JP5336947B2 - バッチ式製造プロセスの監視方法及び監視装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態における製造プロセスの監視システムを例示するブロック図であり、
図2は、図1に示す監視装置を例示するブロック図である。
図1に示すように、本実施形態に係る監視システム100においては、製品を製造する製造装置101が設けられている。製造装置101は、例えば、半導体デバイスの製造ラインの一部を構成する装置であり、例えば、シリコンウェーハ上に薄膜を形成するプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)装置である。なお、本明細書において「製品」というときは、製造装置において所定の処理がなされた後の部材をいい、いわゆる完成品の他に中間製品も含むものとする。例えば、上述の例でいえば、薄膜が形成されたシリコンウェーハも「製品」に含まれる。監視システム100には、複数種類の製造装置101が設けられていてもよい。
以下、本実施形態に係る監視方法の特徴を概略的に説明する。本実施形態に係る監視方法は、下記(1)、(2)の動作に分けることができる。
(1)装置ログデータを解析して製造条件の異常を検出する異常判定動作
(2)(1)の異常判定動作に用いる負荷行列を取得するモデル構築動作
監視装置1が、半導体デバイスの製造装置101から装置ログデータを収集する。装置ログデータとは、温度、圧力等の物理量の測定値が時間軸に沿って配列された時系列データである。装置ログデータからは物理量の測定値は読み取ることができるが、周波数特性を抽出することはできない。一方、装置ログデータをフーリエ変換すると、周波数特性は抽出できるが、時系列的な情報が失われてしまう。そこで、本実施形態においては、装置ログデータをウェーブレット変換することにより、時間的に局在する周波数成分を検出する。そして、ウェーブレット変換後のデータから正常な周波数成分を除去し、異常な周波数成分のみを残した上で、逆ウェーブレット変換することにより、異常な部分が誇張された再生波形データを得ることができる。この再生波形データを監視することにより、製造条件の一時的な変動も精度よく検出することができる。
上述の異常判定において、各周波数成分のウェーブレット係数について迅速にホッテリングT2統計量及び残差Q統計量を計算するために、予め各周波数成分について第1の負荷行列(ローディング1)を求めておく。第1の負荷行列は、良品の装置ログデータをウェーブレット変換して周波数成分毎に良品のウェーブレット係数を求め、これを周波数成分毎に主成分分析することより取得する。この第1の負荷行列と監視対象となる装置ログデータのウェーブレット係数とからホッテリングT2統計量又は残差Q統計量を算出する。
図3及び図4は、本実施形態におけるモデル構築動作を例示するフローチャート図であり、
図5及び図6は、本実施形態における異常判定動作を例示するフローチャート図である。
また、図7〜図15は、各段階のデータを例示する模式図である。すなわち、
図7は、横軸に時間をとり、縦軸に物理量をとって、良品の装置ログデータを例示するグラフ図であり、
図8は、横軸に時間をとり、縦軸にウェーブレット係数の値をとって、一つの装置ログデータから得られる一組のウェーブレット係数を例示するグラフ図であり、
図9は、ローディング1を例示する図であり、
図10(a)は周波数成分を選択する前のウェーブレット係数を例示するグラフ図であり、(b)は周波数成分を選択した後の選択ウェーブレット係数を例示するグラフ図であり、
図11は、横軸に時間をとり、縦軸に物理量をとって、良品再生波形データを例示するグラフ図であり、
図12は、ローディング2を例示する図であり、
図13は、横軸に時間をとり、縦軸に物理量をとって、監視対象となる装置ログデータを例示するグラフ図であり、
図14は、横軸に時間をとり、縦軸に物理量をとって、再生波形データを例示するグラフ図であり、
図15(a)及び(b)は、横軸にバッチ履歴をとり、縦軸にホッテリングT2統計量又は残差Q統計量をとって、本実施形態に係る監視方法を例示するグラフ図である。
上述の如く、モデル構築は異常判定の準備段階となる作業である。
先ず、図3のステップS11に示すように、図1に示す監視装置1の演算部2(図2参照)が製造装置101からMES系LAN105を介して装置ログデータを収集する。ステップS11においては、良品の装置ログデータのみを収集する。また、この装置ログデータは、後の工程で主成分分析の対象とするため、ある程度の量が必要である。
先ず、ステップS22に示すように、ステップS21で取得した数字列に従って、図8に示すウェーブレット係数を周波数成分毎に選択する。これにより、ステップS23に示すように、選択ウェーブレット係数が生成される。例えば、上記数字列が「01001」である場合は、図10(a)に示すように、周波数成分D1は非選択、周波数成分D2は選択、周波数成分D3は非選択、周波数成分D4は非選択、周波数成分Aは選択される。そして、選択された周波数成分については、ウェーブレット係数の値をそのままとし、非選択の周波数成分については、ウェーブレット係数の値を0とする。この結果、図10(b)に示すような選択ウェーブレット係数が生成される。
異常判定動作は、実際に製造装置101を監視する動作である。
図5のステップS31に示すように、監視装置1(図1参照)の演算部2(図2参照)が製造装置101からMES系LAN105を介して装置ログデータを収集する。この装置ログデータは、監視対象となるデータであり、異常が含まれているか否かは未知である。図13に、ステップS31において収集される装置ログデータを示す。説明の便宜上、この装置ログデータは、不良品の装置ログデータであるものとする。なお、図13には、比較のために、良品の装置ログデータ(図7参照)も重ねて示す。図13において、良品の装置ログデータは黒丸(●)で示し、不良品の装置ログデータは白丸(○)で示す。良品の装置ログデータは、図7に示したデータと同じものである。
先ず、演算部2は、1つの周波数成分についてウェーブレット係数を主成分分析する。この主成分分析は「マルチウェイPCA」によって行う。すなわち、演算部2は、1つの周波数成分のウェーブレット係数wと、この周波数成分に対応する第1の負荷行列の係数aを用いて、上記数式1に示す演算を行い、ホッテリングT2統計量及び残差Q統計量、すなわち、主成分pc1〜pcnの値を算出する。
本実施形態によれば、監視装置1が装置ログデータを一旦ウェーブレット変換し、正常な周波数成分を除去した上で逆ウェーブレット変換しているため、異常な部分が誇張された再生波形データを得ることができる。これにより、製造条件の一時的な変動も取り込みつつ、予測精度が高い監視を行うことができる。すなわち、装置から収集されるログ波形を平均値に集約せず、波形レベルで製造装置の異常を監視することができるため、製造条件の異常を見逃す確率を低減できる。この結果、従来は電気特性評価等の最終検査をするまで検出できなかった不良品を、最終検査前に早期に発見することができるようになり、不良品が大量に発生することを未然に防止できる。
図16は、本変形例に係る監視装置の演算部を例示するブロック図である。
前述の実施形態においては、監視装置1(図1参照)の演算部2(図2参照)は汎用サーバによって構成されていたが、本変形例においては、演算部12は専用のハードウェアによって構成されている。但し、演算部12の機能は、演算部2の機能と同じである。
Claims (5)
- 製品のバッチ式製造装置から入力された時系列の装置ログデータをバッチ毎にウェーブレット変換し、複数の周波数成分についてウェーブレット係数を求める工程と、
各前記周波数成分についてのウェーブレット係数及び前記各周波数成分についてそれぞれ取得された第1の負荷行列を用いて、前記各周波数成分について前記ウェーブレット係数のホッテリングT2統計量及び残差Q統計量を求め、前記ホッテリングT2統計量及び残差Q統計量に基づいて前記各周波数成分が正常であるか異常であるかを判定し、正常と判定された周波数成分のウェーブレット係数の値を0とすると共に異常と判定された周波数成分のウェーブレット係数の値はそのままとした一組の採用ウェーブレット係数を生成する工程と、
前記一組の採用ウェーブレット係数を逆ウェーブレット変換して再生波形データを求める工程と、
前記再生波形データ及び前記一組の採用ウェーブレット係数に対応する第2の負荷行列を用いて前記再生波形データの主成分スコアを求め、前記再生波形データのホッテリングT2統計量及び残差Q統計量に基づいて前記再生波形データが正常であるか異常であるかを判定する工程と、
を備えたことを特徴とするバッチ式製造プロセスの監視方法。 - 前記各周波数成分が正常であるか異常であるかの判定は、
前記各周波数成分について、前記ウェーブレット係数の主成分スコアに基づいてホッテリングT2統計量及び残差Q統計量を算出し、
前記ホッテリングT2統計量及び前記残差Q統計量の双方が管理限界範囲内であった周波数成分を正常と判定すると共に、前記ホッテリングT2統計量及び前記残差Q統計量のうち少なくとも一方が前記管理限界範囲を超えた周波数成分を異常と判定する
ことを特徴とする請求項1記載のバッチ式製造プロセスの監視方法。 - 前記再生波形データが正常であるか異常であるかを判定する工程は、
前記再生波形データの主成分スコアに基づいてホッテリングT2統計量及び残差Q統計量を算出する工程と、
前記ホッテリングT2統計量及び前記残差Q統計量の双方が管理限界範囲内にある場合に前記再生波形データを正常と判定し、前記ホッテリングT2統計量及び前記残差Q統計量のうち少なくとも一方が前記管理限界範囲を超えた場合に前記再生波形データを異常と判定する工程と、
を有することを特徴とする請求項1または2に記載のバッチ式製造プロセスの監視方法。 - 製品の製造装置から入力された装置ログデータをウェーブレット変換し、複数の周波数成分についてウェーブレット係数を求め、各前記周波数成分についてのウェーブレット係数及び前記各周波数成分についてそれぞれ取得された第1の負荷行列を用いて、前記各周波数成分について前記ウェーブレット係数の主成分スコアを求め、ホッテリングT2統計量及び残差Q統計量に基づいて前記各周波数成分が正常であるか異常であるかを判定し、正常と判定された周波数成分のウェーブレット係数の値を0とすると共に異常と判定された周波数成分のウェーブレット係数の値はそのままとした一組の採用ウェーブレット係数を生成し、前記一組の採用ウェーブレット係数を逆ウェーブレット変換して再生波形データを求め、前記再生波形データ及び前記一組の採用ウェーブレット係数に対応する第2の負荷行列を用いて前記再生波形データの主成分スコアを求め、前記再生波形データのホッテリングT2統計量及び残差Q統計量に基づいて前記再生波形データが正常であるか異常であるかを判定する演算部と、
各前記周波数成分についての前記第1の負荷行列、及び、前記ウェーブレット係数の値をそのままとした周波数成分の組合せの全てについての前記第2の負荷行列が記憶された記憶部と、
を備え、
前記演算部は、前記再生波形データのホッテリングT2統計量及び残差Q統計量を求める際に、前記記憶部に記憶された複数の前記第2の負荷行列から、前記周波数成分の組合せが前記一組の採用ウェーブレット係数と同じである第2の負荷行列を選択して使用することを特徴とするバッチ式製造プロセスの監視装置。 - 前記演算部は、
良品の装置ログデータをウェーブレット変換することにより、前記複数の周波数成分について良品のウェーブレット係数をそれぞれ求め、各前記周波数成分について前記良品のウェーブレット係数をそれぞれ主成分分析することによって前記第1の負荷行列を生成し、
良品のウェーブレット係数のうち、選択された周波数成分についてはウェーブレット係数の値をそのままとし、残りの周波数成分についてはウェーブレット係数の値を0とした一組の選択ウェーブレット係数を、選択する周波数成分の組合せの全てについて生成し、前記生成した複数組の前記選択ウェーブレット係数をそれぞれ逆ウェーブレット変換することにより複数の良品再生波形データを求め、前記複数の良品再生波形データをそれぞれ主成分分析することにより前記複数の第2の負荷行列を生成する
ことを特徴とする請求項4記載のバッチ式製造プロセスの監視装置。
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