JP5292374B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。
第1電極層は、金属部と、複数の第1開口部と、第2開口部と、を有する。
第1電極層は、前記第2半導体層の前記第1半導体層とは反対側に設けられる。
金属部は、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル(nm)以上、200nm以下である。
複数の第1開口部は、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が10nm以上、1マイクロメートル(μm)以下であって発光層で発生する光の中心波長の1/2以下である。
第2開口部は、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が1μmを超え、30μm以下である。
第1電極層は、前記第2半導体層と導通し、第2電極層は、前記第1半導体層と導通する。
第1電極層の全体の面積に対する第2開口部の面積は、5%以上50%以下である。
ここで、前記円相当直径=2×(前記方向にみた前記開口部の面積/π)1/2である。
ここで、前記円相当直径=2×(前記方向にみた前記開口部の面積/π)1/2である。
ここで、前記円相当直径=2×(前記方向にみた前記開口部の面積/π)1/2である。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。
図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的斜視図である。
第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、構造体100、第1電極層20、第2電極層30、を備える。
なお、実施形態では、説明の便宜上、構造体100の第2半導体層52の側を表面側または上側、構造体100の第1半導体層51の側を裏面側または下側とする。また、第1半導体層51から第2半導体層52に向かう方向に沿った積層方法をZ方向とする。
円相当直径=2×(面積/π)1/2
ここで、面積は、第1開口部21、または、第2開口部22の、Z方向からみたときの面積である。
半導体発光素子110は、例えばn形GaAsの基板511を備え、この基板511の上に、例えばn形のInAlPによるクラッド層512と、InGaPによる発光層53と、p形のInAlPによるクラッド層521と、を含むヘテロ構造が形成される。
ここで、コンタクト層523には、例えばGaAs及びGaPを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、コンタクト層523に用いられる材料は、例えば、コンタクト層523に隣接する電流拡散層522の材料、及び、第1電極層20に用いられる材料に基づいて適切に選択される。
図2では、第1開口部及び第2開口部におけるそれぞれ1つの開口形状を例示している。
なお、これらの開口形状は一例であって、これらに限定されない。また、開口形状は、種々の形状が組み合わされていてもよい。
以下の説明では、第1開口部21及び第2開口部22の開口形状として略円形の場合を例とする。
そして、実施形態に係る半導体発光素子110において、発光層53から放出された光は、電流拡散層である第2半導体層52の第1電極層20が設けられた全面から外部に放出される。
すなわち、半導体発光素子110では、比較的大きな第1電極層20を設けることで高い放熱性を得て、半導体発光素子110の温度上昇を抑制している。また、第1電極層20に設けられた第1開口部21及び第2開口部22の大きさ(例えば、円相当直径)を調整することによっても、半導体発光素子110の温度上昇を抑制している。すなわち半導体発光素子110の順方向の電圧を低下させることによって直列抵抗を低下させ、発熱自体を減少させることができる。
すなわち、上述のように、実施形態に係る半導体発光素子110では、電気的特性及び熱特性に関して、通常の半導体発光素子に比べて大幅な向上が見られる。特に、半導体発光素子110では、大電流投入領域でのピーク輝度で、大幅な性能向上が得られる。そして、上記(2)の条件を満たす第2開口部22を設けることで、低電流領域での輝度の向上を図ることができる。
すなわち、第1電極層20の金属部23の材料となる金属には、例えば、Ag、Auをベース金属とすることが好ましい。これにより、吸収損失が抑制できる。さらに、金属部23の材料となる金属には、Al、Zn、Zr、Si、Ge、Pt、Rh、Ni、Pd、Cu、Sn、C、Mg、Cr、Te、Se、Tiから選択された少なくとも1つの材料または合金であることが好ましい。これにより、オーミック性、密着性、耐熱性が向上する。金属部23の材料となる金属には、十分な導電性および熱伝導性を有しているものを用いることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限定されず、任意の金属を用いることができる。
なお、複数の電流供給源が設けられている場合には、各電流供給源のそれぞれに対応して第1電極層20の金属部23が連続していればよい。
次に、第2の実施形態を説明する。第2の実施形態は、半導体発光素子の製造方法である。
開口部を有する第1電極層を形成させる方法のもうひとつは、電子線描画による方法である。この方法を利用した第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体の当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(a1)と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程(a2)と、当該レジスト膜に電子線を照射し、現像し、複数の第1レジスト開口部及び第2レジスト開口部を有するレジスト層を形成する工程(a3)と、当該レジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の第1開口部と、第2開口部と、を有する第1電極層を形成する工程(a4)と、を備える。
図3は、電子線描画を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図3(a)に表したように、第1半導体層51上に発光層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。また、第1半導体層51に第2電極層30を形成する。
次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上に電子線用のレジスト膜200Aの層を形成する。
ここで、第1電極層20における第2開口部22は、数μm程度の大きさがあり、エキシマレーザーや水銀灯の輝線を利用した光リソグラフィでも十分に形成可能である。化学増幅型レジストに用いられるトリフェニルスルホニウム塩やジフェニルヨードニウム塩など多数の光酸発生剤が電子線と光との両方に感光する。このため、電子線描画で第1開口部21に対応した露光を行い、その後、紫外線露光で第2開口部22に対応したを露光を行って、同じレジストで両方に対応したパターンを作成することもできる。
第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、スタンパを利用するものである。その方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体の当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(b1)と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程(b2)と、レジスト膜に、凸部を有するスタンパの凸部を押し付けて、当該レジスト膜に複数の第1レジスト凹部及び第2レジスト凹部を有するレジスト層を形成する工程(b3)と、当該レジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の第1レジスト凹部に対応した複数の第1開口部と、第2レジスト凹部に対応した第2開口部と、を有する第1電極層を形成する工程(b4)と、を備える。
図4は、スタンパを利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図4(a)に表したように、第1半導体層51上に発光層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。また、第1半導体層51に第2電極層30を形成する。
次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上にレジスト膜801Aの層を形成する。
例えば、スタンパ802の第1凸部802a及び第2凸部802bが設けられた転写面において、複数の第1凸部802aが設けられ、複数の第1凸部802aは不連続である。
スタンパ802は、例えば石英上に電子線リソグラフィにて所望の構造を形成させることにより製造することができる。なお、スタンパ802の材料及びスタンパ802の微細凹凸構造の形成手法はこれに限定されない。例えば、スタンパ802を後述するブロックコポリマー(ブロック共重合体)の自己組織化や、微粒子マスクを用いた方法により形成することも可能である。
第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法のひとつは、ブロックコポリマーの自己組織化による相分離を利用するものである。その方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体の当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(c1)と、当該金属層の少なくとも一部の表面にブロックコポリマーを含む組成物を塗布し、当該ブロックコポリマーを相分離させてミクロドメインパターンを生成する工程(c2)と、当該ミクロドメインパターンをマスクとして当該金属層をエッチングして、複数の第1開口部と、第2開口部と、を有する第1電極層を形成する工程(c3)と、を備える。
図5は、ブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図5(a)に表したように、第1半導体層51上に発光層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。また、第1半導体層51に第2電極層30を形成する。
次いで、第2半導体層52の上にコンタクト層14を形成し、その上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上に、例えばシリコン酸化膜701Aを形成する。
第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法のさらに別のひとつは、シリカ等の微粒子の単分子層をマスクとして利用するものである。その方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体の当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(d1)と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程(d2)と、当該レジスト膜の表面に微粒子の単粒子層を形成させる工程(d3)と、当該単粒子層をマスクとして当該レジスト膜をエッチングし、開口部を有するレジスト層を形成する工程(d4)と、当該レジスト層の開口部に無機物質を充填して逆パターンマスクを形成する工程(d5)と、当該逆パターンマスクをマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の第1開口部と、第2開口部と、を有する第1電極層を形成する工程(d6)と、を備える。
図6は、微粒子のマスクを利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図6(a)に表したように、第1半導体層51上に発光層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。また、第1半導体層51に第2電極層30を形成する。
次いで、第2半導体層52の上にコンタクト層14を形成し、その上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上にレジスト膜601Aの層を形成する。
実施例1では、上記(A)の電子線描画を利用した方法に準じて半導体発光素子111を製造する。
さらに、直径3μm、間隔6μmのホールパターンの重ねうちを行い、ホールパターン(第2レジスト開口部202b)を形成する。なお、第2レジスト開口部202bは、寸法が大きいため、光リソグラフィで行ってもかまわない。
実施例2では、上記(C)のブロックコポリマーの自己組織化を利用した方法に準じて半導体半導体発光素子112を製造する。
比較のため、p形GaAsコンタクト層の上に円形のパッド電極のみを形成した半導体発光素子191を形成する(比較例1)。
また、第1開口部21のみを作成し、第2開口部22を作成しない半導体発光素子192も作成する(比較例2)。
同図において、横軸は電流、縦軸は出力である。
これは、第2半導体層52の上の全面に第1電極層20が設けられていることで、半導体発光素子111、112及び192の放熱性が向上したことによるものである。
さらに、高電流領域では、半導体発光素子192と同程度の出力を保っている。
第1電極層20の面積にも依存するが、一般に100mA以上の電流量において、半導体発光素子111及び112による効果が顕著となる。
図8は、変形例に係る半導体発光素子を例示する模式的断面図である。
本変形例に係る半導体発光素子120においては、構造体100の材料として窒化物半導体が用いられている。
本変形例に係る半導体発光素子120においても、半導体発光素子110と同様に、第1電極層20による発光層53への電流の拡がりを保ったまま、効率良く光を外部に放出することができるようになる。
Claims (5)
- 第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、
前記第2半導体層の前記第1半導体層とは反対側に設けられた第1電極層であって、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、200ナノメートル以下である金属部と、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が10ナノメートル以上、1マイクロメートル以下であって前記発光層で発生する光の中心波長の1/2以下である複数の第1開口部と、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が1マイクロメートルを超え、30マイクロメートル以下である第2開口部と、を有し、前記第2半導体層と導通する第1電極層であって、前記第1電極層の全体の面積に対する前記第2開口部の面積が、5%以上50%以下である前記第1電極層と、
前記第1半導体層と導通する第2電極層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
ここで、前記円相当直径=2×(前記方向にみた前記開口部の面積/π)1/2である。 - 前記発光層から放出される光の波長に対する前記金属部の材料の反射率は、70パーセント以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記金属部は、金及び銀の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体の前記第2半導体層の上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に電子線または光を照射し、現像し、複数の第1レジスト開口部及び第2レジスト開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、200ナノメートル以下である金属部と、複数の第1レジスト開口部に対応し円相当直径が10ナノメートル以上1マイクロメートル以下であって前記発光層で発生する光の中心波長の1/2以下の複数の第1開口部と、前記第2レジスト開口部に対応し前記円相当直径が1マイクロメートル超え30マイクロメートル以下の第2開口部と、を有する電極層であって、前記電極層の全体の面積に対する前記第2開口部の面積が、5%以上50%以下である前記電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
ここで、前記円相当直径=2×(前記方向にみた前記開口部の面積/π)1/2である。 - 第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体の前記第2半導体層の上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に凸部を有するスタンパの前記凸部を押し付けて、前記レジスト膜に複数の第1レジスト凹部と、第2レジスト凹部と、を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、200ナノメートル以下である金属部と、前記複数の第1レジスト凹部に対応し円相当直径が10ナノメートル以上1マイクロメートル以下であって前記発光層で発生する光の中心波長の1/2以下の複数の第1開口部と、前記第2レジスト凹部に対応し前記円相当直径が1マイクロメートル超え30マイクロメートル以下の第2開口部と、を有する電極層であって、前記電極層の全体の面積に対する前記第2開口部の面積が、5%以上50%以下である前記電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
ここで、前記円相当直径=2×(前記方向にみた前記開口部の面積/π)1/2である。
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