JP5317156B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5317156B2 JP5317156B2 JP2007211846A JP2007211846A JP5317156B2 JP 5317156 B2 JP5317156 B2 JP 5317156B2 JP 2007211846 A JP2007211846 A JP 2007211846A JP 2007211846 A JP2007211846 A JP 2007211846A JP 5317156 B2 JP5317156 B2 JP 5317156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- projection objective
- members
- lens members
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 83
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- -1 lutetium aluminum Chemical compound 0.000 claims description 7
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NXEFKYQFCUFLNF-UHFFFAOYSA-K lithium;barium(2+);trifluoride Chemical compound [Li+].[F-].[F-].[F-].[Ba+2] NXEFKYQFCUFLNF-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000234282 Allium Species 0.000 description 1
- 235000002732 Allium cepa var. cepa Nutrition 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
- G03F7/70966—Birefringence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズに関する。
マイクロリソグラフィ投影露光装置は、例えば、集積回路又は液晶ディスプレイ(LCD)のようなマイクロ構造化されたコンポーネントの製造用に使用される。この種の投影露光装置は照明装置および投影対物レンズを有する。マイクロリソグラフィプロセスでは、照明装置によって照明されたマスク(レチクルとも称される)のイメージは、投影対物レンズを用いて基板(例えば、シリコンウエーハ)上に投影され、基板は、マスク構造を基板の感光性コーティングに転送するために、感光性コーティング層(フォトレジスト)でコーティングされ、且つ、投影対物レンズのイメージ面内にセットアップされる。
本発明の課題は、固有複屈折の有害影響を抑えつつ、高い屈折率を有する結晶材料を使用することを可能にする、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズを提供することである。
・少なくとも1つのレンズを有しており、このレンズは少なくとも1つの湾曲されたレンズ表面を有しており、固有複屈折材料から成る少なくとも4つのレンズ部材から組み立てられており、これらのレンズは、光軸に沿って相互に隣接して連続するように配置されており;
・これらの4つのレンズ部材は、2組のレンズ部材から成り、ここでこの2つの組は相互に異なる結晶カットを有しており、各組のレンズ部材は同じ結晶カットを有しており、光軸を中心とした回転オフセットを伴って相互に相対的に配置されていることにより解決される。
・少なくとも1つのレンズ。このレンズは固有複屈折材料から成る少なくとも4つのレンズ部材から組み立てられる。これらのレンズ部材は、光軸に沿って相互に隣接して連続するように配列されている。
・これらの4つのレンズ部材のうちの少なくとも1つに対して、光軸はこのレンズ部材の結晶方位に対して平行であり、この結晶方位は、結晶(100)方位、結晶(110)方位および結晶(111)方位並びに結晶(100)、(110)または(111)方位に相当する各結晶方位とは異なる。
Claims (24)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズであって、
光軸(OA)を有しており、マスクのイメージを投影するために用いられ、当該マスクは対物面において、イメージ面内に位置付けされる感光性コーティング上に位置付けされ、
当該投影対物レンズは以下のものを有しており:すなわち、
・少なくとも1つのレンズ(143、255、360、470)を有しており、当該レンズは少なくとも1つの湾曲されたレンズ表面を有しており、固有複屈折材料から成る少なくとも4つのレンズ部材(143a〜143d、255a〜255d、360a〜360d、470a〜470d)から組み立てられており、当該レンズ部材は、前記光軸(OA)に沿って相互に隣接して連続するように配列されており;
・前記4つのレンズ部材は2組のレンズ部材から成り、ここで当該2つの組は相互に異なる結晶カットを有しており、各組のレンズ部材は同じ結晶カットを有しており、相互に相対的に光軸(OA)を中心とした回転オフセットを伴って配置されており、
前記4つのレンズ部材のうちの2つは結晶(111)カットを有しており、前記4つのレンズ部材のうちの他の2つは結晶(100)カットを有しており、
前記レンズ部材のうちの3つは凸状表面を有しており、当該凸状表面は前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材の凹状表面に面している、ことを特徴とする、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ。 - 前記4つのレンズ部材は、前記2種類の結晶カットが交互の順序となるよう連続している、請求項1記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは、湾曲された境界によって相互に分けられている、請求項1または2記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材の連続する全てのレンズ部材は、湾曲された境界によって相互に分けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記1つまたは複数の境界はそれぞれ前記光軸(OA)に関して回転対称である、請求項3または4記載の投影対物レンズ。
- 相互に向かい合っており、前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材に属している少なくとも2つの表面は曲率半径を有しており、当該曲率半径の絶対値の差は、前記曲率半径のより大きいものの10%より少なく、有利には3%より少なく、より有利には1%より少ない、請求項1から5までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 相互に向かい合っており、前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材に属している少なくとも2つの表面は同じ絶対値の曲率半径を有している、請求項1から6までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 相互に向かい合っており、前記レンズ部材のうちの隣接するレンズ部材に属している少なくとも2つの表面は、前記表面のうちの1つの表面の各点で、前記表面に対する通常の方向において2ミリメータ(mm)を下回る距離、有利には1ミリメートル(mm)を下回る距離、さらに有利には0.5ミリメートル(mm)を下回る距離を有している、請求項1から7までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは光軸(OA)に対して回転対称に配置されている、請求項1から8までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材のうちの全ては光軸(OA)に対して回転対称に配置されている、請求項1から9までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは少なくとも1つの球面レンズ表面を有している、請求項1から10までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材の各々は少なくとも1つの球面レンズ表面を有している、請求項1から11までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材のうちの少なくとも2つは少なくとも1つの非球面レンズ表面を有している、請求項1から12までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材の少なくとも2つは光学的にシームレスに結合されている、請求項1から13までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材の全ては光学的にシームレスに結合されている、請求項1から14までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材の少なくとも2つは、相互にギャップによって分けられている、請求項1から14までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記ギャップは液体によって満たされている、請求項16記載の投影対物レンズ。
- 前記液体は、隣接するレンズ部材の材料の屈折率から僅か30%、殊に僅か20%、特に10%だけ異なる屈折率を有している、請求項17記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ(143、255、360、470、580)は、前記対物面の側に面している凸状湾曲レンズ表面(43、55、60、70、80)を有している、請求項1から18までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ(143、255、360、470、580)は、一方の面が平面であり、他方の面が凸面であるプレナー凸レンズである、請求項1から19までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ(143、255、360、470、580)は、投影対物レンズ(100)のイメージ面の側への最後の位置にある、請求項1から20までのいずれか1項記載の投影対物レンズ。
- 前記レンズ部材は、ガーネットを含むグループから選択された材料から成り、殊にルテチウムアルミニウムガーネット(Lu3Al5O12)およびイットリウムアルミニウムガーネット(Y3Al5O12)、フッ化リチウムバリウム(LiBaF3)およびスピネル、殊にマグネシウムスピネル(MgAl2O4)から成る、請求項1から21までのいずれか1項に記載された投影対物レンズ。
- 照明装置および投影対物レンズを伴うマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
当該投影対物レンズは請求項1〜22のうちのいずれか1項に従って構成されている、ことを特徴とする、マイクロリソグラフィ投影露光装置。 - マイクロ構造化コンポーネントのマイクロリソグラフィによる製造方法であって、
・感光性材料製のコーティングによって少なくとも部分的に被覆された基板(606)を設けるステップと;
・イメージが形成されるべき構造を有するマスク(604)を設けるステップと;
・請求項23記載の投影露光装置(600)を設けるステップと;
・前記投影露光装置(600)を用いて、前記コーティングの領域上に、前記マスク(604)の少なくとも一部分を投影するステップを含む、
ことを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82242706P | 2006-08-15 | 2006-08-15 | |
DE102006038398A DE102006038398A1 (de) | 2006-08-15 | 2006-08-15 | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102006038398.2 | 2006-08-15 | ||
US60/822427 | 2006-08-15 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008046641A JP2008046641A (ja) | 2008-02-28 |
JP2008046641A5 JP2008046641A5 (ja) | 2010-09-30 |
JP5317156B2 true JP5317156B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=38954802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007211846A Expired - Fee Related JP5317156B2 (ja) | 2006-08-15 | 2007-08-15 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679831B2 (ja) |
EP (1) | EP1890193B1 (ja) |
JP (1) | JP5317156B2 (ja) |
KR (1) | KR101388297B1 (ja) |
CN (1) | CN101126907B (ja) |
AT (1) | ATE486302T1 (ja) |
DE (2) | DE102006038398A1 (ja) |
TW (1) | TWI425245B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008087827A1 (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Nikon Corporation | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2008216498A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009031603A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009086038A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN111302297A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-06-19 | 福建晶安光电有限公司 | 图形化镥铝石榴石晶片结构及其制备方法、包括该结构的发光装置封装件和投影仪 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2699706A (en) * | 1949-11-08 | 1955-01-18 | Boone Philip | Ornamental object having birefringent and polarizing layers |
JPH1020197A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及びその調整方法 |
JP2003532281A (ja) * | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | 照明偏光の制御を備えた光学縮小システム |
DE10040998A1 (de) | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
KR20040015251A (ko) * | 2001-05-15 | 2004-02-18 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템 |
US6683710B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-01-27 | Optical Research Associates | Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems |
US6775063B2 (en) * | 2001-07-10 | 2004-08-10 | Nikon Corporation | Optical system and exposure apparatus having the optical system |
DE10133841A1 (de) * | 2001-07-18 | 2003-02-06 | Zeiss Carl | Objektiv mit Kristall-Linsen |
US6844972B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-01-18 | Mcguire, Jr. James P. | Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements |
US7072102B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Methods for reducing polarization aberration in optical systems |
US7239450B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of determining lens materials for a projection exposure apparatus |
KR20070105976A (ko) * | 2005-02-25 | 2007-10-31 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 광학시스템, 특히 마이크로리소그래픽 투사노출장치용대물렌즈 또는 조명장치 |
DE102006013560A1 (de) | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006025044A1 (de) | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildungssystem, insbesondere Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
-
2006
- 2006-08-15 DE DE102006038398A patent/DE102006038398A1/de not_active Ceased
-
2007
- 2007-08-10 DE DE602007010060T patent/DE602007010060D1/de active Active
- 2007-08-10 AT AT07114145T patent/ATE486302T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-08-10 EP EP07114145A patent/EP1890193B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-14 TW TW096129912A patent/TWI425245B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-14 CN CN200710152722.9A patent/CN101126907B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-15 US US11/838,995 patent/US7679831B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-15 JP JP2007211846A patent/JP5317156B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-16 KR KR1020070082272A patent/KR101388297B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080015755A (ko) | 2008-02-20 |
EP1890193B1 (en) | 2010-10-27 |
US7679831B2 (en) | 2010-03-16 |
TWI425245B (zh) | 2014-02-01 |
CN101126907B (zh) | 2013-06-12 |
KR101388297B1 (ko) | 2014-04-22 |
DE102006038398A1 (de) | 2008-02-21 |
DE602007010060D1 (de) | 2010-12-09 |
ATE486302T1 (de) | 2010-11-15 |
JP2008046641A (ja) | 2008-02-28 |
US20080043331A1 (en) | 2008-02-21 |
CN101126907A (zh) | 2008-02-20 |
TW200831943A (en) | 2008-08-01 |
EP1890193A1 (en) | 2008-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8830590B2 (en) | Unit magnification large-format catadioptric lens for microlithography | |
JP5106858B2 (ja) | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ | |
US8031326B2 (en) | Illumination system or projection lens of a microlithographic exposure system | |
JP2008547039A (ja) | 高開口かつ平面的な端面を有する投影対物レンズ | |
JP4333078B2 (ja) | 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法 | |
JP2004535603A (ja) | 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正 | |
JP2013250556A5 (ja) | ||
KR20100109897A (ko) | 편광기 | |
JP2003535356A (ja) | 非球面レンズ表面が隣接して配置されている投影対物レンズ | |
TW200305786A (en) | Projection system, exposure device and espousing method | |
JP5317156B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ | |
JP2009508170A5 (ja) | ||
JP2004205698A (ja) | 投影光学系、露光装置および露光方法 | |
US7710640B2 (en) | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus | |
TWI237307B (en) | Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method | |
US7957069B2 (en) | Projection optical system | |
WO2003088330A1 (fr) | Systeme optique de projection, systeme d'exposition et procede d'exposition | |
JP2009086692A (ja) | マイクロ・リソグラフィー投影露光装置のための光学システム | |
TW559885B (en) | Projection optical system and exposure device having the projection optical system | |
JPWO2003003429A1 (ja) | 投影光学系、露光装置および方法 | |
US20090021830A1 (en) | Projection lens of a microlithographic exposure system | |
JPWO2003001271A1 (ja) | 光学系および該光学系を備えた露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080828 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080911 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100812 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5317156 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |