JP5339288B2 - ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体 - Google Patents
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特許文献2には、多結晶体Snペロブスカイト酸化物系の蛍光特性が示されている。
特許文献3には、SrTiO3単結晶基板上にアルミニウム元素をペロブスカイトに置換した、多結晶ターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成された酸化物蛍光エピタキシャル薄膜が示されている。
特許文献4には、酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜を形成し、薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させた酸化物蛍光エピタキシャル薄膜が示されている。
特許文献5には、ナノシートをシード層として固体基板上に吸着させ、その上に酸化物蛍光配向膜を作製し、ディスプレイ作製の基礎となる赤色、緑色、青色の3原色のうち、赤色が得られるペロブスカイト蛍光薄膜について示されている。
特許文献6には、水を含む分散媒と合成粘土とを含有する粘土分散液の液膜を形成する工程と、この液膜から分散媒を除去する乾燥工程とを備えた粘土膜の製造方法において、乾燥工程にかかる時間を短くするために粘土分散液の固形分濃度を高くしても、得られる粘土膜のヘイズ(曇度)を小さくできる方法が示されている。
非特許文献2には、多結晶体CaSnO3において、Tbを置換した際に蛍光特性が得られることが示されている。
非特許文献3には、多結晶体層状ペロブスカイトSrn+1TiO3n+1系で赤色蛍光特性が得られることが示されている。
非特許文献4には、SrTiO3単結晶および薄膜に関し、酸素欠損により青白蛍光が得られることが示されている。
非特許文献5には、多結晶体SrTiO3 にPr原子を置換することにより、赤色蛍光特性が得られることが示されている。
非特許文献6には、多結晶体Pr原子置換(CaxSr1-x)TiO3において赤色蛍光特性が得られることが示されている。
第1の手段は、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材と、該耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材上に形成された金薄膜と、該金薄膜上に吸着されたナノシートと、該ナノシート上に気相成長法によって、500℃以上700℃以下の温度で(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01からなるペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜が成膜されることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
第2の手段は、第1の手段において、前記ナノシートが、[Ca2Nb3O10]−(CNO) ナノシートと[N(C18H37)2(CH3)2]+(DOA)ナノシート からなる複合LB膜であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
第3の手段は、第1の手段又は第2の手段において、前記耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材が、クレースト(Claist:登録商標)であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
第4の手段は、第1の手段ないし第3の手段のいずれか1つの手段において、前記ナノシートの一辺のサイズが、10nm以上10μm以下であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
図1は、本実施形態に係るペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体の概略構成を示す図である。
同図に示すように、このペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体1は、耐熱性を有する粘土性フレキシブル(柔軟)シート基材2上に、下部電極として金薄膜3を成膜し、この金薄膜3上にペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5の格子定数と整合するナノシート4を吸着させ、その上にペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5を成膜したものである。
同図に示すように、2θが30度以下で出現しているピークは、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材2として用いたクレーストに由来するピークである。図中のPCSTOは(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01(X=0.4,y=0.002)の略である。
同図に示すように、615nmの波長で蛍光特性が得られ、赤色であることが分かる。最適な化学組成でこれらの結果が得られたことから推測すると、(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01の領域においても同様の蛍光特性が得られると考えられる。
2 耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材
3 金薄膜
4 ナノシート
5 ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜
Claims (4)
- 耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材と、該耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材上に形成された金薄膜と、該金薄膜上に吸着されたナノシートと、該ナノシート上に気相成長法によって、500℃以上700℃以下の温度で(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01からなるペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜が成膜されることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体。
- 前記ナノシートが、[Ca2Nb3O10]−(CNO) ナノシートと[N(C18H37)2(CH3)2]+(DOA)ナノシート からなる複合LB膜であることを特徴とする請求項1に記載のペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体。
- 前記耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材が、クレースト(Claist:登録商標)であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体。
- 前記ナノシートの一辺のサイズが、10nm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載のペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009204167A JP5339288B2 (ja) | 2009-09-03 | 2009-09-03 | ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体 |
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JP2011052159A JP2011052159A (ja) | 2011-03-17 |
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JP (1) | JP5339288B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6143047B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2017-06-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 波長変換デバイス及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4162049B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2008-10-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 透明膜 |
JP4763400B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-08-31 | 株式会社巴川製紙所 | 粘土薄膜基板、電極付き粘土薄膜基板、及びそれらを用いた表示素子 |
JP5403497B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2014-01-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法 |
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