JP5312316B2 - スイッチ状態検知装置 - Google Patents

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Description

本発明はスイッチの開閉の精密な検知を可能にするスイッチ状態の検知装置に関するものである。
本発明におけるスイッチは電流の通過を阻止するかあるいは自由にすることを可能にする電子装置である。スイッチには機械的に、電磁気的に、またリレーで作動するスイッチなど様々なタイプがある。本発明は、例えば、スイッチの端子電圧、スイッチ抵抗、スイッチを通過する電流、スイッチによる消費電力などの電気の大きさの値で測定できる差分が存在する、あらゆるタイプのスイッチの開状態および/または閉状態間で適用される。前記電気の大きさによりスイッチ状態が特徴付けられる。
通常の状態では、開いたスイッチ1(図1)は閉じられる(図2)とき、端子電圧Uはゼロである(U=0)。また、スイッチが頻繁に利用されないときには、もはや正確に作動しないようになり、図3に示されるように、スイッチ1では閉じた状態でこれらの端子において無視できないほどのRスイッチと呼ばれる抵抗2が示される。その原因は湿気、埃まみれの接触部など複数ある。これも図3に示されるように、スイッチの端子電圧Uはオームの法則によりその抵抗Rスイッチとこれを通過する電流強度Iとの積に等しい(U=Rスイッチ I)。
これはスイッチを通じて伝達される情報の読み取りに基づいた結果から生ずるものである。この接触部の閉鎖に関連する情報は望みどおりの時間では伝達されないか、あるいは全く伝達されないこともある。例として、飛行機の操縦室内の操縦士あるいは副操縦士の操縦桿に埋め込まれて飛行機の横ゆれを元に戻すことを可能にするピックアップ「ピッチトリム」(スイッチ)は、これらが作動不良の場合、操縦桿の操作からもたらされる情報が飛行計算器にもはやうまく届かなくなるかあるいは全く届かなくなると同時に、特に安全問題の誘因となりうる。
本発明の目的はスイッチにより伝達される情報が信頼できると同時に、前記情報を受信するシステムにより利用可能なスイッチの開閉に関する精確な検知方法にある。
提案される解決原則はスイッチ状態を特徴付ける電気の大きさの値が閾値を越えると開いた状態でも閉じた状態として定義することから構成されるとともに、例えば、スイッチの抵抗値において、スイッチは、スイッチの抵抗値がR(例えば、5キロオーム)より低いときに閉じられているものとして、また、スイッチの抵抗値がR(例えば、10キロオーム)より高いとき開いているものとみなされる。
本発明はまたスイッチの抵抗の端子電圧値の利用も可能であり、スイッチはスイッチの端子電圧値がVより低いとき閉じられているものとして、また、スイッチの端子電圧値がVより高いとき開いているものとみなされる。
本発明は、スイッチ状態を特徴付ける電気の大きさの値(Rスイッチ)が下方閾値(R)と呼ばれる閾値より低いときに測定値の信号(V急上昇)、および/または、前記電気の大きさが上方閾値(R)と呼ばれる下方閾値とは異なる閾値より高いとき別の値の信号を出す検知回路が含まれることを特徴とする前記スイッチの給電回路が含まれるスイッチ状態の検知装置を対象とするものである。
本発明による装置の利点の1つは、スイッチの劣化に影響されないスイッチの開閉検知精度にある。たとえスイッチにより閉じた状態の抵抗が示されても、本装置は前記の閉じた状態を電流の通過を通じて検知するものである。
本発明の装置の特別な形態によると、前記電気の大きさはスイッチの抵抗Rスイッチであるとともに、検知回路(4)は、抵抗値が抵抗の下方閾値より低い(R<R)ときにある信号を、および/または、抵抗値が抵抗の上方閾値より高い(R>R)とき異なる値の信号を出す。
片方の信号はスイッチが閉じた状態を、他方の信号はスイッチが開いた状態を示す。
こうして、本発明による装置によりスイッチの開閉状態が明快な方法でかつ精確に示される。
前記の特別な形態によると、検知回路は、出力時に、別々の大きさの2つの値、すなわち、抵抗Rスイッチが抵抗の第1閾値より低い(R<R)ときにスイッチが閉じた状態とみなされる第1の値を、および/または、抵抗値が抵抗の上方閾値より高い(R>R)とき、スイッチが開いた状態とみなされる第2の値を出す。
本発明による装置の特別な形態によると、本装置には前記検知回路の入力時にスイッチの抵抗値に応じて電圧をもたらす適合回路が含まれる。
本発明による検知回路の特別な形態によると、検知回路には第1電圧閾値(Vヒステリシス高)より低い入力電圧について第1出力電圧値(VD=V急上昇)を、ならびに電圧の第2閾値(Vヒステリシス低)より高い入力電圧について第2出力電圧値(VD=0)をもたらすヒステリシス回路が含まれる。本ヒステリシス回路には給電部ならびにスイッチの接触部の清掃を可能にする電流を供給するだけの値の抵抗が含まれる。
本発明による適合回路の特別な形態によると、適合回路にはスイッチ、抵抗ならびに給電部の抵抗値に応じて出力電圧をもたらす抵抗ブリッジが含まれる。
特別な用途によると、本発明は本発明によるスイッチ状態の検知装置が装備された飛行制御システムに関するものである。
特別な用途によると、本発明は本発明によるスイッチ状態の検知装置が装備された航空機に関するものである。
本発明の他の目的、利点および特徴はここに添付される図面を参照して非限定的な例として与えられる本発明に関する以下に続く説明を読めば明らかになろう。
本発明による装置3はスイッチ1の状態、すなわち閉じた状態ならびに開いた状態を検知すると同時に伝達することを目的とする。これを達成するため、本発明による装置3は、例えば、スイッチ1の端子電圧(スイッチが閉じているときU=0、スイッチが開いているときU<>0)、スイッチの抵抗(スイッチが閉じているときRスイッチ=0、スイッチが開いているときRスイッチ<>0)、スイッチを通過する電流(スイッチが開いているときi=0、スイッチが閉じられているときU<>0)といったように、スイッチ1の状態を特徴付ける電気の大きさがベースとされる。
図4に例示されるように、本発明には前記大きさの値が閾値より低いとき開いた(あるいは閉じた)状態を表す測定値の信号、および/または、前記電気的大きさの値が第1の値とは異なる第2閾値より高いとき、閉じた(あるいは開いた)状態を示す異なる値の信号を出す検知回路4が含まれる。このように、本装置は、閉じたスイッチの端子にゼロではない抵抗あるいは電圧が存在していても閾値を介してスイッチの閉じた状態を検知する(U<U閾値またはR<R閾値)。
図4に示される装置3には、給電回路5ならびに適合/フィルター回路6のいずれか、形成回路7ならびに保護回路8により給電されるスイッチ1の検知回路4が含まれる。
適合回路6により、特に、スイッチ状態を特徴付ける大きさに応じて検知回路4に伝達される信号の決定が可能となる。形成回路7では、検知回路4によりもたらされる信号はスイッチ状態に関する情報を受け取る前に本回路により修正されて読み取られる。保護回路8ではスイッチ1の給電回路5が保護される。
図5から図11までに図示される特別な実施形態においては、本発明にはスイッチの抵抗値が閾値Rより低い(Rスイッチ<R)ときに閉じた状態に対応する第1信号の伝達を、スイッチの抵抗値が前記閾値Rとは異なる閾値Rより高い(Rスイッチ>R)ときに開いた状態に対応する第2信号の伝達を可能にする検知回路4が含まれる。状態が一定しないスイッチの抵抗値、R とRとの間には幅がある。本回路はスイッチの抵抗値が閾値Rより高い(Rスイッチ>R)ときに閉じた状態を、また、スイッチの抵抗値が、前記閾値Rとは異なる閾値Rより低い(Rスイッチ<R)ときに開いた状態を表すよう設計できる。以降で詳細に説明されるとともに、後に分かる実施形態では、例えば、図9に示される起動回路が入れ替えられるだけで十分である。
図4に示されるように、スイッチ1は給電回路5により給電される。
スイッチの抵抗値を検知するために、本発明には給電回路5を利用して検知回路4に伝達される大きさ(例えば電圧VA)をスイッチの抵抗Rスイッチに応じて変化させられるようにする適合回路6が含まれる。この適合回路は検知回路4への伝達のためにスイッチ状態を特徴付ける(Rスイッチの図示例において)大きさに適合させる(電圧VAを通した図示例において)。適合回路6は「スイッチの接触部の清掃」のため閉じた状態のスイッチの抵抗Rスイッチに電流を十分に通過させる機能も対象とされる。
適合回路6はオプションとして選択される。実際、本発明の実施形態例では、検知回路4は(採用される大きさが例えば電圧であるとき)スイッチ状態を特徴付ける大きさの直接検知が可能である。
装置3にはオプションとして選択される形成回路7が含まれ、例えば、ピックアップ「ピッチトリム」について前に触れられた例における計算器により課せられる制約への適合のように、検知回路4を通じて伝えられる情報(例えば電圧VD)をその受取りに充てられるシステムに適合させることが可能となる。図示の例では、ピックアップはFPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ-原位置プログラマブルゲート網)を通じて飛行計算器に接続され、本回路7によりFPGAにより読み取られるようVA適合回路6により伝達信号が形成される。実際、FPGAは部品のタイプに応じた急上昇、急下降の前線情報を必要とする。形成回路はFPGAを通じた読み取りのため前線情報を矯正する。
図5に示される本発明の特別な実施例の図解的な形態によると、検知回路4にはヒステリシス比較器9が含まれる。図6には入力電圧VAに応じてヒステリシス比較器によりもたらされる電圧VDが示される。検知回路4には入力時に存在する電圧VAに依存する出力電圧VDがもたらされる。本実施形態では、さらにあとで詳細に説明されるように、適合回路6および給電回路5では、スイッチの抵抗(Rスイッチ)に応じて変化する検知回路4の入力電圧VAがもたらされうる。従って、検知回路4では出力時にスイッチの抵抗Rスイッチに応じて変化する信号VDがもたらされる。構成部品類、また、特に2つの回路に含まれる抵抗および給電部の値は、開閉状態を定めるために必要とされる抵抗が検知されるように選択される。
以降に続く説明により図5から図11に示される形態における各回路の作動状態がさらに詳細に説明される。
図7に示されるように、保護回路8、および適合回路6は図4に例示されるように切り離されはしない。実施形態類によると、図4に示される機能を実行する回路が別に構成可能である。スイッチ1は+15Vの給電回路5により給電される。給電電圧および/または抵抗10(R1)および11(R2)の値は「スイッチの接触部の清掃」のために調整されて十分な電流の供給が行われる。適合回路6では抵抗10(R1)、2(Rスイッチ)、および11(R2)、給電回路5およびVA検知回路4にもたらされる電圧により構成される抵抗ブリッジを通じて、スイッチ1の抵抗Rスイッチの読み取りが可能となる。
既知のようにVAは図7に示されるタイプの抵抗ブリッジに関する次式に等しい。

[数1] VA=+15*R2/(R1+R2+Rスイッチ)
検知回路4にもたらされる電圧VAはこのようにスイッチRスイッチの抵抗2に応じて変化する。
適合回路6にはスイッチの給電部5とスイッチ1の入力部の間にあるダイオード12が含まれる。図示される実施形態では、ダイオード12は抵抗出力部10とスイッチ1の入力部の間に存在する。このダイオードは、スイッチ1が検知回路4に接続されないとき、ダイオード12に偶然に作用する過上昇値となる万一の電圧VA(この場合には、+15Vより高い)に対してスイッチ1の給電部5を保護する。検知回路4の入力時にもたらされる電圧VAは、そのとき、

[数2] VA=(+15-Vd)*R2)/(R1+R2+Rスイッチ)

をその値とするので、スイッチの抵抗2(Rスイッチ)に応じて変化する。
給電部5はダイオード12のアースへの接続に対しても同様に保護されなくてはならなく、この場合には給電部のアースのショートが問題となる。このため、抵抗値は抵抗10により出力が浪費されすぎないように選択される。
抵抗値R1およびR2は、閉じた状態のスイッチ1内を流れるいわば「清掃電流」(例えば、10mA程度の)の最小電流ならびにヒステリシス回路を通る許容電圧に対して高過ぎない電圧VA(例えば、5V程度)を有するよう選択される。
また、スイッチ内を流れる電流Iは、

[数3] I=(+15-Vd)/(R1+R2+Rスイッチ)

である。
従って、抵抗10および11(R1およびR2)は、図示例では、スイッチの抵抗がゼロに近くなるとき1>10maかつU<5Vであるように選択される。電圧VAはヒステリシス比較器を通じて許容電圧を越えないことが実際に必要である。
適合回路6によりフィルター機能がもたらされても良い。図8には図7に示される回路の出力部に接続するフィルターの構成部品が示される。
図8に示される回路の抵抗R2は図7に示される抵抗に相当し、前にも見たように、この抵抗は電圧VAの計算に入れられる。図8に示される回路網R3Cは遮断周波数のフィルターである。

[数4] fc=1/(2πR3C)
特別な実施形態によると、抵抗R3は100kΩに設定される。この区間の出力遮断周波数が50Hzおよび100Hzの間にあるように、容量値Cは22nFと等しくなくてはならない。遮断周波数は場合によってはスイッチからあるいは操作ミスから起こる跳ね返りがフィルターされて低く得られる。
前に見たようにスイッチの抵抗2の値に応じて変化する電圧VAがヒステリシス回路9の入力部に加えられる。これはヒステリシス回路の入力電圧値に応じて出力部の電圧値を表す図6に示される通り、出力電圧VDは入力電圧VAに応じて異なる2つの値を取り、入力電圧VAがVヒステリシス高より低いとき、回路VDの出力電圧はV急上昇に等しいと同時に、入力電圧VAがVヒステリシス低より高いとき、回路の出力電圧はゼロに等しい。従って、ヒステリシス回路によりスイッチの開閉の精確な検知が可能となり、前にも見たように、スイッチは、スイッチの抵抗Rスイッチが閾値R (Vヒステリシス高に関係付けられる)より低い(例えば、5kΩ)とき、閉じているものとみなされる。スイッチの抵抗Rスイッチが閾値R(Vヒステリシス低に関係付けられる)より低いとき、
-適合回路の出力部の電圧VAに等しくかつこのためスイッチの抵抗Rスイッチ(さらにより正確には前に明示された公式に従って1/Rスイッチ)に応じて変化するヒステリシス回路の入力電圧は、電圧閾値Vヒステリシス低よりも高く、
-ヒステリシス回路の出力電圧はこのとき0に等しい。
このように、ヒステリシス回路9の出力電圧が0に等しいとき、スイッチにより、形成回路7(起動回路18)の出力信号が送られるので、すなわち、スイッチが説明された実施形態ではるかに外れているとみられるため高い状態に対応してスイッチは閉じているものとみなされる。
スイッチ抵抗Rスイッチが第2閾値Rより低い状態が続く限り、すなわち、ヒステリシス回路の入力電圧が閾値電圧Vヒステリシス高より高い限り、ヒステリシス回路の出力電圧は0である。スイッチは閉じているとみなされる。
同様に、スイッチ抵抗Rスイッチが閾値Rよりも高い(例えば、10キロオーム)ときスイッチは開いているとみなされる。スイッチ抵抗Rスイッチが閾値Rよりも高いとき、
-適合回路の出力部の電圧VAに等しいと同時にスイッチ抵抗Rスイッチ(さらにより正確には前に明示された公式に従って1/Rスイッチ)に応じて変化するヒステリシス回路の入力電圧は、電圧閾値Vヒステリシス高より低く、
-ヒステリシス回路の出力電圧はこのときV急上昇に等しい。
このように、ヒステリシス回路7の入力電圧がV急上昇に等しいとき、スイッチは形成回路7(起動回路18)の出力信号を送るので、つまりは説明された実施形態ではるかに外れているとみられるため低い状態に対応して閉じられているとみなされる。
スイッチの抵抗Rスイッチが第2閾値Rよりも高止まりを続ける限り、すなわち、ヒステリシス回路の入力電圧が電圧閾値Vヒステリシス低よりも低い限り、ヒステリシス回路の出力電圧はV急上昇に等しくスイッチは開いているとみなされる。
こうして、スイッチ抵抗Rスイッチが閉鎖閾値Rならびに開いた閾値Rの間にあるか、あるいはこれらの閾値と等しいとき、ヒステリシス回路の出力電圧は以前の状態の値を維持する。
作動開始あるいは再初期化あるいは同様の時、抵抗はRとRの間に含まれる値を取る場合、回路は端数切り捨てにより値を出す。スイッチの状態に対応する信号を出す時間を本装置に任せるため待機装置がその下流に設けられる。
こうして下表により回路4の出力電圧VDはスイッチ抵抗値に関する情報をもたらす入力電圧値に関連付けられる。
Figure 0005312316
抵抗RおよびRはスイッチの精確な状態に対応して信号が出されるように選択される。従って、選択されたスイッチに関して、メーカーによってスイッチが閉じているとみなされる手前の閾値Rは4kΩである。選択される値はエラーの余地が確保されるよう例えば5kΩでありえる。逆に、閾値はこれらの値の間にはありえない範囲にあるように選択されよう。R≦Rであることはありえないだろう。従って、各抵抗値はスイッチの唯一の状態を代表している。同様にして、本装置によりスイッチの開閉につき精確でかつ信頼性のある情報が出される。
知られているように、ヒステリシス閾値、Vヒステリシス低 Vヒステリシス高は、図5に表わされるヒステリシス回路9の抵抗部と給電部に依存する従来公式により得られる。

[数5] Vヒステリシス高=5VR5R6/(R4R5+R4R6+R5R6)

[数6] Vヒステリシス低=5VR5R6/(R4R5+R4R6+R5R6)+ 3.3VR4R5/(R4R5+R4R6+R5R6)
抵抗値13(R4)、14(R5)、15(R6)ならびにヒステリシス回路の給電16(ここで+5V)は、従って、R=5kΩのスイッチの抵抗に対応した電圧Vヒステリシス低、ならびにスイッチの抵抗R=10kΩに対応した電圧Vヒステリシス高を有するよう選択される。5kΩおよび10kΩの閾値は試験後に前記抵抗の開閉状態に可能性のある最善の状態を特徴付けるように選択される。従って、これらの値は例示として与えられるとともに、どのような場合においても限定されることは決してない。電圧値Vヒステリシス低およびVヒステリシス高は与公式によりさらに高い値が得られる。

[数7] Vヒステリシス低=((+15-Vd)*R2)/(R1+R2+Rスイッチ)、
但し、Rスイッチ=R=5kΩ

[数8] Vヒステリシス高=((+15-Vd)*R2)/(R1+R2+Rスイッチ)、
但し、Rスイッチ=R=10kΩ
抵抗17R急上昇(図5)は、これが高い状態の(V急上昇に等しい)ときにヒステリシス比較器VDの出力電圧を落とさせないように抵抗15(R6)よりも低くなくてはならない。
本発明を例示するある実施形態によると、形成回路7(図4)にはシュミットの起動回路18が含まれ、公知のタイプの回路18の表示図が図9に与えられる。回路18により、必要な場合には出力電圧VDを受ける入力回路と両立させることができるよう検知回路4の出力電圧VDのレベルが引き上げられる。本説明の中で上記に利用された例では、スイッチはFPGAを通じた飛行計算器に接続される位置にあるピックアップであり、検知回路の出力電圧VDは、データ処理が最適化されるように、また、例示された例では、上昇と下降の前線情報を改善する目的で、前出で見たように起動回路18を利用して引き上げられる。起動出力電圧閾値のレベルは給電部19に依存し、+3.3ボルト前後であって良い。起動回路18の閾値VはV急上昇>Vであるように選択される。
図10には入力電圧値に応じた起動出力電圧値が示される。入力電圧が0に等しいとき、出力電圧はV適合に等しく、スイッチ1は閉じているものとみなされる。入力電圧がV急上昇(V急上昇はVよりも高い)に等しいとき出力電圧は0に等しく、スイッチは開いているものとみなされる。電圧V適合は電圧Vmを受ける回路への伝達時にこれを適合させるため電圧V急上昇との関連で引き上げられる。
図11には装置3の実施形態の1例が示される。装置3には適合回路6、検知回路4ならびに形成回路7が含まれる。
それぞれ開いた状態ならびに閉じた状態にあるスイッチの論理に関する模式表示図である。 それぞれ開いた状態ならびに閉じた状態にあるスイッチの論理に関する模式表示図である。 現実の状況において無視できない抵抗が示される閉じた状態にあるスイッチの模式図である。 本発明による装置が含まれる様々な回路の単純化した模式図である。 図4に示される検知回路の実施例に関するある形態の電子模式図である。 図5に示される検知回路の実施形態の作動状態すなわち前記検知回路の入力電圧値に応じた出力電圧値が示される図式図である。 図4に示される適合回路の実施例に関するある形態の電子模式図である。 図7に示される模式図を補足する適合回路に関する一部の電子模式図である。 図4に示される形成回路に関するある実施形態の電子模式図である。 図9に示される形成回路に関する実施形態に関する作動状態、すなわち、前記形成回路の入力電圧値に応じた出力電圧値が示される図式図である。 本発明による装置のある実施形態例の電子模式図である。
1 スイッチ
2 抵抗
3 装置
4 検知回路
5 給電回路
6 適合/フィルター回路
7 形成回路
8 保護回路
9 比較器
10、11、17 抵抗
12 ダイオード
13、14、15 抵抗値
16 給電
18 起動回路
19 給電部
R 抵抗
V 端子電圧
I 電流強度
U スイッチの端子電圧
Rスイッチ スイッチ状態を特徴付ける電気の大きさの値
R スイッチ状態を特徴付ける電気の大きさの値の下方閾値で、スイッチの抵抗値がこれより低いときに閉じられているものとしてみなされるときの抵抗値
V スイッチの端子電圧値がこれより低いときに閉じられているものとしてみなされるときの端子電圧値
R スイッチ状態を特徴付ける電気の大きさの値の上方閾値で、スイッチの抵抗値がこれより高いときに開いているものとしてみなされるときの抵抗値
V スイッチの端子電圧値がこれより高いときに開いているものとしてみなされるときの端子電圧値
Vヒステリシス高 第1電圧閾値:入力電圧がこれより低いとき第1出力電圧値(VD=V急上昇)が検知回路にもたらされるときの入力電圧閾値
VD 検知出力電圧値
V急上昇 RスイッチがRと呼ばれる閾値より低いときにある測定値信号
Vヒステリシス低 第2電圧閾値:入力電圧がこれより高いとき第2出力電圧値(VD=0)が検知回路にもたらされるときの入力電圧閾値
VA 給電回路を利用して検知回路に伝達される入力電圧値
VD 入力電圧VAに応じてヒステリシス比較器によりもたらされる電圧
VD(t-1) 前回の瞬間におけるVD
FPGA フィールドプログラマブルゲートアレイ-原位置プログラマブルゲート網

Claims (9)

  1. スイッチ(1)ならびに前記スイッチ(1)の給電回路(5)が含まれ、スイッチ状態を特徴付ける電気の大きさの値(Rスイッチ)が下方閾値(R)と呼ばれる閾値より低いときにある測定値信号(V急上昇)、および/または、前記電気の大きさの値が上方閾値(R)と呼ばれる下方閾値とは異なる閾値より高いとき別の値の信号を出す検知回路(4)が含まれるスイッチ状態検知装置であって、
    前記装置は給電回路(5)と、抵抗R1(10)、抵抗R2(11)、スイッチ抵抗(R スイッチ )を有する抵抗ブリッジを含む適合回路(6)とを含み、該適合回路(6)により該検知回路(4)に伝達される電圧はスイッチ抵抗(R スイッチ )に依存し、給電回路(5)により伝達される給電電圧および/または該抵抗ブリッジの抵抗R1(10)とR2(11)の値はスイッチ(1)の接触部の清掃のために調整されて十分な電流の供給が行われることを特徴とするスイッチ状態検知装置。
  2. 前記電気の大きさの値(Rスイッチ)が該下方閾値(R )と該上方閾値(R との間にあるか、あるいはこれらの閾値に等しい時に該回路が前の状態の信号と同じ信号を出すことを特徴とする請求項1に記載のスイッチ状態検知装置。
  3. 前記電気の大きさが該スイッチ(1)の抵抗R スイッチ (2)であると同時に、該検知回路(4)が、該抵抗R スイッチ (2)の値が抵抗下方閾値(R )より低いときにある測定値信号を、および/または、該抵抗R スイッチ (2)の値が抗上方閾値(R より高いときには異なる値の信号を出すことを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
  4. 信号の値の片方は前記スイッチ(1)が閉じた状態を表し、他方の信号の値は前記スイッチ(1)が開いた状態を表すことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の検知装置。
  5. 該検知回路(4)が、出力時に異なる2つの値、すなわち、該抵抗Rスイッチ (2)が第1抵抗閾値(R )より低いときに該スイッチが閉じている状態であるとみなされる第1の値、また、該抵抗Rスイッチ (2)が第2抵抗閾値(R より高いとき該スイッチが開いた状態とみなされる第2の値、のうちの1つの電圧を出すことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の検知装置。
  6. 該検知回路(4)に第1電圧閾値(Vヒステリシス高)より低い入力電圧について第1出力電圧値(V 急上昇)ならびに第2電圧閾値(Vヒステリシス低)より高い入力電圧について第2出力電圧値(0V)をもたらすヒステリシス回路(7)が含まれることを特徴とする請求項3に記載の装置。
  7. 該ヒステリシス回路(7)に1つの給電部ならびにスイッチの接触の清掃を可能にする電流を供給する値の複数抵抗が含まれることを特徴とする請求項6に記載の装置。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置が含まれることを特徴とする飛行制御システム。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置が含まれることを特徴とする航空機。
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