JP5317156B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ - Google Patents

マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ Download PDF

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Description

1.技術分野
本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズに関する。
2.背景技術の説明
マイクロリソグラフィ投影露光装置は、例えば、集積回路又は液晶ディスプレイ(LCD)のようなマイクロ構造化されたコンポーネントの製造用に使用される。この種の投影露光装置は照明装置および投影対物レンズを有する。マイクロリソグラフィプロセスでは、照明装置によって照明されたマスク(レチクルとも称される)のイメージは、投影対物レンズを用いて基板(例えば、シリコンウエーハ)上に投影され、基板は、マスク構造を基板の感光性コーティングに転送するために、感光性コーティング層(フォトレジスト)でコーティングされ、且つ、投影対物レンズのイメージ面内にセットアップされる。
現在のマイクロリソグラフィ対物レンズにおいて、特に、1.4以上の開口数(NA)の値を有する、液浸リソグラフィーの対物レンズにおいて、高屈折率の材料を、殊に対物レンズのイメージ面への最後の光学素子において使用することの要求が高まっている。ここでは、所定の波長で、クオーツの屈折率(これは波長193nmで約1.56である)を超える場合に屈折率が高いとされる。考えられる材料は、例えばルテチウムアルミニウムガーネット(LuAl12、LuAG)であり、その屈折率は、波長193nmで約2.14である。しかし、このような材料をレンズ素子に使用することによって問題が生じる。なぜなられこれらの材料は立方体結晶構造を有しており、短い波長で増大する固有の複屈折(IB)を有しているからである。例えば、ルテチウムアルミニウムガーネットを用いた測定では、最大IBに関連して30.1nm/cmのレタデーション(遅延)がみられた。レタデーションという用語は、二つの直交する(相互に直角である)偏光状態の光路長における違いを意味する。
光学イメージ上でのフッ化物結晶レンズの固有複屈折の副作用を軽減することを目的として、WO 02/093209 A2では、同じ結晶カット(例えば、(100)方位レンズまたは(111)方位)のフッ化物結晶レンズを互いに回転した関係(クロッキングと称せられる)で配置すること、そして、付加的には、異なった結晶カットを有したこのような配置の、複数のグループ(例えば、(100)−レンズおよび(111)−レンズのグループ)を相互に組み合わせることが開示されている。
WO 02/099500 A2において開示された技術は、結晶(100)カットまたは(110)カットの1つまたは複数のレンズを、球面分離表面に沿って割り、相互に相対的に回転オフセットを伴って再びつなげ合わすことである。
WO 02/093209 A2号公報 WO 02/0999500 A2号公報
本発明の概要
本発明の課題は、固有複屈折の有害影響を抑えつつ、高い屈折率を有する結晶材料を使用することを可能にする、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズを提供することである。
本発明の第1のアスペクトによるとこの課題は、投影対物レンズであって、光軸を有しており、マスクのイメージを投影するために用いられ、ここでこのマスクは対物面において、イメージ面内に位置付けされる感光性コーティング上に位置付けされ、この投影対物レンズは以下のものを有しており、
・少なくとも1つのレンズを有しており、このレンズは少なくとも1つの湾曲されたレンズ表面を有しており、固有複屈折材料から成る少なくとも4つのレンズ部材から組み立てられており、これらのレンズは、光軸に沿って相互に隣接して連続するように配置されており;
・これらの4つのレンズ部材は、2組のレンズ部材から成り、ここでこの2つの組は相互に異なる結晶カットを有しており、各組のレンズ部材は同じ結晶カットを有しており、光軸を中心とした回転オフセットを伴って相互に相対的に配置されていることにより解決される。
用語「光軸」はここでは、投影対物レンズの回転対称光学コンポーネントの曲率中心に沿って延在する直線または直線部分のシーケンスを意味する。
相互に相対的にクロックされたレンズ部材を伴う少なくとも4つのレンズ部材からレンズを組み立てることによって得られる第1の利点は、固有複屈折の補償である。これは殊に、比較的厚く、高い屈折率を有しているイメージ面に対して最後の箇所にあるレンズに効果的である。本発明のレンズは、タマネギのように、幾つかのシェル(shell)から組み立てられるので、これらのシェルを上述のように配置することによって、固有複屈折の補償が既にレンズそれ自体だけで行われる(すなわち、本質的には、投影対物レンズにおける別の場所でさらなる補償を行う必要はない)。
実施例では、4つのレンズ部材のうちの2つが結晶(111)カットを有しており、この4つのレンズ部材の別の2つが結晶(100)カットを有している。通常の用語では、結晶(111)カットは例えば、各レンズ部材において結晶(111)軸がレンズ軸(または投影対物レンズの光軸それぞれ)と一致することを意味している。さらに、レンズ軸の間の角度が5°を下回る場合、各結晶軸およびレンズ軸または光軸はそれぞれ、一致しているとみなされる。
実施例では、4つのレンズ部材は相互に、それらの各結晶カットに関して交互の順序で連続している。さらにレンズ部材がその結晶カットに関して交互になっている順序で観察し、シェルをこのように配置すると、同じ結晶カットを伴うレンズ部材がグループ化されて、これらが直接的に連続する配置と比べて、IB補償における残余エラーが典型的に約2オーダー低減される。驚くべき程に明確な量的結果によって示されるこの効果は物理的には、固有複屈折によって生じる偏光をあらわすジョーンズマトリクスが数学的に相互的でないことに起因する。すなわちそれらのシーケンスは乗算において、それによる結果の変化無しには変わらない(すなわちA*B≠B*A)。
実施例では、本発明に相応するレンズは、対物面側に対して凸状湾曲レンズ面を有している。この形状のレンズ面は高い開口角度を有する放射線を受容することができ、従って、殊に高い開口のシステムにおいて有利である。有利には、このレンズは、液浸対物レンズ内で、イメージ面側に対して最後の位置に配置される、一方の面が平面であり、他方の面が凸面であるプレナー凸レンズである。そのプレナー出光面は液浸媒体に接している。
実施例では、このレンズは投影対物レンズのイメージ面側に対して最後の位置に配置されている。特に、イメージ面側上の最後のレンズでは、比較的高い屈折率を有する材料を使用することが重要であり、従って、ここで比較的強い固有複屈折を補償することができると考えられる材料、従って本発明に相応する設計構成がこのレンズに対して特に有利である。
実施例では、レンズ部材はガーネットを含むグループから選択された材料から成る。これは殊にルテチウムアルミニウムガーネット(LuAl12)およびイットリウムアルミニウムガーネット(YAl12)、フッ化リチウムバリウム(LiBaF)およびスピネル、殊にマグネシウムスピネル(MgAl)である。これらの、比較的高い複屈折を示す材料においては、本発明に相応する構成は特に有利であると判明しており、従って比較的高い屈折率を有する材料が使用可能であり、ここで固有複屈折が効果的に補償される。
本発明では、レンズ部材は相互に隣接して、光軸に沿って配置されている。すなわち、これらのレンズ部材の間に配置されるさらなる光学部材はない。
実施例では、少なくとも4つのレンズ部材のうちの少なくとも2つが、光学的にシームレスに結合される。このようにして、レンズのタマネギ状の構造でシェルのように組み合わされた部材は再び、スカラー位相の点において、すなわち波面の点において1つのレンズのように作用する。従って、レンズ部材間の移行における、光線の負所望のインターフェースに関連した偏差が回避される。
別の実施例では、少なくとも4つの部材の少なくとも2つがギャップによって相互に別個にされている。従って、レンズ部材をシームレスに密着技術で結合するのに比べて、製造コストが低減される。この場合には、光線の負所望のインターフェース関連偏差を回避するために、このギャップは有利には液体によって満たされる。この液体は、隣接するレンズ部材の材料の屈折率から僅か30%、有利には僅か20%、より有利には10%だけ異なる屈折率を有している。隣接するレンズの屈折率に応じて、適切な液体は例えば、浸液としてウェハ面に隣接して使用されるようないわゆる高屈折率液体である。これは例えばシクロヘキサン(波長193nmに対してn≒1.57)またはデカリン(波長193nmに対してn≒1.65)である。
実施例では、4つのレンズ部材のうちの2つが結晶(111)カットであり、同じ4つのレンズ部材のうちの他の2つが(100)カットである。この場合には、光伝搬の方向に関して、4つの部材最初の位置のレンズ部材が(111)カットを有していても、または(100)カットを有していてもよい。
4つのレンズ部材の各々は少なくとも1つの球面レンズ表面を有していてよく(殊に2つの球面レンズ表面)、これによってこれらのレンズは相対的に容易に製造され、相互に整合する。4つのレンズ部材のうちの少なくとも1つが非球面(しかし、有利には依然として回転対称である)レンズ表面を有していてよい。これによって製造コストは増すが、偏光関連光学特性をさらに最適化することが可能になる。すなわち、非球面設計から得られる付加的な自由度によって、IB関連残余レタデーションを低減することができる。
本発明の別のアスペクトでは、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズであって、光軸を有しており、マスクのイメージを投影するために用いられ、ここでこのマスクは対物面において、イメージ面内に位置付けされる感光性コーティング上に位置付けされる。この対物レンズは以下のものを有している:
・少なくとも1つのレンズ。このレンズは固有複屈折材料から成る少なくとも4つのレンズ部材から組み立てられる。これらのレンズ部材は、光軸に沿って相互に隣接して連続するように配列されている。
・これらの4つのレンズ部材のうちの少なくとも1つに対して、光軸はこのレンズ部材の結晶方位に対して平行であり、この結晶方位は、結晶(100)方位、結晶(110)方位および結晶(111)方位並びに結晶(100)、(110)または(111)方位に相当する各結晶方位とは異なる。
従って、このアスペクトでは、本発明は少なくとも4つのレンズ部材から成るレンズを有する投影対物レンズに関連し、ここでこれらのレンズのうちの少なくとも1つは「自由な」結晶方位を有している。すなわち、これは主な結晶カット(100)、(110)および(111)のうちの1つに相応するカットではない。この「自由な」結晶方位の結果、付加的な自由度が導入される。それによって(非球面レンズ表面との球面レンズ表面の配置と多少同じように)、最適化可能性が高められる。さらに、「自由な」結晶方位への発明性のある切り替えによって、(1.1)ジョーンズ瞳面(Jones pupil)の位相を低減させることができる。これは光学イメージに課せられる、さらなる特別な要求を適合させる可能性を改善する。
このアスペクトおよびこの利点に従った投影対物レンズの有利な実施例では、有利な実施形態および第1のアスペクトに関して上述した利点を参照されたい。
本発明はさらに上述した特徴を有するレンズに適用される。ここでは有利な実施形態およびその利点に関して、投影対物レンズに関する前述の記載を参照されたい。本発明の範囲は、マイクロリソグラフィ投影露光装置も、マイクロ構造されたコンポーネントのマイクロリソグラフィ技術による製造も、マイクロ構造されたコンポーネントも含む。
本発明のさらなる実施形態は、当該明細書ならびに特許請求の範囲において示される。
本発明を以下でより詳細に、添付図面に示された実施例に関連して説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に相応する投影対物レンズ100を示している。この投影対物レンズ100に対する設計データは表1に挙げられている。
欄1には屈折またはその他の光学的に重要な表面に対するシーケンシャルナンバーが示されており、欄2にはこの表面に対する各半径が示されており(単位nm)、欄3には各表面から次の後続の表面までの距離が示されており(単位nm)、これは厚さと称されている。欄4には各表面に続く材料が示されており、欄5には、λ=193nmの場合のこの材料の屈折率が示されており、欄6にはこの光学コンポーネントの光学的に使用可能な自由な半直径(half-diameter)が示されている。半径、厚さおよび半直径はmmで示されている。
短い水平線でマークされており、表2において列挙されている表面は非球面に湾曲されている。これは、これらの表面の、非球面に対する以下の式で表される湾曲を有している。
Figure 0005317156
ここでPは光軸に対して平行な各表面の矢状高さ(sagittal height)をあらわしており、hは光軸からの半径距離をあらわしており、rは各表面の曲率半径をあらわしており、ccは円錐定数をあらわしており、C1、C2、・・は、表2に挙げられた非球面定数をあらわしている。
図1では、反射屈折設計の投影対物レンズ100は第1の部分的な光学システム110、第2の部分的光学システム120および第3の部分的光学システム130を有している。ここで使用されている用語「部分的な光学システム」とは常に、それを通じて実際の対象物の実際のイメージまたは中間像が形成される光学部材の配列を意味する。換言すれば、各部分的光学システムは常に、特定の対物面または中間イメージ面で始まって、後続の実際のイメージまたは中間像までの全ての光学部材を含んでいる。
第1の部分的光学システム100は屈折レンズ111から118(SiOから成り、表1ではSILUVと称される)の配列を含んでおり、対物面「OP」を第1の中間像IMI1ないに投影する。この第1の中間像の近似的な位置は図1において矢印で示されている。この第1の中間像IMI1は第2の部分的光学システム120によって、第2の中間像IMI2内に投影される。この第2の中間像の近似的な位置は図1において同じように矢印で示されている。第2の部分的光学システム120は第1の凹状ミラー121および第2の凹状ミラー122を含んでいる。各凹状ミラーは、光軸に対して垂直な方向において切り離されており、これによって光はその光路上で、各反射表面からイメージ面IPへ続くことができる。第2の中間像IMI2は第3の部分的光学システム130によってイメージ面IP内に投影される。
第3の部分的光学システム130は屈折レンズ131〜143を含み、ここでレンズ143はイメージ面側に対する最後の位置にあり、プレーナ凸レンズである。このレンズは対物面に面している凸状に湾曲された表面を伴っている。このレンズ143は、本発明では総計で4つのレンズ部材から成る。これを次に図2を参照して説明する。レンズ部材143の出光表面と、投影対物レンズ100が作動しているときにはイメージ面IP内に配置されている感光コーティングの間に浸液が存在する。この浸液はこの例ではnImm≒≒1.65の屈折率を有している(表1ではHIINDEXと称されている)。この目的に適している浸液の例は、デカリンの一般名称で通っている。他の適切な浸液は、波長193nmでの作動に対してnImm≒1.57を有するシクロヘキサンである。
図2は、図1の投影対物レンズ100のイメージ面に対する最後の位置にあるレンズ143の詳細なレンズセクションを示している。レンズ143は合計4つのレンズ部材143a、143b、143cおよび143dから成る。これらのレンズ部材は光軸OAに沿って相互に連続するように配置されている。レンズ部材143aから143dの全てはルテチウムアルミニウムガーネット(LuAl12、LuAG)から成り、その最大固有複屈折は波長193nmで30.1nm/cmである。各レンズ部材143a〜143dまでのレンズ表面または作用光学表面は図示の実施例では、製造的な理由から球面に選択された。しかし択一的に、偏光に関連する光学特性をさらにより最適化するために、すなわち残余レタデーションをより低減させるために、これらは非球面であってもよい。
さらに、レンズ143のレンズ部材143a〜143dは相互に直接的に接して連続していることに留意されたい。例えばこれらは相互に、密着技術によって実現される光学的にシームレスな移行で結合される。択一的に、これらのレンズ部材がギャップによって分けられていてもよい。この場合にはこのギャップは有利には、わずか30%、有利にはわずか20%、より有利にはわずか10%だけ、隣接するレンズ部材の材料の屈折率と異なる屈折率を有する液体によって満たされる。
レンズ部材143a〜143dに対する個々のレンズパラメータは表3に挙げられている。欄1にはレンズ部材表面に対するシーケンシャルナンバーが示されており、欄2にはこの表面に対する各半径が示されており(単位nm)、欄3には各表面から次の後続の表面までの距離が示されており(単位nm)、これは厚さと称されている。欄4には各表面に続く光学部材の光学的に使用可能な自由な半直径が示されおり、欄5には、レンズ部材の方位(または結晶カット)が示されている。半径、厚さおよび半直径はmmで示されている。
図2および表3の実施例では、レンズ部材143a〜143dはレンズ部材の2つの組から成る。ここで各組における部材は同じ結晶カットから成り、光軸OAを中心に回転を伴って相互に相対的にセットアップされている。
より詳細には、光伝搬方向で光軸OAに沿って第1および第3の位置にあるレンズ部材143aと143cは結晶(111)カットである。すなわち、これらのレンズ部材内では、結晶(111)軸が投影対物レンズ100の光軸OAに対して平行である。光伝搬方向で光軸OAに沿って第2および第4の位置にあるレンズ部材143bと143dは結晶(100)カットである。すなわち、これらのレンズ部材内では、結晶(100)軸が投影対物レンズ100の光軸OAに対して平行である。従って4つのレンズ部材143a〜143dはそれらの結晶カット方位に関連して交互に連続して配置されている。
さらに、それらの結晶カットが(111)方位を有しているレンズ部材143aおよび143cは、光軸OAを中心に60°の角度だけ相互に相対的に回転されている(すなわち「クロックされている」)。またそれらの結晶カットが(100)方位を有しているレンズ部材143bおよび143dは、光軸OAを中心に45°の角度だけ相互に相対的に回転されている。(111)レンズにおける複屈折の3回対称性では、2つの(111)レンズ間の60°のクロッキング角度は、60°+m*120°のクロッキング角度によって置き換えられる。ここでmは整数である。さらに、(100)レンズにおける複屈折の4回対称性では、2つの(100)レンズ間の45°のクロッキング角度は、45°+n*90°のクロッキング角度によって置き換えられる。ここでnは整数である。
結晶(111)カットを有するレンズ部材に対する60°(または60°+m*120°)の上述した回転角度(クロッキング角度)および結晶(100)カットを有するレンズ部材に対する45°(または45°+n*90°)の上述した回転角度(クロッキング角度)は、IB関連残余レタデーションの最小化の点において、選択された配列に対する最適な値をあらわすが、本発明は当然ながらこれらの角度に制限されるものではない。なぜなら、部分的な補償は既に、これらの値とは偏差する回転角度でも得られるからである。
図1の投影対物レンズ100において、イメージ面側に対する最後の位置において本発明に相応して使用されるレンズ255の実施形態に対する別の例は、図3に示されているように、レンズ部材255a〜255dから成る。これらのレンズ部材255a〜255dのレンズパラメータは表4に挙げられている。レンズ部材255a〜255dは同じようにルテチウムアルミニウムガーネット(LuAl12、LuAG)から成る。
図3および表4の実施例では、レンズ部材255a〜255dは同じようにレンズ部材の2つの組から成る。ここで各組における部材は同じ結晶カットから成り、光軸OAを中心に回転を伴って相互に相対的にセットアップされている。より詳細には、光伝搬方向で光軸OAに沿って第1および第3の位置にあるレンズ部材255aおよび255cは結晶(100)カットである。すなわち、これらのレンズ部材内では、結晶(100)軸が投影対物レンズの光軸OAに対して平行である。光伝搬方向で光軸OAに沿って第2および第4の位置にあるレンズ部材255bおよび255dは結晶(111)カットである。すなわち、これらのレンズ部材内では、結晶(111)軸が投影対物レンズ100の光軸OAに対して平行である。従ってこれらの4つのレンズ部材はそれらの結晶カット方位に関連して交互に連続して配置されている。さらにこの関連では図2の実施例と同じように、それらの結晶カットが(100)方位を有しているレンズ部材255aおよび255cは、光軸OAを中心に45°の角度だけ相互に相対的に回転されている(すなわち「クロックされている」)。またそれらの結晶カットが(111)方位を有しているレンズ部材255bおよび255dは、光軸OAを中心に60°の角度だけ相互に相対的に回転されている。
本発明は、図2および図3に示された結晶カット方位(100)および(11)に限定されるものではない。むしろこれらの実施形態の変形を使用することが可能である。ここでは、それらから本発明に相応する構築のレンズが組み立てられる、少なくとも4つのレンズ部材は同じ結晶カットを共有するレンズ部材の組を有することもできる。しかしこのカットは、(100)および/または(111)とは異なり、ここではレンズ部材では、光軸を中心に相互に相対的に回転して各組が配列されている。さらに図2および3と同じように、レンズ部材はそれらの結晶カットの点において交互の順序で配列される。
図6aおよび6bは、図1の投影対物レンズ内の結果として生じたレタデーションを示している。対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図6a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図6b)である。イメージ面側での最後のレンズが図2に示された本発明に相応する設計と一致していることを考慮されたい。比較のために、図4は、その結晶カットの(111)方位を有する従来設計のレンズのレタデーションを示している。すなわち、相互に相対的に回転された少なくとも4つのレンズ部材の、本発明による配列を有していない。
図7aおよび7bは、図1の投影対物レンズ内の結果として生じたレタデーションを示している。対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図7a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図7b)である。イメージ面側の最後のレンズが図3に示された本発明に相応する設計と一致していることを考慮されたい。比較のために、図5は、その結晶カットの(100)方位を有する従来設計のレンズのレタデーションを示している。すなわち、相互に相対的に回転された少なくとも4つのレンズ部材の、本発明による配列を有していない。
図4、5の結果に対して図6、7の結果を比較した第1の結論として、本発明に相応して、相互に相対的に回転されている少なくとも4つのレンズから構成されているレンズ設計では、結晶(111)カットまたは(100)カットのレンズの従来設計と比べて残余レタデーションが格段に低減されることが明らかである。
図8および9は、最後位置レンズ360および470の別の詳細なレンズ部分それぞれを示している。これらのレンズは同じようにそれぞれ、合計で4つのレンズ部材360〜370および470a〜470dから成る。しかしこれらは、それらの結晶カット方位の点において、交互でない順序で配列されている。換言すれば、これらのレンズ部材は、同じ結晶カットの組においてそれらが相互に隣接するように配列されている。図8に示されたレンズ360では、レンズ部材360aおよび360bの第1の組は結晶(111)カットから成り、図9に示されたレンズ470では、レンズ部材470aおよび470bの第1の組は結晶(100)カットから成る。レンズ部材360a〜360dおよび470a〜470dの個別レンズパラメータはそれぞれ表5および6に挙げられている。
図10aおよび10bは、図8に示された設計のレンズが使用された場合の、結果として生じたレタデーションを示している。対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図10a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図10b)である。図11aおよび11bは、図9に示された設計のレンズが使用された場合の、結果として生じたレタデーションを示している。対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図11a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図11b)である。
図10、11の結果に対する図6、7の結果の比較から、相互に相対的に回転されている少なくとも4つのレンズから構成されているレンズでは、レンズ部材がその結晶方位の点において交互である配列によって得られるレタデーション値(図6および7のように)は、レンズ部材が同じ結晶カットの組でセットアップされている非交互配列(図10および11のように)と比較すると約2倍だけ小さくなることが明らかである。
別の実施例では、本発明に相応して構成されたレンズのレンズ部材の1つまたは全てに対して、図12〜14を参照して以下で説明するように、自由な結晶方位を有することが可能である。
図12はイメージ面側に対する最後の位置にあるレンズ580の詳細なレンズ部分を示しており、これは例えば図1と同じ構成を有する投影対物レンズ内で使用される。レンズ580は同じように合計で4つのレンズ部材580a、580b、580cおよび580dから成る。これらは光軸OAに沿って相互に連続するように配列されている。レンズ部材580a〜580dの全ては、同じようにはルテチウムアルミニウムガーネット(LuAl12、LuAG)から成る。示された例における個別レンズ部材580a〜580dのレンズ表面または作用光学表面は同じように、製造的な理由から球面に選択されている。しかし択一的に、偏光に関連する光学特性をさらにより最適化するために、すなわち残余レタデーションをより低減させるために、これらは非球面であってもよい。さらに、レンズ580のレンズ部材580a〜580dはこの実施例において同じように相互に直接的に接して連続している。例えばこれらは相互に、密着技術によって実現される光学的にシームレスな移行で結合される。択一的に、これらのレンズ部材がギャップによって分けられていてもよい。この場合にはこのギャップは有利には、上述した液体によって満たされる。
レンズ部材580a〜580dに対する個々のレンズパラメータは表7に挙げられている。欄1にはレンズ部材表面に対するシーケンシャルナンバーが示されており、欄2にはこの表面に対する各半径が示されており(単位nm)、欄3には各表面から次の後続の表面までの距離が示されており(単位nm)―これは厚さと称されている。欄4には各表面に続く光学部材の光学的に使用可能な自由な半直径が示されおり、欄5には、レンズ部材の結晶方位が示されている。半径、厚さおよび半直径は再びmmで示されている。結晶方位は表7において、3つのオイラー角Φ、θ、ψに置き換えて示されている。これらは以下のように定義されている:最初は空間において固定されている基準系(x、y、z)と同じである座標系は、前記座標系の以下の回転によって、結晶の基本軸系(x’、y’、z)に変わる:1.z軸を中心とした角度Φの回転;2.x軸を中心とした角度θの回転;3.z軸を中心とした角度ψの回転。(100)結晶方位を有する結晶はオイラー角Φ=0°、θ=0°、ψ=任意に選択可能な角度によってあらわされ、(111)結晶方位を有する結晶はオイラー角Φ=45°、θ=54.736°、ψ=任意に選択可能な角度によってあらわされる。
上述した実施形態とは異なり、レンズ580のレンズ部材580a〜dにおける光学システム軸OAは、結晶方位(100)、(110)または(111)のうちの1つの方向または(立方晶系の対称性故に)結晶方位(100)、(110)または(111)のうちのいずれかに等しい基本的な結晶方位の方向に位置付けされているのではない。図12の実施例では、全てのレンズ部材580a〜dがその結晶方位において上述した基本的な結晶方位から偏差しているが(レンズ部材580aのみが結晶(111)カットに近似している)、これは本発明の制限を意図するものではない。むしろ本発明は、図12の具体的な例の変形をあらわす全てのケースを含む。すなわち、4つのレンズ部材のうちの少なくとも1つに対しては、光学システム軸は、上述した基本的な結晶方位のうちの1つに対して平行ではない。
図13a〜13cは、対物フィールドの中心から生じる放射線束に対する、自由な結晶方位を有するレンズ580に対して結果として生じるレタデーション(図13a)並びに(1.1)ジョーンズ瞳面の位相(図13b)および振幅(図13c)を示している。同じ表現で、図14a〜14cは、対物フィールドの境界から生じる放射線束に対する、レンズ580に対して結果として生じるレタデーション(図14a)並びに(1.1)ジョーンズ瞳面の位相(図14b)および振幅(図14c)を示している。図13bおよび図14bから明らかであるように、この実施形態における位相は、最大で1.5nmの範囲内にある非常に小さい値に低減されている。四分円(45°の位置)における振幅は約0.9までの値に達する。これは、単にイメージングプロセスにおける副次的な結果である。ここでは主に瞳面におけるx軸およびy軸の領域が使用される。
図15に示されているように、投影露光装置600は、照明装置601及び投影対物レンズ602を有している。投影対物レンズ602は、レンズ配列603を含む。ここでこのレンズ配列は概略的に示されており、これによって光軸OAが定義される。照明装置601と投影対物レンズ602との間に、マスクホルダ605を用いて光路内に保持されたマスク604が配置されている。マスク604は、マイクロメータ範囲からナノメータ範囲の大きさの構造部を有しており、この構造部のイメージは、投影対物レンズ602を用いて、例えば、1ファクター又は4又は5だけ縮小されてイメージプレートIP上に投影される。感光性基板606、殊にウェハは、イメージ面IP内の位置に保持されている基板ホルダ607によって位置決めされている。
本発明について、図示の特別な実施例を用いて説明してきたが、当業者は、例えば、個別実施例の各特徴を結合させたり、及び/又は、個別実施例の各特徴を交換したりして、多数の変形実施例及び択一的な実施例を実施することができることを理解するであろう。従って、そのような変形乃至択一的な実施例は、本発明に含まれるものと見なされ、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその等価内容にのみ限定される。
Figure 0005317156
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本発明の実施形態に相応する完全な反射屈折投影対物レンズの全体的なメリジオナル部分 図1の投影対物レンズのイメージ側への最終レンズの詳細なレンズ部分 別の実施形態に相応する、イメージ側への最終レンズの詳細なレンズ部分 相互に回転されたレンズ部材配列を有していない、従来構造の(111)方位を伴うレンズのレタデーション(単位nm) 相互に回転されたレンズ部材配列を有していない、従来構造の(100)方位を伴うレンズのレタデーション(単位nm) aとbは、図1の投影対物レンズ内の結果として生じたレタデーションを示しており(単位nm)、対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図6a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図6b)であり、イメージ側での最後のレンズが図2に示された本発明に相応する設計と一致していることが考慮される aとbは、図1の投影対物レンズ内の結果として生じたレタデーションを示しており(単位nm)、対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図7a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図7b)であり、イメージ側での最後のレンズが図3に示された本発明に相応する設計と一致していることが考慮される 個々のレンズ部材が交互にではなく配列された、イメージ側での最後のレンズの詳細なレンズ部分 個々のレンズ部材が交互にではなく配列された、イメージ側での最後のレンズの詳細なレンズ部分 aとbは図8に示された設計のレンズが使用された場合のレタデーションを示しており(単位nm)、対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図10a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図10b)である aとbは図9に示された設計のレンズが使用された場合のレタデーションを示しており(単位nm)、対物フィールドの中心から生じている放射線束の場合(図11a)と、対物フィールドの境界から生じている放射線束の場合(図11b)である 自由な結晶方位を伴う本発明の実施形態での、イメージ側での最後のレンズの詳細なレンズ部分 対物フィールドの中心から生じる放射線束に対する、図12に示されたような本発明に相応して自由な結晶方位を有するレンズに対して結果として生じるレタデーション(単位nm) 対物フィールドの中心から生じる放射線束に対する、図12に示されたような本発明に相応して自由な結晶方位を有するレンズに対する、(1.1)ジョーンズ瞳面の位相(単位nm) 対物フィールドの中心から生じる放射線束に対する、図12に示されたような本発明に相応して自由な結晶方位を有するレンズに対する振幅 対物フィールドの境界から生じる放射線束に対する、図12に示されたような本発明に相応して自由な結晶方位を有するレンズに対して結果として生じるレタデーション(単位nm) 対物フィールドの境界から生じる放射線束に対する、図12に示されたような本発明に相応して自由な結晶方位を有するレンズに対する、(1.1)ジョーンズ瞳面の位相(単位nm) 対物フィールドの境界から生じる放射線束に対する、図12に示されたような本発明に相応して自由な結晶方位を有するレンズに対する振幅 概略的に示された、マイクロリソグラフィ対物露光装置の全体的な設計コンセプト
符号の説明
100 投影対物レンズ、 110 第1の部分的な光学システム、 120 第2の部分的光学システム、 130 第3の部分的光学システム、 111〜118、131〜143 屈折レンズ、 143、255、360、470、580 レンズ、 143a〜143d、255a〜255d、360a〜360d、470a〜470d、580a〜580d レンズ部材、 43、55、60、70、80 レンズ表面、 600 投影露光装置、 601 照明装置、 602 投影対物レンズ、 603 レンズ配列、 604 マスク、 605 マスクホルダ、 606 感光性基板、 607 基板ホルダ

Claims (24)

  1. マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズであって、
    光軸(OA)を有しており、マスクのイメージを投影するために用いられ、当該マスクは対物面において、イメージ面内に位置付けされる感光性コーティング上に位置付けされ、
    当該投影対物レンズは以下のものを有しており:すなわち、
    ・少なくとも1つのレンズ(143、255、360、470)を有しており、当該レンズは少なくとも1つの湾曲されたレンズ表面を有しており、固有複屈折材料から成る少なくとも4つのレンズ部材(143a〜143d、255a〜255d、360a〜360d、470a〜470d)から組み立てられており、当該レンズ部材は、前記光軸(OA)に沿って相互に隣接して連続するように配列されており;
    ・前記4つのレンズ部材は2組のレンズ部材から成り、ここで当該2つの組は相互に異なる結晶カットを有しており、各組のレンズ部材は同じ結晶カットを有しており、相互に相対的に光軸(OA)を中心とした回転オフセットを伴って配置されており、
    前記4つのレンズ部材のうちの2つは結晶(111)カットを有しており、前記4つのレンズ部材のうちの他の2つは結晶(100)カットを有しており、
    前記レンズ部材のうちの3つは凸状表面を有しており、当該凸状表面は前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材の凹状表面に面している、ことを特徴とする、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ。
  2. 前記4つのレンズ部材は、前記2種類の結晶カットが交互の順序となるよう連続している、請求項1記載の投影対物レンズ。
  3. 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは、湾曲された境界によって相互に分けられている、請求項1または2記載の投影対物レンズ。
  4. 前記レンズ部材の連続する全てのレンズ部材は、湾曲された境界によって相互に分けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  5. 前記1つまたは複数の境界はそれぞれ前記光軸(OA)に関して回転対称である、請求項3または4記載の投影対物レンズ。
  6. 相互に向かい合っており、前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材に属している少なくとも2つの表面は曲率半径を有しており、当該曲率半径の絶対値の差は、前記曲率半径のより大きいものの10%より少なく、有利には3%より少なく、より有利には1%より少ない、請求項1から5までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  7. 相互に向かい合っており、前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材に属している少なくとも2つの表面は同じ絶対値の曲率半径を有している、請求項1から6までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  8. 相互に向かい合っており、前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材に属している少なくとも2つの表面は、前記表面のうちの1つの表面の各点で、前記表面に対する通常の方向において2ミリメータ(mm)を下回る距離、有利には1ミリメートル(mm)を下回る距離、さらに有利には0.5ミリメートル(mm)を下回る距離を有している、請求項1から7までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  9. 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは光軸(OA)に対して回転対称に配置されている、請求項1から8までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  10. 前記レンズ部材のうちの全ては光軸(OA)に対して回転対称に配置されている、請求項1から9までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  11. 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは少なくとも1つの球面レンズ表面を有している、請求項1から10までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  12. 前記レンズ部材の各々は少なくとも1つの球面レンズ表面を有している、請求項1から11までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  13. 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは少なくとも1つの非球面レンズ表面を有している、請求項1から12までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  14. 前記レンズ部材の少なくとも2つは光学的にシームレスに結合されている、請求項1から13までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  15. 前記レンズ部材の全ては光学的にシームレスに結合されている、請求項1から14までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  16. 前記レンズ部材の少なくとも2つは、相互にギャップによって分けられている、請求項1から14までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  17. 前記ギャップは液体によって満たされている、請求項16記載の投影対物レンズ。
  18. 前記液体は、隣接するレンズ部材の材料の屈折率から僅か30%、殊に僅か20%、特に10%だけ異なる屈折率を有している、請求項17記載の投影対物レンズ。
  19. 前記レンズ(143、255、360、470、580)は、前記対物面の側に面している凸状湾曲レンズ表面(43、55、60、70、80)を有している、請求項1から18までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  20. 前記レンズ(143、255、360、470、580)は、一方の面が平面であり、他方の面が凸面であるプレナー凸レンズである、請求項1から19までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  21. 前記レンズ(143、255、360、470、580)は、投影対物レンズ(100)のイメージ面の側への最後の位置にある、請求項1から20までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
  22. 前記レンズ部材は、ガーネットを含むグループから選択された材料から成り、殊にルテチウムアルミニウムガーネット(Lu3Al512)およびイットリウムアルミニウムガーネット(Y3Al512)、フッ化リチウムバリウム(LiBaF3)およびスピネル、殊にマグネシウムスピネル(MgAl24)から成る、請求項1から21までのいずれか1項に記載された投影対物レンズ。
  23. 照明装置および投影対物レンズを伴うマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
    当該投影対物レンズは請求項1〜22のうちのいずれか1項に従って構成されている、ことを特徴とする、マイクロリソグラフィ投影露光装置。
  24. マイクロ構造化コンポーネントのマイクロリソグラフィによる製造方法であって、
    ・感光性材料製のコーティングによって少なくとも部分的に被覆された基板(606)を設けるステップと;
    ・イメージが形成されるべき構造を有するマスク(604)を設けるステップと;
    ・請求項23記載の投影露光装置(600)を設けるステップと;
    ・前記投影露光装置(600)を用いて、前記コーティングの領域上に、前記マスク(604)の少なくとも一部分を投影するステップを含む、
    ことを特徴とする製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008087827A1 (ja) * 2007-01-16 2008-07-24 Nikon Corporation 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2008216498A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2009031603A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2009086038A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
CN111302297A (zh) * 2020-02-17 2020-06-19 福建晶安光电有限公司 图形化镥铝石榴石晶片结构及其制备方法、包括该结构的发光装置封装件和投影仪

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2699706A (en) * 1949-11-08 1955-01-18 Boone Philip Ornamental object having birefringent and polarizing layers
JPH1020197A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系及びその調整方法
JP2003532281A (ja) * 2000-04-25 2003-10-28 エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド 照明偏光の制御を備えた光学縮小システム
DE10040998A1 (de) 2000-08-22 2002-03-14 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage
KR20040015251A (ko) * 2001-05-15 2004-02-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
US6775063B2 (en) * 2001-07-10 2004-08-10 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus having the optical system
DE10133841A1 (de) * 2001-07-18 2003-02-06 Zeiss Carl Objektiv mit Kristall-Linsen
US6844972B2 (en) * 2001-10-30 2005-01-18 Mcguire, Jr. James P. Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements
US7072102B2 (en) 2002-08-22 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing polarization aberration in optical systems
US7239450B2 (en) * 2004-11-22 2007-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Method of determining lens materials for a projection exposure apparatus
KR20070105976A (ko) * 2005-02-25 2007-10-31 칼 짜이스 에스엠티 아게 광학시스템, 특히 마이크로리소그래픽 투사노출장치용대물렌즈 또는 조명장치
DE102006013560A1 (de) 2005-04-19 2006-10-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006025044A1 (de) 2005-08-10 2007-02-15 Carl Zeiss Smt Ag Abbildungssystem, insbesondere Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage

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