JP5300540B2 - 回転型切換弁及び、回転型切換弁のパージガス量の決定方法 - Google Patents
回転型切換弁及び、回転型切換弁のパージガス量の決定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5300540B2 JP5300540B2 JP2009063062A JP2009063062A JP5300540B2 JP 5300540 B2 JP5300540 B2 JP 5300540B2 JP 2009063062 A JP2009063062 A JP 2009063062A JP 2009063062 A JP2009063062 A JP 2009063062A JP 5300540 B2 JP5300540 B2 JP 5300540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- purge gas
- valve body
- switching valve
- rotary switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010926 purge Methods 0.000 title claims abstract description 186
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 148
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 170
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 55
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 417
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K11/00—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves
- F16K11/02—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with all movable sealing faces moving as one unit
- F16K11/08—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with all movable sealing faces moving as one unit comprising only taps or cocks
- F16K11/085—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with all movable sealing faces moving as one unit comprising only taps or cocks with cylindrical plug
- F16K11/0856—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with all movable sealing faces moving as one unit comprising only taps or cocks with cylindrical plug having all the connecting conduits situated in more than one plane perpendicular to the axis of the plug
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K5/00—Plug valves; Taps or cocks comprising only cut-off apparatus having at least one of the sealing faces shaped as a more or less complete surface of a solid of revolution, the opening and closing movement being predominantly rotary
- F16K5/04—Plug valves; Taps or cocks comprising only cut-off apparatus having at least one of the sealing faces shaped as a more or less complete surface of a solid of revolution, the opening and closing movement being predominantly rotary with plugs having cylindrical surfaces; Packings therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/4238—With cleaner, lubrication added to fluid or liquid sealing at valve interface
- Y10T137/4358—Liquid supplied at valve interface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/85954—Closed circulating system
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/86493—Multi-way valve unit
- Y10T137/86863—Rotary valve unit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/86493—Multi-way valve unit
- Y10T137/86863—Rotary valve unit
- Y10T137/86871—Plug
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multiple-Way Valves (AREA)
- Taps Or Cocks (AREA)
Description
しかし、メタルタッチで行われる3つのポペット弁は、金属部が接触するメタルタッチの繰返しにより、接触部が摩耗する問題があり、摩耗によりプロセスガスの漏れやチャンバを汚染する摩耗粉の発生が増加するため切換弁としての寿命が短いという問題があった。
特許文献1の回転型切換弁は、主流体が流れる主流路が形成された弁本体と、弁本体に回転可能に保持され、内部に主流路が形成された円筒弁体とを有し、円筒弁体を回転させることにより、主流路を切り換える回転型切換弁である。特許文献1の回転型切換弁には、ポリエスチレンやポリプロピレン等を、粉粒体の形で空気輸送する場合に用いられるものである。
特許文献1の回転型切換弁において、粉粒体を空気輸送する際に弁本体と円筒弁体との間の隙間部にパージガスを流し込む。パージガスを流し込むことにより、円筒弁体内の主流路を流れる粉粒体が、弁本体と円筒弁体との間の隙間部に噛み込もうとする前に、パージガスが粉粒体を弾き飛ばすことができるため、粉粒体が弁本体と円筒弁体との間の隙間部に噛み込むことを防止することができる。
特許文献1の回転型切換弁では、粉粒体が噛み込まないようにするため、粉粒体が噛み込まない流量のパージガスを多量に流し込めばいいが、半導体製造装置においては、プロセスガスを流すため、プロセスガスに多量のパージガスが混入する恐れがある。プロセスガスにパージガスが混入すると、プロセスガスの性質(濃度)が変化してしまうため、結果として最終製品である半導体の性能に影響を与えるため問題となる。
一方、プロセスガスにパージガスが混入しないようにするため、パージガスの流量を少なくしすぎると、今度はプロセスガスが弁本体と円筒弁体との間の隙間部に漏れ出す問題がある。
また、250℃以上において弁体と円筒弁体との接触による摩耗粉を防ぐための構造については述べられていない。
(1)主流体が流れるチャンバ連通路と主流体が排気されるベント連通路が形成された弁本体と、弁本体に回転可能に保持され、内部に主流体が流れる主流路が形成された円筒弁体とを有し、円筒弁体を回転させることにより、主流路を該チャンバ連通路とベント連通路とに切り換え可能な回転型切換弁において、弁本体と円筒弁体との間のクリアランス部にパージガスを流すためのパージガス流路を有し、パージガスを、クリアランス部を介して主流路に流すことにより、主流体が主流路からクリアランス部へ漏れることを防止すること、を特徴とすることにある。
(2)(1)に記載する回転型切換弁において、弁本体と円筒弁体との間にクリアランス部を有するため、弁本体と前記円筒弁体とが接触しないこと、を特徴とすることにある。
(3)(1)に記載する回転型切換弁において、円筒弁体に設けられた主流路の形状が扇状であること、を特徴とすることにある。
(4)(1)又は(3)に記載する回転型切換弁において、円筒弁体に設けられた主流路は、切換中間位置において、チャンバ連通路とベント連通路の両方に連通すること、を特徴とすることにある。
(5)(1)に記載する回転型切換弁において、パージガス流路は、弁本体と円筒弁体との間に形成されたパージガス環状流路に連通していること、チャンバ連通路とベント連通路は、パージガス環状流路の間に形成されていること、を特徴とすることにある。
(7)(6)に記載する回転型切換弁のパージガス量の決定方法において、パージガス量を変化させたときの主流体の漏れ量グラフを作成する第1実験を行い、パージガス量を変化させたときの主流体に混入するパージガス量の混入ガスグラフを作成する第2実験を行い、第1実験により求めた漏れ量グラフと第2実験により求めた混入ガスグラフに基づいてパージガス量を決定すること、を特徴とすることにある。
(8)(7)に記載する回転型切換弁のパージガス量の決定方法において、第1実験は、パージガス流路にAガスを供給し、主流路にBガスを供給し、ベント連通路から排出されるBガスの濃度を質量分析計を用いて計測すること、第2実験は、パージガス流路にBガスを供給し、主流路にAガスを供給し、チャンバ連通路から排出されるBガスの濃度を質量分析計を用いて計測すること、を特徴とすることにある。
(1)上記構成を有する回転型切換弁は、例えば、円筒弁体内の主流路に主流体を流すとき、弁本体と円筒弁体との間のクリアランス部にパージガスを流す。これにより、弁本体と円筒弁体の間に、主流体が漏れ出すことを防止することができる。
(2)弁本体と円筒弁体との間にクリアランス部を有するため、弁本体と円筒弁体とが接触しないことにより、弁本体と円筒弁体が接触することがないため摩耗粉が発生することもない。
(3)円筒弁体に設けられた主流路の形状が扇状であることにより、主流路が常にベント連通路及びチャンバ連通路と連通している状態になるため、円筒弁体内に主流体が滞留することを防止することができる。
(4)円筒弁体に設けられた主流路は、切換中間位置において、弁本体のチャンバ連通路とベント連通路の両方に連通するため、主流路が常にベント連通路及びチャンバ連通路と連通している状態になるため、円筒弁体内に主流体が滞留することを防止することができる。
(5)パージガス連通路は、弁本体と円筒弁体との間に形成されたパージガス環状流路に連通しており、パージガスを環状流路からクリアランス部に行渡らせることができる。また、チャンバ連通路とベント連通路は、パージガス環状流路の間に形成されていることにより、チャンバ連通路及びベント連通路周辺のクリアランス部にパージガスが行渡り主流体がクリアランス部に漏れ出すことがない。
(7)パージガス量を変化させたときの主流体の漏れ量グラフを作成する第1実験を行い、パージガス量を変化させたときの主流体に混入するパージガス量の混入ガスグラフを作成する第2実験を行い、第1実験により求めた漏れ量グラフと第2実験により求めた混入ガスグラフとの交差する点に基づいてパージガス量を決定することにより、事前にパージガスの流量を決定しておくことができ、パージガスの流量を、主流体内に混入する混入割合が1000PPM以下となる量に制御することができる。
(8)第1実験は、パージガス流路にAガスを供給し、主流路にBガスを供給し、ベント連通路から排出されるBガスの濃度を質量分析計を用いて計測すること、第2実験は、パージガス流路にBガスを供給し、主流路にAガスを供給し、チャンバ連通路から排出されるBガスの濃度を質量分析計を用いて計測することにより、事前にパージガスの流量を決定しておくことができ、パージガスの流量を、主流体内に混入する混入割合が1000PPM以下となる量に制御することができる。
また、高精度の質量分析計を実験に使用することにより、事前により確実なデータを取ることができ、主流体内にパージガス流量が混入する混入割合が1000PPM以下となる量に制御することが可能となった。
(第1実施形態)
<回転型切換弁の全体構成>
図1には、回転型切換弁1の外観一部断面図を示す。
回転型切換弁1は、内部に円筒弁体3を備える弁本体2と、弁本体2に回転可能に保持され、内部に主流路31が形成された円筒弁体3、円筒弁体3を回転させるための回転導入機4、及び、回転導入機4にエネルギーを与えるロータリACT5から構成されている。図1においては、弁本体2及び円筒弁体3が理解しやすいように、弁本体2内を断面図として示す。
円筒弁体3は、略円筒形状をしている。円筒弁体3の内部には、主流体であるプロセスガスが流れる主流路31が形成されている。主流路31は、円筒弁体3の上面3aから下面3b方向へ垂直に伸び、円筒弁体3内部で直角に曲がり、周壁3cに連通している。主流路31のうち、上面3aに連通している部分が、プロセスガス供給口31aであり、周壁3cに連通している部分がプロセスガス連通口31bである。
図6(a)乃至(c)に、図1のEE断面図であるプロセスガス連通口31bを示す。プロセスガス連通口31bの形状は、扇状をしている。プロセス連通口31bの開口部の角度は約60度である。扇状をしていることにより、図6(b)に示すように、チャンバ連通路24からベント連通路25に切り換える際の中間位置においても、プロセスガス連通口31bは、チャンバ連通路24からベント連通路25につながった状態にある。したがって、プロセスガス連通口31bが扇状をしていることにより、図6(a)、(b)、(c)に示すように、プロセスガス連通口31bは、常にチャンバ連通路24、ベント連通路25に連通した状態にある。
弁本体2の右側面2cには、パージガス流路22a、22bが右側面2cに対して垂直方向に形成されている。弁本体2の右側面2cには、パージガス流路22cが右側面2cに対して約60度の角度で形成されている。
弁本体2の左側面2dには、パージガス流路22d、22eが左側面2dに対して垂直方向に形成されている。
パージガス流路22a、22dは、パージガス環状流路2gを通じて、挿入孔21に連通している。パージガス流路22b、22eは、パージガス環状流路2hを通じて、挿入孔21に連通している。
弁本体2の左側面2dのパージガス流路22eの下には、パージガス排出路23が左側面2dに対して垂直方向に形成されている。パージガス排出路23は、挿入孔21に連通している。
パージガス流路22a、及びパージガス流路22dは、円筒弁体3の上面3aの水平線上から計測して、150mm以下の弁本体2の側面に形成されている。150mm以下である理由は、後述する実験のシュミレーションにより求められたものである。
また、パージガス流路22aとパージガス流路22bの中間には、チャンバ連通路24及びベント連通路25が形成されている。チャンバ連通路24及びベント連通路25から、パージガス流路22a及びパージガス流路22bまでの長さは、ともに10mmである。同様にパージガス流路22d及びパージガス流路22eの中間にチャンバ連通路24及びベント連通路25が形成されている。
図1では弁本体2は断面図であるため図示されないが、正面2eには、チャンバ連通路24が正面2eに対して垂直方向に形成されている。チャンバ連通路24が形成されている部分が理解しやすいように、チャンバ連通路24を図1において点線で示す。図示されない背面2fには、ベント連通路25が背面2fに対して垂直方向に形成されている。
図1においては、円筒弁体3のプロセスガス連通口31bは、弁本体2内部のチャンバ連通路24及び排気ポート連通口25に直接連通していない状態にある。
回転導入機4とロータリACT5と係合しており、回転導入機4は弁本体2と係合している。
次に、回転型切換弁1の作用及び効果について説明する。
主流体であるプロセスガスをチャンバ内へ供給したい場合、図6(a)に示すように、円筒弁体3のプロセスガス連通口31bと弁本体2のチャンバ連通路24に連通させた状態にする。そこに、プロセスガス供給源からプロセスガスを供給する。プロセスガスが供給されると、プロセスガスが円筒弁体3の主流路31内を流れ、プロセスガス連通口31bから、チャンバ連通路24へと流れる。このとき、弁本体2の挿入孔21の内壁面21aと円筒弁体3の周壁3cの間には、25〜100μmのクリアランス部11が形成されているため、プロセスガスがプロセスガス供給口31a及びプロセスガス連通口31bの周辺のクリアランス部11から漏れ出す。
しかし、第1実施形態においては、プロセスガスを供給する際には、パージガスをパージガス流路22a、22b、22c、22d、22eから、パージガスの割合が1000PPM以下となる割合に流量を制御して供給され、また、パージガス排出路23から、パージガスの割合が1000PPM以下となる割合に流量を制御してパージガスが排出される。パージガスがプロセスガスに1000PPM以上の割合で混入すると、プロセスガスの性質(濃度)が変化してしまい、結果として、半導体の性能に影響を与えてしまうからである。パージガス流路22a、22b、22d、22eは、プロセスガスがクリアランス部11から漏れないようにするため、パージガスを供給する。それに対して、パージガス流路22cは、上方のチャンバ連通路24等と下方のベアリング等とを分けるために、パージガスを供給する。
弁本体2と円筒弁体3の間にクリアランス部11を設けることにより、従来のように、金属部が接触するメタルタッチの繰返しにより、接触部が摩耗し、摩耗粉が発生することがない。したがって、弁本体2及び円筒弁体3が接触することによる摩耗が生じること、及び摩耗粉が発生することがないため、250℃以上でも回転型切換弁1の寿命を長くすることができる。また、摩耗粉でチャンバを汚染することもない。
また、パージガス流路22aとパージガス流路22bの中間には、チャンバ連通路24及びベント連通路25が形成されていることにより、パージガス流路22a及びパージガス流路22bから同じ流量のパージガスを供給することにより、クリアランス部11からプロセスガスが漏れるのを防止することができる。また、中間にあるため流量調整も容易である。パージガス流路22d及びパージガス流路22eの中間にも、チャンバ連通路24及びベント連通路25が形成されているため同様の効果が得られる。
また、パージガス連通路22a、22b、22d、22eは、パージガス環状流路2g、2hを通して挿入孔21に連通しているため、パージガスがパージガス環状流路2g、2hからクリアランス部11に入り、広い範囲にパージガスを行渡らせることができる。それにより、プロセスガスがクリアランス部11から漏れ出すことを防止することができる。
プロセス連通口31bの開口部の角度は約60度である。扇状をしていることにより、図6(b)に示すように、チャンバ連通路24からベント連通路25を切り換える際の中間位置においても、流路がつながり、チャンバ連通路24及びベント連通路25が連通した状態にある。また、図6(a)に示すように、プロセスガス連通口31bは、チャンバ連通路24につながり、プロセスガスがチャンバ連通路24に流れる状態にある。図6(c)に示すように、プロセスガス連通口31bは、ベント連通路25につながり、プロセスガスがベント連通路25に流れる状態にある。
仮に、プロセスガス連通口31bが扇状をしておらず、プロセスガス連通口31bが連通路と同程度の孔径である場合には、図6(b)の中間位置の場合に、プロセスガス連通口31bが挿入孔21の内周壁21aでふさがれてしまうことになる。プロセスガス連通口31bが内周壁21aにふさがれる場合には、主流路31内部のプロセスガスが行き場を失い、主流路31内にプロセスガスが滞留する。プロセスガスが主流路31内に滞留することにより、プロセスガス供給口31aの周辺のクリアランス部11から、プロセスガスが漏れ出すことになる。
それに対して、第1実施形態における回転型円筒弁1のように、プロセス連通口31bの開口部の角度が約60度である扇状をしていることにより、図6(b)の中間位置の場合においても、プロセスガス連通口31bがチャンバ連通路24、ベント連通路25と連通している状態にあるため、主流路31内にプロセスガスが滞留することはなく、プロセスガスが主流路31内から漏れ出すことがない。
よって、プロセスガスがプロセスガス供給口31aの周辺のクリアランス部11から漏れ出すことを防止することができる。
2つの実験とは、ともに質量分析計を用いて、Bガス濃度の増加及び減少を確認することにより、求める実験である。質量分析計を用いるのは、高精度であり、簡単だからである。本実験においては、PPMではなく、%によってBガス濃度を表している。
2つの実験では、弁本体2と円筒弁体3との間のクリアランス部11の間隔が50μmの場合の回転型切換弁を用いて実験を行った。
図2及び図3に実験の検討方法を示す。図2及び図3においては、回転型切換弁1を簡略化して表している。具体的には、パージガス流路をパージガス流路22a、22bしか設けていない。図7に実験結果を示す。図7(a)に、Bガス濃度の表を示し、図7(b)に、図7(a)のグラフを示す。図7(b)の縦軸は、Bガス濃度(%)を対数グラフで表し、横軸はパージガス(Aガス)流量(sccm)を示す。
(1)図2に示すように、回転型切換弁1に対して、プロセスガス供給口31aからプロセスガスの代わりにBガスを挿入し、チャンバ連通路24からBガスを排出する。また、パージガス流路22a、22bから、パージガスの代わりにAガスを供給し、パージガス排出路23から、Aガスを排出する。そのとき、ベント連通路25から漏れてくるBガス濃度を計測する。なぜならば、Bガスがクリアランス部11から漏れることなく、主流路31からチャンバ連通路24へと流れていれば、Bガスがベント連通路25から漏れることはないからである。
第1実験においては、クリアランス部11の間隔が50μmの回転型切換弁を使用している。また、パージガス流路22a、22bから供給されるAガス流量は同じである。そのため、図7(a)のAガス流量は、パージガス流路22aと22bの一方からの流量であり、総流量は、Aガス流量を2倍にした量である。
図7(a)の(G1)に示すように、Aガスを流していない0sccmの状態においては、Bガス濃度は8.580%であった。
具体的には、図7(a)に示すように、Aガスを10sccm流す場合、Bガス濃度は1.980%(G2)である。Aガスを50sccm流す場合、Bガス濃度は0.0133%(G3)である。Aガスを100sccm流す場合、Bガス濃度は0.0092%(G4)である。Aガスを125sccm流す場合、Bガス濃度は0.0076%(G5)である。Aガスを250sccm流す場合、Bガス濃度は0.0065%(G6)である。Aガスを500sccm流す場合、Bガス濃度は0.0064%(G7)である。
ベント連通路25から漏れてくるBガス濃度は、パージガス(Aガス)の流量が約30sccmを越えて以降は、Aガスの流量を増やしても、Bガス濃度が0.1%(1000PPM)以上になることはない。第1実験において、図7(b)に示すように、折れ線GがH1を超えたところからBガス濃度0.1%以上となることはないことが分かった。
図4及び図5に実験の検討方法を示す。図4及び図5においては、回転型切換弁1を簡略化して表している。具体的には、パージガス流路をパージガス流路22a、22bしか設けていない。図7に実験結果を示す。図7(a)に、Bガス濃度の表を示し、図7(b)に、図7(a)のグラフを示す。図7(b)の縦軸は、Bガス濃度(%)を対数グラフで表し、横軸はパージガス(Bガス)流量(sccm)を示す。
(1)図4に示すように、回転型切換弁1に対して、プロセスガス供給口31aからAガスを挿入し、チャンバ連通路24からAガスを排出する。また、パージガス流路22a、22bから、パージガスの代わりにBガスを供給し、パージガス排出路23からBガスを排出する。そのときのチャンバ連通路24に混入してくるBガス濃度を計測する。なぜならば、Bガスがクリアランス部11から漏れ、Aガスに混入していなければ、チャンバ連通路24から流れるAガス内のBガス濃度が増えないからである。
第2実験においては、クリアランス部11の間隔が50μmの回転型切換弁を使用している。
図7(a)の(F1)に示すように、Bガスをパージガス流路22a、22bから流していない0sccmの状態においては、Bガス濃度は0.0026%であった。
具体的には、図7(a)に示すように、Bガスを10sccm流す場合、Bガス濃度は0.0022%(F2)である。Bガスを50sccm流す場合、Bガス濃度は0.0022%(F3)である。Bガスを100sccm流す場合、Bガス濃度は0.0032%(F4)である。Bガスを125sccm流す場合、Bガス濃度は0.0027%(F5)である。Bガスを250sccm流す場合、Bガス濃度は3.826%(F6)である。Bガスを500sccm流す場合、Bガス濃度は13.69%(F7)である。
チャンバ連通路24から漏れてくるBガス濃度は、パージガス(Bガス)の流量が約200sccmを超える以前は、Bガスの量が減っても、Bガス濃度が0.1%(1000PPM)以上になることはない。第2実験において、図7(b)に示すように、折れ線FがH2を超えるまではBガス濃度0.1%以上となることはない。
クリアランス部11の間隔が50μmの場合、第1実験によるベント連通路25から漏れてくるBガス濃度と、第2実験によるチャンバ連通路24から漏れてくるBガス濃度とを比較する。質量分析計から計測されるBガス濃度は高精度であり、また、容易に計測することができる。このような特性を生かし、本出願人は、Bガスを 主流路またはパージガス流路から供給することにより、主流体の漏れ量及びパージガス量の混入量を計測することに成功した。
両方の結果、Bガス濃度が1000PPM以下(0.1%以下)の割合となるパージガスの流量、及び、Bガスがクリアランス部11から1000PPM以上(0.1%以上)の割合で漏れてこないパージガスの流量を検討した。
第1実験によるベント連通路25から漏れてくるBガス濃度は、パージガスの流量が約30sccmを越えると、以降どれだけパージガスの流量を増やしても、Bガス濃度が0.1%(1000PPM)以上の割合になることはない。図7(b)においては、折れ線GがH1を超えたところからBガス濃度0.1%(1000PPM)以上の割合となることはない。
よって、両方の実験結果をもとにクリアランス部11の間隔が50μmの場合、パージガスの流量が図7(b)におけるH1からH2までの範囲内にあれば、Bガス濃度が1000PPM以下(0.1%以下)の割合となる。また、折れ線Gと折れ線Fが交わる点Pは、最もバランスが良いシールドガス流量となる。
パージガスの流量が図7(b)におけるH1からH2までの範囲内にあれば、プロセスガスがクリアランス部11から漏れるのを防止することができる。また、たとえ、パージガスがプロセスガスに混入したとしても、プロセスガスの性質(濃度)を変化させる程度の量ではないため、最終機械製品である半導体の性能に影響を与えることはない。
パージガス流路22a、及びパージガス流路22dが、円筒弁体3の上面3aの水平線上から測って150mm以上である場合には、プロセスガスがプロセスガス供給口31aの周辺のクリアランス部11から入ってくる場合に、パージガスがプロセスガス供給口31aに行き着きプロセスガスを押し返すまでに時間が掛かるため、クリアランス部11に入ってこないように押し返すためにはパージガスを多量に必要とする。そのため、パージガスがプロセスガスに多量に混入し、プロセスガスの性質(濃度)が変化してしまい、結果として、半導体の性能に影響を与えてしまうことが判明した。
さらに、パージガス流路22a、及びパージガス流路22dが、円筒弁体3の上面3aの水平線上から測って150mm以上である場合には、回転型切換弁1が大きくなってしまうため問題である。回転型切換弁1は、製造ラインで用いられるため、省スペース化が課題となるため問題となる。
以上の理由により、パージガス流路22a、及びパージガス流路22dは、円筒弁体3の上面3aの水平線上から測って、150mm以下の弁本体2の側面に形成することが最適であることが判明した。
(1)プロセスガスが流れるチャンバ連通路24と主流体が排気されるベント連通路25が形成された弁本体2と、弁本体2に回転可能に保持され、内部に主流体が流れる主流路31が形成された円筒弁体3とを有し、円筒弁体3を回転させることにより、主流路31をチャンバ連通路24とベント連通路25とに切り換え可能な回転型切換弁1において、弁本体2と円筒弁体3との間のクリアランス部11にパージガスを流すためのパージガス流路22a、22b、22c、22d、22eを有し、クリアランス部11にパージガスを流すことで、主流体が主流路31から漏れることを防止すること、を特徴とするものであるため、例えば、円筒弁体3内の主流路31にプロセスガスを流すとき、弁本体2と円筒弁体3との間のクリアランス部11にパージガスを流す。これにより、弁本体2と円筒弁体3の間に、プロセスガスが漏れ出すことを防止することができる。
(2)弁本体2と円筒弁体3との間にクリアランス部11を有するため、弁本体2と円筒弁体3とが接触しないこと、を特徴とするものであるため、弁本体2と円筒弁体3とが接触しないことにより、メタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗がなく、回転型切換弁1の寿命を長くすることができる。さらに、摩耗粉が発生することもない。
(3)円筒弁体3に設けられた主流路31の形状が扇状であること、を特徴とするものであるため、主流路31が常にベント連通路25及びチャンバ連通路24と連通している状態になるため、円筒弁体3内に主流体が滞留することを防止することができる。
(4)円筒弁体3に設けられた主流路31は、切換中間位置において、弁本体2のチャンバ連通路24とベント連通路25の両方に連通するため、主流路31が常にベント連通路24及びチャンバ連通路25と連通している状態になるため、円筒弁体3内にプロセスガスが滞留することを防止することができる。
(5)パージガスが供給されるとパージガスは、パージガス環状流路2g、2hからクリアランス部11に入り広い範囲に行渡らせることができ、プロセスガスがクリアランス部11から漏れ出すことを防止することができる。
(7)主流体の漏れ量グラフを作成する第1実験を行い、パージガス量を変化させたときの主流体に混入するパージガス量の混入ガスグラフを作成する第2実験を行い、第1実験により求めた漏れ量グラフと第2実験により求めた混入ガスグラフとの交差する点に基づいてパージガス量を決定することにより、パージガスの流量を、主流体内に混入する混入割合が1000PPM以下となる量に制御することができる。
(8)パージガスの変わりにAガスを供給し、主流体の変わりにBガスを供給し、チャンバ連通路から排出されるBガスのBガス濃度を質量分析計を用いて計測する第1実験であること、パージガスの変わりにBガスを供給し、主流体の変わりにAガスを供給し、チャンバ連通路から排出されるBガスのBガス濃度を質量分析計を用いて計測する第2実験であることにより、パージガスの流量を、主流体内に混入する混入割合が1000PPM以下となる量に制御することができる。
また、高精度の質量分析計を実験に使用することにより、事前により確実なデータを取ることができ、主流体内にパージガス流量が混入する混入割合が1000PPM以下となる量に制御することが可能となった。
図8を用いて第2実施形態について説明をする。図8は、第2実施形態における回転型切換弁1Aの、円筒弁体A3及び弁本体A2の断面図を示したものである。
図8に示すように、円筒弁体A3を中心に、弁本体A2に8つの連通路が形成されている。弁本体A2の8つの連通路は、チャンバ連通路V1、V2、V3、V4、及びベント連通路T1、T2、T3、T4である。その他の部分については、第1実施形態と大きな違いはないため説明を割愛する。
第2実施形態においては、高速モータを使用することで、360度回転を可能にしたことにより、円筒弁体A3の主流路A31が8つの連通路に連通できるようになった。
円筒弁体A3が360度回転でき、主流路A31を8つの連通路に連通させることができることにより、連通路の高速・多分岐切換が可能になる。
現行技術は円筒弁体が180度回転し、チャンバ連通路とベント連通路とを連通する技術である。現行技術と第2実施形態の回転型切換弁1Aを比較すると、現行技術では円筒弁体A3をチャンバ連通路からベント連通路へと連通し、その後、ベント連通路からチャンバ連通路へと連通させなければならず、180度の半回転を2度行うことになるため、360度の回転運動が必要となる。
それに対して、第2実施形態では、チャンバ連通路V1からチャンバ連通路V2へと連通させるためには、円筒弁体A3が90度回転するだけで、主流路A31を分岐することができる。したがって、第2実施形態の回転型切換弁1Aによれば、現行技術と比較して、4分の1の時間で連通路を分岐することができる。
第3実施形態において、回転切換弁1を、半導体製造装置における気化器61を搭載したシステムに採用する。気化器61を搭載したシステムでは、気化器61により液体材料を気化させてウエハ表面に成膜処理を行う。液体材料を気化させるため、システム内は、250℃以上を保たなければ、液体材料が固化してしまうため、常に気体を250℃以上に保つ必要がある。
従来では、図10に示すように、プロセスガスライン62Aにダイアフラム式バルブ63及びベントガスライン64Aにダイアフラム式バルブ65がそれぞれ1つずつ設置して供給ガスの切換を行い、プロセスチャンバー66A及びポンプ67Aに供給していた。なお、図10では1台のポンプで排気する場合を例に説明しているが、ベントガスライン64Aに専用ポンプを設ける場合もある。
図10の装置においては、プロセスガスライン62A及びベントガスライン64Aに設置されたダイアフラム式バルブ63及び65のダイアフラムやシール部では温度が低下し易く、ダイアフラム式バルブの外部若しくはバルブボディ部分を加熱しても、温度リカバリし難いため、ダイアフラムやシール部に液体材料が固化した生成物が付着し易かった。また、ダイアフラムにガスが衝突したり、狭所におけるガスの滞留や圧力上昇によっても、生成物が付着し易いという問題があった。
図11の装置によれば、ダイアフラム式バルブ63、65を回転切換弁1Bにしたことにより、クリアランス部11に高温のN2パージガスを供給するので、液体材料が250℃以下になることがなく、シール部において固化することがない。また、クリアランス部11を有するため、機械的な接触がなくなるため、パーティクルの発生がなくなる。また、耐久性が向上する。また、高速切換が可能となるので処理時間を短縮でき生産性を向上させることができる。また、ダイアフラム式バルブのように狭所がないので流量特性が良い。
なお、プロセスガスの供給を止めるために、ガス封止バルブ68が必要となるが、成膜処理を実行している間は、常に開状態で使用し、プロセス前やプロセス終了後の必要な時だけ閉弁状態にすればよく、動作回数は少なく済むため、図10のダイアフラム式バルブのような問題は生じない。なお、ガスの封止バルブとしては、ダイアフラム式バルブに限らず、流路特性のよいベローズ式バルブやボールバルブ等でもよい。
第4実施形態において、回転切換弁1B、1Cを、半導体装置におけるALD法プロセス(特許文献2,3)を採用したシステムで採用する。ALD法プロセスとは、AガスとBガスを交互に連続してプロセスチャンバーに供給する方法である。
従来のALD法プロセスを採用したシステムを図12に示す。図12に示すように、Aガス71Aは、プロセスガスライン72Aとベントガスライン74Aとに分岐し、プロセスガスライン72Aには、ダイアフラム式バルブ73Aが設置され、ベントガスライン74Aには、ダイアフラム式バルブ75Aが設置されている。また、Bガス71Bは、プロセスガスライン72Bとベントガスライン74Bとに分岐し、プロセスガスライン72Bには、ダイアフラム式バルブ73Bが設置され、ベントガスライン74Bにはダイアフラム式バルブ75Bが設置されている。プロセスガスライン72A、72Bはプロセスチャンバー76Aに接続し、ポンプ77へAガス71A、Bガス71Bを供給する。ベントガスライン74A、74Bは直接ポンプ77Aへ71A、Bガス71Bを供給する。なお、図12では、ポンプ1台の場合を例にしているが、ベントガスライン74に専用ポンプを設けてもよい。
しかし、ALD法プロセスにおいては、所望の膜厚が得られるまでの数分間に、数十回〜数百回のバルブ開閉動作が必要である。そのため、図12に示すシステムにおいては、ダイアフラム式バルブ73A、73B、75A、75Bが数分間に、数十回〜数百回のバルブ開閉動作を行う。ダイアフラム式バルブにおいては、シール部とダイアフラムの機械的な接触が必要とされるため、接触が原因で、シール部とダイアフラムが傷付きやすく動作の耐久性が低くなる問題、及び、シール部とダイアフラムが接触しパーティクルを発生させる問題があった。
図13のシステムによれば、ダイアフラム式バルブ73A、73B、75A、75Bを回転切換弁1C、1Dにしたことにより、クリアランス部11が形成されているため、分岐の際にも機械的な接触がなくなり、傷が付きにくくなり耐久性が向上した。また、クリアランス部11が形成されているため、シール部とダイアフラムの接触がなくなり、パーティクルが発生することがない。また、クリアランス部11が形成されているため、クリアランス部11を高温N2パージするので、液体が固化しない。また、ダイアフラム式バルブのように狭所がないので流量特性が良い。
なお、プロセスガスの供給を止めるために、ガス封止バルブ78C、78Dが必要となるが、成膜処理を実行している間は、常に開状態で使用し、プロセス前やプロセス終了後の必要な時だけ閉弁状態にすればよく、動作回数は少なく済むため、図12のダイアフラム式バルブのような問題は生じない。
円筒弁体A3を360度回転可能にしたことにより、円筒弁体A3の主流路A31が8つの連通路に連通できるようになった。それにより、主流路A31を8つの連通路に連通させることができ、連通路の高速切換が可能となった。また、8つの連通路に連通させることができるため、多分岐切換が可能になった。
また、第2実施形態の回転型切換弁1Aによれば、円筒弁体3Aが、180度の半回転を2度行う必要がないため、現行技術と比較して、4分の1の時間で連通路を分岐することができる。
また、第1実施形態において、パージガス環状流路2g、2hは、弁本体2に環状の溝として形成しているが、円筒弁体3に環状の溝として形成したとしても、同様の効果を得ることができる。
また、第2実施形態において、プロセスガス連通口31bの形状は、図8においては、扇形状ではなく、従来と同様に、チャンバ連通口及び弁と連通口に対応した形状をしている。しかし、第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、プロセスガス連通口31bを扇形状とすることもできる。プロセスガス連通口31bを扇形状としたときの、開口部の角度は開口部が常にふさがれた状態になければよいため、例えば60度未満の45度又は30度等でもよい。
また、第2実施形態における回転型切換弁は、360度回転が可能であるため、弁本体A2に設ける連通路は、8つの連通路でなくとも、例えば4つの連通路、6つの連通路等であってもよい。
11 クリアランス部
2 弁本体
21 挿入孔
22a、22b、22c、22d、22e パージガス流路
23 パージガス排出路
24 チャンバ連通路
25 ベント連通路
3 円筒弁体
31 主流路
31a プロセスガス供給口
31b プロセスガス連通口
4 回転導入機
5 ロータリACT
Claims (8)
- 主流体が流れるチャンバ連通路と該主流体が排気されるベント連通路が形成された弁本体と、該弁本体に回転可能に保持され、内部に主流体が流れる主流路が形成された円筒弁体とを有し、該円筒弁体を回転させることにより、該主流路を該チャンバ連通路と該ベント連通路とに切り換え可能な回転型切換弁において、
前記弁本体と前記円筒弁体との間のクリアランス部にパージガスを流すためのパージガス流路を有し、
前記パージガスを、前記クリアランス部を介して前記主流路に流すことにより、前記主流体が前記主流路から前記クリアランス部へ漏れることを防止すること、
を特徴とする回転型切換弁。 - 請求項1に記載する回転型切換弁において、
前記弁本体と前記円筒弁体との間に前記クリアランス部を有するため、前記弁本体と前記円筒弁体とが接触しないこと、
を特徴とする回転型切換弁。 - 請求項1に記載する回転型切換弁において、
前記円筒弁体に設けられた前記主流路の形状が扇状であること、
を特徴とする回転型切換弁。 - 請求項1又は請求項3に記載する回転型切換弁において、
前記円筒弁体に設けられた前記主流路は、切換中間位置において、前記チャンバ連通路と前記ベント連通路の両方に連通すること、
を特徴とする回転型切換弁。 - 請求項1に記載する回転型切換弁において、
前記パージガス流路は、前記弁本体と前記円筒弁体との間に形成されたパージガス環状流路に連通していること、
前記チャンバ連通路と前記ベント連通路は、前記パージガス環状流路の間に形成されていること、
を特徴とする回転型切換弁。 - 請求項1に記載する回転型切換弁において、
前記パージガスの流量を、前記主流体への前記パージガスの混入割合を1000PPM以下となる流量に制御すること、
を特徴とする回転型切換弁。 - 請求項6に記載する回転型切換弁のパージガス量の決定方法において、
前記パージガス量を変化させたときの前記主流体の漏れ量グラフを作成する第1実験を行い、前記パージガス量を変化させたときの前記主流体に混入する前記パージガス量の混入ガスグラフを作成する第2実験を行い、
前記第1実験により求めた前記漏れ量グラフと前記第2実験により求めた前記混入ガスグラフに基づいて前記パージガス量を決定すること、
を特徴とする回転型切換弁のパージガス量の決定方法。 - 請求項7に記載する回転型切換弁のパージガス量の決定方法において、
前記第1実験は、前記パージガス流路にAガスを供給し、前記主流路にBガスを供給し、前記ベント連通路から排出される前記Bガスの濃度を質量分析計を用いて計測すること、
前記第2実験は、前記パージガス流路に前記Bガスを供給し、前記主流路に前記Aガスを供給し、前記チャンバ連通路から排出される前記Bガスの濃度を前記質量分析計を用いて計測すること、
を特徴とする回転型切換弁のパージガス量の決定方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063062A JP5300540B2 (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 回転型切換弁及び、回転型切換弁のパージガス量の決定方法 |
US12/712,609 US8371334B2 (en) | 2009-03-16 | 2010-02-25 | Rotary switching valve |
TW99105606A TWI452219B (zh) | 2009-03-16 | 2010-02-26 | 轉動式切換閥 |
KR1020100022571A KR101312386B1 (ko) | 2009-03-16 | 2010-03-15 | 회전형 스위칭 밸브 |
CN201010135748.4A CN101839355B (zh) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 旋转型切换阀 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009063062A JP5300540B2 (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 回転型切換弁及び、回転型切換弁のパージガス量の決定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010216549A JP2010216549A (ja) | 2010-09-30 |
JP5300540B2 true JP5300540B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=42729723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009063062A Expired - Fee Related JP5300540B2 (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 回転型切換弁及び、回転型切換弁のパージガス量の決定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8371334B2 (ja) |
JP (1) | JP5300540B2 (ja) |
KR (1) | KR101312386B1 (ja) |
CN (1) | CN101839355B (ja) |
TW (1) | TWI452219B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8632689B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Temperature control with stacked proportioning valve |
CN105229350B (zh) * | 2013-06-28 | 2017-02-15 | 北京峰迪克机械设备有限公司 | 多清洗介质转换阀 |
CN105321841A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-10 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 酸气碱气分离装置 |
CN105114386B (zh) * | 2015-08-21 | 2017-06-27 | 浙江大学舟山海洋研究中心 | 低功耗大流量高速开关阀 |
JP6839675B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2021-03-10 | Ckd株式会社 | ポペット式切換弁 |
DE102020201190A1 (de) * | 2019-10-14 | 2021-04-15 | Vitesco Technologies GmbH | Fluidventil |
CN111102268B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-08-27 | 山东金利液压科技有限公司 | 一种油缸 |
WO2024044360A1 (en) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | Electronic Fluorocarbons, Llc | Ultra-high purity gas cylinder leak detection systems and/or methods |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1926790A (en) * | 1931-04-03 | 1933-09-12 | Viloco Railway Equipment Co | Valve |
US3034528A (en) * | 1959-06-12 | 1962-05-15 | Dow Chemical Co | Sampling valve |
NL120145C (ja) * | 1960-03-31 | |||
US4372338A (en) * | 1980-07-22 | 1983-02-08 | Dresser Industries, Inc. | High pressure valve assembly |
DE3326134A1 (de) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Festo KG, 7300 Esslingen | Pneumatischer schrittschalter |
JP2520493Y2 (ja) * | 1990-08-03 | 1996-12-18 | ジーエルサイエンス株式会社 | 切換バルブ |
JPH0547634U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | 大阪瓦斯株式会社 | 三方弁 |
JPH0645256A (ja) | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法 |
US5375622A (en) * | 1993-12-07 | 1994-12-27 | Houston; Reagan | Multiport valve including leakage control system, particularly for a thermal regenerative fume incinerator |
US5465748A (en) * | 1994-05-24 | 1995-11-14 | Millipore Corporation | Sanitizable slider diaphragm valve |
US5901737A (en) * | 1996-06-24 | 1999-05-11 | Yaron; Ran | Rotary valve having a fluid bearing |
JP3529989B2 (ja) | 1997-09-12 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2008045669A (ja) | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 円筒バルブ型三方弁 |
-
2009
- 2009-03-16 JP JP2009063062A patent/JP5300540B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-25 US US12/712,609 patent/US8371334B2/en active Active
- 2010-02-26 TW TW99105606A patent/TWI452219B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-03-15 KR KR1020100022571A patent/KR101312386B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-16 CN CN201010135748.4A patent/CN101839355B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201040422A (en) | 2010-11-16 |
CN101839355B (zh) | 2014-06-18 |
TWI452219B (zh) | 2014-09-11 |
CN101839355A (zh) | 2010-09-22 |
US20100229984A1 (en) | 2010-09-16 |
KR20100105417A (ko) | 2010-09-29 |
KR101312386B1 (ko) | 2013-10-15 |
US8371334B2 (en) | 2013-02-12 |
JP2010216549A (ja) | 2010-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5300540B2 (ja) | 回転型切換弁及び、回転型切換弁のパージガス量の決定方法 | |
JP5538376B2 (ja) | 洗浄ガスをプロセスチャンバーに供給するための方法およびシステム | |
US8985152B2 (en) | Point of use valve manifold for semiconductor fabrication equipment | |
TWI437401B (zh) | Mixed gas supply device | |
TWI687615B (zh) | 閥裝置 | |
JP2006512545A (ja) | 薬品配送システム中に高純度流体を配送するためのマイクロ電子機器システム | |
JP4235076B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2007041870A (ja) | ガス流量制御方法 | |
CN112795905B (zh) | 进气结构及半导体沉积设备 | |
CN106653651B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及基板保持构件 | |
US7426939B2 (en) | Rotatable valve | |
KR20110124935A (ko) | 샤워헤드 및 이를 포함하는 반도체 기판 가공 장치 | |
JP2009228059A (ja) | 原子層成膜装置 | |
KR101366385B1 (ko) | 원자층 박막 증착 장치 | |
JP2000240900A (ja) | バルブユニット | |
JPH07254635A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR101622909B1 (ko) | 가스공급유닛 및 이를 구비한 박막증착장치 | |
US20220220986A1 (en) | Laminar flow restrictor and seal for same | |
WO2021026222A1 (en) | Seal for a flow restrictor | |
KR20040105195A (ko) | 원자층 박막 증착 설비의 가스공급방법 | |
KR20050023174A (ko) | 분리되는 가스 피딩 블록을 이용한 가스 유입 장치 | |
JP2011077083A (ja) | プロセスガス供給システム | |
JP2011102603A (ja) | 弁ユニット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5300540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |