記反復計算の結果に基づいて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する工程とを含む電子デバイスの電気特性評価方法。 - 前記反復計算工程における畳み込みの度合いの変化が、抵抗値の変化分或いは抵抗変化領域のキャリア分布の変化のいずれかである請求項1に記載の電子デバイスの電気特性評価方法。
- 前記反復計算工程において前記計算値と前記実測値との差分が最小になった時点の前記抵抗値の変化分の収束値を、前記電子デバイス試料の歪みの実測値で割ることにより、圧電抵抗係数mを算出する工程を有する請求項2に記載の電子デバイスの電気特性評価方法。
- 前記測定工程において、前記電子デバイス試料に電圧を印加した状態で、前記電子デバイス試料に導電性探針を当接させ、前記導電性探針から電気的物性値を計測する工程を有する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電子デバイスの電気特性評価方法。
- 電子デバイス試料の電気的物性値の実測値を取り込む取込み手段と、
前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイスの動作状態における電流分布を計算する計算手段と、
前記実測値と前記計算手段で計算した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算手段と、
前記反復計算の結果に基づいて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する手段とを有する電子デバイスの電気特性評価装置。
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JP2008309317A JP5365174B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 電子デバイスの電気特性評価方法及び電子デバイスの電気特性評価装置 |
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