JP5332792B2 - 表示媒体、および表示装置 - Google Patents
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Description
その他、表示媒体の基板に粒子の固着を抑制する技術が提案されている(例えば特許文献3乃至7参照)。
更に、粒子の定着面に形成された荷電膜が、定着面に電界密度の差異を生じさせる差異発生部を有し、該差異発生部が荷電膜に形成された凹部からなる発明が提案されている(例えば特許文献9参照)。
また更に、表示基板および背面基板の表面層の平均表面粗さを調整することで、拘束力および離脱力を調整する発明が提案されている(例えば特許文献10参照)
請求項1に係る発明は、
透光性を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に保持される電極と、
前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に封入された分散媒と、
前記分散媒中に分散され、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に形成された電界に応じて前記分散媒中を移動する、色および帯電する極性が異なる複数種の泳動粒子を含む粒子群と、
前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に設けられた第1の処理層と、
前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に設けられた第2の処理層と、
を有し、
前記第1の処理層と前記第2の処理層とのいずれか一方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性が、他方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性より低い表示媒体である。
前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ第1の高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の高分子化合物におけるシリコーン鎖よりも重量平均分子量の小さいシリコーン鎖を持つ第2の高分子化合物を含む請求項1に記載の表示媒体である。
前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ第1の高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の高分子化合物におけるシリコーン鎖よりも重量平均分子量の大きいシリコーン鎖を持つ第2の高分子化合物を含む請求項1に記載の表示媒体である。
前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の処理層よりもシリコーン鎖の濃度が高くなるようシリコーン鎖を持つ高分子化合物を含む請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の表示媒体である。
前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の処理層よりもシリコーン鎖の濃度が低くなるようシリコーン鎖を持つ高分子化合物を含む請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の表示媒体である。
前記分散媒がシリコーンオイルである請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の表示媒体である。
透光性を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に保持される電極と、
前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に封入された分散媒と、
前記分散媒中に分散され、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に形成された電界に応じて前記分散媒中を移動する、色および帯電する極性が異なる複数種の泳動粒子を含む粒子群と、
前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に設けられた第1の処理層と、
前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に設けられた第2の処理層と、
を有し、
前記第1の処理層と前記第2の処理層とのいずれか一方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性が、他方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性より低い表示媒体、
並びに、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に電圧を印加する電圧印加手段を備えた表示装置である。
請求項8に係る発明は、
前記電圧印加手段により印加される前記電圧として、下記(1)または(2)に示す電圧が印加されるよう制御する制御手段を備えた請求項7に記載の表示装置である。
(1)前記第1の処理層と前記第2の処理層のうち、前記離脱性がより低い処理層から全種類の泳動粒子の離脱が終了する閾値以上の電圧
(2)前記第1の処理層と前記第2の処理層のうち、前記離脱性がより高い処理層から全種類の泳動粒子の離脱が終了する閾値以上であって、且つ前記離脱性がより低い処理層から全種類の泳動粒子の離脱が開始する閾値未満の電圧
本実施形態にかかる表示媒体は、透光性を有する第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に保持される電極と、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に封入された分散媒と、前記分散媒中に分散され、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に形成された電界に応じて前記分散媒中を移動する、色および帯電する極性が異なる複数種の泳動粒子を含む粒子群と、前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に設けられた第1の処理層と、前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に設けられた第2の処理層と、を有し、前記第1の処理層と前記第2の処理層とのいずれか一方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性が、他方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性より低いことを特徴とする。
ここで具体的に、正帯電の泳動粒子と負帯電の泳動粒子との2種の泳動粒子を含む粒子群を用いる場合について説明する。
まず第1の基板側に形成される第1の処理層における泳動粒子との離脱性が、第2の基板側に形成される第2の処理層における泳動粒子との離脱性より高い(即ち付着性が低い)場合について述べる。
従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、第1の基板側の電極がプラスとなるように上記の電圧を印加すると、負帯電の泳動粒子の色が観察され、一方第1の基板側の電極がマイナスとなるように上記の電圧を印加すると、正帯電の泳動粒子の色が観察される。
つまり、第1の処理層上に正帯電の泳動粒子が存在し、且つ第2の処理層上に負帯電の泳動粒子が存在し、第1の基板側の電極がプラスとなるように、上記の電圧を印加する場合であれば、第1の処理層上に存在する正帯電の泳動粒子は第2の基板側に移動するが、第2の処理層上に存在する負帯電の泳動粒子は第1の基板側に移動しない。従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、泳動粒子の色は観察されず、分散媒の色(分散媒中に着色浮遊粒子を有する場合には該着色浮遊粒子の色)が観察される。
次いで第1の基板側に形成される第1の処理層における泳動粒子との離脱性が、第2の基板側に形成される第2の処理層における泳動粒子との離脱性より低い(即ち付着性が高い)場合について述べる。
従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、第1の基板側の電極がプラスとなるように上記の電圧を印加すると、負帯電の泳動粒子の色が観察され、一方第1の基板側の電極がマイナスとなるように上記の電圧を印加すると、正帯電の泳動粒子の色が観察される。
つまり、第1の処理層上に正帯電の泳動粒子が存在し、且つ第2の処理層上に負帯電の泳動粒子が存在し、第1の基板側の電極がプラスとなるように、上記の電圧を印加する場合であれば、第2の処理層上に存在する負帯電の泳動粒子は第1の基板側に移動するが、第1の処理層上に存在する正帯電の泳動粒子は第2の基板側に移動しない。従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、正帯電の泳動粒子の色と負帯電の泳動粒子の色との混色が観察される。
前記第1の処理層と前記第2の処理層とにおいて、泳動粒子との離脱性が異なるか否かは、泳動粒子が離脱する閾値電圧を測定することによって判定される。即ち、泳動粒子が離脱する閾値電圧がより高い処理層が「離脱性がより低い(付着性がより高い)」処理層であり、泳動粒子が離脱する閾値電圧がより低い処理層が「離脱性がより高い(付着性がより低い)」処理層である。
前記第1の処理層または前記第2の処理層から、前記の泳動粒子が離脱する閾値電圧の測定は、以下の方法によって行われる。本明細書に記載の閾値電圧は該方法によって測定したものである。
電極としてITOを形成したガラス基板のITO面上に前記第1の処理層または前記第2の処理層を形成した基板をそれぞれ用意し、100μmのテフロン(登録商標)シートをスペーサーとして、クリップにて固定する。その後、泳動粒子と、泳動粒子と色が異なる浮遊粒子とを分散させた分散媒を上記基板の間隙部に注入する。2枚のITO電極に、一方の基板表面から泳動粒子の色が観察されるように電圧を印加した後、徐々に逆極性電圧を印加し、色の変化が起こり始めたときの電圧を閾値電圧とする。色の変化は分光器にて計測する。
そのため、泳動粒子との離脱性がより高い処理層における閾値電圧は、0.2V以上100V以下であることが好ましく、2V以上50V以下であることがより好ましく、2V以上30V以下であることが特に好ましい。
また、泳動粒子との離脱性がより低い処理層における閾値電圧は、0.1V以上99.9V以下であることが好ましく、1V以上49V以下であることがより好ましく、1V以上29V以下であることが特に好ましい。
まず第1の基板側に形成される第1の処理層における泳動粒子との離脱性が、第2の基板側に形成される第2の処理層における泳動粒子との離脱性より高い(即ち付着性が低い)場合について述べる。
従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、第1の基板側の電極がプラスとなるように上記の電圧を印加すると、負帯電の泳動粒子Bの色が観察され、一方第1の基板側の電極がマイナスとなるように上記の電圧を印加すると、正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cの混色が観察される。
つまり、第1の処理層上に正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cが存在し、且つ第2の処理層上に負帯電の泳動粒子Bが存在し、第1の基板側の電極がプラスとなるように、上記の電圧を印加する場合であれば、第1の処理層上に存在する正帯電の泳動粒子Aは第2の基板側に移動するが、泳動粒子Cは第2の基板側に移動せず、また、第2の処理層上に存在する負帯電の泳動粒子Bは第1の基板側に移動しない。従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、泳動粒子Cの色が観察される。
つまり、第1の処理層上に正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cが存在し、且つ第2の処理層上に負帯電の泳動粒子Bが存在し、第1の基板側の電極がプラスとなるように、上記の電圧を印加する場合であれば、第1の処理層上に存在する正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cは第2の基板側に移動するが、第2の処理層上に存在する負帯電の泳動粒子Bは第1の基板側に移動しない。従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、泳動粒子の色は観察されず、分散媒の色(分散媒中に着色浮遊粒子を有する場合には該着色浮遊粒子の色)が観察される。
次いで第1の基板側に形成される第1の処理層における泳動粒子との離脱性が、第2の基板側に形成される第2の処理層における泳動粒子との離脱性より低い(即ち付着性が高い)場合について述べる。
従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、第1の基板側の電極がプラスとなるように上記の電圧を印加すると、負帯電の泳動粒子Bの色が観察され、一方第1の基板側の電極がマイナスとなるように上記の電圧を印加すると、正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cの混色が観察される。
つまり、第1の処理層上に正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cが存在し、且つ第2の処理層上に負帯電の泳動粒子Bが存在し、第1の基板側の電極がプラスとなるように、上記の電圧を印加する場合であれば、第2の処理層上に存在する負帯電の泳動粒子Bは第1の基板側に移動するが、第1の処理層上に存在する正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cは第2の基板側に移動しない。従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、正帯電の泳動粒子Aの色と泳動粒子Cの色と負帯電の泳動粒子Bの色との混色が観察される。
つまり、第2の処理層上に正帯電の泳動粒子Aおよび泳動粒子Cが存在し、且つ第1の処理層上に負帯電の泳動粒子Bが存在し、第1の基板側の電極がプラスとなるように、上記の電圧を印加する場合であれば、第2の処理層上に存在する正帯電の泳動粒子Aは第1の基板側に移動するが、泳動粒子Cは第1の基板側に移動せず、また、第1の処理層上に存在する負帯電の泳動粒子Bは第2の基板側に移動しない。従って、第1の基板側から観察する場合(即ち第1の基板が表示基板)であれば、泳動粒子Aと泳動粒子Bの混色が観察される。
図1は、第1実施形態に係る表示装置の概略構成図である。
第1実施形態に係る表示装置10は、図1に示すように、表示媒体12と、表示媒体12に電圧を印加する電圧印加部16と、制御部18と、を含んで構成されている。
まず、一対の基板について説明する。表示基板20は、支持基板38上に、表面電極40を積層した構成となっている。背面基板22は、支持基板44上に、背面電極46を積層した構成となっている。
次に、処理層について説明する。表示基板20と背面基板22の対向面には、各々、表示側処理層21および背面側処理層23が設けられている。尚、表示側処理層21は背面側処理層23よりも、前記泳動粒子34および35との離脱性が低く(付着性が高く)設定されている。
(I)高分子化合物におけるシリコーン鎖の重量平均分子量
シリコーン鎖の重量平均分子量がより大きい(即ちシリコーン鎖がより長い)高分子化合物を用いて処理層を形成することにより、離脱性が高い(即ち付着性が低く、閾値電圧が低い)処理層が形成される。具体的には、シリコーン鎖の重量平均分子量がより大きいマクロマーを重合して得た高分子化合物により処理層を形成する方法が挙げられる。
尚、高分子化合物におけるシリコーン鎖の重量平均分子量の測定は、以下のようにして行われ、本明細書に記載の数値は該方法にて測定されたものである。まず、シリコーン鎖を有する高分子化合物を10質量%水酸化カリウム水溶液中で攪拌し、加水分解させる。その後、不溶物をろ過回収し、減圧乾燥させた後、GPC(ゲルパミエーションクロマトグラフィー)にて分子量を測定することにより、シリコーン鎖の重量平均分子量を求める。
そのため、泳動粒子との離脱性がより高い処理層(即ち第1実施形態においては背面側処理層23)に含まれる高分子化合物のシリコーン鎖の重量平均分子量は、400以上10000以下であることが好ましく、5000以上10000以下であることがより好ましい。
また、泳動粒子との離脱性がより低い処理層(即ち第1実施形態においては表面側処理層21)に含まれる高分子化合物のシリコーン鎖の重量平均分子量は、400以上10000以下であることが好ましく、400以上5000以下であることがより好ましい。
シリコーン鎖の濃度がより高く(即ち密度が大きく)なるよう処理層を形成することにより、離脱性が高い(即ち付着性が低く、閾値電圧が低い)処理層が形成される。具体的には、処理層中に含有させる上記高分子化合物の濃度を高くする方法が挙げられる。
尚、処理層におけるシリコーン鎖の濃度(密度)測定は、以下のようにして行われ、本明細書に記載の数値は該方法にて測定されたものである。高分子化合物を重クロロホルムに溶解し、NMRにて1H−NMRスペクトルを測定し、シリコーンマクロマ由来のプロトンシグナルと、シリコーンマクロマ以外のプロトンシグナルの積分値の比からシリコーングラフト鎖濃度を求める。
そのため、泳動粒子との離脱性がより高い処理層(即ち第1実施形態においては背面側処理層23)におけるシリコーン鎖の濃度は、0.01質量%以上95質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以上80質量%以下であることがより好ましい。
シリコーン鎖成分としては、片末端に(メタ)アクリレート基を持つジメチルシリコーンモノマ(例えば、チッソ社製:サイラプレーン:FM−0711,FM−0721,FM−0725等、信越シリコーン(株):X−22−174DX,X−22−2426,X−22−2475等)が挙げられる。
非シリコーン鎖成分としては、N,N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N−ジブチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N−ヒドロキシエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N−エチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N−オ クチル−N−エチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N−ジヘキシルアミノエチル(メタ)アクリレート等の脂肪族アミノ基を有する(メタ)アクリレート類;、
N−メチルアクリルアミド、N−オクチルアクリルアミド、N−フェニルメチルアクリルアミド、N−シクロヘキシルアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド、N−p−メトキシ−フェニルアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジブチルアクリルアミド、N−メチル−N−フェニルアクリルアミド等の(メタ)アクリルアミド類;、
ジメチルアミノスチレン、ジエチルアミノスチレン、ジメチルアミノメチルスチレン、ジオクチルアミノスチレン等の含窒素基を有する芳香族置換エチレン系単量体類;、
ビニル−N−エチル −N−フェニルアミノエチルエーテル、ビニル−N−ブチル−N−フェニルアミノエチルエーテル、トリエタノールアミンジビニルエーテル、ビニルジフェニルアミノエチルエーテル、N−ビニルヒドロキシエチルベンズアミド、m−アミノフェニルビニルエーテル等の含窒素ビニルエーテル単量体類;
N−ビニル−2−ピロリン、N−ビニル−3−ピロリン等のピロリン類;、
N−ビニルピロリジン、ビニルピロリジンアミノエーテル、N−ビニル−2−ピロリドン等のピロリジン類;、
N−ビニル−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類;、
N−ビニルイミダゾリン等のイミダゾリン類;、
N−ビニルインドール等のインドール類;、
N−ビニルインドリン等のインドリン類;、
N−ビニルカルバゾール、3,6−ジブロム−N−ビニルカルバゾール等のカルバゾール類;、
2−ビニルピリジン、4−ビニルピリジン、2−メチル−5−ビニルピリジン等のピリジン類;、
(メタ)アクリルピペリジン、N−ビニルピペリドン、N−ビニルピペラジン等のピペリジン類;、
2−ビニルキノリン、4−ビニルキノリン等のキノリン類;、
N−ビニルピラゾール、N−ビニルピラゾリン等のピラゾール類;、
2−ビニルオキサゾール等のオキサゾール類;、
4−ビニルオキサジン、モルホリノエチル(メタ)アクリレート等のオキサジン類;、
スチレンスルホン酸、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホニックアシッド、3−スルホプロピル(メタ)アクリックアシッドエステル、ビス−(3−スルホプロピル)−イタコニックアシッドエステル等およびその塩;、
2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリル酸の硫酸モノエステルおよびその塩;
ビニルホスホン酸、ビニルホスフェート、アシッドホスホキシエチル(メタ)アクリレート、アシッドホスホキシプロピル(メタ)アクリレート、ビス(メタクリロキシエチル)ホスフェート、ジフェニル−2−メタクリロイロキシエチルホスフェート、ジフェニル−2−アクリロイロキシエチルホスフェート、ジブチル−2−メタクリロイロキシエチルホスフェート、ジブチル−2−アクリロイロキシエチルホスフェート、ジオクチル−2−(メタ)アクリロイロキシエチルホスフェート;、
などが挙げられる。
シリコーン系高分子による処理層の厚みとしては、例えば、0.01μm以上10μm以下、より望ましくは0.05μm以上1μm以下である。
次に、間隙部材について説明する。表示基板20と背面基板22との間隙を保持するための間隙部材24は、表示基板20の透光性を損なわないように形成され、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化樹脂、光硬化樹脂、ゴム、金属等で形成される。
この場合、間隙部材24は、表示基板20側、背面基板22側のいずれか、または双方に作製する。
次に、分散媒について説明する。泳動粒子34および35が分散される分散媒50としては、絶縁性液体であることが望ましい。ここで、「絶縁性」とは、体積固有抵抗が1011Ωcm以上であることを示しており、本明細書において統一の定義である。
これら帯電制御剤は、粒子固形分に対して0.01質量%以上20質量%以下が望ましく、特に0.05質量%以上10質量%以下の範囲が望ましい。
次に、粒子群について説明する。泳動粒子34および35は、複数の粒子から構成され、泳動粒子34は正(+)に、泳動粒子35は負(−)に帯電されており、表面電極40と背面電極46との電極間に(すなわち、表示基板20と背面基板22と基板間に)、特定の電圧が印加されて表示基板20と背面基板22との基板間に特定の電界強度以上の電界が形成されることで分散媒50中を移動するものである。
表示媒体12における表示色の変化は、この泳動粒子34および35を構成する各粒子の分散媒50中の移動によって生じる。
着色した磁性粉として、例えば、特開2003−131420号公報記載の小径着色磁性粉を用いてもよい。核となる磁性粒子と該磁性粒子表面上に積層された着色層とを備えたものが用いられる。そして、着色層としては、顔料等により磁性粉を不透過に着色する等選定して差し支えないが、例えば光干渉薄膜を用いるのが望ましい。この光干渉薄膜とは、SiO2やTiO2等の無彩色材料を光の波長と同等な厚みを有する薄膜にしたものであり、薄膜内の光干渉により光を波長選択的に反射するものである。
次に、着色浮遊粒子群について説明する。着色浮遊粒子群36は、帯電されていない粒子群であり、泳動粒子34および35とは異なる光学的反射特性を有する着色粒子から構成され、泳動粒子34および35とは異なる色を表示する反射部材として機能するものである。そして、表示基板20と背面基板22との基板間の移動を阻害することなく、移動させる空隙部材としての機能も有している。
本実施形態では、着色浮遊粒子群36は白色である場合を説明するが、この色に限定されることはない。
表示媒体12における上記セルの大きさとしては、表示媒体12の解像度と密接な関係にあり、セルが小さいほど高解像度な画像を表示可能な表示媒体12を作製することができ、通常、表示媒体12の表示基板20の板面方向の長さが10μm以上1mm以下である。
電圧印加部16は、表面電極40および背面電極46に電気的に接続されている。なお、本実施形態では、表面電極40および背面電極46の双方が、電圧印加部16に電気的に接続されている場合を説明するが、表面電極40および背面電極46の一方が、接地されており、他方が電圧印加部16に接続された構成であってもよい。
第2実施形態に係る表示装置は、前記第1実施形態に係る表示装置において、表示側処理層(第1の処理層)21と背面側処理層(第2の処理層)23とにおける、前記泳動粒子34および35との離脱性が逆に設定されている(即ち、表示側処理層(第1の処理層)21は背面側処理層(第2の処理層)23よりも、前記泳動粒子34および35との離脱性が高く(付着性が低く)設定されている。)こと以外、前記第1実施形態に係る表示装置に記載の構成が採用されている。
−高分子化合物(1)の合成−
2−ヒドロキシエチルメタクリレート20質量部とシリコーンマクロマー(チッソ社製、サイラプレーンFM0721、重量平均分子量:5000、シリコーン鎖の重量平均分子量:5000)10質量部とをイソプロピルアルコール100質量部に溶解し、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬製、V−65)を0.5質量部加えてよく攪拌し、55℃で18時間反応させた。その後、イソプロピルアルコールを除去し、減圧乾燥機によって乾燥させることにより、高分子化合物全体におけるシリコーングラフト鎖の濃度が33質量%である高分子化合物を得た。
2−ヒドロキシエチルメタクリレート20質量部とシリコーンマクロマー(チッソ社製、サイラプレーンFM0721、重量平均分子量:5000、シリコーン鎖の重量平均分子量:5000)0.2質量部とをイソプロピルアルコール100質量部に溶解し、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬製、V−65)を0.5質量部加えてよく攪拌し、55℃で18時間反応させた。その後、イソプロピルアルコールを除去し、減圧乾燥機によって乾燥させることにより、高分子化合物全体におけるシリコーングラフト鎖の濃度が0.1質量%である高分子化合物を得た。
2−ヒドロキシエチルメタクリレート20質量部とシリコーンマクロマー(チッソ社製、サイラプレーンFM0725、重量平均分子量:10000、シリコーン鎖の重量平均分子量:10000)2質量部とをイソプロピルアルコール100質量部に溶解し、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬製、V−65)を0.5質量部加えてよく攪拌し、55℃で18時間反応させた。その後、イソプロピルアルコールを除去し、減圧乾燥機によって乾燥させることにより、高分子化合物全体におけるシリコーングラフト鎖の濃度が9質量%である高分子化合物を得た。
2−ヒドロキシエチルメタクリレート20質量部とシリコーンマクロマー(チッソ社製、サイラプレーンFM0711、重量平均分子量:1000、シリコーン鎖の重量平均分子量:1000)2質量部とをイソプロピルアルコール100質量部に溶解し、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬製、V−65)を0.5質量部加えてよく攪拌し、55℃で18時間反応させた。その後、イソプロピルアルコールを除去し、減圧乾燥機によって乾燥させることにより、高分子化合物全体におけるシリコーングラフト鎖の濃度が9質量%である高分子化合物を得た。
後述の実施例において、基板上に前記高分子化合物(1)乃至(4)を用いて処理層を形成する方法について説明する。
得られた高分子化合物をイソプロピルアルコールに溶解(濃度4質量%)し、スピンコーターにてITO基板上に塗布膜を形成し、120℃で60分間乾燥させることにより処理層を形成した。
還流冷却管を取り付けた100ml三口フラスコに、2−ビニルナフタレン(新日鐵化学社製)を5質量部、シリコーンマクロマーFM−0721(チッソ社製)を5質量部、開始剤として過酸化ラウロイル(和光純薬社製)を0.3質量部、シリコーンオイルKF−96L−1CS(信越化学社製)を20質量部加え、窒素ガスによるバブリングを15分間行った後、窒素雰囲気下にて65℃、24時間の重合を行った。
得られた白色粒子をシリコーンオイルにて固形分濃度30質量%に調製し、着色浮遊粒子とした。このとき、着色浮遊粒子(1)の粒子径は450nmであった。
シリコーン変性ポリマーKP−545(信越化学社製)3質量部をジメチルシリコーンオイル(信越化学社製KF−96−2CS)97質量部に溶解して溶液Aを調製した。
次に、スチレンアクリル系ポリマー(ジメチルエタノールアミン中和)10質量部、水分散顔料溶液(Ciba社製、ユニスパース・マゼンタ色、顔料濃度20質量%)5質量部、純水85質量部を混合して溶液Bを調製した。
得られた溶液Aと溶液Bとを混合し、超音波破砕機(エスエムテー社製、UH−600S)にて分散・乳化を行った。
作製した粒子分散液における粒子の体積平均粒子径を測定(ホリバLA−300:レーザー光散乱・回折式粒度測定装置)した結果、290nmであった。
本分散系中の電気泳動粒子の帯電極性を、2枚の電極基板間に該分散液を封入し、直流電圧を印加して泳動方向を評価した結果、負帯電であった。
シリコーン系モノマーであるサイラプレーンFM−0711:95質量部、メタクリル酸メチル:3質量部、グリシジルメタクリレート2質量部をシリコーンオイル50質量部と混合し、重合開始剤としてアゾビスバレロニトリルを0.5質量部添加して、重合を実施し、エポキシ基をもった反応性シリコーン系高分子B(反応性分散剤)を作製した。重量平均分子量は40万であった。そして、反応性シリコーン系高分子Bの3質量%シリコーンオイル溶液を準備した。尚、シリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル(信越化学社製KF−96L−2CS)を使用した。
次に、水分散顔料溶液(Ciba社製、ユニスパース・シアン色:顔料濃度26質量%)1質量部に、上記共重合体の10質量%水溶液3質量部を混合し、この混合溶液を上記反応性シリコーン系高分子Bの3質量%シリコーン溶液10質量部に混合し、これを超音波破砕機で10分間攪拌し、高分子および顔料を含む水溶液をシリコーンオイル中に分散・乳化した懸濁液を調製した。
作製した粒子分散液の体積平均粒子径を測定(ホリバLA−300:レーザー光散乱・回折式粒度測定装置)した結果、680nmであった。
本分散系中の電気泳動粒子の帯電極性を、2枚の電極基板間に該分散液を封入し、直流電圧を印加して泳動方向を評価した結果、正帯電であった。
以下の方法により、表示面側基板の処理層における高分子化合物のシリコーン鎖の濃度が高い表示媒体を準備した。
厚さ0.7mmのガラスからなる背面基板上に背面電極としてITOをスパッタリング法により50nmの厚さで成膜した。このITP/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(2)による処理層を形成した。
背面基板に記載の方法により準備したITO/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(1)による処理層を形成した。
前記表示基板を、100μmのテフロン(登録商標)シートをスペーサーとして用いて、前記背面基板上に重ね合わせて、クリップにて固定した。その後、前記着色浮遊粒子(1)10質量部と前記マゼンタ粒子(1)5質量部と前記シアン粒子(1)5質量部とを混合した混合液を、上記表示基板と背面基板とスペーサーとで囲まれた領域に注入し、表示媒体(評価用セル)とした。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(1)および前記シアン粒子(1))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、それぞれ50V、15Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、シアン粒子(1)が背面電極側へ移動し、表示電極側から観察すると白色が観察された。
以下の方法により、表示面側基板の処理層における高分子化合物のシリコーン鎖の濃度が低い表示媒体を準備した。
厚さ0.7mmのガラスからなる背面基板上に背面電極としてITOをスパッタリング法により50nmの厚さで成膜した。このITP/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(1)による処理層を形成した。
背面基板に記載の方法により準備したITO/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(2)による処理層を形成した。
前記表示基板を、100μmのテフロン(登録商標)シートをスペーサーとして用いて、前記背面基板上に重ね合わせて、クリップにて固定した。その後、前記着色浮遊粒子(1)10質量部と前記マゼンタ粒子(1)5質量部と前記シアン粒子(1)5質量部とを混合した混合液を、上記表示基板と背面基板とスペーサーとで囲まれた領域に注入し、表示媒体(評価用セル)とした。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(1)および前記シアン粒子(1))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、それぞれ15V、50Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示電極側から観察すると青色が観察された。
以下の方法により、表示面側基板の処理層における高分子化合物のシリコーン鎖の重量平均分子量が大きい表示媒体を準備した。
厚さ0.7mmのガラスからなる背面基板上に背面電極としてITOをスパッタリング法により50nmの厚さで成膜した。このITP/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(4)による処理層を形成した。
背面基板に記載の方法により準備したITO/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(3)による処理層を形成した。
前記表示基板を、100μmのテフロン(登録商標)シートをスペーサーとして用いて、前記背面基板上に重ね合わせて、クリップにて固定した。その後、前記着色浮遊粒子(1)10質量部と前記マゼンタ粒子(1)5質量部と前記シアン粒子(1)5質量部とを混合した混合液を、上記表示基板と背面基板とスペーサーとで囲まれた領域に注入し、表示媒体(評価用セル)とした。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(1)および前記シアン粒子(1))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、それぞれ13V、45Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、シアン粒子(1)が背面電極側へ移動し、表示電極側から観察すると白色が観察された。
以下の方法により、表示面側基板の処理層における高分子化合物のシリコーン鎖の重量平均分子量が小さい表示媒体を準備した。
厚さ0.7mmのガラスからなる背面基板上に背面電極としてITOをスパッタリング法により50nmの厚さで成膜した。このITP/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(3)による処理層を形成した。
背面基板に記載の方法により準備したITO/ガラス基板のITO面上に、前述の処理層の形成方法に従い高分子化合物(4)による処理層を形成した。
前記表示基板を、100μmのテフロン(登録商標)シートをスペーサーとして用いて、前記背面基板上に重ね合わせて、クリップにて固定した。その後、前記着色浮遊粒子(1)10質量部と前記マゼンタ粒子(1)5質量部と前記シアン粒子(1)5質量部とを混合した混合液を、上記表示基板と背面基板とスペーサーとで囲まれた領域に注入し、表示媒体(評価用セル)とした。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(1)および前記シアン粒子(1))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、それぞれ45V、13Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示電極側から観察すると青色が観察された。
<着色浮遊粒子(2)の調製>
前述の<着色浮遊粒子(1)の調製>において、24時間の重合後に、遠心沈降法により溶媒をシリコーンオイルからアイソパーM(エクソンモービル化学社製)に置換し、固形分濃度を30質量%に調整して、着色浮遊粒子(2)とした。このとき、着色浮遊粒子(2)の粒子径は450nmであった。
前述の<マゼンタ粒子(負帯電)(1)の調製>において、得られたマゼンタ粒子を遠心沈降法により溶媒をシリコーンオイルからアイソパーM(エクソンモービル化学社製)に置換し、固形分濃度を5質量%に調整して、マゼンタ粒子(2)を得た。このときのマゼンタ粒子(2)の体積平均粒子径は290nmであり、帯電極性は負帯電であった。
前述の<シアン粒子(正帯電)(1)>の調製において、得られたシアン粒子を遠心沈降法により溶媒をシリコーンオイルからアイソパーM(エクソンモービル化学社製)に置換し、固形分濃度を5質量%に調整して、シアン粒子(2)を得た。このときのシアン粒子(2)の体積平均粒子径は680nmであり、帯電極性は正帯電であった。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(2)および前記シアン粒子(2))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、それぞれ50V、15Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(2)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(2)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(2)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(2)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、シアン粒子(2)が背面電極側へ移動し、表示電極側から観察すると白色が観察された。
<マゼンタ粒子(負帯電)(3)の調製>
−分散液BAの調製−
下記成分を混合し、10mmΦのジルコニアボールにてボールミル粉砕を20時間実施して分散液BAを調製した。
<組成>
・メタクリル酸シクロヘキシル:53質量部
・マゼンタ顔料(カーミン6B:大日精化社製):3質量部
・帯電制御剤(COPYCHARGENY VP 2351:クラリアントジャパン製)
:2質量部
下記成分を混合し、上記分散液BAの調製に記載のごとくボールミルにて粉砕して炭酸カルシウム分散液BBを調製した。
<組成>
・炭酸カルシウム:40質量部
・水:60質量部
下記成分を混合し、超音波機で脱気を10分間行い、ついで乳化機で攪拌して混合液BCを調製した。
<組成>
・2質量%セロゲン水溶液:4.3g
・前記炭酸カルシウム分散液BB:8.5g
・20質量%食塩水:50g
マゼンタ粒子(3)の粒子の体積平均粒子径は800nmであった。このようにして作製したマゼンタ粒子(3)は、負帯電であった。
−分散液CAの調製−
下記成分を混合し、10mmΦのジルコニアボールにてボールミル粉砕を20時間実施して分散液CAを調製した。
<組成>
・スチレンモノマ:53質量部
・シアン顔料(シアニンブルー4933M:大日精化社製):3質量部
・帯電制御剤(COPYCHARGEPSY:クラリアントジャパン製):2質量部
下記成分を混合し、上記分散液CAの調製に記載のごとくボールミルにて粉砕して炭酸カルシウム分散液CBを調製した。
<組成>
・炭酸カルシウム:40質量部
・水:60質量部
下記成分を混合し、超音波機で脱気を10分間行い、ついで乳化機で攪拌して混合液CCを調製した。
<組成>
・2質量%セロゲン水溶液:4.3g
・炭酸カルシウム分散液B:8.5g
・20質量%食塩水:50g
シアン粒子(3)の粒子の体積平均粒子径は800nmであった。このようにして作製したシアン粒子(3)は、正帯電であった。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(3)および前記シアン粒子(3))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、それぞれ45V、12Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(3)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(3)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(3)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(3)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、シアン粒子(3)が背面電極側へ移動し、表示電極側から観察すると白色が観察された。
実施例1において、背面基板および表示基板に処理層を形成しなかったこと以外、実施例1に記載の方法により表示媒体(評価用セル)を作製した。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(1)および前記シアン粒子(1))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、両者とも50Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、粒子の移動は観察されず、表示電極側から観察するとシアン色のままであった。
実施例1において、背面基板および表示基板の処理層を、それぞれ以下の方法により形成されるポリカーボネート層(200nm)に変更したこと以外、実施例1に記載の方法により表示媒体(評価用セル)を作製した。
分子量4万のポリカーボネート樹脂をトルエンに溶解(濃度4質量%)し、スピンコーターにてITO基板上に塗布膜を形成し、120℃で60分間乾燥させることにより処理層を形成した。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子(1)および前記シアン粒子(1))が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、両者とも50Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、粒子の移動は観察されず、表示電極側から観察するとシアン色のままであった。
実施例1において、背面基板の処理層を高分子化合物(1)による処理層に変更した、即ち背面基板と表示基板との何れにも高分子化合物(1)による処理層を形成したこと以外、実施例1に記載の方法により表示媒体(評価用セル)を作製した。
前述の方法により、背面基板の処理層と表示基板の処理層とにおける泳動粒子(前記マゼンタ粒子および前記シアン粒子)が離脱する閾値電圧を測定した。その結果、泳動粒子には因らずに、両者とも15Vであった。
このようにして作製した表示媒体(評価用セル)を用いて、表示電極がプラスとなるように両電極に50Vの電圧を印加した。分散されたマゼンタ粒子(1)はマイナスに帯電していたため、マゼンタ粒子(1)はプラス側電極、即ち表示電極側への移動し、表示基板側から観察するとマゼンタ色が観察された。
その後、表示電極がマイナスとなるように両電極に50Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)は、プラス側電極、即ち背面電極側へ移動し、シアン粒子(1)が表示電極側へ移動し、表示基板側から観察するとシアン色が観察された。
その状態で、次に、表示電極がプラスとなるように両電極に15Vの電圧を印加したところ、マゼンタ粒子(1)が表示電極側へ移動し、シアン粒子(1)が背面電極側へ移動し、表示基板側から観察すると、マゼンタ色が観察された。
12 表示媒体
16 電圧印加部
18 制御部
20 表示基板
21 表示側処理層
22 背面基板
23 背面側処理層
24 間隙部材
34、35 泳動粒子
36 着色浮遊粒子群
38 支持基板
40 表面電極
44 支持基板
46 背面電極
50 分散媒
Claims (8)
- 透光性を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に保持される電極と、
前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に封入された分散媒と、
前記分散媒中に分散され、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に形成された電界に応じて前記分散媒中を移動する、色および帯電する極性が異なる複数種の泳動粒子を含む粒子群と、
前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に設けられた第1の処理層と、
前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に設けられた第2の処理層と、
を有し、
前記第1の処理層と前記第2の処理層とのいずれか一方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性が、他方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性より低い表示媒体。 - 前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ第1の高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の高分子化合物におけるシリコーン鎖よりも重量平均分子量の小さいシリコーン鎖を持つ第2の高分子化合物を含む請求項1に記載の表示媒体。 - 前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ第1の高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の高分子化合物におけるシリコーン鎖よりも重量平均分子量の大きいシリコーン鎖を持つ第2の高分子化合物を含む請求項1に記載の表示媒体。 - 前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の処理層よりもシリコーン鎖の濃度が高くなるようシリコーン鎖を持つ高分子化合物を含む請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の表示媒体。 - 前記第1の処理層が、シリコーン鎖を持つ高分子化合物を含み、
前記第2の処理層が、前記第1の処理層よりもシリコーン鎖の濃度が低くなるようシリコーン鎖を持つ高分子化合物を含む請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の表示媒体。 - 前記分散媒がシリコーンオイルである請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の表示媒体。
- 透光性を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に保持される電極と、
前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に封入された分散媒と、
前記分散媒中に分散され、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に形成された電界に応じて前記分散媒中を移動する、色および帯電する極性が異なる複数種の泳動粒子を含む粒子群と、
前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に設けられた第1の処理層と、
前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に設けられた第2の処理層と、
を有し、
前記第1の処理層と前記第2の処理層とのいずれか一方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性が、他方の処理層における全種類の泳動粒子に対する離脱性より低い表示媒体、
並びに、前記第1の基板および前記第2の基板に挟まれる領域に電圧を印加する電圧印加手段を備えた表示装置。 - 前記電圧印加手段により印加される前記電圧として、下記(1)または(2)に示す電圧が印加されるよう制御する制御手段を備えた請求項7に記載の表示装置。
(1)前記第1の処理層と前記第2の処理層のうち、前記離脱性がより低い処理層から全種類の泳動粒子の離脱が終了する閾値以上の電圧
(2)前記第1の処理層と前記第2の処理層のうち、前記離脱性がより高い処理層から全種類の泳動粒子の離脱が終了する閾値以上であって、且つ前記離脱性がより低い処理層から全種類の泳動粒子の離脱が開始する閾値未満の電圧
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