JP5304175B2 - Suspension board manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、例えば、HDD用の磁気ヘッドサスペンションに用いられるサスペンション基板の製造方法に関し、より詳しくは、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a suspension board used in, for example, a magnetic head suspension for an HDD, and more particularly to a method of manufacturing a suspension board having a wide wiring and a small variation in the thickness of an insulating portion.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このHDDに用いられる磁気ヘッドサスペンションは、通常、磁気ヘッドを搭載するサスペンション基板を有する。さらに、このサスペンション基板には、磁気ヘッドと磁気ディスク装置のリード/ライト回線とを接続するために、導電性薄膜からなる配線(リード用配線およびライト用配線)が形成されている。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed. Increasing information transmission speed is required. A magnetic head suspension used in the HDD usually has a suspension board on which the magnetic head is mounted. Furthermore, wiring (read wiring and write wiring) made of a conductive thin film is formed on the suspension board in order to connect the magnetic head and the read / write line of the magnetic disk device.

従来のサスペンション基板では、絶縁部上の同一平面に、複数本(例えば2本)の幅狭配線が形成されることが一般的であった。これに対して、複数本の幅広配線を、同一平面上ではなく、絶縁部を介して積層したサスペンション基板が知られている。例えば、特許文献1においては、絶縁部を介して幅広配線を2層以上積層したジンバルサスペンションを有する磁気ヘッドサスペンションが開示されている。さらに、積層した幅広配線の形成方法として、接着層および幅広配線を有する転写原版を用いた転写法が開示されている(特許文献1の図5、図6等参照)。なお、特許文献2においても、同様に、絶縁部を介して幅広配線を積層したヘッドアセンブリが開示されている。   In a conventional suspension board, a plurality of (for example, two) narrow wirings are generally formed on the same plane on the insulating portion. On the other hand, there is known a suspension board in which a plurality of wide wirings are stacked via an insulating portion rather than on the same plane. For example, Patent Document 1 discloses a magnetic head suspension having a gimbal suspension in which two or more wide wirings are stacked via an insulating portion. Furthermore, as a method for forming the laminated wide wiring, a transfer method using a transfer master having an adhesive layer and a wide wiring is disclosed (see FIGS. 5 and 6 of Patent Document 1). Similarly, Patent Document 2 discloses a head assembly in which wide wirings are stacked via an insulating portion.

特開平10−3632号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-3632 特開平9−22570号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-22570

上述したように、従来から、絶縁部を介して幅広配線を積層した構造(幅広配線積層構造)を有するサスペンション基板は知られている。例えば、高周波伝送を目的した場合、低インピーダンスが求められるライト用配線側で、幅広配線積層構造を形成することが有効である。しかしながら、幅広配線積層構造を有するサスペンション基板は、幅広配線や絶縁部の厚さのばらつきが大きいという問題がある。例えば、上述した特許文献1に記載されているように、転写法を用いて幅広配線の形成を行う場合、転写原版に用いられる導電性基板(幅広配線および接着層を保持する基板)には、版離れの観点から、ステンレスやチタン等の電気抵抗値が高い材料が用いられることが多い。そのため、電界めっき法等により導電性基板上に幅広配線を形成すると、幅広配線の厚さのばらつきが大きくなるという問題がある。また、特許文献1においては、電着法により絶縁部を形成する方法が開示されているが、この場合は、絶縁部の厚さのばらつきが大きくなるという問題がある。   As described above, a suspension board having a structure in which wide wirings are stacked via an insulating portion (wide wiring stacked structure) has been known. For example, for the purpose of high-frequency transmission, it is effective to form a wide wiring laminated structure on the light wiring side where low impedance is required. However, the suspension board having the wide wiring laminated structure has a problem that the thickness of the wide wiring and the insulating portion varies greatly. For example, as described in Patent Document 1 described above, when wide wiring is formed using a transfer method, the conductive substrate (substrate that holds the wide wiring and the adhesive layer) used for the transfer master is: From the viewpoint of plate separation, a material having a high electrical resistance value such as stainless steel or titanium is often used. For this reason, when a wide wiring is formed on a conductive substrate by an electroplating method or the like, there is a problem that a variation in the thickness of the wide wiring becomes large. Further, Patent Document 1 discloses a method of forming an insulating portion by an electrodeposition method, but in this case, there is a problem that the variation in the thickness of the insulating portion becomes large.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板の製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is a main object of the present invention to provide a method for manufacturing a suspension board in which variations in the thickness of the wide wiring and the insulating portion are small.

上記課題を解決するために、本発明においては、第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、上記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、上記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上に、上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション基板の製造方法を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a first insulating portion, a first wide wiring formed on the first insulating portion, and a second insulating portion formed on the first wide wiring, A method of manufacturing a suspension board having a wide wiring laminated structure having a second wide wiring formed on the second insulating part, the laminated board having a metal substrate, a first insulating layer, and a first conductive layer A laminated substrate preparing step for preparing the first conductive layer; a first wide wiring forming step for forming the first wide wiring by etching the first conductive layer; and the first wide wiring for forming the wide wiring laminated structure. A second insulating portion forming step for forming the second insulating portion on the surface of the wiring; and a second wide wiring forming step for forming the second wide wire on the surface of the second insulating portion. A suspension board manufacturing method characterized by Subjected to.

本発明によれば、金属基板、第一絶縁層および第一導電層の各層の膜厚均一性の高い積層基板を出発材料に用いることにより、第一絶縁部および第一幅広配線の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。   According to the present invention, the thickness of the first insulating portion and the first wide wiring can be increased by using, as a starting material, a laminated substrate having a highly uniform film thickness of each of the metal substrate, the first insulating layer, and the first conductive layer. A suspension board with small variations can be obtained.

上記発明においては、上記第一絶縁層に対してエッチングを行い、上記第一絶縁部を形成する第一絶縁部形成工程を、上記第二絶縁部形成工程の後に行うことが好ましい。このような順番にすることにより、第二絶縁部の厚さのばらつきをさらに小さくすることができるからである。   In the said invention, it is preferable to etch the said 1st insulating layer and to perform the 1st insulating part formation process which forms the said 1st insulating part after the said 2nd insulating part formation process. This is because the variation in the thickness of the second insulating portion can be further reduced by such an order.

上記発明においては、上記第二絶縁部形成工程の際に、上記第一幅広配線および上記第一絶縁層の表面上に、ダイコータにより第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成処理と、上記第二絶縁層から上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成処理と、を行うことが好ましい。より厚さのばらつきが小さい第二絶縁部を形成することができるからである。   In the above invention, in the second insulating part forming step, a second insulating layer forming process for forming a second insulating layer with a die coater on the surface of the first wide wiring and the first insulating layer, and It is preferable to perform a second insulating part forming process for forming the second insulating part from the second insulating layer. This is because the second insulating portion having a smaller thickness variation can be formed.

上記発明においては、上記第二幅広配線形成工程の際に、パターンめっきにより、上記第二幅広配線を形成することが好ましい。上述した転写法を用いた場合と比較して、さらに厚さのばらつきが小さい第二幅広配線を形成することができるからである。   In the said invention, it is preferable to form said 2nd wide wiring by pattern plating in the case of said 2nd wide wiring formation process. This is because it is possible to form the second wide wiring with a smaller variation in thickness compared to the case where the transfer method described above is used.

上記発明においては、上記第二幅広配線形成工程の際に、パネルめっきおよびエッチングにより、上記第二幅広配線を形成することが好ましい。上述したパターンめっきを用いた場合と比較して、さらに厚さのばらつきが小さい第二幅広配線を形成することができるからである。   In the said invention, it is preferable to form said 2nd wide wiring by panel plating and an etching in the case of said 2nd wide wiring formation process. This is because it is possible to form the second wide wiring with a smaller variation in thickness compared to the case where the pattern plating described above is used.

上記発明においては、上記第一幅広配線形成工程で上記第一導電層に対してエッチングを行う際に、上記金属基板の治具孔を形成するエッチングを同時に行うことが好ましい。工程が簡略化され、かつ、精度良くサスペンション基板を製造することができるからである。   In the said invention, when etching with respect to said 1st conductive layer at said 1st wide wiring formation process, it is preferable to perform the etching which forms the jig | tool hole of the said metal substrate simultaneously. This is because the process can be simplified and the suspension board can be manufactured with high accuracy.

上記発明においては、上記サスペンション基板は、上記幅広配線積層構造の他に、上記第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された複数の第一幅狭配線とを有する幅狭配線含有構造を有し、上記幅狭配線含有構造の第一幅狭配線を、上記第一幅広配線形成工程の際に、同時に形成することが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。   In the above invention, the suspension board includes a narrow wiring having the first insulating portion and a plurality of first narrow wirings formed on the first insulating portion in addition to the wide wiring laminated structure. Preferably, the first narrow wiring having the structure and the narrow wiring containing structure is formed simultaneously with the first wide wiring forming step. This is because the process can be simplified.

上記発明においては、上記幅広配線積層構造を有する配線がライト用配線であり、上記幅狭配線含有構造を有する配線がリード用配線であることが好ましい。ライト用配線の低インピーダンス化が求められているからである。   In the above invention, the wiring having the wide wiring laminated structure is preferably a write wiring, and the wiring having the narrow wiring containing structure is preferably a reading wiring. This is because the impedance of the write wiring is required to be lowered.

本発明においては、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができるという効果を奏する。   In the present invention, there is an effect that it is possible to obtain a suspension board with a small variation in the thickness of the wide wiring and the insulating portion.

以下、本発明のサスペンション基板の製造方法について、詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the suspension board of the present invention will be described in detail.

本発明のサスペンション基板の製造方法は、第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、上記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、上記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上に、上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、を有することを特徴とするものである。   The suspension board manufacturing method of the present invention includes a first insulating portion, a first wide wiring formed on the first insulating portion, a second insulating portion formed on the first wide wiring, and the first insulating wire. A method for manufacturing a suspension board having a wide wiring laminated structure having a second wide wiring formed on two insulating portions, wherein a laminated board having a metal substrate, a first insulating layer, and a first conductive layer is prepared. A laminated substrate preparing step, a first wide wiring forming step for forming the first wide wiring by etching the first conductive layer, and a surface of the first wide wiring on which the wide wiring laminated structure is formed A second insulating portion forming step for forming the second insulating portion; and a second wide wiring forming step for forming the second wide wire on the surface of the second insulating portion. It is what.

本発明によれば、金属基板、第一絶縁層および第一導電層の各層の膜厚均一性の高い積層基板を出発材料に用いることにより、第一絶縁部および第一幅広配線の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。また、後述するように、例えばダイコータを用いて第二絶縁層を形成し、その第二絶縁層から第二絶縁部を形成することで、第二絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。また、後述するように、パターンめっきにより第二幅広配線を形成したり、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成したりすることで、第二幅広配線の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。各層の厚さのばらつきが小さくなることで、インピーダンス制御等が容易になる。   According to the present invention, the thickness of the first insulating portion and the first wide wiring can be increased by using, as a starting material, a laminated substrate having a highly uniform thickness of each of the metal substrate, the first insulating layer, and the first conductive layer. A suspension board with small variations can be obtained. Further, as will be described later, for example, a second insulating layer is formed using a die coater, and the second insulating portion is formed from the second insulating layer, whereby a suspension substrate having a small variation in thickness of the second insulating portion is obtained. Can be obtained. Further, as described later, by forming the second wide wiring by pattern plating, or by forming the second wide wiring by panel plating and etching, a suspension board with a small variation in the thickness of the second wide wiring is obtained. Can be obtained. Impedance control and the like are facilitated by reducing the variation in the thickness of each layer.

図1は、本発明により得られるサスペンション基板の一例を示す概略平面図である。図1に示されるサスペンション基板100は、磁気ヘッドを搭載するジンバル部21と、中継基板の接続端子22と、磁気ヘッド(図示せず)および接続端子22を接続する配線30とを有するものである。なお、便宜上、配線30を覆うカバー層等の記載は省略している。さらに、配線30は、ライト用配線30xおよびリード用配線30yを有しており、ライト用配線30x側で、複数本の幅広配線が絶縁部を介して積層した幅広配線積層構造が形成されている。これにより、高周波伝送に適したサスペンション基板とすることができる。次に、「幅広配線積層構造」について、図2を用いて説明する。   FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a suspension board obtained by the present invention. A suspension board 100 shown in FIG. 1 includes a gimbal portion 21 on which a magnetic head is mounted, a connection terminal 22 of a relay board, and a wiring 30 that connects the magnetic head (not shown) and the connection terminal 22. . For convenience, description of a cover layer covering the wiring 30 is omitted. Further, the wiring 30 includes a write wiring 30x and a read wiring 30y, and a wide wiring laminated structure in which a plurality of wide wirings are stacked via an insulating portion is formed on the writing wiring 30x side. . Thereby, it can be set as a suspension board suitable for high frequency transmission. Next, the “wide wiring laminated structure” will be described with reference to FIG.

図2は、図1のX−X断面図である。図2に示されるように、サスペンション基板100は、金属基板10、第一絶縁層20および配線30がこの順に積層した基本構造を有するものである。ライト用配線30x側では、(幅広配線用)第一絶縁部2aと、その上に形成された第一幅広配線4aと、第一幅広配線4a上に形成された第二絶縁部5aと、第二絶縁部5a上に形成された第二幅広配線7aとを有する幅広配線積層構造Aが形成されている。一方、リード用配線30y側では、(幅狭配線用)第一絶縁部2bと、その上に形成され、複数(2本)の第一幅狭配線4bとを有する幅狭配線含有構造Bが形成されている。本発明においては、少なくともライト用配線30x側で幅広配線積層構造が形成されていることが好ましい。高周波伝送に適したサスペンション基板とすることができるからである。なお、図示しないが、ライト用配線30x側およびリード用配線30y側の両側で、幅広配線積層構造が形成されていても良い。   FIG. 2 is a sectional view taken along line XX in FIG. As shown in FIG. 2, the suspension board 100 has a basic structure in which a metal substrate 10, a first insulating layer 20, and a wiring 30 are laminated in this order. On the write wiring 30x side, the first insulating portion 2a (for wide wiring), the first wide wiring 4a formed thereon, the second insulating portion 5a formed on the first wide wiring 4a, A wide wiring laminated structure A having a second wide wiring 7a formed on the two insulating portions 5a is formed. On the other hand, on the lead wiring 30y side, a narrow wiring containing structure B having a first insulating portion 2b (for narrow wiring) and a plurality of (two) first narrow wirings 4b is formed. Is formed. In the present invention, it is preferable that a wide wiring laminated structure is formed at least on the write wiring 30x side. This is because a suspension board suitable for high-frequency transmission can be obtained. Although not shown, a wide wiring laminated structure may be formed on both sides of the write wiring 30x side and the read wiring 30y side.

図3および図4は、本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図3および図4は、本発明のサスペンション基板の断面の一部を概念的に示したものであり、実際の寸法とは異なる場合がある。まず、SUSからなる金属基板1、ポリイミドからなる第一絶縁層2、並びに、Cuからなる第一シード層3および第一導電層4がこの順に積層された積層基板11を準備する(図3(a))。次に、所定のレジストパターンを介して、第一導電層4および第一シード層3のウェットエッチング(例えば塩化第2鉄水溶液を用いたウェットエッチング)を行い、幅広配線積層構造が形成される領域に第一幅広配線4aおよび第一シード部3aを形成し、幅狭配線含有構造が形成される領域に第一幅狭配線4bおよび第一シード部3bを形成する(図3(b))。なお、同時に、電源用配線32を形成することができる。また、同時に、金属基板1のウェットエッチングを行い、金属基板の治具孔12を形成することが好ましい(図3(c))。   3 and 4 are schematic cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a suspension board according to the present invention. 3 and 4 conceptually show part of the cross section of the suspension board of the present invention, and may differ from actual dimensions. First, a laminated substrate 11 is prepared in which a metal substrate 1 made of SUS, a first insulating layer 2 made of polyimide, and a first seed layer 3 and a first conductive layer 4 made of Cu are laminated in this order (FIG. 3 ( a)). Next, the first conductive layer 4 and the first seed layer 3 are wet-etched (for example, wet etching using a ferric chloride aqueous solution) through a predetermined resist pattern to form a wide wiring laminated structure. The first wide wiring 4a and the first seed portion 3a are formed, and the first narrow wiring 4b and the first seed portion 3b are formed in the region where the narrow wiring containing structure is formed (FIG. 3B). At the same time, the power supply wiring 32 can be formed. At the same time, it is preferable to perform wet etching of the metal substrate 1 to form the jig hole 12 of the metal substrate (FIG. 3C).

次に、ダイコータ等により、第一幅広配線4aを覆うように第二絶縁層5を形成し(図3(d))、第二絶縁層5にウェットエッチング(例えばアルカリ溶液を用いたウェットエッチング)等を行い、第一幅広配線4aの表面上に(幅広配線用)第二絶縁部5aを形成する(図3(e))。次に、得られた基板の露出表面に、スパッタリング法によりCuからなる第二シード層6を形成する(図3(f))。次に、電解めっき法等により、幅広配線積層構造が形成される第二シード層6の表面上に、第二幅広配線7aを形成する(図3(g))。   Next, a second insulating layer 5 is formed by a die coater or the like so as to cover the first wide wiring 4a (FIG. 3D), and wet etching (for example, wet etching using an alkaline solution) is performed on the second insulating layer 5. The second insulating portion 5a (for wide wiring) is formed on the surface of the first wide wiring 4a (FIG. 3E). Next, a second seed layer 6 made of Cu is formed on the exposed surface of the obtained substrate by sputtering (FIG. 3F). Next, the second wide wiring 7a is formed on the surface of the second seed layer 6 on which the wide wiring laminated structure is formed by electrolytic plating or the like (FIG. 3G).

続いて、フラッシュエッチング等により、第二幅広配線7aが形成されていない部分の第二シード層6を除去し、第二シード部6aを形成する(図4(a))。次に、所望の配線部分を覆うように、カバー層8a、8bを形成する(図4(b))。次に、アルカリ溶液を用いたウェットエッチング等により、第一絶縁層2のエッチングを行う(図4(c))。次に、露出する配線部分に、Ni/Auめっきからなる配線めっき部9aを形成し(図4(d))、Niめっきにより、グランド端子13を形成する(図4(e))。最後に、金属基板1のエッチングを行い、幅広配線積層構造Aおよび幅狭配線含有構造Bを有するサスペンション基板100を得る(図4(f))。得られたサスペンション基板100は、幅広配線積層構造のライト用配線30x、幅狭配線含有構造のリード用配線30y、グランド端子部31および電源用配線32を有するものである。
以下、本発明のサスペンション基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
Subsequently, the second seed layer 6 where the second wide wiring 7a is not formed is removed by flash etching or the like to form the second seed portion 6a (FIG. 4A). Next, cover layers 8a and 8b are formed so as to cover a desired wiring portion (FIG. 4B). Next, the first insulating layer 2 is etched by wet etching using an alkaline solution (FIG. 4C). Next, a wiring plating portion 9a made of Ni / Au plating is formed on the exposed wiring portion (FIG. 4D), and the ground terminal 13 is formed by Ni plating (FIG. 4E). Finally, the metal substrate 1 is etched to obtain the suspension board 100 having the wide wiring laminated structure A and the narrow wiring containing structure B (FIG. 4F). The obtained suspension board 100 includes a write wiring 30x having a wide wiring laminated structure, a read wiring 30y having a narrow wiring containing structure, a ground terminal portion 31, and a power supply wiring 32.
Hereinafter, the method for manufacturing a suspension board of the present invention will be described step by step.

1.積層基板準備工程
本発明における積層基板準備工程について説明する。本発明における積層基板準備工程は、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する工程である(図3(a)参照)。このような積層基板は、一般的に三層材と呼ばれるものである。また、本発明における積層基板は、第一絶縁層と第一導電層の間に第一シード層が形成されていても良い。
1. Laminated substrate preparation process The laminated substrate preparation process in this invention is demonstrated. The laminated substrate preparation step in the present invention is a step of preparing a laminated substrate having a metal substrate, a first insulating layer, and a first conductive layer (see FIG. 3A). Such a laminated substrate is generally called a three-layer material. In the multilayer substrate of the present invention, a first seed layer may be formed between the first insulating layer and the first conductive layer.

積層基板に用いられる金属基板は、所定のばね性および導電性を有するものである。金属基板の材料としては、例えばSUS等を挙げることができる。また、金属基板の厚さとしては、金属基板の材料等により異なるものであるが、例えば10μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。   The metal substrate used for the laminated substrate has a predetermined spring property and conductivity. Examples of the material for the metal substrate include SUS. The thickness of the metal substrate varies depending on the material of the metal substrate and the like, but is preferably in the range of 10 μm to 30 μm, for example.

積層基板に用いられる第一絶縁層は、所定の絶縁性を有し、金属基板および第一導電層の間に形成されるものである。第一絶縁層の材料としては、例えばポリイミド(PI)等を挙げることができる。絶縁層の厚さとしては、例えば5μm〜20μmの範囲内、中でも7μm〜15μmの範囲内であることが好ましい。   The first insulating layer used for the laminated substrate has a predetermined insulating property and is formed between the metal substrate and the first conductive layer. Examples of the material for the first insulating layer include polyimide (PI). The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 20 μm, and more preferably in the range of 7 μm to 15 μm.

積層基板に用いられる第一導電層は、所定の導電性を有し、後述する第一幅広配線になる層である。第一導電層の材料としては、例えば銅(Cu)等を挙げることができる。第一導電層の厚さとしては、例えば3μm〜12μmの範囲内、中でも4μm〜9μmの範囲内であることが好ましい。また、第一導電層の材料が銅である場合、第一導電層と第一絶縁層との間に、スパッタリング法等により形成されたCu薄膜からなる第一シード層があっても良い。   The first conductive layer used for the multilayer substrate is a layer having predetermined conductivity and forming a first wide wiring described later. Examples of the material of the first conductive layer include copper (Cu). The thickness of the first conductive layer is, for example, preferably in the range of 3 μm to 12 μm, and more preferably in the range of 4 μm to 9 μm. Moreover, when the material of the first conductive layer is copper, there may be a first seed layer made of a Cu thin film formed by sputtering or the like between the first conductive layer and the first insulating layer.

本発明における積層基板は、金属基板、第一絶縁層および第一導電層の厚さがそれぞれ均一であることが好ましく、中でも第一絶縁層および第一導電層の厚さがそれぞれ均一であることがより好ましい。後述する第一絶縁部および第一幅広配線のばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができるからである。第一導電層の厚さの公差は、±1.5μmの範囲内であることが好ましく、±0.75μmの範囲内であることがより好ましい。第一絶縁層の厚さの公差は、±2.5μmの範囲内であることが好ましく、±1.5μmの範囲内であることがより好ましい。なお、各層の厚さの公差は、触針段差計や焦点深度計により測定することができる。   In the laminated substrate of the present invention, the metal substrate, the first insulating layer, and the first conductive layer are preferably uniform in thickness, and the first insulating layer and the first conductive layer are particularly uniform in thickness. Is more preferable. This is because it is possible to obtain a suspension board with small variations in the first insulating portion and the first wide wiring described later. The thickness tolerance of the first conductive layer is preferably within a range of ± 1.5 μm, and more preferably within a range of ± 0.75 μm. The thickness tolerance of the first insulating layer is preferably within a range of ± 2.5 μm, and more preferably within a range of ± 1.5 μm. In addition, the tolerance of the thickness of each layer can be measured by a stylus step meter or a focal depth meter.

本発明に用いられる積層基板は、上述した金属基板、第一絶縁層および第一導電層等を有するものであれば特に限定されるものではなく、市販の積層基板をそのまま用いることができる。   The laminated substrate used in the present invention is not particularly limited as long as it has the above-described metal substrate, first insulating layer, first conductive layer, and the like, and a commercially available laminated substrate can be used as it is.

2.第一幅広配線形成工程
次に、本発明における第一幅広配線形成工程について説明する。本発明における第一幅広配線形成工程は、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する工程である(図3(b)参照)。
2. First Wide Wiring Formation Step Next, the first wide wiring formation step in the present invention will be described. The first wide wiring forming step in the present invention is a step of etching the first conductive layer to form the first wide wiring (see FIG. 3B).

第一幅広配線を形成する方法としては、所望の第一幅広配線を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、第一導電層の表面上に感光性のレジスト層を形成し、次に、レジスト層に対して露光現像を行い所望のレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンから露出した第一導電層をウェットエッチングし、最後にレジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液としては、用いられる第一導電層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。第一導電層の材料が銅である場合、エッチング液として、例えば塩化第2鉄水溶液および塩化銅水溶液等を挙げることができる。   The method for forming the first wide wiring is not particularly limited as long as the desired first wide wiring can be formed. For example, a photosensitive resist layer is formed on the surface of the first conductive layer. Next, the resist layer is exposed and developed to form a desired resist pattern, then the first conductive layer exposed from the resist pattern is wet etched, and finally the resist pattern is removed. be able to. The etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the material of the first conductive layer used. When the material of the first conductive layer is copper, examples of the etchant include ferric chloride aqueous solution and copper chloride aqueous solution.

幅広配線積層構造における第一幅広配線の幅は、例えば50μm〜300μmの範囲内であることが好ましい。特に、インピーダンスを10Ω〜20Ωの範囲内で設計する場合、第一幅広配線の幅は、100μm〜250μmの範囲内であることが好ましい。一方、本発明においては、第一幅広配線を形成する際に、上述した図2に示すような第一幅狭配線4bを同時に形成することが好ましい。さらに、この場合、幅広配線積層構造を有する配線がライト用配線であり、幅狭配線含有構造を有する配線がリード用配線であることが好ましい。また、第一幅狭配線の幅は、例えば15μm〜80μmの範囲内、中でも20μm〜40μmの範囲内であることが好ましい。なお、第一幅広配線および第一幅狭配線の厚さは、通常、積層基板における第一導電層の厚さとほぼ一致する。   The width of the first wide wiring in the wide wiring laminated structure is preferably in the range of 50 μm to 300 μm, for example. In particular, when designing the impedance within the range of 10Ω to 20Ω, the width of the first wide wiring is preferably within the range of 100 μm to 250 μm. On the other hand, in the present invention, when forming the first wide wiring, it is preferable to simultaneously form the first narrow wiring 4b as shown in FIG. Further, in this case, it is preferable that the wiring having the wide wiring laminated structure is a write wiring, and the wiring having the narrow wiring containing structure is a read wiring. Further, the width of the first narrow wiring is preferably, for example, in the range of 15 μm to 80 μm, and more preferably in the range of 20 μm to 40 μm. Note that the thicknesses of the first wide wiring and the first narrow wiring generally match the thickness of the first conductive layer in the laminated substrate.

また、本発明においては、第一幅広配線形成工程の際に、同時に金属基板のエッチングを行っても良い(図3(c)参照)。これにより、金属基板の外形加工や治具孔の形成を行うことができる。中でも、本発明においては、第一導電層に対してエッチングを行う際に、金属基板の治具孔を形成するエッチングを同時に行うことが好ましい。金属基板をエッチングする方法としては、例えば、金属基板の表面上に感光性のレジスト層を形成し、次に、レジスト層に対して露光現像を行い所望のレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンから露出した金属基板をウェットエッチングし、最後にレジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。   In the present invention, the metal substrate may be etched simultaneously with the first wide wiring forming step (see FIG. 3C). Thereby, the external shape processing of a metal substrate and the formation of a jig hole can be performed. Especially, in this invention, when etching with respect to a 1st conductive layer, it is preferable to perform simultaneously the etching which forms the jig | tool hole of a metal substrate. As a method for etching a metal substrate, for example, a photosensitive resist layer is formed on the surface of the metal substrate, and then the resist layer is exposed and developed to form a desired resist pattern. Examples include a method of wet etching the metal substrate exposed from the pattern and finally removing the resist pattern.

3.第二絶縁部形成工程
次に、本発明における第二絶縁部形成工程について説明する。本発明における第二絶縁部形成工程は、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上(配線の上面及び側面)に、上記第二絶縁部を形成する工程である(図3(d)、図3(e)参照)。
3. Second Insulating Part Forming Step Next, the second insulating part forming step in the present invention will be described. The second insulating portion forming step in the present invention is a step of forming the second insulating portion on the surface (the upper surface and the side surface of the wiring) of the first wide wiring where the wide wiring laminated structure is formed (FIG. 3 (d), see FIG. 3 (e)).

第二絶縁部を形成する方法としては、幅広配線積層構造が形成される第一幅広配線の表面上に第二絶縁部を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。中でも、本発明においては、第一幅広配線および第一絶縁層の表面上に、第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成処理と、第二絶縁層から第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成処理とを行うことにより、第二絶縁部を形成することが好ましい。より厚さのばらつきが小さい第二絶縁部を形成することができるからである。   The method for forming the second insulating portion is not particularly limited as long as the second insulating portion can be formed on the surface of the first wide wiring on which the wide wiring laminated structure is formed. Among these, in the present invention, the second insulating layer forming process for forming the second insulating layer on the surfaces of the first wide wiring and the first insulating layer, and the second insulating layer forming the second insulating portion from the second insulating layer. It is preferable to form the second insulating portion by performing the insulating portion forming treatment. This is because the second insulating portion having a smaller thickness variation can be formed.

第二絶縁層形成処理において、第二絶縁層を形成する方法は、特に限定されるものではないが、中でも、ダイコータを用いる方法が好ましい。すなわち、ダイコータを用いて第二絶縁層の形成材料を塗工し、乾燥することにより、第二絶縁層を形成することが好ましい。より厚さのばらつきが小さい第二絶縁層を形成することができるからである。   In the second insulating layer forming process, the method for forming the second insulating layer is not particularly limited, but among them, the method using a die coater is preferable. That is, it is preferable to form the second insulating layer by applying a material for forming the second insulating layer using a die coater and drying. This is because a second insulating layer having a smaller thickness variation can be formed.

第二絶縁部形成処理において、第二絶縁層を処理し第二絶縁部を形成する方法は、第二絶縁層の形成材料の性質に応じて適宜選択することが好ましい。感光性材料を用いて第二絶縁層を形成した場合は、例えば、第二絶縁層に対してパターン状の露光を直接行い、現像することで、第二絶縁部を形成することができる。一方、非感光性材料を用いて第二絶縁層を形成した場合は、例えば、第二絶縁層の表面上に感光性のレジスト層を形成し、次に、レジスト層に対して露光現像を行い所望のレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンから露出した第二絶縁層をエッチングし、最後にレジストパターンを除去することで、第二絶縁部を形成することができる。第二絶縁層をエッチングする方法としては、例えば、アルカリ溶液を用いたウェットエッチング、およびプラズマエッチング等のドライエッチング等を挙げることができる。   In the second insulating part forming process, it is preferable to appropriately select a method for forming the second insulating part by treating the second insulating layer according to the property of the material for forming the second insulating layer. In the case where the second insulating layer is formed using the photosensitive material, for example, the second insulating portion can be formed by directly performing pattern exposure on the second insulating layer and developing the pattern. On the other hand, when the second insulating layer is formed using a non-photosensitive material, for example, a photosensitive resist layer is formed on the surface of the second insulating layer, and then the resist layer is exposed and developed. The second insulating portion can be formed by forming a desired resist pattern, then etching the second insulating layer exposed from the resist pattern, and finally removing the resist pattern. Examples of the method for etching the second insulating layer include wet etching using an alkaline solution, dry etching such as plasma etching, and the like.

第二絶縁部の材料としては、所定の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド(PI)等を挙げることができる。また、上述したように、第二絶縁部の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料あっても良い。さらに、上記感光性材料は、ポジ型であっても良く、ネガ型であっても良い。第一幅広配線上に形成される第二絶縁部の厚さの公差は、±1.5μmの範囲内であることが好ましく、±1.0μmの範囲内であることがより好ましい。また、第二絶縁部の厚さは、回路全体のインピーダンスに直接的な影響があるため、可能な限り厚さは均一であることが好ましい。また、第二絶縁部の厚さが薄すぎると、第一幅広配線と第二幅広配線との間で所望の絶縁性を発揮することが困難になる可能性があり、逆に第二絶縁部の厚さが厚すぎると、サスペンション基板の軽量化が困難になることやサスペンションの剛性が大きくなりすぎるといった不具合が発生する可能性がある。また、第二絶縁部は、少なくとも第一幅広配線および第二幅広配線の間に形成されていれば良いが、上述した図3(e)に示すように、第一幅広配線を覆うように形成されていることが好ましい。   The material of the second insulating part is not particularly limited as long as it has a predetermined insulating property, and examples thereof include polyimide (PI). In addition, as described above, the material of the second insulating portion may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. Further, the photosensitive material may be a positive type or a negative type. The tolerance of the thickness of the second insulating portion formed on the first wide wiring is preferably within a range of ± 1.5 μm, and more preferably within a range of ± 1.0 μm. Further, since the thickness of the second insulating portion directly affects the impedance of the entire circuit, it is preferable that the thickness is as uniform as possible. In addition, if the thickness of the second insulating portion is too thin, it may be difficult to exhibit desired insulation between the first wide wiring and the second wide wiring. If the thickness of the suspension board is too thick, it may be difficult to reduce the weight of the suspension board or the suspension may be too rigid. Further, the second insulating portion only needs to be formed at least between the first wide wiring and the second wide wiring, but is formed so as to cover the first wide wiring as shown in FIG. It is preferable that

4.第二幅広配線形成工程
次に、本発明における第二幅広配線形成工程について説明する。上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する工程である(図3(f)、図3(g)、図4(a)参照)。
4). Second Wide Wiring Forming Step Next, the second wide wiring forming step in the present invention will be described. This is a step of forming the second wide wiring on the surface of the second insulating portion (see FIGS. 3F, 3G, and 4A).

第二幅広配線を形成する方法としては、所望の第一幅広配線を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、電解めっき法を挙げることができる。電解めっき法により第二幅広配線を形成する場合、通常、第二絶縁部等の表面に、シード層(例えば図3(f)における第二シード層6)を形成する。シード層を形成する方法としては、例えばスパッタリング法およびCVD法等を挙げることができる。   The method for forming the second wide wiring is not particularly limited as long as it is a method capable of forming a desired first wide wiring. For example, an electrolytic plating method can be used. When forming the second wide wiring by the electrolytic plating method, a seed layer (for example, the second seed layer 6 in FIG. 3F) is usually formed on the surface of the second insulating portion or the like. Examples of the method for forming the seed layer include a sputtering method and a CVD method.

また、本発明においては、パターンめっきにより第二幅広配線を形成しても良く、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成しても良い。パターンめっきにより第二幅広配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法により、目的とする第二幅広配線の配線パターンとは反転したレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した部分に、めっき法により第二幅広配線を形成する方法等を挙げることができる。一方、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成する方法としては、例えば、第二幅広配線を形成する領域を含む所定の領域に全面めっきを行い、次に、フォトリソグラフィー法により、目的とする配線パターンと同じレジストパターンを有するを形成し、次に、レジストパターンから露出しためっき部分をエッチングし、最後にレジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。さらに厚さのばらつきが小さい第二幅広配線を得ることができるという観点からは、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成することが好ましい。   In the present invention, the second wide wiring may be formed by pattern plating, or the second wide wiring may be formed by panel plating and etching. As a method of forming the second wide wiring by pattern plating, for example, a resist pattern reverse to the wiring pattern of the target second wide wiring is formed by photolithography, and plating is performed on a portion exposed from the resist pattern. Examples thereof include a method of forming the second wide wiring by the method. On the other hand, as a method of forming the second wide wiring by panel plating and etching, for example, a predetermined region including the region where the second wide wiring is formed is plated on the entire surface, and then the target is obtained by a photolithography method. A method of forming a wiring pattern having the same resist pattern, etching a plated portion exposed from the resist pattern, and finally removing the resist pattern can be exemplified. Further, from the viewpoint that a second wide wiring having a small thickness variation can be obtained, it is preferable to form the second wide wiring by panel plating and etching.

なお、本発明においては、無電解めっき法やスパッタリング法等を用いて第二幅広配線を形成しても良い。   In the present invention, the second wide wiring may be formed using an electroless plating method or a sputtering method.

第二幅広配線の材料としては、例えば銅(Cu)等を挙げることができる。第二幅広配線の幅については、上述した第一幅広配線の幅と同様である。本発明において、第一幅広配線および第二幅広配線の幅は、互いに同じであっても良く、異なっていていも良い。また、第二幅広配線の厚さの公差は、例えば±1.5μmの範囲内であることが好ましく、±0.75μmの範囲内であることがより好ましい。   Examples of the material for the second wide wiring include copper (Cu). The width of the second wide wiring is the same as the width of the first wide wiring described above. In the present invention, the widths of the first wide wiring and the second wide wiring may be the same or different from each other. The thickness tolerance of the second wide wiring is preferably in the range of ± 1.5 μm, for example, and more preferably in the range of ± 0.75 μm.

5.カバー層形成工程
本発明においては、少なくとも上記第二幅広配線を覆うカバー層を形成するカバー層形成工程を行っても良い(図4(b)参照)。この際、図4(b)に示すように、第二幅広配線以外の領域(例えば、図4(f)におけるグランド端子部31が形成される領域、リード用配線30yが形成される領域等)にも、同時にカバー層を形成することが好ましい。
5. Cover Layer Forming Step In the present invention, a cover layer forming step of forming a cover layer that covers at least the second wide wiring may be performed (see FIG. 4B). At this time, as shown in FIG. 4B, a region other than the second wide wiring (for example, a region in which the ground terminal portion 31 in FIG. 4F is formed, a region in which the lead wiring 30y is formed, etc.). In addition, it is preferable to form the cover layer at the same time.

カバー層を形成する方法は、一般的なカバー層を形成する方法と同様であり、例えばフォトリソグラフィー法を用いることができる。カバー層の材料としては、例えばポリイミド(PI)等を挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料あっても良い。さらに、上記感光性材料は、ポジ型であっても良く、ネガ型であっても良い。また、カバー層の厚さは、配線を保護できる程度の厚さであれば特に限定されるものではない。   The method for forming the cover layer is the same as the method for forming a general cover layer, and for example, a photolithography method can be used. Examples of the material for the cover layer include polyimide (PI). The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. Further, the photosensitive material may be a positive type or a negative type. Further, the thickness of the cover layer is not particularly limited as long as the thickness can protect the wiring.

6.第一絶縁部形成工程
本発明においては、通常、上記第一絶縁層に対してエッチングを行い、上記第一絶縁部を形成する第一絶縁部形成工程を行う(図4(c)参照)。中でも、本発明においては、第一絶縁部形成工程を、第二絶縁部形成工程の後に行うことが好ましい。このような順番にすることにより、第二絶縁部の厚さのばらつきをさらに小さくすることができるからである。第一絶縁層をエッチングした後に、第二絶縁層の形成材料を塗工すると、第一絶縁層の凹凸部分に、第二絶縁層の形成材料が流れ込み、均一な厚さの第二絶縁層が形成されない可能性がある。これに対して、平坦な第一絶縁層上に第二絶縁部を形成した後に、第一絶縁層のエッチングを行うと、第二絶縁層の形成材料の流れ込みが生じず、厚さのばらつきが小さい第二絶縁部を形成することができるのである。また、同様の理由により、上述したカバー層形成工程を行う場合は、カバー層形成工程の後に、第一絶縁部形成工程を行うことが好ましい。なお、第一絶縁部を形成する方法については、上述した「3.第二絶縁部形成工程」に記載した内容と同様である。また、第一絶縁層のエッチングは、プラズマエッチングであっても良い。
6). First Insulating Portion Forming Step In the present invention, a first insulating portion forming step for forming the first insulating portion is usually performed by etching the first insulating layer (see FIG. 4C). Especially, in this invention, it is preferable to perform a 1st insulating part formation process after a 2nd insulating part formation process. This is because the variation in the thickness of the second insulating portion can be further reduced by such an order. After the first insulating layer is etched, when the second insulating layer forming material is applied, the second insulating layer forming material flows into the uneven portions of the first insulating layer, and the second insulating layer having a uniform thickness is formed. It may not be formed. On the other hand, if the first insulating layer is etched after forming the second insulating portion on the flat first insulating layer, the flow of the material for forming the second insulating layer does not occur, and the thickness varies. A small second insulating portion can be formed. For the same reason, when the cover layer forming step described above is performed, it is preferable to perform the first insulating portion forming step after the cover layer forming step. In addition, about the method of forming a 1st insulation part, it is the same as that of the content described in "3. 2nd insulation part formation process" mentioned above. Further, the etching of the first insulating layer may be plasma etching.

7.その他の工程
本発明においては、上記の工程の他に、露出する配線部分に、Ni/AuめっきあるいはAuめっき等の配線めっき部を形成する配線めっき部形成工程を行っても良い(図4(d)参照)。また、Niめっき等を用いてグランド端子を形成するグランド端子形成工程を行っても良い(図4(e)参照)。また、所望のタイミングで、金属基板のエッチングを行う金属基板エッチング工程を行っても良い(図4(f)参照)。なお、第一絶縁部は、金属基板上に形成されていても良く、第一絶縁部の直下にある金属基板は抜かれていても良い。また、これらの工程については、一般的なサスペンション基板の製造における工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
7). Other Steps In the present invention, in addition to the above steps, a wiring plating portion forming step for forming a wiring plating portion such as Ni / Au plating or Au plating on the exposed wiring portion may be performed (FIG. 4 ( d)). Moreover, you may perform the ground terminal formation process which forms a ground terminal using Ni plating etc. (refer FIG.4 (e)). In addition, a metal substrate etching step for etching the metal substrate may be performed at a desired timing (see FIG. 4F). Note that the first insulating portion may be formed on a metal substrate, and the metal substrate immediately below the first insulating portion may be removed. In addition, these steps are the same as the steps in manufacturing a general suspension board, and thus description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例]
本実施例においては、図4(f)に示すような幅広配線積層構造および幅狭配線含有構造を有するサスペンション用基板を作製した。まず、金属基板/第一絶縁層/シード層/第一導電層からなる積層基板を用意した。ここでは、金属基板としてのステンレス、第一絶縁層としてのポリイミド、シード層および第一導電層としてのCuからなる積層基板を用意した。次に、この積層基板に対してメタルエッチング用レジストを製版した。具体的には、積層基板の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した。ここで、第一導電層の表面には配線部分に対応するレジストパターンを形成し、金属基板の表面には、治具孔およびフライングリード部に対応するレジストパターンを形成した。次に、エッチング液として塩化第2鉄水溶液を用い、レジストパターンを介して、金属基板および第一導電層をエッチングし、レジストパターンを剥離した。これにより、第一導電層から第一幅広配線および第一幅狭配線を形成し、金属基板に治具孔等を形成した。
[Example]
In this example, a suspension substrate having a wide wiring laminated structure and a narrow wiring containing structure as shown in FIG. First, a laminated substrate composed of a metal substrate / first insulating layer / seed layer / first conductive layer was prepared. Here, a laminated substrate made of stainless steel as the metal substrate, polyimide as the first insulating layer, seed layer, and Cu as the first conductive layer was prepared. Next, a resist for metal etching was made on the laminated substrate. Specifically, a resist layer for metal etching was provided on both surfaces of the multilayer substrate, and a resist pattern was formed by a photolithography method. Here, a resist pattern corresponding to the wiring portion was formed on the surface of the first conductive layer, and a resist pattern corresponding to the jig hole and the flying lead portion was formed on the surface of the metal substrate. Next, using a ferric chloride aqueous solution as an etchant, the metal substrate and the first conductive layer were etched through the resist pattern, and the resist pattern was peeled off. Thus, the first wide wiring and the first narrow wiring were formed from the first conductive layer, and jig holes and the like were formed in the metal substrate.

次に、液状ポリイミドを用いて第二絶縁部を形成した。具体的には、非感光性ポリイミド系の液状カバー材をダイコータにてコーティングし、乾燥後にレジスト製版し、露光後、現像と同時に液状カバー材をエッチングし、その後、硬化させることにより、(幅広配線用)第二絶縁部を形成した。次に、得られた基板の表面に、スパッタリング法によりシード層を形成し、続いて、パターンめっき用レジストを製版し、所定のレジストパターンを形成し、露出するシード層に対して電解めっき法を行い、第二幅広配線を形成した。次に、レジストパターンを剥離し、第二幅広配線を覆うカバー層を形成した。具体的には、非感光性ポリイミド系の液状カバー材をダイコータにてコーティングし、乾燥後にレジスト製版し、露光後、現像と同時に液状カバー材をエッチングし、その後、硬化させることにより、カバー層を形成した。次に、絶縁層エッチング用レジストを製版した。具体的には、得られた積層基板の両面にポリイミドエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した。次に、エッチング液として有機アルカリ液を用い、レジストパターンを介して、絶縁層をエッチングし、レジストパターンを剥離した。これにより、金属基板の上に配線部分が絶縁層を介して一体的に形成される。また、金属基板は、治具孔が形成され、外形加工はされていない状態となる。   Next, the second insulating part was formed using liquid polyimide. Specifically, a non-photosensitive polyimide-based liquid cover material is coated with a die coater, dried to form a resist plate, and after exposure and development, the liquid cover material is etched simultaneously with development, and then cured (wide wiring). The second insulating part was formed. Next, a seed layer is formed on the surface of the obtained substrate by a sputtering method, subsequently, a resist for pattern plating is made, a predetermined resist pattern is formed, and an electrolytic plating method is applied to the exposed seed layer. The second wide wiring was formed. Next, the resist pattern was peeled off, and a cover layer covering the second wide wiring was formed. Specifically, a non-photosensitive polyimide-based liquid cover material is coated with a die coater, dried to form a resist plate, and after exposure, the liquid cover material is etched simultaneously with development, and then cured to form a cover layer. Formed. Next, a resist for etching the insulating layer was made. Specifically, a resist layer for polyimide etching was provided on both surfaces of the obtained multilayer substrate, and a resist pattern was formed by a photolithography method. Next, an organic alkaline solution was used as an etching solution, the insulating layer was etched through the resist pattern, and the resist pattern was peeled off. Thereby, the wiring part is integrally formed on the metal substrate via the insulating layer. Further, the metal substrate is in a state where a jig hole is formed and the outer shape is not processed.

上記のように、積層基板に対して金属基板の外形加工を除くエッチング工程を行った後、所定の後加工を行った。具体的には、まず、露出する配線部分を覆うように、Auめっきを施し、配線めっき部を形成した。次に、金属基板の外形加工を行うため、後加工を行った積層基板にメタルエッチング用レジストを製版した。具体的には、後加工を行った積層基板の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、金属基板の表面にのみ、フォトリソグラフィー法により外形形状に対応するレジストパターンを形成した。次に、エッチング液として塩化第2鉄水溶液を用い、レジストパターンを介して、金属基板をエッチングし、レジストパターンを剥離した。これにより、サスペンション基板を得た。   As described above, a predetermined post-processing was performed after performing an etching process excluding the outer shape processing of the metal substrate on the laminated substrate. Specifically, first, Au plating was performed so as to cover the exposed wiring portion to form a wiring plating portion. Next, in order to perform the outer shape processing of the metal substrate, a metal etching resist was made on the post-processed laminated substrate. Specifically, resist layers for metal etching were provided on both surfaces of the post-processed laminated substrate, and a resist pattern corresponding to the outer shape was formed only on the surface of the metal substrate by photolithography. Next, using a ferric chloride aqueous solution as an etchant, the metal substrate was etched through the resist pattern, and the resist pattern was peeled off. Thereby, a suspension board was obtained.

本発明により得られるサスペンション基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension board obtained by this invention. 図1のX−X断面図である。It is XX sectional drawing of FIG. 本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the suspension board of this invention. 本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the suspension board of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 … 金属基板
2 … 第一絶縁層
2a … (幅広配線用)第一絶縁部
2b … (幅狭配線用)第一絶縁部
3 … 第一シード層
3a、3b … 第一シード部
4 … 第一導電層
4a … 第一幅広配線
4b … 第一幅狭配線
5 … 第二絶縁層
5a … (幅広配線用)第二絶縁部
5b … (幅狭配線用)第二絶縁部
6 … 第二シード層
6a、6b … 第二シード部
7a … 第二幅広配線
8a、8b … カバー層
9a … 配線めっき部
10 … 金属基板
11 … 積層基板
12 … 治具孔
13 … グランド端子
20 … 第一絶縁層
21 … ジンバル部
22 … 中継基板の接続端子
30 … 配線
30x … ライト用配線
30y … リード用配線
31 … グランド端子部
32 … 電源用配線
100 … サスペンション基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal substrate 2 ... 1st insulating layer 2a ... (for wide wiring) 1st insulating part 2b ... (for narrow wiring) 1st insulating part 3 ... 1st seed layer 3a, 3b ... 1st seed part 4 ... 1st 1 conductive layer 4a ... first wide wiring 4b ... first narrow wiring 5 ... second insulating layer 5a ... (for wide wiring) second insulating part 5b ... (for narrow wiring) second insulating part 6 ... second seed Layer 6a, 6b ... 2nd seed part 7a ... 2nd wide wiring 8a, 8b ... Cover layer 9a ... Wiring plating part 10 ... Metal substrate 11 ... Multilayer substrate 12 ... Jig hole 13 ... Ground terminal 20 ... First insulating layer 21 ... Gimbal part 22 ... Relay board connection terminal 30 ... Wiring 30x ... Write wiring 30y ... Lead wiring 31 ... Ground terminal part 32 ... Power supply wiring 100 ... Suspension board

Claims (5)

第一絶縁部と、前記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、前記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、前記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、
金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、
前記第一導電層に対してエッチングを行い、前記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、
前記幅広配線積層構造が形成される前記第一幅広配線の表面上に、前記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、
前記第二絶縁部の表面上に、前記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、
を有し、
前記第一絶縁層に対してエッチングを行い、前記第一絶縁部を形成する第一絶縁部形成工程を、前記第二絶縁部形成工程の後に行うことを特徴とするサスペンション基板の製造方法。
A first insulating portion; a first wide wiring formed on the first insulating portion; a second insulating portion formed on the first wide wiring; and a second insulating portion formed on the second insulating portion. A method for manufacturing a suspension board having a wide wiring laminated structure having a wide wiring,
A laminated substrate preparing step of preparing a laminated substrate having a metal substrate, a first insulating layer and a first conductive layer;
Etching the first conductive layer to form the first wide wiring; a first wide wiring forming step;
A second insulating part forming step of forming the second insulating part on the surface of the first wide wiring on which the wide wiring laminated structure is formed;
A second wide wiring forming step of forming the second wide wiring on the surface of the second insulating portion;
Have
A method for manufacturing a suspension board, comprising: performing a first insulating portion forming step of etching the first insulating layer to form the first insulating portion after the second insulating portion forming step.
前記第二絶縁部形成工程の際に、
前記第一幅広配線および前記第一絶縁層の表面上に、ダイコータにより第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成処理と、
前記第二絶縁層から前記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成処理と、
を行うことを特徴とする請求項1に記載のサスペンション基板の製造方法。
During the second insulating part forming step,
A second insulating layer forming process for forming a second insulating layer by a die coater on the surface of the first wide wiring and the first insulating layer;
A second insulating part forming process for forming the second insulating part from the second insulating layer;
The method for manufacturing a suspension board according to claim 1 , wherein:
前記第二幅広配線形成工程の際に、パターンめっきにより、前記第二幅広配線を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション基板の製造方法。 The suspension board manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the second wide wiring is formed by pattern plating in the second wide wiring forming step. 前記第二幅広配線形成工程の際に、パネルめっきおよびエッチングにより、前記第二幅広配線を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション基板の製造方法。 3. The method for manufacturing a suspension board according to claim 1, wherein the second wide wiring is formed by panel plating and etching in the second wide wiring forming step. 前記第一幅広配線形成工程で前記第一導電層に対してエッチングを行う際に、前記金属基板の治具孔を形成するエッチングを同時に行うことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載のサスペンション基板の製造方法。 When performing etching on the first conductive layer at the first wide wiring formation process, of claims 1 to 4, characterized in that etching is performed to form a jig hole of the metal substrate simultaneously A method for manufacturing a suspension board according to any one of claims.
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