JP5294238B2 - 電子素子 - Google Patents
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その結果、
1)雰囲気ガス(特に水素)に依存した素子特性の変動を抑える、
2)高温動作時にショットキー電極からの電流リークを減少させることで素子の安定化に貢献する、という二点の効果を実現することができた。
5)本発明を構成する絶縁膜は、厚さが10nm以下0.5nm以上であるのが好ましい。これは、絶縁膜の厚さが10nm以上の場合、素子に流れる電流が小さくなるので望ましくない。また、絶縁膜の厚さが0.5nm以下の場合、絶縁膜による素子特性安定性の効果が薄れてしまうためである。実施例では、ショットキー電極、オーミック電極はEB蒸着法で作成したが、スパッタリング法での電極製造も可能である。
表2(図2を作成した測定結果から作成)および図2から、通常の構造のショットキー接合は、水素雰囲気下においては、電流−電圧特性が大きく変化するのに対して、図1の構造を用いると、表3(図3を作成した測定結果から作成)および図3に示すように、水素雰囲気下においても、電流−電圧特性がほとんど変化しない。
Claims (1)
- 水素含有ガス雰囲気下で使用可能なMIS構造化されたショットキーダイオードであって、
半導体基板上にショットキー電極及びオーミック電極が設けられており、
前記ショットキー電極は、水素吸蔵性かつ高仕事関数の金属であるPt又はPdからなり、その厚さは25nm以下であり、
前記半導体基板と前記ショットキー電極との間に窒化シリコン(SixNy)薄膜が設けられており、その厚さは0.5nmから10nmであることを特徴とするMIS構造化されたショットキーダイオード。
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