JP5322774B2 - 実装構造体、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記接合部は、バルク金属材料よりなるバンプと、その周囲に配された、金属粒子を焼結した焼結体とを含み、
前記バンプと前記焼結体とがそれぞれ独立に、前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを電気的に接続し、
前記バンプは、1つの前記端子に対して1つのみであり、前記端子の中央に位置する中央部と、前記中央部から放射状に、前記端子の周辺部に向かって延びるように形成された複数の線状部とを含む実装構造体を提供する。
前記接合部の少なくとも1つが、バルク金属材料よりなるバンプと、その周囲に配された、金属粒子を焼結した焼結体とを含み、当該接合部は、前記バンプと前記焼結体とがそれぞれ独立に、前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを電気的に接続しているとともに、
前記接合部の他の少なくとも1つが、前記バンプのみからなる実装構造体を提供する。
前記半導体素子の端子および前記基板の電極の他方に金属粒子を含むペーストを供給する工程b、
前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを対向させ、前記バンプにより前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを接合する工程c、並びに
前記バンプの周囲に配された前記金属粒子を含むペーストを加熱して、前記半導体素子の端子と前記基板の電極とをさらに接合するように、前記金属粒子の焼結体を形成する工程d、
を含み、
前記バンプは、1つの前記端子に対して1つのみであり、前記端子の中央に位置する中央部と、前記中央部から放射状に、前記端子の周辺部に向かって延びるように形成された複数の線状部とを含み、前記端子の上面に垂直な方向からの前記バンプの投影面積が、前記周辺部より前記中央部で大きい、または
前記バンプは、複数の線状バンプを含み、前記複数の線状バンプは、所定間隔をおいて互いに平行に並ぶ複数の列として前記端子の上面に配置され、前記列は、前記端子の上面の1つの辺から対向する他の辺へ向かって延びている、実装構造体の製造方法を提供する。
また、より大きな放熱性およびより強固な接合性を得るために、接合部の接合面積を大きくする場合にも、金属粒子の焼結体の接合面積を大きくすることで、大きな荷重をかけたり、高温に加熱したりすることなしに、半導体素子の端子と基板の電極とを接合することができる。
(実施の形態1)
図1に、本発明の実施の形態1に係る実装構造体の概略構成を、一部を断面にした横断面図により示す。図示例の実装構造体10は、基板2と、基板2に実装される半導体素子4とを含んでいる。基板2の表面には、半導体素子4の端子5と接続される電極3が形成されている。
図2に、焼結体12を形成するために使用されるペーストの一例を模式的に示す。図示例のペースト14は、導電成分である多数の金属粒子16と、個々の金属粒子16が、互いに融着しないように分離させる分散剤18と、分散剤18により互いに分離された金属粒子16を分散させる分散媒20とから構成されている。なお、図2においては、視認性を考慮して、個々の金属粒子16を断面により示す一方で、分散剤18については、個々の金属粒子16の断面を構成する平面と交わる位置にあるものを正面図により示している。
分散媒20には、テルピネオール、デカノール、テトラデカン、トルエンまたはデカリン等を使用することができる。
ペースト14を基板2の電極3の上に供給した後、必要に応じて乾燥工程を行うことができる。
また、基板2を通して加熱する方法に限らず、例えば超音波や、電磁波等のエネルギーをペースト14に付与することにより、ペースト14中の金属粒子16を焼結してもよい。
なお、接合部6の全てをバンプ8から構成し、その平面視面積を大きくして放熱性の向上を図ろうとすると、高荷重および高温加熱の下で接合を行う必要があり、半導体素子4に損傷を与える可能性が増大する。本実施の形態の実装構造体によれば、そのような不具合を生じることなく放熱性を向上させることができる。
次に、図8を参照して、本発明の実施の形態2を説明する。実施の形態2は、実施の形態1を改変したものであり、基本的な構成は実施の形態1と共通であるので、以下に、実施の形態1とは異なる部分を主に説明する。
図8に示すように、実施の形態2の実装構造体10Aにおいては、ペースト14は、基板2の電極3の、バンプ8と対向する部分には供給されておらず、バンプ8と対向しない部分にのみ供給されている。
半導体素子4はLED素子に限らず、本発明は、発熱性を有する全ての半導体素子に好適に適用できる。
さらに、半導体素子4の端子5の全てが基板2の電極2と対向している必要はなく、複数設けられた端子5の中の少なくとも1つが基板2と対向していればよい。
3 電極
4 半導体素子
5 端子
6 接合部
8 バンプ
10 実装構造体
12 焼結体
14 ペースト
16 金属粒子
Claims (4)
- 半導体素子と基板とを備え、前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを対向させるとともに、導体からなる接合部により接合して、前記半導体素子を前記基板に実装した実装構造体であって、
前記接合部は、バルク金属材料よりなるバンプと、その周囲に配された、金属粒子を焼結した焼結体とを含み、
前記バンプと前記焼結体とがそれぞれ独立に、前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを電気的に接続し、
前記バンプは、1つの前記端子に対して1つのみであり、前記端子の中央に位置する中央部と、前記中央部から放射状に、前記端子の周辺部に向かって延びるように形成された複数の線状部とを含む実装構造体。 - 前記金属粒子は、平均粒径が0.5nm以上且つ100nm以下の金属ナノ粒子である請求項1記載の実装構造体。
- 前記半導体素子の端子または前記基板の電極が、金または金合金を含み、または表面が金または金合金によりコーティングされた導体から構成された請求項1または2記載の実装構造体。
- 半導体素子の端子および基板の電極の少なくとも一方に、バルク金属材料からなるバンプを形成する工程a、
前記半導体素子の端子および前記基板の電極の他方に金属粒子を含むペーストを供給する工程b、
前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを対向させ、前記バンプにより前記半導体素子の端子と前記基板の電極とを接合する工程c、並びに
前記バンプの周囲に配された前記金属粒子を含むペーストを加熱して、前記半導体素子の端子と前記基板の電極とをさらに接合するように、前記金属粒子の焼結体を形成する工程d、を含み、
前記バンプは、1つの前記端子に対して1つのみであり、前記端子の中央に位置する中央部と、前記中央部から放射状に、前記端子の周辺部に向かって延びるように形成された複数の線状部とを含み、前記端子の上面に垂直な方向からの前記バンプの投影面積が、前記周辺部より前記中央部で大きい、実装構造体の製造方法。
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