JP5335978B2 - IC chip manufacturing method and IC chip mounting method - Google Patents
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Description
本発明は、接続端子としてバンプを有するICチップの製造方法、及びICチップを用いた実装方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an IC chip having bumps as connection terminals, and a mounting method using the IC chip.
従来より、例えば液晶表示装置等の配線(ガラス)基板上にICチップを実装する手段として、異方導電性接着フィルムが用いられている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, for example, an anisotropic conductive adhesive film has been used as means for mounting an IC chip on a wiring (glass) substrate such as a liquid crystal display device (see, for example, Patent Document 1).
この異方導電性接着フィルムを用いてICチップの実装を行うには、ICチップの接続端子(バンプ)と配線基部の電極端子との間に異方導電性接着フィルムを介在させ、熱圧着ヘッドによってICチップを加熱するとともに押圧することによって熱圧着を行う。 In order to mount an IC chip using this anisotropic conductive adhesive film, an anisotropic conductive adhesive film is interposed between the connection terminal (bump) of the IC chip and the electrode terminal of the wiring base, and the thermocompression bonding head. The IC chip is heated and pressed by thermocompression bonding.
しかし、従来、ICチップに設けられたバンプのうち、特定のバンプに関して接続不良が生ずる場合がある。
例えば、図7(a)に示すように、ICチップ101のチップ本体102縁部に設けられたバンプ103、104のうち、短辺側に設けられたバンプ(楕円A、B内)に接続不良が生ずる場合がある。
However, conventionally, a connection failure may occur with respect to a specific bump among the bumps provided on the IC chip.
For example, as shown in FIG. 7 (a), poor connection between the
また、図7(b)に示すように、ICチップ201のチップ本体202長辺部に設けられたバンプ203〜205のうち、一方の長辺側においてバンプが千鳥状に設けられたICチップ201にあっては、外側のバンプ204(楕円C内)に接続不良が生ずる場合がある。
Further, as shown in FIG. 7B, among the
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたもので、接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることが可能な異方導電性接着剤を用いたICチップの接続技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and it is possible to connect an IC chip using an anisotropic conductive adhesive capable of improving conduction reliability without causing a connection failure. The purpose is to provide technology.
上記目的を達成するためになされた本発明は、チップ本体の長方形形状の接続側面上に接続電極として高さの異なる複数の実装端子を有し、異方導電性接着剤によって実装されるICチップを製造する方法であって、前記接続側面の縁部に所定の厚さの電極部を複数設けた後、当該複数の電極部のうち、実装端子の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くすることにより、前記接続側面の短辺側縁部の実装端子の高さを前記接続側面の長辺側縁部の実装端子の高さより高くする工程を有するICチップの製造方法である。
本発明は、チップ本体の長方形形状の接続側面上に接続電極として高さの異なる複数の実装端子を有し、異方導電性接着剤によって実装されるICチップを製造する方法であって、前記接続側面の所定の縁部に沿って所定の厚さの電極部を複数の列状に設けた後、当該複数列の電極部のうち、実装端子の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くすることにより、前記接続側面の所定の縁部に対して外側の実装端子の高さを前記接続側面の所定の縁部に対して内側の実装端子の高さより高くする工程を有するICチップの製造方法である。
本発明では、前記接続側面の短辺側縁部に設けられた実装端子の高さと、前記他の実装端子の高さとの差が、使用する異方導電性接着剤の導電粒子の粒径の5%〜95%である場合にも効果的である。
本発明では、前記接続側面の縁部外側に設けられた実装端子の高さと、前記他の実装端子の高さとの差が、使用する異方導電性接着剤の導電粒子の粒径の5%〜95%である場合にも効果的である。
本発明は、所定の接続電極が形成された配線基板と、上述したいずれかの方法によって製造されたICチップとの間に異方導電性接着剤を配置し、加熱及び加圧を行うことにより、前記配線基板と前記ICチップを接着するとともに当該電極同士を電気的に接続する工程を有するICチップの実装方法である。
In order to achieve the above object, the present invention provides an IC chip having a plurality of mounting terminals having different heights as connection electrodes on a rectangular connection side surface of a chip body and mounted by an anisotropic conductive adhesive. After a plurality of electrode portions having a predetermined thickness are provided on the edge portion of the connection side surface, electrodes in regions other than the region in which the height of the mounting terminal is increased among the plurality of electrode portions. By removing the surface layer portion of the portion by etching to reduce the height of the electrode portion in the region, the height of the mounting terminal of the short side edge portion of the connection side surface is set to the height of the long side edge portion of the connection side surface. This is a method of manufacturing an IC chip having a step of making it higher than the height of the mounting terminal.
The present invention is a method of manufacturing an IC chip having a plurality of mounting terminals with different heights as connection electrodes on a rectangular connection side surface of a chip body, and mounted with an anisotropic conductive adhesive, After the electrode portions having a predetermined thickness are provided in a plurality of rows along a predetermined edge portion of the connection side surface, electrodes in regions other than the region in which the height of the mounting terminal is increased among the plurality of rows of electrode portions By removing the surface layer portion of the portion by etching to reduce the height of the electrode portion in the region, the height of the outer mounting terminal is set to the predetermined edge of the connection side surface with respect to the predetermined edge portion of the connection side surface. This is a method of manufacturing an IC chip having a step of making it higher than the height of the mounting terminal on the inner side with respect to the part.
In the present invention, the difference between the height of the mounting terminal provided at the short side edge of the connection side surface and the height of the other mounting terminal is the particle size of the conductive particles of the anisotropic conductive adhesive used. It is also effective when it is 5% to 95%.
In the present invention, the difference between the height of the mounting terminal provided outside the edge of the connection side surface and the height of the other mounting terminal is 5% of the particle size of the conductive particles of the anisotropic conductive adhesive used. It is also effective when it is ˜95%.
In the present invention, an anisotropic conductive adhesive is disposed between a wiring board on which a predetermined connection electrode is formed and an IC chip manufactured by any of the methods described above, and heating and pressurizing are performed. The IC chip mounting method includes a step of bonding the wiring board and the IC chip and electrically connecting the electrodes to each other.
本発明の場合、接続電極としてチップ本体に設けられた複数の実装端子のうち、長方形形状の接続側面の短辺側縁部領域や、接続側面の所定の縁部に沿って実装端子が複数の列状に設けられた場合の当該縁部外側領域の実装端子の高さが、他の実装端子の高さより高くなるようにしたことから、異方導電性接着剤を用いて熱圧着を行った場合に、従来技術ではつぶれ状態が不十分であった特定の導電粒子を十分に圧縮することができる。
その結果、本発明によれば、各実装端子上における導電粒子の圧縮状態を均一にすることができるので、種々のタイプのICチップにおいて、導通信頼性を向上させることができる。
特に、本発明によれば、径の大きな導電粒子を用いることなく導通信頼性を向上させることができるので、ファインピッチのバンプを有するICチップに有用となるものである。
For the present invention, among the plurality of mounting terminals provided on the chip body as a connection electrode, and the short side edge region of the connecting side of the rectangular shape, the mounting terminals along a predetermined edge of the connection side since the height of the mounting terminal of the edge outside area when provided in a plurality of rows has to be higher than the height of the other mounting terminals, thermocompression bonding using an anisotropic conductive adhesive , It is possible to sufficiently compress the specific conductive particles, which were insufficiently crushed by the prior art.
As a result, according to the present invention, since the compression state of the conductive particles on each mounting terminal can be made uniform, conduction reliability can be improved in various types of IC chips.
In particular, according to the present invention, since the conduction reliability can be improved without using conductive particles having a large diameter, it is useful for an IC chip having fine pitch bumps.
本発明によれば、接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることができる異方導電性接着剤を用いたICチップの接続技術を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the connection technique of the IC chip using the anisotropic conductive adhesive which can improve conduction | electrical_connection reliability without generating a connection failure can be provided.
以下、本発明に係るICチップの製造方法及びICチップの実装方法の好ましい形態について図面を用いて説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of an IC chip manufacturing method and an IC chip mounting method according to the present invention will be described with reference to the drawings.
なお、後述するように、本発明に用いる異方導電性接着剤7は、絶縁性接着剤樹脂8中に導電粒子9が分散されているものであるが、その態様としては、ペースト状又はフィルム状のいずれにも適用することができる。
As will be described later, the anisotropic
図1(a)(b)は、本発明に用いるICチップの実施の形態を示す概略図で、図1(a)は平面図、図1(b)は正面図である。また、図2(a)(b)及び図3(a)(b)は、本発明の原理を示す説明図である。 Figure 1 (a) (b) is a schematic diagram showing an embodiment of an IC chip Ru used in the present invention, FIG. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a front view. FIGS. 2A and 2B and FIGS. 3A and 3B are explanatory views showing the principle of the present invention.
図1(a)(b)に示すように、本実施の形態のICチップ1は、例えば、COG(Cip On Glass)方式に用いられるもので、長方体形状のチップ本体2を有し、その接続側面2aが長方形形状に形成されている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, an
ICチップ1の接続側面2aの縁部(長辺及び短辺)には、接続電極として、以下のようなバンプを用いた実装端子3、4が、所定のピッチをおいて複数個設けられている。
On the edge (long side and short side) of the
本実施の形態の場合、実装端子3、4は、それぞれパターン状のAl(アルミニウム)からなる電極部上に、Au(金)からなるバンプを形成することにより構成されている。
In the case of the present embodiment, the
ここで、Al電極部上にAuバンプを形成するには、例えば以下に説明する公知のめっき法(例えば特許2936680号公報参照)を用いることができる。
すなわち、めっき法では、Al配線(電極部)と絶縁膜が形成されたSi基板を用意し、この絶縁膜にAl配線を外部に接続するための開孔を形成し、その全面にTi(チタン)をスパッタしてTi膜を形成し、Pd(パラジウム)をスパッタしてPd膜を形成する。次いで、その上にレジストを被着しこれをパターニングすることによって、Auバンプ形成用の開孔を有するレジストマスクを形成する。
さらに、前述の開孔からPd膜の上にAuめっきを施してAuめっき層を形成し、その後、前述のレジストマスクを除去し、さらに金めっき層をマスクにしてPd膜とTi膜をエッチングする。これによりAl電極部上に形成されたAuバンプを得る。
Here, in order to form the Au bump on the Al electrode portion, for example, a known plating method described below (see, for example, Japanese Patent No. 2936680) can be used.
That is, in the plating method, an Si substrate on which an Al wiring (electrode part) and an insulating film are formed is prepared, an opening for connecting the Al wiring to the outside is formed in the insulating film, and Ti (titanium) is formed on the entire surface. ) Is sputtered to form a Ti film, and Pd (palladium) is sputtered to form a Pd film. Next, a resist is deposited thereon and patterned to form a resist mask having openings for forming Au bumps.
Further, Au plating is performed on the Pd film from the above-mentioned openings to form an Au plating layer, and then the above-described resist mask is removed, and the Pd film and Ti film are etched using the gold plating layer as a mask. . As a result, an Au bump formed on the Al electrode portion is obtained.
本発明では、複数の実装端子3、4のうち、予め特定された領域の実装端子の高さが、他の実装端子の高さより高くされている。
In the present invention, among the plurality of
本実施の形態においては、図1(a)(b)に示すように、ICチップ1の接続側面2aの短辺側縁部(楕円A,Bで示す領域)に設けられた実装端子4の高さが、接続側面2aの長辺側縁部に設けられた実装端子3の高さより高くなるように構成されている。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 1A and 1B, the
本発明の場合、ICチップ1の短辺側縁部の実装端子4の高さを長辺側縁部の実装端子3の高さより高くする方法は、特に限定されることはないが、製造工程の簡易さの観点からは、例えば、図3(b)に示すように、実装端子4を設ける部分、すなわち、Al電極部20上に金属によるかさ上げ部10を設けて電極部分を多層化することが好ましい。
In the case of the present invention, the method of making the height of the
この場合、かさ上げ部10の形成方法としては、例えば、アルミニウムを用いたスパッタリング法を採用することができる。
In this case, as a method for forming the raised
そして、かさ上げ部10を形成した後、ICチップ1の接続側面2a上にパッシベーション膜21を形成し、さらに、かさ上げ部10と、Al電極部20との上に、上記方法によって同じ高さのバンプ部30、バンプ部40をそれぞれ形成する。
Then, after forming the raised
これにより、ICチップ1の短辺側縁部の実装端子4の高さが、かさ上げ部10の分だけ長辺側縁部の実装端子3の高さより高いICチップ1を得ることができる。
Thereby, the
以下、本発明の原理を図2(a)(b)及び図3(a)(b)を用いて説明する。
ここでは、接続電極13、14が設けられた配線基板11上に、ICチップ1を実装する場合を考える。配線基板11の接続電極13、14は、ICチップ1の実装端子3、4にそれぞれ対応するものである。
The principle of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b) and FIGS. 3 (a) and 3 (b).
Here, consider a case where the
ICチップ1の実装時には、図2(a)に示すように、配線基板11とICチップ1との間に、異方導電性接着剤7を配置して熱圧着を行うが、その際、ICチップ1側から加熱及び加圧を行う。
When the
この場合、ICチップ1の到達温度は200〜250℃程度となるが、配線基板11側の到達温度は100〜150℃程度とICチップ1に比べて低いため、加熱時にはICチップ1の方が延びた状態となっている。このため、実装後、冷却の際にICチップ1のチップ本体2の収縮が大きく、例えば、図2(b)に示すように、配線基板11よりICチップ1の反りが大きくなり、結果として、実装部分全体に反りが発生する。
In this case, the reached temperature of the
この状態では、ICチップ1の接続側面2aの縁部のうち短辺側縁部2bに応力が加わりやすいので、図3(a)に示すように、異方導電性接着剤7の導電粒子9bに対する押圧力が他の領域(本例では長辺側縁部)の導電粒子9に比べて小さく導電粒子9bの変形(圧縮)率が不足する傾向にある。
In this state, stress is easily applied to the
そこで、図3(b)に示すように、ICチップ1の接続側面2aの短辺側縁部2bにおいて、Al電極部20上にかさ上げ部10を設け、このかさ上げ部10上にバンプ部40を形成することにより、実装端子4の高さを、接続側面2aの長辺側縁部の実装端子3の高さ(=バンプ部30の高さ)より高くする。
Therefore, as shown in FIG. 3B, a raised
これにより、実装端子3及び接続電極13間の間隔と、実装端子4及び接続電極14間の間隔とを同等にすることができるので、ICチップ1の接続側面2aの縁部の各部分において導電粒子9、9bに対して均一の力で押圧して圧縮率を均一にすることができる。
As a result, the distance between the mounting
本発明の場合、実装端子3、4の高さの差は、特に限定されることはないが、導電粒子9、9bの圧縮状態を均一にして導通信頼性を向上させる観点からは、導電粒子9の粒径の5%〜95%とすることが好ましく、より好ましくは、30%〜60%である。
In the present invention, the difference in height between the mounting
具体的には、例えば、導電粒子9、9bの粒径が3μm〜5μmである場合において、実装端子3、4の高さの差を、0.5μm〜3μmとすることができる。
Specifically, for example, when the particle diameters of the
この場合、導電粒子9の弾性率が、100kgf/mm2〜1000kgf/mm2の範囲にある場合により効果的である。
In this case, the elastic modulus of the
図4(a)(b)、図5(a)(b)及び図6(a)(b)は、本発明の他の実施の形態を示すものであり、以下、上記実施の形態と同一の部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。 4 (a) (b), FIG. 5 (a) (b) and FIG. 6 (a) (b) show other embodiments of the present invention. These parts are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図4(a)(b)に示すように、本実施の形態のICチップ1Aは、チップ本体2の接続側面2aの長辺側縁部に、接続電極としての実装端子3、4A、5が設けられている。
As shown in FIGS. 4A and 4B, the
本実施の形態では、ICチップ1Aの接続側面2aの長辺側縁部の一方において、この長辺側縁部に沿って2列の実装端子4A、5が千鳥状に配列されている。
In the present embodiment, two rows of mounting
そして、実装端子4A、5のうち、接続側面2aの一方の長辺側縁部外側に設けられた実装端子4A(楕円Cで示す領域)の高さが、この長辺側縁部内側に設けられた実装端子5の高さより高くなるように構成されている。
Of the mounting
この場合、ICチップ1Aの接続側面2aの長辺側縁部外側の実装端子4Aの高さを長辺側縁部内側の実装端子5の高さより高くする方法は、上記実施の形態と同様の方法を採用することができる。すなわち、図6(b)に示すように、実装端子5は、Al電極部20上にバンプ部50が形成され、実装端子4Aは、Al電極部20上にかさ上げ部10が形成され、その上にバンプ部40が形成されている。
In this case, the method of making the height of the mounting terminal 4A outside the long side edge of the
なお、本実施の形態の場合、ICチップ1Aの接続側面2aの短辺側縁部には、実装端子は設けられていない。
In the case of the present embodiment, no mounting terminal is provided on the short side edge of the
このような2列の実装端子4A、5が長辺側縁部に沿って千鳥状に配列されているICチップ1Aにおいて、実装時にICチップ1A側から加熱及び加圧を行うと、図5(b)に示すように、チップ本体2の中央部分が長辺側縁部と比較して沈み込む傾向がある。
In the
このため、ICチップ1Aの実装後において、チップ本体2の中央部分と長辺側縁部との高さに差が生ずる。この差は、2列の実装端子4A、5が設けられた側の長辺側縁部2cにおいて、特に大きくなる(数μm程度)。
For this reason, after mounting the
ここで、図6(a)に示すように、実装端子4A、5の高さが等しい場合には、この長辺側縁部外側の実装端子4Aの導電粒子9cに対する押圧力が、他の領域の導電粒子9に比べて小さくなり、この導電粒子9cの変形(圧縮)率が不足する。
Here, as shown in FIG. 6A, when the mounting
そこで、本実施の形態では、図6(b)に示すように、ICチップ1Aの接続側面2aの長辺側縁部2c外側における実装端子4Aの高さを、Al電極部20上にかさ上げ部10を設けることによって長辺側縁部2c内側の実装端子5の高さより高くする。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 6B, the height of the mounting terminal 4A outside the
これにより上記実施の形態と同様に、実装端子5及び接続電極15間の間隔と、実装端子4A及び接続電極14間の間隔とを同等にすることができるので、ICチップ1Aの縁部の各部分において導電粒子9、9cに対して均一の力で押圧して圧縮率を均一にすることができる。
As a result, as in the above-described embodiment, the distance between the mounting
本発明の場合、実装端子5、4Aの高さの差は、特に限定されることはないが、導電粒子9、9cの圧縮状態を均一にして導通信頼性を向上させる観点からは、実装端子5、4Aの差を、導電粒子9の粒径の5%〜95%とすることが好ましい。
In the present invention, the difference in height between the mounting
具体的には、例えば、導電粒子9、9cの粒径が3μm〜5μmである場合において、実装端子5、4Aの差を、0.5μm〜3μmとすることができる。
Specifically, for example, when the particle diameters of the
この場合、導電粒子9の弾性率が、100kgf/mm2〜1000kgf/mm2の範囲にある場合により効果的である。
In this case, the elastic modulus of the
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made.
例えば、複数の実装端子のうち高さを高くする実装端子については、上述の実施の形態のように接続側面の縁部(短辺部又は長辺部)に配列されたものの全部には限られず、一部の実装端子であってもよい。 For example, the mounting terminals that increase the height among the plurality of mounting terminals are not limited to all those arranged on the edge (short side or long side) of the connection side as in the above-described embodiment. Some of the mounting terminals may be used.
例えば、チップ本体の接続側面の隅部分の実装端子の高さを他の領域の実装端子より高くするなどICチップに応じて種々の変更を行うことができる。 For example, various changes can be made according to the IC chip, such as making the height of the mounting terminals at the corners of the connection side surface of the chip body higher than the mounting terminals in other regions.
また、特定の領域の実装端子の高さを高くする方法については、上述した電極部上にかさ上げ部を設けて多層化する方法のほか、例えば、当初電極部を厚く形成しておき、実装端子の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチング等によって除去してその領域の高さを低くするようにしてもよい。 As for the method of increasing the height of the mounting terminal in a specific region, in addition to the above-described method of providing a raised portion on the electrode portion to form a multilayer, for example, the initial electrode portion is formed thick and mounted. The surface layer portion of the electrode portion in a region other than the region in which the height of the terminal is increased may be removed by etching or the like to reduce the height of the region.
さらに、本発明は、上記実施の形態のタイプのICチップのみならず、種々のタイプのICチップに適用することができるものである。 Furthermore, the present invention can be applied not only to the IC chip of the above embodiment type but also to various types of IC chips.
以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細に説明する。 Examples of the present invention will be described below in detail together with comparative examples.
[異方導電性接着フィルムの作成]
絶縁性接着剤樹脂としてエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製 EP828)30重量部、フェノキシ樹脂(InChem社製 PKHH)40重量部、エポキシ硬化剤(旭化成社製 HX3941HP)30重量部、導電粒子(積水化学社製 平均粒径3μm)25重量部を、溶剤としてトルエン/酢酸エチルを用いてミキサーで溶解混合させペーストとした。
[Creation of anisotropic conductive adhesive film]
As an insulating adhesive resin, 30 parts by weight of an epoxy resin (EP828 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), 40 parts by weight of a phenoxy resin (PKHH manufactured by InChem), 30 parts by weight of an epoxy curing agent (HX3941HP manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.), conductive particles (Sekisui Chemical) 25 parts by weight of an average particle size of 3 μm manufactured by the company was dissolved and mixed with a mixer using toluene / ethyl acetate as a solvent to obtain a paste.
そして、剥離処理を施したPETフィルム上に、上述したペーストを塗布し、70℃に設定した電気オーブンで8分間加熱し、乾燥膜厚が20μmの異方導電性接着フィルムを作成した。 And the paste mentioned above was apply | coated on PET film which performed the peeling process, it heated for 8 minutes with the electric oven set to 70 degreeC, and the anisotropic conductive adhesive film whose dry film thickness is 20 micrometers was created.
<実施例1>
図4(a)(b)に示す千鳥足配列の実装端子を有するICチップを用い、長辺側縁部外側の実装端子(4A)の高さを16μmとし、長辺側縁部内側の実装端子(5)の高さを15μmとした。
<Example 1>
Using the IC chip having the staggered mounting terminals shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the mounting terminal (4A) outside the long side edge is set to 16 μm and the mounting terminal inside the long side edge The height of (5) was 15 μm.
この場合、電極部の厚さを通常より1μm厚く形成することにより実装端子(4A)の高さを1μm高くした。 In this case, the height of the mounting terminal (4A) was increased by 1 μm by forming the electrode part to be 1 μm thicker than usual.
ここで、長辺側縁部外側及び内側の実装端子(4A)、(5)の幅は15μmとし、実装端子間ピッチは15μmとした。 Here, the width of the mounting terminals (4A) and (5) on the outer side and outer side of the long side edge portion was 15 μm, and the pitch between the mounting terminals was 15 μm.
<比較例1>
電極部の厚さを通常通りとし長辺側縁部外側の実装端子(4A)の高さを15μmとして実装端子の高さを全て同一にし、それ以外は、実施例1と同一の構成のICチップを用いた。
<Comparative Example 1>
The thickness of the electrode part is set as usual, the height of the mounting terminal (4A) outside the long side edge is set to 15 μm, and the heights of all the mounting terminals are made the same. A chip was used.
<実施例2>
図1(a)(b)に示すストレート配列の実装端子を有するICチップを用い、短辺側縁部の実装端子(4)の高さを16μmとし、長辺側縁部の実装端子(3)の高さを15μmとした。
<Example 2>
Using the IC chip having the mounting terminals in the straight arrangement shown in FIGS. 1A and 1B, the height of the mounting terminal (4) at the short side edge is set to 16 μm, and the mounting terminal (3 ) Was set to 15 μm.
この場合、電極部の厚さを通常より1μm厚く形成することにより短辺側縁部の実装端子(4)の高さを1μm高くした。 In this case, the height of the mounting terminal (4) at the short side edge portion was increased by 1 μm by forming the electrode portion thicker than usual by 1 μm.
ここで、短辺側縁部の実装端子(4)の幅は14μmとし、バンプ間ピッチは25μmとした。 Here, the width of the mounting terminal (4) at the short side edge was 14 μm, and the bump pitch was 25 μm.
一方、長辺側縁部の実装端子(3)の幅は14μmとし、バンプ間ピッチは25μmとした。 On the other hand, the width of the mounting terminal (3) at the edge on the long side was 14 μm, and the pitch between the bumps was 25 μm.
<比較例2>
電極部の厚さを通常通りとし短辺側縁部側の実装端子(4)の高さを15μmとしてバンプの高さを全て同一にし、それ以外は、実施例2と同一の構成のICチップを用いた。
<Comparative example 2>
An IC chip having the same configuration as in Example 2 except that the thickness of the electrode part is set as usual, the height of the mounting terminal (4) on the short side edge side is set to 15 μm, and the bumps are all the same height. Was used.
[評価]
配線基板としては、厚さ0.5mmの透明ガラス板上に、厚さ0.2μmのITO電極をパターン形成したTEG(Test Element Group)を用いた。
[Evaluation]
As a wiring board, TEG (Test Element Group) in which an ITO electrode having a thickness of 0.2 μm was formed on a transparent glass plate having a thickness of 0.5 mm was used.
そして、異方導電性接着フィルムとして上述したもの用いて配線基板上に各ICチップを熱圧着した。 And each IC chip was thermocompression-bonded on the wiring board using what was mentioned above as an anisotropically conductive adhesive film.
この場合、圧着条件は、温度200℃、圧力30MPa、時間10秒とし、さらに、温度85℃、相対湿度85%の条件下で500時間のエージングを行い、各実装端子間の導通試験を行った。その結果を表1、2に示す。 In this case, the pressure bonding conditions were a temperature of 200 ° C., a pressure of 30 MPa, and a time of 10 seconds. Further, aging was performed for 500 hours under the conditions of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85%, and a continuity test between the mounting terminals was performed. . The results are shown in Tables 1 and 2.
一方、熱圧着後のICチップ内における導電粒子のつぶれ状態を顕微鏡を用いて目視観察した。 On the other hand, the collapsed state of the conductive particles in the IC chip after thermocompression bonding was visually observed using a microscope.
この場合、導電粒子が均一につぶれているものを「○」、実装端子間において導電粒子のつぶれ状態が不均一で、つぶれ状態が十分でない導電粒子が存在するものを「×」とした。 In this case, the case where the conductive particles are uniformly crushed is indicated by “◯”, and the state where the conductive particles are not uniformly crushed between the mounting terminals and the state where the conductive particles are not sufficiently crushed is indicated by “X”.
[評価結果]
実施例1及び実施例2については、エージング後において、6Ω以下の抵抗上昇に制御されており、長辺側縁部外側(実施例1)及び短辺側(実施例2)の実装端子間における導通が長期間安定していることがわかる。
[Evaluation results]
About Example 1 and Example 2, after aging, the resistance increase is controlled to 6Ω or less, and between the mounting terminals on the outer side of the long side (Example 1) and the short side (Example 2). It turns out that conduction is stable for a long time.
また、導電粒子のつぶれ状態についても、実装端子間において均一につぶれていることが確認された。 Further, it was confirmed that the conductive particles were uniformly crushed between the mounting terminals.
一方、比較例1については、エージング後において23Ωの抵抗上昇が見られ、また、長辺側縁部外側の実装端子間において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。 On the other hand, in Comparative Example 1, a resistance increase of 23Ω was observed after aging, and there was a portion where the conductive particles were not sufficiently crushed between the mounting terminals outside the long side edge.
さらに、比較例2については、エージング後において18Ωの抵抗上昇が見られ、また、短辺側縁部の実装端子間において、導電粒子のつぶれ具合が十分でない部分が存在した。
以上より、本発明の効果を実証することができた。
Further, in Comparative Example 2, a resistance increase of 18Ω was observed after aging, and there was a portion where the degree of collapse of the conductive particles was not sufficient between the mounting terminals on the short side edge.
From the above, the effect of the present invention could be verified.
1 ICチップ
2 チップ本体
2a 接続側面
2b 短辺側縁部
3,4,4A,5 実装端子
7 異方導電性接着剤
9,9b,9c 導電粒子
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記接続側面の縁部に所定の厚さの電極部を複数設けた後、当該複数の電極部のうち、実装端子の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くすることにより、前記接続側面の短辺側縁部の実装端子の高さを前記接続側面の長辺側縁部の実装端子の高さより高くする工程を有するICチップの製造方法。 A method of manufacturing an IC chip having a plurality of mounting terminals with different heights as connection electrodes on a rectangular connection side surface of a chip body, and mounted with an anisotropic conductive adhesive,
After providing a plurality of electrode portions having a predetermined thickness on the edge of the connection side surface, the surface layer portion of the electrode portion in a region other than the region in which the height of the mounting terminal is increased among the plurality of electrode portions is removed by etching. The height of the mounting terminal at the short side edge of the connection side is made higher than the height of the mounting terminal at the long side edge of the connection side by reducing the height of the electrode part in the region. A method of manufacturing an IC chip having
前記接続側面の所定の縁部に沿って所定の厚さの電極部を複数の列状に設けた後、当該複数列の電極部のうち、実装端子の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くすることにより、前記接続側面の所定の縁部に対して外側の実装端子の高さを前記接続側面の所定の縁部に対して内側の実装端子の高さより高くする工程を有するICチップの製造方法。 A method of manufacturing an IC chip having a plurality of mounting terminals with different heights as connection electrodes on a rectangular connection side surface of a chip body, and mounted with an anisotropic conductive adhesive,
After the electrode portions having a predetermined thickness are provided in a plurality of rows along a predetermined edge of the connection side surface, regions of the plurality of rows of electrode portions other than the region where the height of the mounting terminal is increased By removing the surface layer portion of the electrode portion by etching to reduce the height of the electrode portion in the region, the height of the outer mounting terminal with respect to the predetermined edge portion of the connection side surface is set to the predetermined value of the connection side surface. An IC chip manufacturing method comprising a step of making the height higher than the height of an inner mounting terminal with respect to an edge.
加熱及び加圧を行うことにより、前記配線基板と前記ICチップを接着するとともに当該電極同士を電気的に接続する工程を有するICチップの実装方法。 An anisotropic conductive adhesive is disposed between the wiring board on which the predetermined connection electrode is formed and the IC chip manufactured by the method according to any one of claims 1 to 4 .
An IC chip mounting method including a step of bonding the wiring board and the IC chip and electrically connecting the electrodes by heating and pressing.
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