JP5341431B2 - 無機エレクトロルミネッセンス - Google Patents
無機エレクトロルミネッセンス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5341431B2 JP5341431B2 JP2008215894A JP2008215894A JP5341431B2 JP 5341431 B2 JP5341431 B2 JP 5341431B2 JP 2008215894 A JP2008215894 A JP 2008215894A JP 2008215894 A JP2008215894 A JP 2008215894A JP 5341431 B2 JP5341431 B2 JP 5341431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inorganic
- layer
- mol
- phosphor layer
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
前記発光体層が、母体材料をZn2−XM(II)xSi1-YGeYO4(但し、M(II):第4周期金属元素)とし、ドーピング(賦活)金属をIn(III)とするものであることを特徴とする。
固相反応法により作製したBaTiO3基板をXPRD(X-Ray Powder Diffraction粉末X線回折装置)を用いて測定したXPRDパターンを図4に示す。
14 透明電極層
16 誘電体層
18 背面電極層
20 ガラス板
Claims (6)
- 青色発光する発光体層(無機蛍光体層)を備えた無機エレクトロルミネッセンス(無機EL)において、
前記発光体層が、母体材料(ホスト材)をZn 2 SiO 4 とし、ドーピング(賦活)金属をIn(III)とするものであることを特徴とする無機EL。 - 前記ドーピング金属のドーピング比(物質量比)が、前記母体材料1molに対して、1〜10mol%であることを特徴とする請求項1記載の無機EL。
- 前記ドーピング金属のドーピング比(物質量比)が、前記母体材料1molに対して、2mol%であるとともに、前記発光体層が0.2〜2μmに単層成膜乃至複層成膜されていることを特徴とする請求項2記載の無機EL。
- 前記無機ELが、前記発光体層の片面に透明電極層が形成され、前記発光体層の他面に誘電体層を介して裏面電極層が形成されているものであることを特徴とする請求項1、2又は3記載の無機EL。
- 前記透明電極層が、酸化インジウム系薄膜であることを特徴とする請求項4記載の無機EL。
- 請求項2記載の無機ELにおける発光体層の形成方法であって、
硝酸亜鉛及びテトラアルコキシシランを混合後、触媒としての硝酸を添加し、さらに、硝酸インジウム(III)及び/又は有機酸インジウム(III)を、前記母体材料1molに対して1〜10mol%となるように添加混合して、調製した組成液を用いてゾルゲル法により形成することを特徴とする無機ELにおける発光体層の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008215894A JP5341431B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-25 | 無機エレクトロルミネッセンス |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008213128 | 2008-08-21 | ||
JP2008213128 | 2008-08-21 | ||
JP2008215894A JP5341431B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-25 | 無機エレクトロルミネッセンス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010073309A JP2010073309A (ja) | 2010-04-02 |
JP5341431B2 true JP5341431B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=42204925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008215894A Active JP5341431B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-25 | 無機エレクトロルミネッセンス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5341431B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6250384A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Toshiba Corp | 陰極線管用けい酸亜鉛蛍光体 |
JPS62257981A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-10 | Toshiba Corp | 陰極線管 |
JP2985096B2 (ja) * | 1990-09-25 | 1999-11-29 | グンゼ株式会社 | Zn▲下2▼SiO▲下4▼:Mn薄膜を発光層として用いる交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
-
2008
- 2008-08-25 JP JP2008215894A patent/JP5341431B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010073309A (ja) | 2010-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5093694B2 (ja) | 酸化物ぺロブスカイト薄膜el素子 | |
KR100395632B1 (ko) | 전계발광소자 | |
TWI714979B (zh) | 無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統 | |
CN100456903C (zh) | 电致发光功能膜和电致发光元件 | |
JP2013053279A (ja) | 無機蛍光材料 | |
WO2004008424A1 (ja) | フラットパネルディスプレイ用基板および薄膜el素子 | |
JP5341431B2 (ja) | 無機エレクトロルミネッセンス | |
CN104449685A (zh) | 铈掺杂碱土镓酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
Ogawa et al. | Electroluminescence properties of In-doped Zn2SiO4 thin films prepared by sol–gel process | |
CN104673302A (zh) | 一种锑铽共掺杂铅锑酸盐发光材料及其制备方法和应用 | |
CN104449684A (zh) | 铕掺杂碱土铟酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
JP4178271B2 (ja) | 酸化物電界発光材料及びそれを用いた電界発光素子 | |
JP2002201469A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
CN104673297A (zh) | 铈铕共掺杂碱土铌锌酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
JP4831939B2 (ja) | 発光体薄膜及び発光素子 | |
JP2006219641A (ja) | 発光材料及び発光素子 | |
CN104342142A (zh) | 铈掺杂碱土砷酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
JP5593392B2 (ja) | ケイ酸塩発光材料及びその製造方法 | |
JP2006278102A (ja) | 電界発光素子 | |
CN104673282A (zh) | 锰铬共掺杂碱土锌酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
JP2005076024A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用希土類添加酸化ガリウム−酸化錫多元系酸化物蛍光体薄膜の製造方法 | |
CN103421509B (zh) | 铈掺杂钒磷酸钇盐发光材料、制备方法及其应用 | |
CN104673307A (zh) | 一种锰掺杂钪砷酸盐发光材料及其制备方法和应用 | |
CN104342141A (zh) | 铈锡共掺杂氟磷酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
CN104650890A (zh) | 钐掺杂镓锑酸盐发光材料、制备方法及其应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100727 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5341431 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |