JP5294019B2 - 発振器 - Google Patents
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Description
本発明は、コンデンサの一方の電極に接続される第1スイッチ素子の開閉状態と、コンデンサの他方の電極に接続される第2スイッチ素子の開閉状態とを、コンデンサの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に切り替えて所定の周期を有するパルス信号を出力する発振器に関する。
従来、所定の周期を有するパルス信号を利用する場合には発振器が用いられてきた。この種の発振器において、簡単な回路構成でパルス信号を得られるものとして、例えばマルチバイブレータがある。マルチバイブレータには、無安定マルチバイブレータや単安定マルチバイブレータや双安定マルチバイブレータ等がある。無安定マルチバイブレータは、電源を投入すると連続してパルス信号を出力し続けるものである。単安定マルチバイブレータは、所定の入力があった場合に、その入力が行われた時間に関係なく一定のパルス信号を出力するものである。双安定マルチバイブレータは、2つの所定の入力があった場合に1つのパルス信号を出力するものである。
このようなマルチバイブレータは、タイマICを用いて構成したり、オペアンプを用いて構成したりすることが可能であるが、低コストで構成する方法のひとつとしてトランジスタを用いて構成する方法がある。このようなトランジスタを用いて構成されたマルチバイブレータ(特に無安定マルチバイブレータ)が、例えば特許文献1に記載されている。
特許文献1に記載の無安定マルチバイブレータを用いた振幅制御発振器は、パルス信号の温度依存性や非線形性を向上するために、所謂エミッタ結合形マルチバイブレータからなる発振器と、定電流回路及び増幅器を含むレプリカ回路と、を備えて構成される。エミッタ結合形マルチバイブレータは、コンデンサの両端に夫々のエミッタ端子が接続された一対のトランジスタを含んで構成される。特許文献1に記載の無安定マルチバイブレータでは、当該一対のトランジスタのハイサイドに一対のクランプ用トランジスタが備えられ、このクランプ用トランジスタのベース−エミッタ間電圧の工程ばらつきや温度ばらつきが発生した場合でも、ばらつきをキャンセルすることができるように増幅器と定電流回路とが備えられる。そして、一対のクランプ用トランジスタのコレクタ端子とエミッタ端子との間には夫々プルアップ抵抗が配設される。
特許文献1に記載の振幅制御発振器が備える無安定マルチバイブレータのプルアップ抵抗の抵抗値が、製造ばらつきや温度ばらつきにより変動した場合には、一対のクランプ用トランジスタのエミッタ電流が変動するため、当該一対のクランプ用トランジスタのベース−エミッタ間電圧が変動してしまう。このため、コレクタ電流が変動してコンデンサの端子間電圧が所期の電圧値から変動してしまうので、パルス信号の発振周波数が変動してしまうといった問題があった。
本発明の目的は、上記問題に鑑み、発振周波数が一定なパルス信号を出力することが可能な発振器を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明に係る発振器の特徴構成は、コンデンサの一方の電極に接続される第1スイッチ素子の開閉状態と、前記コンデンサの他方の電極に接続される第2スイッチ素子の開閉状態とを、前記コンデンサの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に切り替えて所定の周期を有するパルス信号を出力するために、前記第1スイッチ素子の開閉状態を制御する制御信号を出力する制御信号出力部と、前記第1スイッチ素子の閉状態への移行に応じて、前記第1スイッチ素子を閉状態にする制御信号の信号レベルを保持する閉信号レベル保持部と、前記第2スイッチ素子の閉状態への移行に応じて、前記第1スイッチ素子を開状態にする制御信号の信号レベルを保持する開信号レベル保持部と、を備える点にある。
このような特徴構成とすれば、コンデンサの一方の電極に接続される第1スイッチ素子の閉状態への移行に応じて第1スイッチ素子を閉状態にする制御信号の信号レベルを閉信号レベル保持部が保持し、コンデンサの他方の電極に接続される第2スイッチ素子の閉状態への移行に応じて第1スイッチ素子を開状態にする制御信号の信号レベルを開信号レベル保持部が保持するので、第1スイッチ素子の閉状態及び開状態を一定に保持することが可能となる。したがって、温度ばらつきや製造ばらつき等に起因する発振周波数の変動を無くすことができる。即ち、発振周波数が一定なパルス信号を出力することが可能となる。また、高価なICやオペアンプ等を用いることなく主に安価なトランジスタで構成できるので、低コストで発振器を構成することができる。
また、前記第1スイッチ素子と前記コンデンサを充電する電源が接続された電源ラインとの間に前記第2スイッチ素子の閉状態への移行に伴い閉状態となる第3スイッチ素子を備えると共に、前記閉信号レベル保持部が、前記第3スイッチ素子とカレントミラー回路を構成する第4スイッチ素子を備えていると好適である。
このような構成とすれば、第1スイッチ素子の閉状態への移行に応じて、確実に閉信号レベル保持部を動作させることが可能となる。このため、第1スイッチ素子に対して温度ばらつきや製造ばらつき等により変動することがない第1スイッチ素子を閉状態にする制御信号を供給することが可能となる。したがって、コンデンサを定電流で充電することが可能になると共に、コンデンサを充電した場合の端子間電圧を一定に保つことができるので、発振周波数が一定なパルス信号を出力することが可能となる。
また、前記第2スイッチ素子と前記コンデンサを充電する電源が接続された電源ラインとの間に前記第2スイッチ素子の閉状態への移行に伴い閉状態となる第5スイッチ素子が備えられ、前記開信号レベル保持部が、前記第5スイッチ素子とカレントミラー回路を構成する第6スイッチ素子と、当該第6スイッチ素子の閉状態への移行に伴い閉状態に移行する第7スイッチ素子と、当該第7スイッチ素子とカレントミラー回路を構成する第8スイッチ素子と、を更に備えて構成されると好適である。
このような構成とすれば、第2スイッチ素子の閉状態への移行に応じて、確実に開信号レベル保持部を動作させることが可能となる。したがって、第1スイッチ素子に対して温度ばらつきや製造ばらつき等により変動することがない第1スイッチ素子を開状態にする制御信号を供給することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。本発明に係る発振器100は、コンデンサCの一方の電極に接続される第1スイッチ素子Q1の開閉状態と、コンデンサCの他方の電極に接続される第2スイッチ素子Q2の開閉状態とを、コンデンサCの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に切り替えて所定の周期を有するパルス信号を出力する。本発振器100においては、複数のスイッチ素子が用いられるが、当該スイッチ素子は特に断りが無い限り、MOS−FET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であるとして説明する。また、周知のようにMOS−FETは、その駆動方式(チャネルの種別)によりNチャネルMOS−FET及びPチャネルMOS−FETがあるが、以下の説明では、夫々N−MOS及びP−MOSとして説明する。
以下、発振器100の実施例1について説明する。図1は、発振器100の回路構成を示す図である。詳細は後述するが、図1に示されるように、本発振器100は無安定マルチバイブレータと複数のカレントミラー回路とを含んで構成される。また、本実施例では第1スイッチ素子Q1はN−MOSが用いられ、第2スイッチ素子Q2もN−MOSが用いられる。コンデンサCの一方の電極に第1スイッチ素子Q1のソース端子(以下、ソース)が接続され、コンデンサCの他方の電極に第2スイッチ素子Q2のソースが接続される。このため、第1スイッチ素子Q1や第2スイッチ素子Q2が閉状態である場合には、コンデンサCに電荷が充電される。また、夫々のソースとGND端子(以下、GND)との間には電流源I0が接続される。このため、第1スイッチ素子Q1や第2スイッチ素子Q2が開状態である場合には、当該電流源I0によりコンデンサCの電荷が放電される。ここで、詳細説明は後述するが、第1スイッチ素子Q1と第2スイッチ素子Q2とは、コンデンサCの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に開閉状態が切り替えられる。
制御信号出力部10は、第1スイッチ素子Q1の開閉状態を制御する制御信号を出力する。上述のように、第1スイッチ素子Q1と第2スイッチ素子Q2とは、開閉状態が交互に切り替えられて動作する。このため、制御信号出力部10は、第1スイッチ素子Q1の開閉状態を制御する制御信号出力部10と、第2スイッチ素子Q2の開閉状態を制御する制御信号出力部20(後述する)とがある。説明の理解を容易にするために、以降の説明においては、制御信号出力部10を第1制御信号出力部10とし、制御信号出力部20を第2制御信号出力部20として説明する。また、第1制御信号出力部10から出力される制御信号は第1制御信号とし、第2制御信号出力部20から出力される制御信号は第2制御信号(後述する)として説明する。
第1制御信号出力部10は、一対のスイッチ素子Q7、Q8から構成される。スイッチ素子Q7、Q8はN−MOSが用いられ、夫々の動作閾値電圧が同じものが用いられる。スイッチ素子Q7、Q8の夫々のソースは第1スイッチ素子Q1のゲート端子(以下、ゲート)に接続される。また、スイッチ素子Q7、Q8の夫々のドレーン端子(以下、ドレーン)は電源ライン30に接続され、電源ライン30はVCC端子に接続される。VCC端子は第1外部電源(図示しない)から所定の電圧が供給される。第1外部電源は、コンデンサCを充電する電源として利用される。なお、以下の説明ではVCC端子に供給される電圧をVCCとして説明する。
また、スイッチ素子Q7のゲートは、VREF端子に接続される。VREF端子は、第2外部電源(図示しない)から所定の電圧が供給される。以下の説明では、このVREF端子に供給される電圧をVREFとして説明する。ここで、VREFは少なくともVCCより低い電圧である。スイッチ素子Q8のゲートはVCCを供給可能に、後述する閉信号レベル保持部11を介してVCC端子に接続される。スイッチ素子Q7とスイッチ素子Q8とは、いずれか一方が開状態の場合には、他方が閉状態となるように動作する。ここで、スイッチ素子Q7やスイッチ素子Q8が閉状態にある場合の夫々のゲート−ソース間電圧をVGSとすると、スイッチ素子Q7が閉状態であれば、第1スイッチ素子Q1のゲートには「VREF−VGS」が供給される。一方、スイッチ素子Q8が閉状態であれば、第1スイッチ素子Q1のゲートには「VCC−VGS」が供給される。このように、第1制御信号出力部10は、VCCを基準とする第1制御信号とVREFを基準とする第1制御信号とを切り替えて、第1スイッチ素子Q1のゲートに供給する。
ここで、第1スイッチ素子Q1とコンデンサCを充電する電源が接続された電源ライン30との間には、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に伴い閉状態となる第3スイッチ素子Q3が備えられる。第3スイッチ素子Q3のソースは電源ライン30に接続され、第3スイッチ素子Q3のドレーンは第1スイッチ素子Q1のドレーンに接続される。また、第3スイッチ素子Q3のゲートは当該第3スイッチ素子Q3のドレーンに接続される。この第3スイッチ素子Q3は、P−MOSが用いられる。したがって、第1スイッチ素子Q1が閉状態へ移行した場合には、第1スイッチ素子Q1にドレーン電流が流れる。その後、第3スイッチ素子Q3のゲートがVCCから少なくとも動作閾値電圧だけ低くなった場合に第3スイッチ素子Q3も閉状態となる。
閉信号レベル保持部11は、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に応じて、第1スイッチ素子Q1を閉状態にする制御信号の信号レベルを保持する。ここで、上述のように第1スイッチ素子Q1を閉状態にする制御信号は、第1制御信号である。したがって、閉信号レベル保持部11は、第1スイッチ素子Q1を開状態にする第1制御信号の信号レベルを保持する。詳細は後述するが、発振器100は、第2スイッチ素子Q2を閉状態にする第2制御信号の信号レベルを保持する閉信号レベル保持部21も備えられている。このため、理解を容易にするために、第1スイッチ素子Q1を閉状態にする第1制御信号の信号レベルを保持する閉信号レベル保持部11を第1閉信号レベル保持部11とし、第2スイッチ素子Q2を閉状態にする第2制御信号の信号レベルを保持する閉信号レベル保持部21を第2閉信号レベル保持部21として説明する。
また、第1閉信号レベル保持部11は、第3スイッチ素子Q3とカレントミラー回路を構成する第4スイッチ素子Q15を備えて構成される。第4スイッチ素子Q15のソースは電源ライン30に接続され、第4スイッチ素子Q15のドレーンは第1制御信号出力部10が備えるスイッチ素子Q8のゲートと接続される。また、第4スイッチ素子Q15のゲートは第3スイッチ素子Q3のゲートと接続される。このような第4スイッチ素子Q15は第3スイッチ素子Q3と同様にP−MOSが用いられる。そして、夫々の動作閾値電圧は同じものが用いられる。したがって、第3スイッチ素子Q3と第4スイッチ素子Q15とはカレントミラー回路を構成することとなる。
上述のように、第1スイッチ素子Q1と電源ライン30との間には、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に伴って閉状態となる第3スイッチ素子Q3が備えられる。したがって、第1スイッチ素子Q1が閉状態へ移行した際には、第4スイッチ素子Q15も閉状態となる。即ち、第1スイッチ素子Q1にドレーン電流が流れた場合には、第4スイッチ素子Q15が閉状態となる。ここで、第4スイッチ素子Q15は非飽和領域で使用される。したがって、第4スイッチ素子Q15が閉状態となった場合には、第1制御信号出力部10が備えるスイッチ素子Q8のゲートにVCCが供給されることとなる。このVCCが、第1スイッチ素子Q1を閉状態にする第1制御信号の信号レベルに相当する。このようにして、閉信号レベル保持部11は、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に応じて、第1スイッチ素子Q1を閉状態にする第1制御信号の信号レベルを保持することが可能となる。このように、第1閉信号レベル保持部11により、温度ばらつきや製造ばらつき等により変動することがない、第1スイッチ素子Q1を閉状態とする第1制御信号が供給されるので、第1スイッチ素子Q1が閉状態の場合には定電流でコンデンサCを充電することが可能となる。なお、係る場合、第1スイッチ素子Q1のゲートには、VCCからスイッチ素子Q8のゲート−ソース間電圧が減じられた電圧、即ち「VCC−VGS」が供給される。
開信号レベル保持部12は、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に応じて、第1スイッチ素子Q1を開状態にする制御信号の信号レベルを保持する。ここで、上述のように第1スイッチ素子Q1を閉状態にする制御信号は、第1制御信号である。したがって、開信号レベル保持部12は、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に応じて、第1スイッチ素子Q1を開状態にする第1制御信号の信号レベルを保持する。詳細は後述するが、発振器100は、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に応じて、第2スイッチ素子Q2を開状態にする第2制御信号の信号レベルを保持する開信号レベル保持部22も備えられている。このため、理解を容易にするために、第1スイッチ素子Q1を開状態にする第1制御信号の信号レベルを保持する開信号レベル保持部12を第1開信号レベル保持部12とし、第2スイッチ素子Q2を開状態にする第2制御信号の信号レベルを保持する開信号レベル保持部22を第2開信号レベル保持部22として説明する。本実施形態では、第1開信号レベル保持部12はダイオードD2により構成される。ダイオードD2は、カソード端子(以下、カソード)がスイッチ素子Q8のゲートに接続され、アノード端子(以下、アノード)が電源ライン30に接続される。
ここで、上述のように、第1制御信号出力部10は、VCCを基準とする第1制御信号とVREFを基準とする第1制御信号とを切り替えて、第1スイッチ素子Q1のゲートに供給する。第1スイッチ素子Q1のゲートにVCCを基準とする第1制御信号を供給する場合には、上述の第1閉信号レベル保持部11が備える第4スイッチ素子Q15が閉状態となることにより実現される。この場合、上述のように、第4スイッチ素子Q15は非飽和領域で使用されるため、スイッチ素子Q8のゲートにはVCCが供給される。このため第4スイッチ素子Q15が閉状態となる場合には、ダイオードD2は順方向電圧の影響により閉状態となることはない(順方向電流が流れることはない)。一方、第1制御信号出力部10が、第1スイッチ素子Q1のゲートにVREFを基準とする第1制御信号を供給する場合には、上述の第1閉信号レベル保持部11が備える第4スイッチ素子Q15が開状態となる。
ここで、本発振器100は、上述のように第1スイッチ素子Q1の開閉状態と、第2スイッチ素子Q2の開閉状態とを交互に切り替えてコンデンサCの充放電を行う。即ち、第1スイッチ素子Q1が閉状態であれば第2スイッチ素子Q2は開状態となり、第1スイッチ素子Q1が開状態であれば第2スイッチ素子Q2は閉状態となる。
また、第2スイッチ素子Q2とコンデンサCを充電する電源が接続された電源ライン30との間には、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に伴い閉状態となる第5スイッチ素子Q4が備えられる。第5スイッチ素子Q4のソースは電源ライン30に接続され、第5スイッチ素子Q4のドレーンは第2スイッチ素子Q2のドレーンに接続される。また、第5スイッチ素子Q4のゲートは当該第5スイッチ素子Q4のドレーンに接続される。この第3スイッチ素子Q3はP−MOSが用いられる。したがって、第2スイッチ素子Q2が閉状態への移行に伴い、第2スイッチ素子Q2にドレーン電流が流れ、第5スイッチ素子Q4のゲート電圧がVCCから少なくとも動作閾値電圧だけ低くなった場合に第5スイッチ素子Q4も閉状態となる。
ここで、上述の第1開信号レベル保持部12は、第5スイッチ素子Q4とカレントミラー回路を構成する第6スイッチ素子Q11と、当該第6スイッチ素子Q11の閉状態への移行に伴い閉状態に移行する第7スイッチ素子Q12と、当該第7スイッチ素子Q12とカレントミラー回路を構成する第8スイッチ素子Q16と、を更に備えて構成される。第6スイッチ素子Q11のソースは電源ライン30に接続され、第6スイッチ素子Q11のドレーンは第7スイッチ素子Q12のドレーンに接続される。また、第6スイッチ素子Q11のゲートは第5スイッチ素子Q4のゲートと接続される。このような第6スイッチ素子Q11は第5スイッチ素子Q4と同様にP−MOSが用いられる。そして、夫々の動作閾値電圧は同じものが用いられる。したがって、第5スイッチ素子Q4と第6スイッチ素子Q11とはカレントミラー回路を構成することとなる。このため、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に伴い、第2スイッチ素子Q2にドレーン電流が流れた場合に第5スイッチ素子Q4も閉状態となる。
第7スイッチ素子Q12のソースはGNDに接地される。また、第7スイッチ素子Q12のゲートは当該第7スイッチ素子Q12のドレーンに接続される。この第7スイッチ素子Q12は、N−MOSが用いられる。このため、第6スイッチ素子Q11が閉状態に移行し、第7スイッチ素子Q12のゲートの電圧が第7スイッチ素子Q12の動作閾値電圧以上となれば、第7スイッチ素子Q12が閉状態に移行する。
第8スイッチ素子Q16のドレーンは、第1制御信号出力部10が備えるスイッチ素子Q8のゲートに接続され、第8スイッチ素子Q16のソースはGNDに接地される。また、第8スイッチ素子Q16のゲートは第7スイッチ素子Q12のゲートと接続される。このような第8スイッチ素子Q16は第7スイッチ素子Q12と同様にN−MOSが用いられる。そして、夫々の動作閾値電圧は同じものが用いられる。したがって、第7スイッチ素子Q12と第8スイッチ素子Q16とはカレントミラー回路を構成することとなる。このため、第7スイッチ素子Q12の閉状態への移行に伴い第8スイッチ素子Q16も閉状態となる。
第1制御信号出力部10から、VREF基準となる第1制御信号が出力されている場合には、第1スイッチ素子Q1が開状態となり、第2スイッチ素子Q2が閉状態となる。したがって、上述のように第5スイッチ素子Q4、第6スイッチ素子Q11、第7スイッチ素子Q12、及び第8スイッチ素子Q16が夫々閉状態となることにより、第1開信号レベル保持部12のダイオードD2は閉状態となり(導通状態となり)、スイッチ素子Q8のゲート電位は「VCC−VF(ダイオードD2のON電圧)」となる。したがって、第2スイッチ素子Q2が閉状態となった場合には、第1開信号レベル保持部12が動作することにより、確実に第1スイッチ素子Q1のゲートにVREF基準の第1制御信号を供給することが可能となる。このように、第1開信号レベル保持部12により、温度ばらつきや製造ばらつき等により変動することがない、第1スイッチ素子Q1を開状態とする第1制御信号を供給することが可能となる。
本発振器100が備える一方の出力端子OUT1は、第1スイッチ素子Q1のゲートに接続される。第1スイッチ素子Q1のゲートとGNDとの間には、定電流源IB1が備えられる。第1スイッチ素子Q1のゲートは、上述のように第1制御信号出力部10が備えるスイッチ素子Q7のソース及びスイッチ素子Q8のソースと接続される。したがって、出力端子OUT1からは、第1制御信号と同じ信号が出力されることとなる。即ち、本発振器100の出力端子OUT1から出力されるパルス信号は、第1制御信号出力部10からの第1制御信号と同じ信号となる。
即ち、第2スイッチ素子Q2が開状態であり、第1スイッチ素子Q1が閉状態である場合には、コンデンサCに充電された電荷は第1スイッチ素子Q1のソースとGNDとの間に備えられた電流源I0から定電流で放電される。一方、この状態にあっては、第1スイッチ素子Q1のゲートには上述のようにVCCを基準とした電圧が供給されている。即ち、VCCからスイッチ素子Q8のゲート−ソース間電圧が減じられた「VCC−VGS」が供給されている。したがって、出力端子OUT1からは、「VCC−VGS」が出力される。
一方、第1スイッチ素子Q1が開状態であり、第2スイッチ素子Q2が閉状態である場合には、コンデンサCに蓄えられた電荷は第2スイッチ素子Q2のソースとGNDとの間に備えられた電流源I0から定電流で放電される。一方、この状態にあっては、第1スイッチ素子Q1のゲートには上述のようにVREFを基準とした電圧が供給されている。即ち、VREFからスイッチ素子Q7のゲート−ソース間電圧が減じられた「VREF−VGS」が供給されている。したがって、出力端子OUT1からは、「VREF−VGS」が出力される。
本発振器100は、上述のように第1スイッチ素子Q1の開閉状態と第2スイッチ素子Q2の開閉状態とを交互に切り替えてコンデンサCの充放電を行う。したがって、上述の第1スイッチ素子Q1の開状態及び閉状態において説明した各スイッチ素子と同様のものが、第2スイッチ素子Q2の開状態及び閉状態において動作するように備えられる。基本的な構成は同様であるため、以下では概略のみ説明する。
第2制御信号出力部20は、第2スイッチ素子Q2の開閉状態を制御する第2制御信号を出力する。第2制御信号出力部20は、一対のスイッチ素子Q5、Q6から構成される。スイッチ素子Q5、Q6はN−MOSが用いられ、夫々の動作閾値電圧(以下、VGS)は同じものが用いられる。スイッチ素子Q5、Q6の夫々のソースは第2スイッチ素子Q2のゲートに接続される。また、スイッチ素子Q5、Q6の夫々のドレーンは電源ライン30に接続される。また、スイッチ素子Q6のゲートはVREF端子に接続される。スイッチ素子Q5のゲートはVCCを供給可能に後述する第2閉信号レベル保持部21を介してVCC端子に接続される。スイッチ素子Q5とスイッチ素子Q6とは、いずれか一方が開状態の場合には、他方が閉状態となるように動作する。スイッチ素子Q6が閉状態であれば、第2スイッチ素子Q2のゲートには「VREF−VGS」が供給される。一方、スイッチ素子Q5が閉状態であれば、第2スイッチ素子Q2のゲートには「VCC−VGS」が供給される。このように、第2制御信号出力部20は、VCCを基準とする第2制御信号とVREFを基準とする第2制御信号とを切り替えて、第2スイッチ素子Q2のゲートに供給する。
ここで、第2スイッチ素子Q2と電源ライン30との間には、上述のように第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に伴い閉状態となる第5スイッチ素子Q4が備えられる。この第5スイッチ素子Q4は、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に伴い、第5スイッチ素子Q4にドレーン電流が流れ、第5スイッチ素子Q4のゲート電圧がVCCから少なくとも動作閾値電圧だけ低くなった場合に閉状態となる。
第2閉信号レベル保持部21は、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に応じて、第2スイッチ素子Q2を閉状態にする第2制御信号の信号レベルを保持する。ここで、第2閉信号レベル保持部21は、第5スイッチ素子Q4とカレントミラー回路を構成する第9スイッチ素子Q13を備えて構成される。第9スイッチ素子Q13のソースは電源ライン30に接続され、第9スイッチ素子Q13のドレーンは第2制御信号出力部20が備えるスイッチ素子Q5のゲートと接続される。また、第9スイッチ素子Q13のゲートは第5スイッチ素子Q4のゲートと接続される。このような第9スイッチ素子Q13は第5スイッチ素子Q4と同様にP−MOSが用いられる。そして、夫々の動作閾値電圧は同じものが用いられる。したがって、第5スイッチ素子Q4と第9スイッチ素子Q13とはカレントミラー回路を構成することとなる。
上述のように、第2スイッチ素子Q2と電源ライン30との間には、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に伴って閉状態となる第5スイッチ素子Q4が備えられる。したがって、第2スイッチ素子Q2が閉状態へ移行した際には、第9スイッチ素子Q13も閉状態となる。即ち、第2スイッチ素子Q2にドレーン電流が流れた場合には、第9スイッチ素子Q13が閉状態となる。ここで、第9スイッチ素子Q13は非飽和領域で使用される。したがって、第9スイッチ素子Q13が閉状態となった場合には、第2制御信号出力部20が備えるスイッチ素子Q5のゲートにVCCが供給されることとなる。このVCCが、第2スイッチ素子Q2を閉状態にする第2制御信号の信号レベルに相当する。このようにして、第2閉信号レベル保持部21は、第2スイッチ素子Q2の閉状態への移行に応じて、第2スイッチ素子Q2を閉状態にする第2制御信号の信号レベルを保持することが可能となる。このように、第2閉信号レベル保持部21により、温度ばらつきや製造ばらつき等により変動することがない、第2スイッチ素子Q2を閉状態とする第2制御信号が供給されるので、第2スイッチ素子Q2が閉状態の場合には定電流でコンデンサCを充電することが可能となる。なお、係る場合、第2スイッチ素子Q2のゲートには、上述のように、VCCからスイッチ素子Q5のゲート−ソース間電圧が減じられた電圧、即ち「VCC−VGS」が供給される。
第2開信号レベル保持部22は、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に応じて、第2スイッチ素子Q2を開状態にする第2制御信号の信号レベルを保持する。本実施形態では、第2開信号レベル保持部22はダイオードD1により構成される。ダイオードD1は、カソードがスイッチ素子Q5のゲートに接続され、アノードが電源ライン30に接続される。
ここで、上述のように、第2制御信号出力部20は、VCCを基準とする第2制御信号とVREFを基準とする第2制御信号とを切り替えて、第2スイッチ素子Q2のゲートに供給する。第2スイッチ素子Q2のゲートにVCCを基準とする第2制御信号を供給する場合には、上述の第2閉信号レベル保持部21が備える第9スイッチ素子Q13が閉状態となることにより実現される。この場合、上述のように、第9スイッチ素子Q13は非飽和領域で使用されるため、スイッチ素子Q5のゲートには「VCC−VF(ダイオードD1のON電圧)」が供給される。このため第9スイッチ素子Q13が閉状態となる場合には、ダイオードD1は順方向電圧の影響により閉状態となることはない(順方向電流が流れることはない)。一方、第2制御信号出力部20が、第2スイッチ素子Q2のゲートにVREFを基準とする第2制御信号を供給する場合には、上述の第2閉信号レベル保持部21が備える第9スイッチ素子Q13が開状態となる。
ここで、本発振器100は、上述のように第1スイッチ素子Q1の開閉状態と、第2スイッチ素子Q2の開閉状態とを交互に切り替えてコンデンサCの充放電を行う。即ち、第1スイッチ素子Q1が閉状態であれば第2スイッチ素子Q2は開状態となり、第1スイッチ素子Q1が開状態であれば第2スイッチ素子Q2は閉状態となる。
また、上述のように第1スイッチ素子Q1とコンデンサCを充電する電源が接続された電源ライン30との間には、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に伴い閉状態となる第3スイッチ素子Q3が備えられる。この第3スイッチ素子Q3は、第1スイッチ素子Q1が閉状態への移行に伴い、第1スイッチ素子Q1にドレーン電流が流れ、第3スイッチ素子Q3のゲートがVCCから少なくとも動作閾値電圧だけ低くなった場合に閉状態となる。
ここで、上述の第2開信号レベル保持部22は、第3スイッチ素子Q3とカレントミラー回路を構成する第10スイッチ素子Q9と、当該第10スイッチ素子Q9の閉状態への移行に伴い閉状態に移行する第11スイッチ素子Q10と、当該第11スイッチ素子Q10とカレントミラー回路を構成する第12スイッチ素子Q14と、を更に備えて構成される。第10スイッチ素子Q9のソースは電源ライン30に接続され、第10スイッチ素子Q9のドレーンは第11スイッチ素子Q10のドレーンに接続される。また、第10スイッチ素子Q9のゲートは第3スイッチ素子Q3のゲートと接続される。このような第10スイッチ素子Q9は第3スイッチ素子Q3と同様にP−MOSが用いられる。そして、夫々の動作閾値電圧は同じものが用いられる。したがって、第10スイッチ素子Q9と第3スイッチ素子Q3とはカレントミラー回路を構成することとなる。このため、第1スイッチ素子Q1の閉状態への移行に伴い、第1スイッチ素子Q1にドレーン電流が流れた場合に第3スイッチ素子Q3も閉状態となる。
第11スイッチ素子Q10のソースはGNDに接地される。また、第11スイッチ素子Q10のゲートは当該第11スイッチ素子Q10のドレーンに接続される。この第11スイッチ素子Q10は、N−MOSが用いられる。このため、第10スイッチ素子Q9が閉状態に移行し、第11スイッチ素子Q10のゲートの電圧が第11スイッチ素子Q10の動作閾値電圧以上となれば、第11スイッチ素子Q10が閉状態に移行する。
第12スイッチ素子Q14のドレーンは、第2制御信号出力部20が備えるスイッチ素子Q5のゲートに接続され、第12スイッチ素子Q14のソースはGNDに接地される。また、第12スイッチ素子Q14のゲートは第11スイッチ素子Q10のゲートと接続される。このような第12スイッチ素子Q14は第11スイッチ素子Q10と同様にN−MOSが用いられる。そして、夫々の動作閾値電圧は同じものが用いられる。したがって、第11スイッチ素子Q10と第12スイッチ素子Q14とはカレントミラー回路を構成することとなる。このため、第11スイッチ素子Q10の閉状態への移行に伴い第12スイッチ素子Q14も閉状態となる。
第2制御信号出力部20から、VREF基準となる第2制御信号が出力されている場合には、第2スイッチ素子Q2が開状態となり、第1スイッチ素子Q1が閉状態となる。したがって、上述のように第3スイッチ素子Q3、第10スイッチ素子Q9、第11スイッチ素子Q10、及び第12スイッチ素子Q14が夫々閉状態となることにより、第2開信号レベル保持部22のダイオードD1は閉状態となり(導通状態となり)、スイッチ素子Q5のゲートは「VCC−VF」電位となる。したがって、第1スイッチ素子Q1が閉状態となった場合には、第2開信号レベル保持部22が動作することにより、確実に第2スイッチ素子Q2のゲートにVREF基準の第2制御信号を供給することが可能となる。このように、第2開信号レベル保持部22により、温度ばらつきや製造ばらつき等により変動することがない、第2スイッチ素子Q2を開状態とする第2制御信号を供給することが可能となる。
本発振器100が備える他方の出力端子OUT2は、第2スイッチ素子Q2のゲートに接続される。第2スイッチ素子Q2のゲートとGNDとの間には、定電流源IB1が備えられる。第2スイッチ素子Q2のゲートは、上述のように第2制御信号出力部20が備えるスイッチ素子Q5のソース及びスイッチ素子Q6のソースと接続される。したがって、出力端子OUT2からは、第2制御信号と同じ信号が出力されることとなる。即ち、本発振器100の出力端子OUT2から出力されるパルス信号は、第2制御信号出力部20からの第2制御信号と同じ信号となる。
即ち、第1スイッチ素子Q1が開状態であり、第2スイッチ素子Q2が閉状態である場合には、コンデンサCの充電された電荷は第2スイッチ素子Q2のソースとGNDとの間に備えられた電流源I0から定電流で放電される。一方、この状態にあっては、第2スイッチ素子Q2のゲートには上述のようにVCCを基準とした電圧が供給されている。即ち、VCCからスイッチ素子Q5のゲート−ソース間電圧が減じられた「VCC−VGS」が供給されている。したがって、出力端子OUT2からは、「VCC−VGS」が出力される。
一方、第2スイッチ素子Q2が開状態であり、第1スイッチ素子Q1が閉状態である場合には、コンデンサCに蓄えられた電荷は第1スイッチ素子Q1のソースとGNDとの間に備えられた電流源I0から定電流で放電される。一方、この状態にあっては、第2スイッチ素子Q2のゲートには上述のようにVREFを基準とした電圧が供給されている。即ち、VREFからスイッチ素子Q6のゲート−ソース間電圧が減じられた「VREF−VGS」が供給されている。したがって、出力端子OUT2からは、「VREF−VGS」が出力される。
次に、出力端子OUT1及び出力端子OUT2から出力されるパルス信号と、各スイッチ素子の開閉状態に関して説明する。図2(a)は出力端子OUT1の電圧波形、図2(b)は第1スイッチ素子Q1のソースの電圧波形、図2(c)は出力端子OUT2の電圧波形、図2(d)は第2スイッチ素子Q2のソースの電圧波形である。また、図3は第1スイッチ素子Q1が閉状態となった場合の各スイッチ素子の開閉状態を示した図であり、図4は第2スイッチ素子Q2が閉状態となった場合の各スイッチ素子の開閉状態を示した図である。なお、図3及び図4において、VCCに基づく電圧及び電流は太実線で示し、VREFに基づく電圧及び電流は太破線で示している。
ここで、以下の説明においては各スイッチ素子が閉状態となった場合のゲート−ソース間電圧は、N−MOS及びP−MOSに拘らずVGSで表わすこととする。コンデンサCに蓄えられる電荷が第1スイッチ素子Q1のソースに接続された定電流源I0により放電され、第1スイッチ素子Q1のソースの電圧が第1スイッチ素子Q1のゲートの電圧より少なくとも動作閾値電圧以上低くなると(例えば図2(a)における時間:t1)、第1スイッチ素子Q1は閉状態となる。この場合、第1スイッチ素子Q1のゲートの電圧は「VCC−VGS」となり、第1スイッチ素子Q1のソースの電圧は「VCC−2VGS」となる。
図3は、出力端子OUT1が「VCC−VGS」となる場合の各スイッチ素子は状態を示す図である。出力端子OUT1が「VCC−VGS」となる場合には、太実線で示したラインのスイッチ素子に対してVCCに起因する電圧の印加又は電流の通電が行われる。一方、太破線で示したラインのスイッチ素子に対してVREFに起因する電圧の印加又は電流の通電が行われる。第1スイッチ素子Q1が閉状態となることから第3スイッチ素子Q3が閉状態となる。当該第3スイッチ素子Q3とカレントミラー回路を構成する第4スイッチ素子Q15が閉状態となり、スイッチ素子Q8のゲートにVCCが供給される。したがって、第1スイッチ素子Q1のゲートには、確実に「VCC−VGS」を供給することが可能となる。
また、第3スイッチ素子Q3が閉状態となることから、当該第3スイッチ素子Q3とカレントミラー回路を構成する第10スイッチ素子Q9が閉状態となる。このため、第11スイッチ素子Q10が閉状態となり、当該第11スイッチ素子Q10とカレントミラー回路を構成する第12スイッチ素子Q14が閉状態となる。第12スイッチ素子Q14が閉状態となると、当該第12スイッチ素子Q14のドレーンが「VCC−VF」電位となるためダイオードD1が動作して確実にスイッチ素子Q5を動作させないようにすることが可能となる。したがって、第2制御信号出力部20が備えるスイッチ素子Q6が閉状態となり、出力端子OUT2は「VREF−VGS」となる。また、第2スイッチ素子Q2のソースの電圧は、コンデンサCによりクランプされ「2VCC−VREF−2VGS」となる。第1スイッチ素子Q1の閉状態にあっては、上記スイッチ素子が閉状態となり、それ以外のスイッチ素子は開状態となる。
この状態でコンデンサCの容量は、第2スイッチ素子Q2のソースに接続された定電流源I0により放電される。このため、第2スイッチ素子Q2のソースの電圧は次第に低下する。当該ソースの電圧が「VREF−2VGS」となると、第2スイッチ素子Q2は開状態から閉状態に移行し、第2スイッチ素子Q2のゲートが「VCC−VGS」となる。
図4は、出力端子OUT2が「VCC−VGS」となる場合の各スイッチ素子は状態を示す図である。出力端子OUT2が「VCC−VGS」となる場合には、太実線で示したラインのスイッチ素子に対してVCCに起因する電圧の印加又は電流の通電が行われる。一方、太破線で示したラインのスイッチ素子に対してVREFに起因する電圧の印加又は電流の通電が行われる。第2スイッチ素子Q2が閉状態となると第5スイッチ素子Q4が閉状態となる。当該第5スイッチ素子Q4とカレントミラー回路を構成する第9スイッチ素子Q13が閉状態となり、スイッチ素子Q5のゲートにVCCが供給される。したがって、第2スイッチ素子Q2のゲートには、確実に「VCC−VGS」を供給することが可能となる。
また、第5スイッチ素子Q4が閉状態となることから、当該第5スイッチ素子Q4とカレントミラー回路を構成する第6スイッチ素子Q11が閉状態となる。このため、第7スイッチ素子Q12が閉状態となり、当該第7スイッチ素子Q12とカレントミラー回路を構成する第8スイッチ素子Q16が閉状態となる。第8スイッチ素子Q16が閉状態となると、当該第8スイッチ素子Q16のドレーンが「VCC−VF」電位となるためダイオードD2が動作して確実にスイッチ素子Q8を動作させないようにすることが可能となる。したがって、第1制御信号出力部10が備えるスイッチ素子Q8が閉状態となり、出力端子OUT2は「VREF−VGS」となる。また、第1スイッチ素子Q1のソースの電圧は、コンデンサCによりクランプされ「2VCC−VREF−2VGS」となる。第2スイッチ素子Q2の閉状態にあっては、上記スイッチ素子が閉状態となり、それ以外のスイッチ素子は開状態となる。
このように本発振器100は、出力端子OUT1及び出力端子OUT2から、所定の周期でパルス信号を出力する。なお、このパルス信号の発振周波数fは、I0/(4×C×(VCC−VREF))となる。したがって、発振周波数fをコンデンサC以外の部品のばらつき等に起因した発振周波数の変動をなくすことが可能となる。ただし、適切に発振させるには「VCC−VREF」をダイオードD1、D2の順方向電圧よりも小さくする必要がある。
次に、発振器100の実施例2について説明する。図5は、実施例2に係る発振器100の回路構成を示す図である。実施例2の発振器100は、第6スイッチ素子Q11、第7スイッチ素子Q12、第8スイッチ素子Q16、第10スイッチ素子Q9、第11スイッチ素子Q10、及び第12スイッチ素子Q14の代わりに2つの定電流源I0/2を備えている点で実施例1の発振器100と異なる。以下、その異なる点を中心に説明する。
実施例2に係る発振器100も、実施例1の発振器100と同様に、第1スイッチ素子Q1の開閉状態と、第2スイッチ素子Q2の開閉状態とをコンデンサCの充放電に基づき交互に切り替えて、所定の周期でパルス信号を出力する。したがって、第1スイッチ素子Q1が閉状態にあれば第2スイッチ素子Q1は開状態となり、第1スイッチ素子Q1が開状態にあれば第2スイッチ素子Q2は閉状態となる。
第1スイッチ素子Q1が閉状態となると、当該第1スイッチ素子Q1と電源ライン30との間に備えられる第3スイッチ素子Q3も閉状態となる。第3スイッチ素子Q3が閉状態となると、当該第3スイッチ素子Q3とカレントミラー回路を構成する第4スイッチ素子Q15も閉状態となる。当該第4スイッチ素子Q15が閉状態となれば、第1制御信号出力部10が備えるスイッチ素子Q8のゲートにVCCを供給することが可能になる。
一方、上述のように第1スイッチ素子Q1が閉状態である場合には、第2スイッチ素子Q2は開状態となる。したがって、第2スイッチ素子Q2と電源ライン30との間に備えられた第5スイッチ素子Q4も開状態となる。したがって、当該第5スイッチ素子Q4とカレントミラー回路を構成する第9スイッチ素子Q13も開状態となる。ここで、第9スイッチ素子Q13のドレーンとGNDとの間には、定電流源I0/2が備えられる。第9スイッチ素子Q13も開状態であるため、定電流源I0/2はダイオードD1を介して電源ライン30から定電流を掃引する。このため、スイッチ素子Q5のゲートの電圧を「VCC−VF(ダイオードD1のON電圧)」レベルまで低くすることが可能となると共に、第2スイッチ素子Q2のゲートの電圧をVREFに基づく第2制御信号を供給することが可能となる。したがって、確実に第2スイッチ素子Q2を開状態とすることが可能となる。
一方、第2スイッチ素子Q2が開状態となると、当該第2スイッチ素子Q2と電源ライン30との間に備えられる第5スイッチ素子Q4も閉状態となる。第5スイッチ素子Q4が閉状態となると、当該第5スイッチ素子Q4とカレントミラー回路を構成する第9スイッチ素子Q13も閉状態となる。当該第9スイッチ素子Q13が閉状態となれば、第2制御信号出力部20が備えるスイッチ素子Q5のゲートにVCCを供給することが可能となる。
また、第2スイッチ素子Q2が閉状態である場合には、第1スイッチ素子Q1が開状態となる。したがって、第1スイッチ素子Q1と電源ライン30との間に備えられた第3スイッチ素子Q3も開状態となる。したがって、当該第3スイッチ素子Q3とカレントミラー回路を構成する第3スイッチ素子Q15も開状態となる。ここで、第4スイッチ素子Q15のドレーンとGNDとの間には、定電流源I0/2が備えられる。第4スイッチ素子Q15も開状態であるため、定電流源I0/2はダイオードD2を介して電源ライン30から定電流を掃引する。このため、スイッチ素子Q8のゲートの電圧をGNDレベルまで低くすることが可能となると共に、第1スイッチ素子Q1のゲートの電圧をVREFに基づく第1制御信号を供給することが可能となる。したがって、確実に第1スイッチ素子Q1を開状態とすることが可能となる。
このように、実施例2に係る発振器100であっても、出力端子OUT1及び出力端子OUT2から、所定の周期でパルス信号を出力する。このパルス信号の発振周波数fは、実施例1と同様に、I0/(4×C×(VCC−VREF))となる。したがって、発振周波数fをコンデンサC以外の部品のばらつき等に起因した発振周波数fの変動をなくすことが可能となる。
〔その他の実施例〕
上記実施例では、第1制御信号制御部12がダイオードD1から構成され、第2制御信号制御部22がダイオードD2から構成されるとして説明した。しかしながら、本発明の適用範囲は、これに限定されるものではない。例えば、図6に示されるように、第1制御信号制御部12を抵抗器R1により構成し、第2制御信号制御部22を抵抗器R2により構成することも当然に可能である。このような構成であっても、上述の実施例1及び実施例2のようにばらつきのない発振周波数fを有するパルス信号を出力することは当然に可能である。
上記実施例では、第1制御信号制御部12がダイオードD1から構成され、第2制御信号制御部22がダイオードD2から構成されるとして説明した。しかしながら、本発明の適用範囲は、これに限定されるものではない。例えば、図6に示されるように、第1制御信号制御部12を抵抗器R1により構成し、第2制御信号制御部22を抵抗器R2により構成することも当然に可能である。このような構成であっても、上述の実施例1及び実施例2のようにばらつきのない発振周波数fを有するパルス信号を出力することは当然に可能である。
また、図7に示されるように、第1制御信号制御部12をバイポーラトランジスタTr1により構成し、第2制御信号制御部22をバイポーラトランジスタTr2により構成することも当然に可能である。係る場合には、NPNトランジスタを用いると好適である。バイポーラトランジスタTr1のエミッタ端子(以下、エミッタ)をスイッチ素子Q5のゲートに接続し、バイポーラトランジスタTr1のコレクタ端子(以下、コレクタ)及びベース端子(以下、ベース)を電源ライン30に接続すると好適である。また、バイポーラトランジスタTr2のエミッタをスイッチ素子Q8のゲートに接続し、バイポーラトランジスタTr2のコレクタ及びベースを電源ライン30に接続すると好適である。このような構成であっても、上述の実施例1及び実施例2のようにばらつきのない発振周波数fを有するパルス信号を出力することは当然に可能である。
更には、図8に示されるように、第1制御信号制御部12をMOS−FETTr1により構成し、第2制御信号制御部22をMOS−FETTr2により構成することも当然に可能である。係る場合には、N−MOSを用いると好適である。MOS−FETTr1のソースをスイッチ素子Q5のゲートに接続し、MOS−FETTr1のドレーン及びゲートを電源ライン30に接続すると好適である。また、MOS−FETTr2のソースをスイッチ素子Q8のゲートに接続し、MOS−FETTr2のドレーン及びゲートを電源ライン30に接続すると好適である。このような構成であっても、上述の実施例1及び実施例2のようにばらつきのない発振周波数fを有するパルス信号を出力することは当然に可能である。
上記実施例では、VCCが第1外部電源から供給し、VREFは第2外部電源から供給されるとして説明した。例えば、第2外部電源をVCC基準のバンドギャップリファレンス回路を用いて構成することにより、VCCの変動や温度ばらつきがあった場合でもVREFを一定にすることができる。したがって、高精度の発振周波数fのパルス信号を出力可能な高精度の発振器100を構成することが可能となる。
本発明は、コンデンサの一方の電極に接続される第1スイッチ素子の開閉状態と、コンデンサの他方の電極に接続される第2スイッチ素子の開閉状態とを、コンデンサの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に切り替えて所定の周期を有するパルス信号を出力する発振器に利用可能である。
10:制御信号出力部(第1制御信号出力部)
11:閉信号レベル保持部(第1閉信号レベル保持部)
12:開信号レベル保持部(第1開信号レベル保持部)
20:第2制御信号出力部
21:第2閉信号レベル保持部
22:第2開信号レベル保持部
30:電源ライン
100:発振器
Q1:第1スイッチ素子
Q2:第2スイッチ素子
11:閉信号レベル保持部(第1閉信号レベル保持部)
12:開信号レベル保持部(第1開信号レベル保持部)
20:第2制御信号出力部
21:第2閉信号レベル保持部
22:第2開信号レベル保持部
30:電源ライン
100:発振器
Q1:第1スイッチ素子
Q2:第2スイッチ素子
Claims (3)
- コンデンサの一方の電極に接続される第1スイッチ素子の開閉状態と、前記コンデンサの他方の電極に接続される第2スイッチ素子の開閉状態とを、前記コンデンサの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に切り替えて所定の周期を有するパルス信号を出力する発振器であって、
前記第1スイッチ素子の開閉状態を制御する制御信号を出力する制御信号出力部と、
前記第1スイッチ素子の閉状態への移行に応じて、前記第1スイッチ素子を閉状態にする制御信号の信号レベルを保持する閉信号レベル保持部と、
前記第2スイッチ素子の閉状態への移行に応じて、前記第1スイッチ素子を開状態にする制御信号の信号レベルを保持する開信号レベル保持部と、
を備える発振器。 - 前記第1スイッチ素子と前記コンデンサを充電する電源が接続された電源ラインとの間に前記第2スイッチ素子の閉状態への移行に伴い閉状態となる第3スイッチ素子を備えると共に、
前記閉信号レベル保持部が、前記第3スイッチ素子とカレントミラー回路を構成する第4スイッチ素子を備えている請求項1に記載の発振器。 - 前記第2スイッチ素子と前記コンデンサを充電する電源が接続された電源ラインとの間に前記第2スイッチ素子の閉状態への移行に伴い閉状態となる第5スイッチ素子が備えられ、
前記開信号レベル保持部が、前記第5スイッチ素子とカレントミラー回路を構成する第6スイッチ素子と、当該第6スイッチ素子の閉状態への移行に伴い閉状態に移行する第7スイッチ素子と、当該第7スイッチ素子とカレントミラー回路を構成する第8スイッチ素子と、を更に備えて構成される請求項1又は2に記載の発振器。
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