JP5334826B2 - 中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法 - Google Patents
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シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部と、前記外殻部よりも内側に存在する中空部とを含む中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法であって、
疎水性有機化合物と界面活性剤と水系溶媒とを含む混合液を高圧乳化法により加圧して、前記疎水性有機化合物を含む乳化滴を含んだ乳濁液を形成する工程と、
前記乳濁液にシリカ源を添加し、前記乳化滴表面に、シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部を形成し、前記外殻部と前記外殻部よりも内側に存在する前記乳化滴とを含む複合シリカ粒子を析出させる工程と、
前記複合シリカ粒子から前記乳化滴を除去する工程とを含む。
本発明の製造方法では、まず、疎水性有機化合物と界面活性剤と水系媒体とを含む混合液を調整する。
疎水性有機化合物は、水に対する溶解性が低く、水と分相を形成するものを意味する。疎水性有機化合物は、界面活性剤の存在下で分散可能であると好ましく、界面活性剤の一例である第四級アンモニウム塩の存在下で分散可能であると好ましい。
本発明の製造方法で用いられる水系溶媒としては、例えば、水、又は、水と水溶性有機溶剤とからなる混合溶媒等が挙げられるが、乳化滴の安定性の点から、水系溶媒は水のみからなると好ましい。水としては、例えば、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。水溶性有機溶剤としては、メタノール、エタノール、アセトン、プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。水系溶媒に水溶性有機溶剤が含まれる場合、水系溶媒中における水溶性有機溶剤の含有量は、乳化滴の安定性の観点から、好ましくは0.1〜50重量%、より好ましくは1〜40重量%、さらに好ましくは、1〜30重量%である。
本発明の製造方法で用いられる界面活性剤としては、疎水性有機化合物の利用率の向上の観点から、下記一般式(1)及び一般式(2)で表される第四級アンモニウム塩から選ばれる1種以上の界面活性剤が好ましい。
[R1(CH3)3N]+X- (1)
[R1R2(CH3)2N]+X- (2)
(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に炭素数4〜22の直鎖状又は分岐状アルキル基を示し、Xは1価陰イオンを示す。)
本発明の製造方法では、以上のようにして調整された混合液を高圧乳化法により加圧して、疎水性有機化合物を含む乳化滴を含んだ乳濁液を形成する。
本発明の製造方法では、以上のようにして調整された乳濁液にシリカ源を添加し、乳化滴表面に、シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部を形成して、外殻部と外殻部よりも内側に存在する疎水性有機化合物(乳化滴)とを含む複合シリカ粒子を析出させる。
シリカ源としては、加水分解によりシラノール化合物を生成するものが好ましく、具体的には、下記一般式(3)〜(7)で示される化合物が挙げられる。
SiY4 (3)
R3SiY3 (4)
R3 2SiY2 (5)
R3 3SiY (6)
Y3Si−R4−SiY3 (7)
(式中、R3はそれぞれ独立して、ケイ素原子に直接炭素原子が結合している有機基を示し、R4は炭素原子を1〜4個有する炭化水素基又はフェニレン基を示し、Yは加水分解によりヒドロキシ基になる1価の加水分解性基を示す。)
・一般式(3)において、Yが炭素数1〜3のアルコキシ基であるか、又はフッ素を除くハロゲン基であるシラン化合物。
・一般式(4)又は(5)において、R3がフェニル基、ベンジル基、又は水素原子の一部がフッ素原子に置換されている炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5の炭化水素基であるトリアルコキシシラン又はジアルコキシシラン。
・一般式(7)において、Yがメトキシ基であって、R4がメチレン基、エチレン基又はフェニレン基である化合物。
これらの中では、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、1,1,1−トリフルオロプロピルトリエトキシシランが特に好ましい。これらのシリカ源は、単独で又は2種以上を任意の割合で混合して使用してもよい。
本発明の製造方法では、例えば、複合シリカ粒子を分散媒から分離した後、複合シリカ粒子を、電気炉等を用いて焼成して、複合シリカ粒子内の疎水性有機化合物を除去する。本発明の製造方法では、必要に応じて、分散媒から分離された複合シリカ粒子に対して、焼成前に、酸性液への接触、水洗、および乾燥かなる群から選ばれる少なくとも1つの処理を行ってもよい。複合シリカ粒子を酸性液に接触させると、複合シリカ粒子のメソ細孔内の第四級アンモニウム塩等の界面活性剤を低減または除去できる。
日本電子株式会社製の透過型電子顕微鏡(TEM)JEM−2100を用いて加速電圧160kVで測定を行い、それぞれ20〜30個の粒子が含まれる5視野中の全粒子の直径、及び中空部分の径を写真上で実測し平均して、平均粒子径、及び中空部分の平均径を求めた。観察に用いた試料は高分解能用カーボン支持膜付きCuメッシュ(200−Aメッシュ、応研商事株式会社製)に付着させ、余分な試料をブローで除去して作成した。
株式会社島津製作所製、比表面積・細孔分布測定装置、商品名「ASAP2020」を使用し、液体窒素を用いて吸着測定を行い、吸着等温線の直線性がよく、BET定数Cが正となるような範囲における多点法よりBET比表面積を導出した(S.Brunauer他,J.Amer.Chem.Soc.,第60巻、第309頁、1938年)。平均細孔径の導出にはBJH法(E.P.Barrett他、J.Amer.Chem.Soc.,第73巻、第373頁、1951年)を採用し、ピークトップを平均細孔径とした。前処理として、中空メソポーラスシリカ粒子を、250℃で5時間加熱した。
理学電機工業株式会社製、粉末X線回折装置、商品名「RINT2500VPC」を用いて、X線源:Cu-kα、管電圧:40mA、管電流:40kV、サンプリング幅:0.02°、発散スリット:1/2°、発散スリット縦:1.2mm、散乱スリット:1/2°、受光スリット:0.15mmの条件で粉末X線回折測定を行った。走査範囲は回折角(2θ)1〜20°、走査速度は4.0°/分で連続スキャン法を用いた。なお、試料は、粉砕した後、アルミニウム板に詰めて測定した。
上記「(1)平均粒子径、中空部分の平均径の測定」の際に測定した、5視野中の粒子の粒子径についての結果を用いて下記式より求めた。
存在率(%)=粒子径が0.2μmを超える粒子の数/5視野中の全粒子数×100
ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド(東京化成製)2gと、25%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(関東化学製)0.83gとを、水400gに溶解した水溶液にドデカン(関東化学製)1gを添加し攪拌して混合液(pH11.0)を得た。攪拌機には、ペンシルミキサーを用い、撹拌時間は5分とした。尚、混合液におけるドデシルトリメチルアンモニウムクロリドの濃度は、19ミリモル/Lであり、ドデカンの濃度は、15ミリモル/Lである。
ドデシルトリメチルアンモニウムクロリドの添加量を2gから3gに変更したこと以外は実施例1と同様にして、中空メソポーラスシリカ粒子を合成した。尚、混合液におけるドデシルトリメチルアンモニウムクロリドの濃度は、28ミリモル/Lである。
ドデシルトリメチルアンモニウムクロリドの添加量を2gから4gに変更したこと以外は実施例1と同様にして、中空メソポーラスシリカ粒子を合成した。尚、混合液におけるドデシルトリメチルアンモニウムクロリドの濃度は、38ミリモル/Lである。
高圧乳化の際に混合液に付与される圧力を150MPaから100MPaに変更したこと以外は実施例1と同様にして、中空メソポーラスシリカ粒子を合成した。
高圧乳化の際に混合液に付与される圧力を150MPaから50MPaに変更したこと以外は実施例1と同様にして、中空メソポーラスシリカ粒子を合成した。
高圧乳化装置に代えてホモジナイザーを用いて混合液を乳化させたこと以外は実施例1と同様にして、中空メソポーラスシリカ粒子を合成した。
Claims (7)
- シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部と、前記外殻部よりも内側に存在する中空部とを含む中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法であって、
疎水性有機化合物と界面活性剤と水系溶媒とを含む混合液を高圧乳化法により加圧して、前記疎水性有機化合物を含む乳化滴を含んだ乳濁液を形成する工程と、
前記乳濁液にシリカ源を添加し、前記乳化滴表面に、シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部を形成し、前記外殻部と前記外殻部よりも内側に前記乳化滴が含まれた複合シリカ粒子を析出させる工程と、
前記複合シリカ粒子から前記乳化滴を除去する工程とを含む、中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。 - 前記中空メソポーラスシリカ粒子の平均細孔径が1〜3nm、平均粒子径が0.005〜0.2μmである請求項1に記載の中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。
- 前記界面活性剤が、下記一般式(1)及び一般式(2)で表される第四級アンモニウム塩から選ばれる1種以上の界面活性剤である請求項1または2に記載の中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。
[R1(CH3)3N]+X- (1)
[R1R2(CH3)2N]+X- (2)
(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に炭素数4〜22の直鎖状又は分岐状アルキル基を示し、Xは1価陰イオンを示す。) - 前記シリカ源が、加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源である請求項1〜3のいずれかの項に記載の中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。
- 前記中空メソポーラスシリカ粒子の中空部分の平均径が0.004〜0.15μmである請求項1〜4のいずれかの項に記載の中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。
- CuKα1線(λ=0.154050nm)を照射することにより得られる前記中空メソポーラスシリカ粒子の粉末X線回折スペクトル中において、結晶格子面間隔(d)が2〜6nmの範囲に相当する回折角(2θ)の領域に頂点があるピークが1つ以上存在する請求項1〜5のいずれかの項に記載の中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。
- 前記中空メソポーラスシリカ粒子のBET比表面積は、500〜1500m2/gである請求項1〜6のいずれかの項に記載の中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法。
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