JP5294336B2 - Pn接合ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
Pn接合ダイオードおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5294336B2 JP5294336B2 JP2010167382A JP2010167382A JP5294336B2 JP 5294336 B2 JP5294336 B2 JP 5294336B2 JP 2010167382 A JP2010167382 A JP 2010167382A JP 2010167382 A JP2010167382 A JP 2010167382A JP 5294336 B2 JP5294336 B2 JP 5294336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type gan
- mesa
- insulating film
- junction diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
図1および図2に示すように、この実施の形態にかかるPN接合ダイオード10は、例えばサファイアでなる基板1と、この基板1の上に、順次エピタキシャル成長されたN型GaN層2、P型GaN層3が積層され、これらN型GaN層2およびP型GaN層3が台形状に加工されてメサ部4が形成されている。このメサ部4の側壁(周壁)には、所定の厚さの絶縁膜5Aが形成されている。また、メサ部4の上部に露出するP型GaN層3の上面と絶縁膜5Aの上端面に亘って、P側の電極6が形成されている。さらに、メサ部4の側方で露出したN型GaN層2の上面には、N側の電極8が形成されている。
本実施の形態にかかるPN接合ダイオード10の製造方法を図3〜7に基づいて説明する。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、上記の実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者に様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
2 N型GaN層
3 P型GaN層
4 メサ部
5,5A 絶縁膜
6 電極
7 PN接合
8 電極
10 PN接合ダイオード
Claims (3)
- III族窒化物半導体でなるN型半導体層と、前記N型半導体層の上に積層されたIII族窒化物半導体でなるP型半導体層と、を備え、前記N型半導体層および前記P型半導体層がメサ形状をなすように形成されたPN接合ダイオードであって、
前記メサ形状の側壁に形成された絶縁膜と、前記P型半導体層および前記絶縁膜の上端面に亘って形成された電極とを有し、
前記電極のうち、前記絶縁膜の上端面に突出した部分の長さは、0より大きく、前記P型半導体層の厚さの4倍以下である
ことを特徴とするPN接合ダイオード。 - 前記メサ形状は、断面が台形状であることを特徴とする請求項1に記載のPN接合ダイオード。
- 基板上に、III族窒化物半導体でなる、N型の第1の半導体層とP型の第2の半導体層とが積層するようにエピタキシャル成長させる工程と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層がメサ形状をなすように形成する工程と、
メサ形状をなす前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の全面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に異方性エッチングを行って、メサ形状の前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の側壁に前記絶縁膜を選択的に残す工程と、
前記第2の半導体層および前記絶縁膜の上端面に亘って、前記第2の半導体層の上面よりも大きな電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とするPN接合ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010167382A JP5294336B2 (ja) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Pn接合ダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010167382A JP5294336B2 (ja) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Pn接合ダイオードおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012028640A JP2012028640A (ja) | 2012-02-09 |
JP5294336B2 true JP5294336B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=45781203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010167382A Active JP5294336B2 (ja) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Pn接合ダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5294336B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101415599B1 (ko) | 2013-02-28 | 2014-07-08 | 주식회사 누리반도체 | Pn 접합 다이오드 제조방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4585772B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2010-11-24 | 関西電力株式会社 | 高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置 |
JP5678402B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2015-03-04 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
-
2010
- 2010-07-26 JP JP2010167382A patent/JP5294336B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012028640A (ja) | 2012-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI416740B (zh) | 氮化鎵異質結肖特基二極體 | |
US8946726B2 (en) | Grid-UMOSFET with electric field shielding of gate oxide | |
US8766279B1 (en) | SiC-based trench-type schottky device | |
JP5439763B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4683075B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
US9397186B2 (en) | Method of fabricating a gallium nitride merged P-I-N schottky (MPS) diode by regrowth and etch back | |
JP2007305609A (ja) | 半導体装置 | |
JP6189045B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
TWI633674B (zh) | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
JP2008021689A (ja) | 半導体装置 | |
TWI470802B (zh) | 溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法 | |
WO2014172164A2 (en) | Method of fabricating a merged p-n junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer | |
US8592298B2 (en) | Fabrication of floating guard rings using selective regrowth | |
JP5715461B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010225831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006186108A (ja) | 半導体装置 | |
US20150255629A1 (en) | Semiconductor device | |
US20130341632A1 (en) | Current aperture diode and method of fabricating same | |
JP5294336B2 (ja) | Pn接合ダイオードおよびその製造方法 | |
TW201330283A (zh) | 具有台面終端的碳化矽蕭基二極體元件及製造方法 | |
JP5342182B2 (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JP2009054659A (ja) | 窒化ガリウム半導体装置の製造方法 | |
US9466552B2 (en) | Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer | |
TW201635539A (zh) | 半導體裝置 | |
TW201929230A (zh) | 寬帶隙半導體裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20111101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5294336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |