JP5330035B2 - カーボンナノチューブおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、アーク放電によりカーボンナノチューブを含む煤を生成する。アーク放電装置のチャンバに装着する電極として、一対の炭素棒を使用することができ、陽極の炭素棒に穴をあけて金属触媒を充填するのが好ましい。なお、アーク放電法では、放電時の電極間の温度が数千℃に達し、陰極の炭素が高温のプラズマ中に気化し、気化した炭素がチャンバ内の不活性ガスによって冷却されて凝集し、チャンバ内に煤が堆積する。単層カーボンナノチューブは、チャンバの天板、内壁上部および陰極に堆積した煤に多く含まれており、多層カーボンナノチューブは、陰極堆積物中の柔らかい黒色部分に多く含まれている。
次に、チャンバの天板、内壁上部および陰極に堆積した単層カーボンナノチューブを含む煤を回収する。このようにして回収された煤中には、単層カーボンナノチューブの他にアモルファスカーボンや金属を含むグラファイトカプセルなどの不純物が含まれているので、回収した煤を大気中において350℃以上、好ましくは350〜550℃、さらに好ましくは450〜550℃、最も好ましくは500℃で加熱することによって不純物を燃焼させて除去する。このようにして、単層カーボンナノチューブ以外のアモルファスカーボンを燃焼させて除去することができる。また、回収した煤中には、フラーレンや、金属触媒を包含しているフラーレンが存在しており、この加熱によってフラーレンを破壊することもできる。なお、この第1の酸化処理工程では、回収した煤を大気中において加熱した後、その加熱温度より高い温度で加熱してもよい。
次に、この加熱後の煤を塩酸、硫酸、硝酸、シュウ酸などのいずれかの酸に浸し、室温下で放置した後、ろ過し、蒸留水で洗浄し、乾燥することによって、煤中に残留している金属触媒を除去することができる。
次に、得られた煤を大気中において500℃以上、好ましくは500〜600℃、さらに好ましくは540〜560℃、最も好ましくは550℃で加熱することによって、不純物を燃焼させて除去するとともに、カーボンナノチューブのエンドキャップを除去する。このようにして、単層カーボンナノチューブ以外のグラファイトカプセルを燃焼させて除去することができるとともに、カーボンナノチューブのエンドキャップを除去することができる。
次に、この加熱後の煤を塩酸に浸し、室温下で放置した後、ろ過し、蒸留水で洗浄し、乾燥することによって、煤中に残留している金属触媒を除去することができる。
その後、このようにして合成後に精製した単層カーボンナノチューブを真空中において1000℃以上、好ましくは1000〜1500℃、さらに好ましくは1100〜1300℃、最も好ましくは1200℃で加熱することによって、単層カーボンナノチューブの欠陥(酸化処理によって単層カーボンナノチューブに生じた欠陥)を修復することができる。なお、この真空加熱処理工程により、単層カーボンナノチューブの比表面積(後述するBET法による比表面積)を280〜450m2/g程度にすることができる。
本発明によるカーボンナノチューブの製造方法の実施の形態によって製造されたカーボンナノチューブは、ラマン散乱分光法、透過型電子顕微鏡(TEM)像、BET法による比表面積測定、熱重量分析および昇温脱離法によって評価することができる。
一般に、光を物質に入射すると、光の一部が非弾性的に散乱され、散乱光には、入射光(励起光)と同じ波数の光v0の他に、波数の異なるv0±vRの光がごく僅かだけ含まれている。この現象はラマン効果と呼ばれ、励起光と分子振動や固体のフォノンまたはその他の素励起などとの相互作用による散乱はラマン散乱と呼ばれている。生じた励起光との波数のずれvRは、ラマンシフトと呼ばれ、物質に固有な値となる。従って、ラマン散乱を測定すれば、物質中の素励起の状態を調べることができ、また、温度や圧力を変化させてラマン散乱を測定すれば、散乱強度やピーク位置のシフトなどの変化から物質内の状態の変化を調べることができる。
単層カーボンナノチューブのTEM像から、単層カーボンナノチューブがバンドルを形成していることや、単層カーボンナノチューブの壁面に欠陥が生じているか否かを確認することができる。
酸化処理した単層カーボンナノチューブと酸化処理しない単層カーボンナノチューブのBET法による比表面積を測定することにより、酸化処理による比表面積の変化を調べることができる。
熱重量分析により単層カーボンナノチューブ中に含まれる不純物の量を判断することができる。
昇温脱離スペクトル測定用の四重極質量分析計と、試料に気体を直接吹き付けるための気体曝露用のオリフィス(細孔)を有するガスドーザーとを備えた装置を使用して、単層カーボンナノチューブに、吸着気体としてH2またはD2を吹き付けて吸着させた後、昇温させて昇温脱離スペクトル(TDS)を測定することにより、昇温脱離スペクトルのピーク温度やピーク形状から、単層カーボンナノチューブの欠陥の有無を判断することができる。
アーク放電装置のチャンバに装着する一対の電極として、直径10mmの炭素棒の陰極と、3.2mmの穴にFe、Ni、S(質量比10:10:1)の混合粉末からなる金属触媒が充填された直径6mm、長さ85mmの炭素棒の陽極を使用して、以下のようにアーク放電法により単層カーボンナノチューブを合成した。
実施例1、2および比較例1〜3で得られた試料について、ラマン散乱によりブリージングモードの振動数を測定したところ、ブリージングモードのピーク値の波数は、比較例1では167cm−1、実施例1、2および比較例2、3では161cm−1であり、単層カーボンナノチューブの直径を求めたところ、比較例1では1.45nm、実施例1、2および比較例2、3では1.51nmであった。単層カーボンナノチューブの直径は、アーク放電の際に使用する触媒に依存するが、実施例1、2および比較例1〜3で使用した触媒は全て同一であり、放電時の電流および放電時間も同一であることから、直径がよく一致している。また、実施例1、2および比較例2、3で行った酸化処理や真空加熱によって単層カーボンナノチューブの直径が変化しないことが確認された。
実施例1、2および比較例1〜3で得られた試料をTEMで観察したところ、試料の長さ(チューブの長さ)は1〜3μm程度であり、チューブの全長が比較的長いハイウェイジャンクション型と呼ばれる単層カーボンナノチューブであった。
実施例1、2および比較例1〜3で得られた試料についてBET法による比表面積を測定したところ、実施例1では282m2/g、実施例2では444m2/g、比較例1では545m2/g、比較例2では640m2/g、比較例3では570m2/gであった。
実施例2で得られた試料について昇温速度1K/sで熱重量分析を行ったところ、図1に示すように、500℃付近までは実質的に質量の減少はなく、500℃付近から急激に質量が減少した。一般にアモルファスカーボンなどの不純物は350〜500℃の温度領域で燃焼するので、500℃付近からの質量の減少は単層カーボンナノチューブの質量の減少であると考えられる。したがって、実施例2で得られた試料は、不純物の少ない単層カーボンナノチューブであることがわかる。
昇温脱離スペクトル測定用の四重極質量分析計と、金属基板に固定した試料に気体を直接吹き付けるための気体曝露用の直径20μmのオリフィス(細孔)を有するガスドーザーとを備えた装置を使用して、実施例1、2および比較例1〜4で得られた試料の温度を13Kに保持し、それぞれの試料に、吸着気体としてH2またはD2を流量1L/sで吹き付けて吸着させた後、昇温速度0.2K/sで昇温させて昇温脱離スペクトルを測定した。
60質量%のカーボンブラック(東海カーボン株式会社製のシーストTA)に40質量%のコールタールピッチを添加して混合した。粘土状の硬さが見られたら、固練り(硬いケーキ状の状態における混合に時間をかける操作)を3時間行って、混合物にせん断を作用させて混ざりを良くした。この固練り終了後、円板状(約φ100×20mm)のモールドに詰めて、130℃で50kg/cm2の圧力を3分間加えて成形した。次に、モールドを外して、窒素雰囲気下において昇温速度5℃/分で1000℃まで加熱し、この温度で2時間保持して焼成を行った後、徐冷し、φ100×20mmの円板を作製した。この円板から6mm×6mm×70mmの角棒を作製し、中心にφ3.2mm、深さ50mmの穴を開け、この穴にFe、Ni、S(質量比10:10:1)の混合粉末からなる金属触媒を充填して陽極を作製した。
Claims (11)
- アーク放電によりカーボンナノチューブを含む煤を生成するカーボンナノチューブ生成工程と、このカーボンナノチューブ生成工程で生成したカーボンナノチューブを含む煤を大気中において加熱する第1の酸化処理工程と、この第1の酸化処理工程で得られた煤を酸に浸して処理する第1の酸処理工程と、この第1の酸処理工程で得られた煤を大気中において第1の酸化処理工程の加熱温度以上の温度で加熱する第2の酸化処理工程と、この第2の酸化処理工程で得られた煤を酸に浸して処理する第2の酸処理工程と、この第2の酸処理工程で得られた煤を真空中において1100〜1300℃で加熱する真空加熱処理工程とを備えたことを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記カーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記真空加熱処理工程によって、前記第2の酸処理工程で得られた煤中のカーボンナノチューブの欠陥を修復することを特徴とする、請求項1または2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記真空加熱処理工程によって、前記第2の酸処理工程で得られた煤中のカーボンナノチューブの比表面積を280〜450m 2 /gにすることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記第1の酸化処理工程の加熱温度が350℃以上であることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記第2の酸化処理工程の加熱温度が500℃以上であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記第1の酸化処理工程において、前記カーボンナノチューブ生成工程で生成したカーボンナノチューブを含む煤を大気中において加熱した後、この加熱温度より高く且つ前記第2の酸化処理工程の加熱温度以下の温度で加熱することを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記アーク放電の際にアモルファスカーボンからなる陽極を使用することを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 吸着気体としてH2またはD2を吹き付けて吸着させた後、昇温速度0.2K/sで昇温させて測定された昇温脱離スペクトルにおいて、温度19.0〜22.0Kに半値幅1.0K以下のピークを有することを特徴とする、カーボンナノチューブ。
- 透過型電子顕微鏡(TEM)像において、100nm四方に1nm程度の欠陥が10個以下であることを特徴とする、カーボンナノチューブ。
- 前記カーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項9または10に記載のカーボンナノチューブ。
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