JP5280105B2 - 新規な高分子化合物 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィー用途に使用できる新規な高分子化合物に関する。

リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、所定のパターンが形成されたマスクを介して、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。
露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザーや、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長のＦ_２エキシマレーザー、電子線、ＥＵＶ（極紫外線）やＸ線などについても検討が行われている。

レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する化学増幅型レジストが用いられている。化学増幅型レジストの基材成分としては、主に、樹脂（ベース樹脂）が用いられている。
たとえばポジ型の化学増幅型レジストは、ベース樹脂として、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂を含有しており、レジストパターン形成時に、露光により酸発生剤から酸が発生すると、該酸の作用により該ベース樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する（たとえば特許文献１参照）。
また、ネガ型の化学増幅型レジストとしては、ベース樹脂として、アルカリ現像液に可能性の樹脂（アルカリ可溶性樹脂）を含有し、さらに架橋剤が配合されたものが一般的に用いられている。かかるレジスト組成物は、レジストパターン形成時に、露光により酸発生剤から酸が発生すると、該酸の作用によりベース樹脂と架橋剤とが反応し、該ベース樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性が低下する（たとえば非特許文献１〜２参照）。
現在、ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等において使用されるレジストのベース樹脂としては、波長１９３ｎｍ付近における透明性に優れることから、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂（アクリル系樹脂）が主に用いられている。ここで、「（メタ）アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。「（メタ）アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。「（メタ）アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。
特開２００３−２４１３８５号公報 ＳＰＩＥ Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＸＩＶ，Ｖｏｌ．３３３３，ｐ４１７〜４２４（１９９８） ＳＰＩＥ Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＸＩＸ，Ｖｏｌ．４６９０ ｐ９４−１００（２００２）

今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が予想されるなか、リソグラフィー用途に使用できる新規な材料に対する要求が高まっている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、リソグラフィー用途に使用可能な新規な高分子化合物を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
すなわち、本発明は、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物である。

［式（ａ０−１）中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のフッ素化アルキル基を表し、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ水素原子を表し、Ｗは、炭素鎖中に酸素原子（−Ｏ−）が導入されていてもよい炭素数３〜２０の環状のアルキレン基を表す。］

本明細書および特許請求の範囲において、「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に置換基（水素原子以外の原子または基）が結合しているものも含む概念とする。置換基としては、低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
「露光」は放射線の照射全般を含む概念とする。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖、分岐鎖および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。「アルコキシカルボニル基」中のアルキル基も同様である。
「低級アルキル基」は、炭素原子数１〜５のアルキル基である。
「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖、分岐鎖および環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「ヒドロキシアルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部または全部が水酸基で置換された基である。

本発明により、リソグラフィー用途に使用可能な新規な高分子化合物を提供できる。

≪高分子化合物≫
［構成単位（ａ０）］
本発明の高分子化合物（以下、高分子化合物（Ａ１）という。）は、前記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する。
Ｒ^１における炭素数１〜５のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。
Ｒ^１における炭素数１〜５のフッ素化アルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のフッ素化アルキル基が好ましく、例えば、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ-ブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロネオペンチル基などが挙げられる。
Ｒ^１は、工業的入手の容易さから、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であることが好ましく、水素原子またはメチル基であることがより好ましい。

Ｒ^２およびＲ^３におけるアルキル基としては、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。これらのうち、Ｒ^２およびＲ^３における直鎖状または分岐鎖状のアルキル基は、置換基として、環状のアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ^２およびＲ^３における環状のアルキル基は、置換基として、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等を有していてもよい。
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、２−メチル−２−ブチル基、３−メチル−２−ブチル基、１−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基などが挙げられる。また、該直鎖状または分岐鎖状のアルキル基は、置換基として、環状のアルキル基を有していてもよい。
環状のアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、１−メチル−１−シクロペンチル基、１−エチル−１−シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−メチル−１−シクロペンチル基、１−エチル−１−シクロペンチル基、１−メチル−１−シクロヘキシル基、１−エチル−１−シクロヘキシル基、１−メチル−１−シクロヘプチル基、１−エチル−１−シクロヘプチル基、１−メチル−１−シクロオクチル基、１−エチル−１−シクロオクチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ^２およびＲ^３におけるアルキル基は、任意の位置に酸素原子を含んでいてもよい。アルキル基が酸素原子を含むとは、アルキル基の炭素鎖中の任意の位置に酸素原子（−Ｏ−）が導入されていることを示す。酸素原子を含むアルキル基としては、たとえば後述するアルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性溶解抑制基が挙げられる。
Ｒ^２およびＲ^３の両者が結合して表すアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましい。該アルキレン基の炭素数は１〜５であることが好ましく、例えばエタンジイル基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基などが挙げられる。

本発明の高分子化合物（Ａ１）がネガ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも一方（たとえばＲ^２）が、水素原子であることが好ましく、Ｒ^２およびＲ^３の両方が水素原子であることがより好ましい。
本発明の高分子化合物（Ａ１）がポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも一方が、任意の位置に酸素原子を含んでいてもよいアルキル基であり、且つ該アルキル基が酸解離性溶解抑制基であることが好ましい。この場合、構成単位（ａ０）として、具体的には、下記一般式（ａ０−１−４）で表される構成単位が挙げられる。

［式（ａ０−１−４）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｗと同じであり、Ｚ^１は酸解離性溶解抑制基である。］

「酸解離性溶解抑制基」は、レジスト組成物としてレジストパターンを形成する際に、解離前はこの高分子化合物（Ａ１）全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、露光により、レジスト組成物に配合される酸発生剤成分から発生した酸の作用により解離してこの高分子化合物（Ａ１）全体のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものである。
構成単位（ａ０）における酸解離性溶解抑制基としては、任意の位置に酸素原子を含んでいてもよいアルキル基に相当するものであれば特に制限はなく、従来、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物の基材成分において提案されているもののなかから適宜選択して用いることができる。かかる酸解離性溶解抑制基としては、第３級アルキル基や、アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性溶解抑制基が広く知られている。
第３級アルキル基は、第３級炭素原子を有するアルキル基であり、構成単位（ａ０）のＲ^２およびＲ^３の少なくとも一方が第３級アルキル基である場合、該第３級アルキル基の第３級炭素原子が、スルファモイルオキシ基（ＯＳＯ_２Ｎ基）の末端の窒素原子に結合している。この第３級アルキル基においては、レジスト組成物としてレジストパターンを形成する際に、露光により酸発生剤成分から発生した酸が作用すると、スルファモイルオキシ基（ＯＳＯ_２Ｎ基）の末端の窒素原子と第３級炭素原子との間で結合が切断される。
第３級アルキル基としては、分岐鎖状第３級アルキル基、脂肪族環式基を含有する第３級アルキル基等が挙げられる。
分岐鎖状第３級アルキル基としては、たとえば、−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基が挙げられる。式中、Ｒ^７１〜Ｒ^７３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基である。−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基は、炭素数が４〜８であることが好ましく、具体的にはｔｅｒｔ−ブチル基、２−メチル−２−ブチル基、２−メチル−２−ペンチル基、３−メチル−３−ペンチル基などが挙げられる。特にｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。

脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
脂肪族環式基は、炭素及び水素からなる炭化水素基（脂環式基）であってもよく、該脂環式基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロ環式基であってもよい。脂肪族環式基としては、脂環式基が好ましい。
脂肪族環式基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、ＡｒＦエキシマレーザー等に対する透明性が高く、解像性や焦点深度幅（ＤＯＦ）等にも優れることから、飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基は、単環式基でも多環式基でもよいが、多環式基であることが好ましい。また、脂肪族環式基の炭素数は、５〜１５であることが好ましい。
単環式の脂環式基の具体例としては、シクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられ、シクロヘキサンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。
多環式の脂環式基の具体例としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
これらの中でも、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカンから２個の水素原子を除いた基が、工業上入手しやすく、好ましい。これらの中でも、特に、アダマンタンまたはノルボルナンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。
脂肪族環式基を含有する第３級アルキル基としては、たとえば、（ｉ）脂肪族環式基の環骨格上に第３級炭素原子を有する基；（ｉｉ）脂肪族環式基と、これに結合する第３級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基等が挙げられる。
（ｉ）の具体例としては、たとえば、下記一般式（１−１）〜（１−９）で表される基等が挙げられる。
（ｉｉ）の具体例としては、たとえば、下記一般式（２−１）〜（２−６）で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^１４はアルキル基であり、ｇは０〜８の整数である。］

［式中、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立にアルキル基である。］

Ｒ^１４〜Ｒ^１６のアルキル基としては、低級アルキル基が好ましく、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはｎ−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
ｇは０〜５の整数が好ましく、１〜３の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましい。
上記のうち、式（１−２）の具体例としては、例えば、１−メチル−１−シクロブチル基、１−エチル−１−シクロブチル基、１−イソプロピル−１−シクロブチル基、１−メチル−１−シクロペンチル基、１−エチル−１−シクロペンチル基、１−イソプロピル−１−シクロペンチル基、１−メチル−１−シクロヘキシル基、１−エチル−１−シクロヘキシル基、１−イソプロピル−１−シクロヘキシル基、１−メチル−１−シクロヘプチル基、１−エチル−１−シクロヘプチル基、１−イソプロピル−１−シクロヘプチル基、１−メチル−１−シクロオクチル基、１−エチル−１−シクロオクチル基などが挙げられる。

構成単位（ａ０）のＲ^２、Ｒ^３において「アセタール型酸解離性溶解抑制基」は、スルファモイルオキシ基（ＯＳＯ_２Ｎ基）の末端の窒素原子と結合している。このアセタール型酸解離性溶解抑制基においては、レジスト組成物としてレジストパターンを形成する際に、露光により酸発生剤成分から酸が発生すると、この酸が作用して窒素原子とアセタール型酸解離性溶解抑制基との間で結合が切断される。
アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、後述する構成単位（ａ１）において挙げるアセタール型酸解離性溶解抑制基と同様のものが挙げられる。

Ｗが表す任意の位置に酸素原子を有していても良い環状のアルキレン基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。該アルキレン基の炭素数は３〜２０であることが好ましく、５〜１２であることがより好ましい。該アルキレン基としては、例えばシクロプロパンジイル基、シクロブタ−１，２−ジイル基、シクロブタ−１，３−ジイル基、シクロペンタ−１，２−ジイル基、シクロペンタ−１，３，−ジイル基、シクロヘキサ−１，２−ジイル基、シクロヘキサ−１，３−ジイル基、シクロヘキサ−１，４−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジイル基、７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，６−ジイル基、７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，６−ジイル基、アダマンタ−１，３−ジイル基、アダマンタ−１，２−ジイル基などが挙げられる。

構成単位（ａ０）として、より具体的には、下記式（ａ０−１−１０）〜（ａ０−１−７２）で表される構成単位が挙げられる。
以下の各式中、Ｍｅはメチル基を表す。

本発明の高分子化合物（Ａ１）において、構成単位（ａ０）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、本発明の高分子化合物（Ａ１）は、構成単位（ａ０）のみからなる重合体であってもよく、２種以上の構成単位（ａ０）からなる共重合体であってもよく、さらに他の構成単位を含む共重合体であっても良い。
本発明の高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ０）以外の他の構成単位を含む共重合体である場合、高分子化合物（Ａ１）中、構成単位（ａ０）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、１０〜８０モル％が好ましく、１５〜８０モル％がより好ましく、２０〜７０モル％がさらに好ましく、２０〜６０モル％が最も好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

本発明の高分子化合物（Ａ１）が、構成単位（ａ０）以外の他の構成単位を含む共重合体である場合、該他の構成単位としては、以下の構成単位（ａ１）、構成単位（ａ２）、構成単位（ａ３）、構成単位（ａ４）、構成単位（ａ５）等を挙げることができる。また、構成単位（ａ３）として、以下の構成単位（ａ’３）、構成単位（ａ”３）等を挙げることができる。
これらの各構成単位のうち、該共重合体において構成単位（ａ０）と組み合わされる構成単位は、当該レジスト組成物の用途、所望の特性等に応じて、構成単位（ａ１）〜（ａ５）の中から適宜選択すればよい。
たとえば当該レジスト組成物がネガ型である場合、構成単位（ａ０）と組み合わされる構成単位としては、構成単位（ａ３）および／または構成単位（ａ４）が好ましく、構成単位（ａ’３）、構成単位（ａ”３）および構成単位（ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましく、構成単位（ａ４）がさらに好ましい。
また、当該レジスト組成物がポジ型である場合、構成単位（ａ０）と組み合わされる構成単位としては、構成単位（ａ１）〜（ａ５）の何れであってもよく、構成単位（ａ１）および／または（ａ２）が好ましい。

［構成単位（ａ１）］
構成単位（ａ１）は、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）である。
構成単位（ａ１）における酸解離性溶解抑制基は、レジスト組成物としてレジストパターンを形成する際に、解離前は高分子化合物（Ａ１）全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、酸発生剤成分から露光により発生する酸により解離してこの高分子化合物（Ａ１）全体のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものであり、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものを使用することができる。一般的には、（メタ）アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第３級アルキルエステルを形成する基；アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性溶解抑制基などが広く知られている。
ここで、「第３級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基（−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−）の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第３級炭素原子が結合している構造を示す。この第３級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第３級炭素原子との間で結合が切断される。
なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第３級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基」という。
第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基としては、前記構成単位（ａ０）において酸解離性溶解抑制基として挙げた第３級アルキル基と同様のものが挙げられる。

「アセタール型酸解離性溶解抑制基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のアルカリ可溶性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性溶解抑制基と、当該アセタール型酸解離性溶解抑制基が結合した酸素原子との間で結合が切断される。
アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、下記一般式（ｐ１）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^１’，Ｒ^２’はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を表し、ｎは０〜３の整数を表し、Ｙは低級アルキル基または脂肪族環式基を表す。］

上記式中、ｎは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、０が最も好ましい。
Ｒ^１’，Ｒ^２’の低級アルキル基としては、上記Ｒの低級アルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、Ｒ^１’，Ｒ^２’のうち少なくとも１つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性溶解抑制基（ｐ１）が、下記一般式（ｐ１−１）で表される基であることが好ましい。

［式中、Ｒ^１’、ｎ、Ｙは上記と同様である。］

Ｙの低級アルキル基としては、上記Ｒの低級アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｙの脂肪族環式基としては、従来ＡｒＦレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基」と同様のものが例示できる。

また、アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式（ｐ２）で示される基も挙げられる。

［式中、Ｒ^１７、Ｒ^１８はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、Ｒ^１９は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。Ｒ^１７およびＲ^１９がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、Ｒ^１７の末端とＲ^１９の末端とが結合して環を形成していてもよい。］

Ｒ^１７、Ｒ^１８において、アルキル基の炭素数は好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。Ｒ^１７、Ｒ^１８の両方が水素原子であるか、または、Ｒ^１７、Ｒ^１８の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。特にＲ^１７、Ｒ^１８の両方が水素原子であることが好ましい。
Ｒ^１９は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
Ｒ^１９が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数１〜５であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
Ｒ^１９が環状の場合は炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式においては、Ｒ^１７及びＲ^１９がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基）であってＲ^１９の末端とＲ^１７の末端とが結合していてもよい。
この場合、Ｒ^１７とＲ^１９と、Ｒ^１９が結合した酸素原子と、該酸素原子およびＲ^１７が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、４〜７員環が好ましく、４〜６員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。

構成単位（ａ１）としては、下記一般式（ａ１−０−１）で表される構成単位および下記一般式（ａ１−０−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる１種以上を用いることが好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し；Ｘ^１は酸解離性溶解抑制基を示す。］

［式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し；Ｘ^２は酸解離性溶解抑制基を示し；Ｙ^２はアルキレン基または脂肪族環式基を示す。］

一般式（ａ１−０−１）において、Ｒの低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基として挙げたものと同様である。
Ｘ^１は、酸解離性溶解抑制基であれば特に限定されることはなく、例えば上述した第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基、アセタール型酸解離性溶解抑制基などを挙げることができる。
一般式（ａ１−０−２）において、Ｒは上記と同様である。
Ｘ^２は、式（ａ１−０−１）中のＸ^１と同様である。
Ｙ^２は好ましくは炭素数１〜４のアルキレン基又は２価の脂肪族環式基であり、該脂肪族環式基としては、水素原子が２個以上除かれた基が用いられる以外は前記「脂肪族環式基」の説明と同様のものを用いることができる。

構成単位（ａ１）として、より具体的には、下記一般式（ａ１−１）〜（ａ１−４）で表される構成単位が挙げられる。

［上記式中、Ｘ’は第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基を表し、Ｙは炭素数１〜５の低級アルキル基、または脂肪族環式基を表し；ｎは０〜３の整数を表し；ｍは０または１を表し；Ｒは前記と同じであり、Ｒ^１’、Ｒ^２’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。］

前記、Ｒ^２’は好ましくは少なくとも１つが水素原子であり、より好ましくは共に水素原子である。ｎは好ましくは０または１である。
Ｘ’は前記Ｘ^１において例示した第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基と同様のものである。
Ｙの脂肪族環式基については、上述の「脂肪族環式基」の説明において例示したものと同様のものが挙げられる。

以下に、上記一般式（ａ１−１）〜（ａ１−４）で表される構成単位の具体例を示す。

高分子化合物（Ａ１）において、構成単位（ａ１）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
その中でも、一般式（ａ１−１）で表される構成単位が好ましく、具体的には（ａ１−１−１）〜（ａ１−１−６）または（ａ１−１−３５）〜（ａ１−１−４１）で表される構成単位から選ばれる少なくとも１種を用いることがより好ましい。
さらに、構成単位（ａ１）としては、特に式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−１−０１）で表されるものや、式（ａ１−１−３５）〜（ａ１−１−４１）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−１−０２）も好ましい。

（式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し、Ｒ^１１は低級アルキル基を示す。）

（式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し、Ｒ^１２は低級アルキル基を示す。ｈは１〜３の整数を表す）

一般式（ａ１−１−０１）において、Ｒについては上記と同様である。Ｒ^１１の低級アルキル基はＲにおける低級アルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましい。

一般式（ａ１−１−０２）において、Ｒについては上記と同様である。Ｒ^１２の低級アルキル基はＲにおける低級アルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましく、エチル基が最も好ましい。ｈは１又は２が好ましく、２が最も好ましい。

構成単位（ａ１）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ１）を有する場合、高分子化合物（Ａ１）中の構成単位（ａ１）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、５〜７０モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましく、２５〜５５モル％がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

［構成単位（ａ２）］
構成単位（ａ２）は、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−構造を含むひとつの環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつの目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
構成単位（ａ２）のラクトン環式基は、高分子化合物（Ａ１）をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有する現像液との親和性を高めたりするうえで有効なものである。
構成単位（ａ２）としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
具体的には、ラクトン含有単環式基としては、γ−ブチロラクトンから水素原子１つを除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
構成単位（ａ２）の例として、より具体的には、下記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり、Ｒ’は水素原子、低級アルキル基、または炭素数１〜５のアルコキシ基であり、ｍは０または１の整数であり、Ａ”は炭素数１〜５のアルキレン基または酸素原子である。］

一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）におけるＲは前記構成単位（ａ１）におけるＲと同様である。
Ｒ’の低級アルキル基としては、前記構成単位（ａ１）におけるＲの低級アルキル基と同じである。
Ａ”の炭素数１〜５のアルキレン基として、具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）中、Ｒ’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
以下に、前記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）の具体的な構成単位を例示する。

これらの中でも、一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）から選択される少なくとも１種以上を用いることが好ましく、一般式（ａ２−１）〜（ａ２−３）から選択される少なくとも１種以上を用いることが好ましい。具体的には、化学式（ａ２−１−１）、（ａ２−１−２）、（ａ２−２−１）、（ａ２−２−２）、（ａ２−３−１）、（ａ２−３−２）、（ａ２−３−９）及び（ａ２−３−１０）から選択される少なくとも１種以上を用いることが好ましい。

構成単位（ａ２）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ２）を有する場合、高分子化合物（Ａ１）中の構成単位（ａ２）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して、１〜６０モル％が好ましく、１０〜５５モル％がより好ましく、２０〜５５モル％がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位（ａ２）を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

［構成単位（ａ３）］
構成単位（ａ３）は、前記構成単位（ａ０）に該当しない、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）である。
構成単位（ａ３）を有することにより、高分子化合物（Ａ１）の親水性が高まり、当該高分子化合物（Ａ１）をポジ型レジスト組成物の基材成分に用いてポジレジストパターンを形成する際には、現像液（アルカリ水溶液）との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。また、当該高分子化合物（Ａ１）をネガ型レジスト組成物の基材成分に用いてネガレジストパターンを形成する際には、後述する構成単位（ａ’３）、（ａ”３）の場合で説明するように、架橋反応性および残膜特性の向上に寄与することができる。
極性基としては、水酸基、ヒドロキシアルキル基、シアノ基、カルボキシ基、フッ素化ヒドロキシアルキル基（炭素原子に結合した水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基）等が挙げられ、特に水酸基、ヒドロキシアルキル基が好ましい。
構成単位（ａ３）として、好ましいものとしては、以下の構成単位（ａ’３）、（ａ”３）等が挙げられる。

構成単位（ａ’３）は、水酸基含有脂肪族環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。高分子化合物（Ａ１）をネガ型レジスト組成物の基材成分として用いる場合に構成単位（ａ’３）を有すると、この構成単位（ａ’３）の水酸基（アルコール性水酸基）が、共に配合される酸発生剤成分から発生する酸の作用によって架橋剤成分と反応し、これにより高分子化合物（Ａ１）がアルカリ現像液に対して可溶性の性質から不溶性の性質に変化しやすくなることから好ましい。
「水酸基含有脂肪族環式基」とは、脂肪族環式基に水酸基が結合している基である。水酸基は、脂肪族環に直接結合していても良く、ヒドロキシアルキルオキシ基として間接的に結合していても良い。
ヒドロキシアルキルオキシ基におけるアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。該アルキル基の炭素数は、特に限定されるものではないが、２〜５が好ましく、２〜４がより好ましく、２又は３であることが最も好ましい。
ヒドロキシアルキルオキシ基における水酸基の数は、特に限定されるものではないが、１〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２であることが最も好ましい。当該水酸基は１級水酸基または２級水酸基であることがより好ましく、１級水酸基であることが特に好ましい。
ヒドロキシアルキルオキシ基としては、モノヒドロキシアルキルオキシ基、ジヒドロキシアルキルオキシ基が好ましく、モノヒドロキシエチル基、モノヒドロキシプロピル基、ジヒドロキシプロピル基がより好ましい。
脂肪族環式基に結合している水酸基の数は、１〜３個が好ましく、さらに好ましくは１個である。
脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
脂肪族環式基は、炭素及び水素からなる炭化水素基（脂環式基）、および該脂環式基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロ環式基等が含まれる。脂肪族環式基としては、脂環式基が好ましい。
脂肪族環式基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、ＡｒＦエキシマレーザー等に対する透明性が高く、解像性や焦点深度幅（ＤＯＦ）等にも優れることから、飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基は、単環式基でも多環式基でもよいが、多環式基であることが好ましい。また、脂肪族環式基の炭素数は、５〜１５であることが好ましい。
脂肪族環式基（水酸基が結合する前の状態）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
すなわち、単環式基としては、シクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサンから２個以上の水素原子を除いた基が挙げられ、シクロヘキサンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。
多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
これらの中でも、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカンから２個の水素原子を除いた基が、工業上入手しやすく、好ましい。これらの中でも、特に、アダマンタンまたはノルボルナンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。
構成単位（ａ’３）において、水酸基含有脂肪族環式基は、アクリル酸エステルのカルボニルオキシ基［−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−］の末端の酸素原子に結合していることが好ましい。
構成単位（ａ’３）の好ましい具体例として、たとえば下記一般式（ａ’３−１）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは前記と同じであり、Ｒ^４水素原子またはヒドロキシアルキル基であり、ｊは１〜３の整数である。］

前記一般式（ａ’３−１）中、Ｒは、上記一般式（ａ１−０−１）中のＲについての説明と同様である。
Ｒ^４は、水素原子またはヒドロキシアルキル基である。
Ｒ^４のヒドロキシアルキル基におけるアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。該アルキル基の炭素数は、特に限定されるものではないが、２〜５が好ましく、２〜４がより好ましく、２又は３であることが最も好ましい。
Ｒ^４のヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、特に限定されるものではないが、１〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２であることが最も好ましい。当該水酸基は１級水酸基または２級水酸基であることがより好ましく、１級水酸基であることが特に好ましい。
本発明においてＲ^４は、モノヒドロキシアルキル基、ジヒドロキシアルキル基または水素原子が好ましく、モノヒドロキシエチル基、モノヒドロキシプロピル基、ジヒドロキシプロピル基、または水素原子がより好ましい。
ｊは１〜３の整数であり、１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。ｊが２の場合は、ＯＲ^４がアダマンチル基の３位と５位に結合しているものが好ましい。ｊが１の場合は、ＯＲ^４がアダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。
ｊは１であることが好ましく、特にＯＲ^４がアダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。すなわち、構成単位（ａ’３）としては、下記一般式（ａ’３−１１）で表される構成単位が好ましい。

構成単位（ａ”３）は、環式構造を有さず、かつ側鎖にアルコール性水酸基を有するアクリル酸から誘導される構成単位である。高分子化合物（Ａ１）をネガ型レジスト組成物の基材成分として用いる場合に構成単位（ａ”３）を有すると、この構成単位（ａ”３）の水酸基（アルコール性水酸基）が、共に配合される酸発生剤成分から発生する酸の作用によって架橋剤成分と反応する。そのため、高分子化合物（Ａ１）がアルカリ現像液に対して可溶性の性質から不溶性の性質に変化しやすくなり、解像性向上の効果が得られる、膜減りが抑制できる、パターン形成時の架橋反応の制御性が良好となる、膜密度が向上する傾向があり、これにより耐熱性が向上する傾向がある、さらにはエッチング耐性も向上する等の効果が得られることから好ましい。
「環式構造を有さない」とは、脂肪族環式基や芳香族基を有しないことを意味する。構成単位（ａ”３）は、環式構造を有さないことにより、構成単位（ａ’３）と明らかに区別される。
側鎖にアルコール性水酸基を有する構成単位としては、たとえば、ヒドロキシアルキル基を有する構成単位が挙げられる。
ヒドロキシアルキル基において、アルキル基は、直鎖または分岐鎖状であることが好ましい。当該アルキル基の炭素数は、特に限定されるものではないが、１〜２０が好ましく、１〜１６がより好ましく、１〜１２であることが最も好ましい。水酸基の数は、特に限定されるものではないが、１又は２つであることが好ましく、１つであることがさらに好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、たとえば主鎖（アクリル酸のエチレン性二重結合が開裂した部分）のα位の炭素原子に直接結合していてもよいし、アクリル酸のカルボキシ基の水素原子と置換してエステルを構成していてもよい。構成単位（ａ”３）においては、これらのうち少なくとも一方あるいは両方に、ヒドロキシアルキル基が存在していることが好ましい。
なお、α位にヒドロキシアルキル基が結合していない場合、α位の炭素原子には、水素原子に代わって、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基が結合していてもよい。これらについては、好ましくは、上記一般式（ａ１−０−１）中のＲについての説明と同様である。
構成単位（ａ”３）としては、下記一般式（ａ”３−１）で表される構成単位が好ましい。

［式中、Ｒ^５は水素原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基またはヒドロキシアルキル基であり；Ｒ^６はアルキル基またはヒドロキシアルキル基である。ただし、Ｒ^５、Ｒ^６の少なくとも一方はヒドロキシアルキル基である。］

前記式（ａ”３−１）において、Ｒ^５は、水素原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基またはヒドロキシアルキル基である。
Ｒ^５におけるヒドロキシアルキル基は、好ましくは炭素数が１０以下の直鎖状または分岐鎖状のヒドロキシアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数１〜８の直鎖状または分岐鎖状のヒドロキシアルキル基である。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、特に限定されるものではないが、通常は１つである。また、当該水酸基は１級または２級水酸基であることがより好ましく、１級水酸基であることが特に好ましい。Ｒ^５におけるヒドロキシアルキル基は、最も好ましくはヒドロキシメチル基またはヒドロキシエチル基である。
Ｒ^５におけるアルキル基は、好ましくは炭素数が１０以下のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、最も好ましくはエチル基又はメチル基である。
Ｒ^５におけるハロゲン化アルキル基は、好ましくは炭素数が５以下の低級アルキル基（好ましくはエチル基、メチル基）において、その水素原子の一部または全部がハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）で置換された基である。
Ｒ^６はアルキル基またはヒドロキシアルキル基である。
Ｒ^６におけるアルキル基としては、Ｒ^５のアルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^６におけるヒドロキシアルキル基は、好ましくは炭素数が１０以下の直鎖状または分岐鎖状のヒドロキシアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数２〜８の直鎖状または分岐鎖状のヒドロキシアルキル基であり、最も好ましくはヒドロキシエチル基である。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、特に限定されるものではないが、通常は１つである。また、当該水酸基は１級または２級水酸基であることがより好ましく、１級水酸基であることが特に好ましい。
前記一般式（ａ”３−１）において、Ｒ^５、Ｒ^６の少なくとも一方はヒドロキシアルキル基である。

これら（ａ”３−１）の中で、膜密度の向上の点からは、Ｒ^５がヒドロキシアルキル基であり、R^６がアルキル基である（ａ”３−１）が好ましく、なかでもα−（ヒドロキシメチル）アクリル酸エチルエステルまたはα−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチルエステルから誘導される構成単位が好ましい。
また、架橋効率の点では、Ｒ^５がアルキル基であり、R^６がヒドロキシアルキル基である（ａ”３−１）が好ましい。なかでも、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位がより好ましい。

また、上記構成単位（ａ’３）および（ａ”３）以外に、構成単位（ａ３）として好ましいものとしては、下記式（ａ３−２）で表される構成単位、下記式（ａ３−３）で表される構成単位等が挙げられる。

［式中、Ｒは前記に同じであり、ｋは１〜３の整数であり、ｔ’は１〜３の整数であり、ｌは１〜５の整数であり、ｓは１〜３の整数である。］

式（ａ３−２）中、ｋは１であることが好ましい。シアノ基はノルボルニル基の５位または６位に結合していることが好ましい。
式（ａ３−３）中、ｔ’は１であることが好ましい。ｌは１であることが好ましい。sは１であることが好ましい。これらはアクリル酸のカルボキシ基の末端に２−ノルボルニル基または３−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールはノルボルニル基の５又は６位に結合していることが好ましい。

高分子化合物（Ａ１）において、構成単位（ａ３）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明においては、特に、構成単位（ａ３）として、前記構成単位（ａ’３）、（ａ”３）等の、水酸基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有することが好ましい。
高分子化合物（Ａ１）がポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられ、当該高分子化合物（Ａ１）に構成単位（ａ３）を含有させる場合、高分子化合物（Ａ１）中の構成単位（ａ３）の割合は、当該高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、５〜５０モル％であることが好ましく、５〜４０モル％がより好ましく、５〜２５モル％がさらに好ましい。
また、高分子化合物（Ａ１）がポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられ、当該高分子化合物（Ａ１）に構成単位（ａ３）を含有させる場合、構成単位（ａ３）としては、構成単位（ａ’３）を有することが好ましく、前記一般式（ａ’３−１）におけるＲ^４が水素原子である構成単位を有することがより好ましく、前記一般式（ａ’３−１１）におけるＲ^４が水素原子である構成単位を有することがさらに好ましい。

高分子化合物（Ａ１）がネガ型レジスト組成物の基材成分として用いられ、当該高分子化合物（Ａ１）に構成単位（ａ３）を含有させる場合、高分子化合物（Ａ１）中の構成単位（ａ３）の割合は、当該高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、５〜８０モル％であることが好ましく、１０〜７０モル％がより好ましく、２５〜６５モル％がさらに好ましい。
また、高分子化合物（Ａ１）がネガ型レジスト組成物の基材成分として用いられ、当該高分子化合物（Ａ１）に構成単位（ａ３）を含有させる場合、構成単位（ａ３）としては、構成単位（ａ’３）および／または構成単位（ａ”３）を有することが好ましい。
この場合、高分子化合物（Ａ１）は、構成単位（ａ’３）および構成単位（ａ”３）のいずれか一方のみを有していてもよく、両方を有していてもよい。
また、構成単位（ａ’３）、構成単位（ａ”３）は、それぞれ、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
この場合、高分子化合物（Ａ１）中の構成単位（ａ’３）の割合は、該高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して５〜８０モル％であることが好ましく、１０〜７０モル％であることがより好ましく、２０〜６５モル％であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより構成単位（ａ’３）を含有することによる効果が得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。
また、高分子化合物（Ａ１）中の構成単位（ａ”３）の割合は、該高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して５〜５０モル％であることが好ましく、５〜４０モル％であることがより好ましく、５〜３０モル％であることが特に好ましく、１０〜２５モル％であることが最も好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより構成単位（ａ”３）を含有することによる効果が得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。

［構成単位（ａ４）］
構成単位（ａ４）は非酸解離性のアクリル酸環状アルキルエステルから誘導される構成単位である。ここで、「非酸解離性」であるとは、露光により酸発生剤成分から酸が発生した際に、該酸が作用しても、当該構成単位から環状アルキル基が解離しないことを意味する。
構成単位（ａ４）における環状アルキル基は、例えば、前記の構成単位（ａ０）の場合に例示した脂環式基と同様のものを例示することができ、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該環状アルキル基としては、炭素数３〜１２の環状アルキル基が好ましく、炭素数６〜１２の環状アルキル基がより好ましく、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基のような多環式基から選ばれる少なくとも１種以上が工業的入手容易性の点から更に好ましい。
これら環状アルキル基は炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位（ａ４）として、具体的には、下記一般式（ａ４−１）〜（ａ４−５）の構造のものを例示することができる。

（式中、Ｒは前記と同じである。）

高分子化合物（Ａ１）において、構成単位（ａ４）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
かかる構成単位（ａ４）を高分子化合物（Ａ１）に含有させる際には、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位（ａ４）を１〜６０モル％含有させることが好ましく、５〜５５モル％含有させることがより好ましく、１０〜５０モル％含有させることがより好ましい。

［その他の構成単位］
高分子化合物（Ａ１）は、本発明の効果を損なわない範囲で、前記構成単位（ａ０）〜（ａ４）以外の他の構成単位（ａ５）を有していてもよい。
構成単位（ａ５）は、上述の構成単位（ａ０）〜（ａ４）に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
高分子化合物（Ａ１）において、構成単位（ａ５）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
構成単位（ａ５）を高分子化合物（Ａ１）に含有させる際には、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位（ａ５）を１〜３０モル％含有させることが好ましく、３〜２０モル％含有させることがより好ましい。

本発明において、高分子化合物（Ａ１）は、構成単位（ａ０）のみからなる重合体、または、構成単位（ａ０）と、構成単位（ａ１）〜（ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種の構成単位との共重合体であることが好ましい。該共重合体は、さらに、構成単位（ａ５）を有していてもよい。
高分子化合物（Ａ１）として好ましい共重合体としては、下記の共重合体（Ａ１−１）〜（Ａ１−５）等が挙げられる。
共重合体（Ａ１−１）：構成単位（ａ０）および（ａ１）を含む、少なくとも２種の構成単位を有する共重合体。
共重合体（Ａ１−２）：構成単位（ａ０）および（ａ２）を含む、少なくとも２種の構成単位を有する共重合体。
共重合体（Ａ１−３）：構成単位（ａ０）および（ａ３）を含む、少なくとも２種の構成単位を有する共重合体。
共重合体（Ａ１−４）：構成単位（ａ０）および（ａ４）を含む、少なくとも２種の構成単位を有する共重合体。
共重合体（Ａ１−５）：構成単位（ａ０）、（ａ１）および（ａ２）を含む、少なくとも３種の構成単位を有する共重合体。
共重合体（Ａ１−６）：構成単位（ａ０）および２種の構成単位（ａ３）を含む、少なくとも３種の構成単位を有する共重合体。

共重合体（Ａ１−１）は、構成単位（ａ０）および（ａ１）に加えて、さらに、構成単位（ａ５）を有していてもよいが、構成単位（ａ０）および（ａ１）からなる２元共重合体であることが好ましい。
好ましい共重合体（Ａ１−１）としては、たとえば、下記一般式（Ａ１−１１）に示す２種の構成単位を有する共重合体等が挙げられ、特に、前記式（Ａ１−１１）に示す２種の構成単位からなる共重合体が好ましい。

［式（Ａ１−１１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、Ｘ^１はそれぞれ上記式（ａ１−０−１）中のＲ、Ｘ^１と同じである。］

共重合体（Ａ１−２）は、構成単位（ａ０）および（ａ２）に加えて、さらに、構成単位（ａ４）を有していてもよいが、構成単位（ａ０）および（ａ２）からなる２元共重合体であることが好ましい。
好ましい共重合体（Ａ１−２）としては、たとえば、下記一般式（Ａ１−１２）で表される２種の構成単位を有する共重合体、下記一般式（Ａ１−１３）に示す２種の構成単位を有する共重合体等が挙げられ、特に、前記式（Ａ１−１２）に示す２種の構成単位からなる共重合体、前記式（Ａ１−１３）に示す２種の構成単位からなる共重合体等が好ましい。

［式（Ａ１−１２）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、Ｒ’はそれぞれ上記式（ａ２−１）中のＲ、Ｒ’と同じである。］

［式（Ａ１−１３）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、Ｒ’、Ａ”はそれぞれ上記式（ａ２−２）中のＲ、Ｒ’、Ａ”と同じである。］

共重合体（Ａ１−３）は、構成単位（ａ０）および（ａ３）に加えて、さらに、構成単位（ａ５）を有していてもよいが、構成単位（ａ０）および（ａ３）からなる２元共重合体であることが好ましい。
好ましい共重合体（Ａ１−３）としては、たとえば、下記一般式（Ａ１−１４）に示す２種の構成単位を有する共重合体、下記一般式（Ａ１−１５）に示す２種の構成単位を有する共重合体等が挙げられ、特に、前記式（Ａ１−１４）に示す２種の構成単位からなる共重合体、前記式（Ａ１−１５）に示す２種の構成単位からなる共重合体等が好ましい。

［式（Ａ１−１４）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、Ｒ^４はそれぞれ上記式（ａ’３−１１）中のＲ、Ｒ^４と同じである。］

［式（Ａ１−１５）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ^５、Ｒ^６はそれぞれ上記式（ａ”３−１）中のＲ^５、Ｒ^６と同じである。］

共重合体（Ａ１−４）は、構成単位（ａ０）および（ａ４）に加えて、さらに、構成単位（ａ５）を有していてもよいが、構成単位（ａ０）および（ａ４）からなる２元共重合体であることが好ましい。
好ましい共重合体（Ａ１−４）としては、たとえば、下記一般式（Ａ１−１６）、（Ａ１−１６’）に示す２種の構成単位を有する共重合体等が挙げられ、特に、前記式（Ａ１−１６）に示す２種の構成単位からなる共重合体等が好ましい。

［式（Ａ１−１６）、（Ａ１−１６’）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒは上記式（ａ’３−１１）中のＲと同じであり、ｎは１〜３の整数を示す。］

共重合体（Ａ１−５）は、構成単位（ａ０）、（ａ１）および（ａ２）に加えて、さらに、構成単位（ａ５）を有していてもよいが、構成単位（ａ０）、（ａ１）および（ａ２）からなる３元共重合体であることが好ましい。
好ましい共重合体（Ａ１−５）としては、たとえば、下記一般式（Ａ１−１７）に示す３種の構成単位を有する共重合体、下記一般式（Ａ１−１８）に示す３種の構成単位を有する共重合体等が挙げられ、特に、前記式（Ａ１−１７）に示す３種の構成単位からなる共重合体、前記式（Ａ１−１８）に示す３種の構成単位からなる共重合体等が好ましい。

［式（Ａ１−１７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、Ｘ^１はそれぞれ上記式（ａ１−０−１）中のＲ、Ｘ^１と同じであり、Ｒ、Ｒ’は上記式（ａ２−１）中のＲ、Ｒ’と同じであり、複数のＲは同じであっても異なっていてもよい。］

［式（Ａ１−１８）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、Ｘ^１はそれぞれ上記式（ａ１−０−１）中のＲ、Ｘ^１と同じであり、Ｒ’、Ａ”はそれぞれ上記式（ａ２−２）中のＲ’、Ａ”と同じであり、複数のＲは同じであっても異なっていてもよい。］

共重合体（Ａ１−６）は、構成単位（ａ０）および２種の構成単位（ａ３）に加えて、さらに、構成単位（ａ５）を有していてもよいが、構成単位（ａ０）および２種の構成単位（ａ３）からなる３元共重合体であることが好ましい。
好ましい共重合体（Ａ１−６）としては、たとえば、下記一般式（Ａ１−１９）に示す３種の構成単位を有する共重合体、下記一般式（Ａ１−２０）に示す３種の構成単位を有する共重合体等が挙げられ、特に、前記式（Ａ１−１９）に示す３種の構成単位からなる共重合体、前記式（Ａ１−２０）に示す３種の構成単位からなる共重合体等が好ましい。

［式（Ａ１−１９）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗは上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ^５、Ｒ^６は上記式（ａ”３−１）中のＲ^５、Ｒ^６と同じであり、Ｒ、ｊは上記式（ａ’３−１）中のＲ、ｊと同じである。］

［式（Ａ１−２０）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗは上記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じであり、Ｒ、ｊは上記式（ａ’３−１）中のＲ、ｊと同じであり、Ｒ^４１はヒドロキシアルキル基であり、複数のＲは同じであっても異なっていてもよい。］

式（Ａ１−２０）中、Ｒ^４１におけるヒドロキシアルキル基としては、上記式（ａ’３−１）中のＲ^４において挙げたヒドロキシアルキル基と同じものが挙げられる。

高分子化合物（Ａ１）がネガ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合、高分子化合物（Ａ１）としては、構成単位（ａ０）のみからなる重合体、共重合体（Ａ１−３）、共重合体（Ａ１−４）、（Ａ１−６）が好ましい。
この場合、これらの重合体または共重合体は、構成単位（ａ０）として、Ｒ^２およびＲ^３のうち、少なくとも一方が水素原子であるものを含むことが好ましく、Ｒ^２およびＲ^３の両方が水素原子であるものを含むことがより好ましい。

高分子化合物（Ａ１）がポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合、高分子化合物（Ａ１）としては、構成単位（ａ０）のみからなる重合体、共重合体（Ａ１−１）、共重合体（Ａ１−２）、共重合体（Ａ１−５）等が好ましい。
ただし、高分子化合物（Ａ１）が、構成単位（ａ０）のみからなる重合体のように、構成単位（ａ１）を含まないものである場合は、前記Ｒ^２およびＲ^３のうち、少なくとも一方が酸解離性溶解抑制基である必要がある。

高分子化合物（Ａ１）の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではないが、ネガ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合は、１０００〜８０００が好ましく、２０００〜７０００がより好ましく、２５００〜６５００が最も好ましい。また、ポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合は、３０００〜５００００が好ましく、４０００〜３００００がより好ましく、４０００〜２００００が最も好ましい。Ｍｗがこれらの範囲の上限よりも小さいと、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、これらの範囲の下限よりも大きいと、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０〜５．０が好ましく、１．０〜４．０がより好ましく、１．２〜３．８が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

高分子化合物（Ａ１）は、露光により酸発生剤成分から発生する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する性質を有する。たとえばネガ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合、高分子化合物（Ａ１）としては、露光前はアルカリ現像液に可溶性のものが用いられる。かかる高分子化合物（Ａ１）は、露光により酸発生剤成分から酸が発生すると、該酸の作用により、当該高分子化合物（Ａ１）と共に配合される架橋剤成分との間で架橋反応が起こり、高分子化合物（Ａ１）がアルカリ現像液に対して難溶性へ変化する。
また、ポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられる場合、高分子化合物（Ａ１）としては、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられる。かかる高分子化合物（Ａ１）は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光により酸発生剤成分から酸が発生すると、該酸の作用により酸解離性溶解抑制基が解離して、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。

［高分子化合物（Ａ１）の製造］
高分子化合物（Ａ１）は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、アゾビスイソブチロニトリルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、高分子化合物（Ａ１）には、上記重合の際に、たとえばＨＳ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。

高分子化合物（Ａ１）は新規な化合物である。
構成単位（ａ０）を誘導するモノマーは、下記一般式（Ｉ）で表される化合物（以下、化合物（Ｉ）という。）である。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ前記と同じである。］

式（Ｉ）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗはそれぞれ前記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｗと同じである。
化合物（Ｉ）の製造方法としては特に限定されないが、好ましい方法として、例えば、一般式ＸＳＯ_２ＮＲ^２Ｒ^３ …（ＩＩ）
［式（ＩＩ）中、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表し、Ｒ^２およびＲ^３はそれぞれ前記と同じである。］
で表される化合物を含有する反応系に、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアルコール誘導体を添加して化合物（Ｉ）を得る方法が挙げられる。

［式（ＩＩＩ）中、Ｒ^１は前記と同じである。］

式（ＩＩ）中のＲ^２、Ｒ^３はそれぞれ前記式（ａ０−１）のＲ^２、Ｒ^３と同じである。
式（ＩＩＩ）中のＲ^１、Ｗは前記式（ａ０−１）中のＲ^１、Ｗと同じである。
化合物（Ｉ）の製造方法として、具体例を挙げると、例えば３−ヒドロキシアダマンタン−１−イルアクリレートとＣｌＳＯ_２ＮＨ_２を反応させることにより、３−スルファモイルオキシアダマンタン−１−イルアクリレートを製造することができる。
上記のようにして得られる化合物の構造は、^１Ｈ−核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル法、^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル法、^１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル法、赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル法、質量分析（ＭＳ）法、元素分析法、Ｘ線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。

上記本発明の高分子化合物（Ａ１）は、従来知られていない新規なものである。
また、本発明の高分子化合物（Ａ１）は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有する、いわゆる化学増幅型のレジスト組成物の基材成分として有用であり、たとえば該高分子化合物（Ａ１）を基材成分として配合したレジスト組成物によれば、解像性に優れたレジストパターンが形成できる。
上記効果が得られる理由は定かではないが、高分子化合物（Ａ１）が有する構成単位（ａ０）が、側鎖末端部にＯＳＯ_２Ｎ（Ｒ^２）Ｒ^３で表される構造を含むため、高分子化合物（Ａ１）が、ポジ型レジスト組成物またはネガ型レジスト組成物に要求される適度なアルカリ可溶性を有していること、また、構成単位（ａ０）のＷ（環状のアルキレン基）およびスルファモイルオキシ基（ＯＳＯ_２Ｎ基）のいずれもが比較的透明性に優れる構造であるため、高分子化合物（Ａ１）の透明性、特に１９３ｎｍ付近の波長の光に対する透明性が高いこと等に起因していると推定される。

本発明の高分子化合物（Ａ１）は、特に、当該レジスト組成物がネガ型であり、架橋剤成分が配合される場合に有用である。
従来、ネガ型レジスト組成物の基材成分として、フッ素化ヒドロキシアルキル基を有する高分子化合物を用いることが行われている。該フッ素化ヒドロキシアルキル基を有する高分子化合物は、適度なアルカリ可溶性を有する点で優れているとされている。ところが、このフッ素化ヒドロキシアルキル基の水酸基は、フッ素化アルキル基に起因する立体障害の影響により架橋反応に寄与しないので、架橋密度の向上を妨げる原因となっている。
一方、本発明の高分子化合物（Ａ１）は、構成単位（ａ０）を有することにより、上述したとおり、波長１９３ｎｍ付近の優れた透明性を有し、かつ適度なアルカリ可溶性を有するうえに、構成単位（ａ０）の側鎖末端部（ＳＯ_２ＮＨ基、ＳＯ_２ＮＨ_２基等）が架橋剤成分との反応性（架橋反応性）を有しており、露光により酸発生剤成分から発生した酸の作用により架橋剤成分と反応して架橋を形成することができる。そのため、ネガ型のレジストパターンを形成する際、露光部の架橋密度を容易に向上させることができ、露光部のレジスト組成物のアルカリ不溶性が向上することにより、露光部と未露光部とのアルカリ現像液に対する溶解性の差（溶解コントラスト）が向上し、解像性に優れたネガレジストパターンが形成できると推定される。

以下に、本発明の高分子化合物（Ａ１）が用いられるレジスト組成物の一実施形態を示す。
≪レジスト組成物≫
本実施形態のレジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）（以下、（Ａ）成分という。）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という。）を含有する。
かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、（Ｂ）成分から酸が発生し、該酸が（Ａ）成分のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、当該レジスト膜の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部はアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないため、アルカリ現像により、ポジ型の場合は露光部が、ネガ型の場合は未露光部が溶解除去され、レジストパターンが形成される。
このとき、アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する場合がポジ型であり、アルカリ現像液に対して可溶性から難溶性に変化する場合がネガ型である。
本実施形態のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよい。好ましくはネガ型レジスト組成物であり、この場合、さらに、架橋剤成分（Ｃ）（以下、（Ｃ）成分という。）が配合される。

＜（Ａ）成分＞
本実施形態のレジスト組成物は、（Ａ）成分として、本発明の高分子化合物（Ａ１）を含有する。
（Ａ）成分において、高分子化合物（Ａ１）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態のレジスト組成物は、（Ａ）成分として、高分子化合物（Ａ１）のみを含有してもよく、高分子化合物（Ａ１）に加えて、さらに、高分子化合物（Ａ１）以外の基材成分（以下、（Ａ２）成分という。）を含有してもよい。
（Ａ）成分中、高分子化合物（Ａ１）の割合は、好ましくは５０質量％以上であり、より好ましくは８０〜１００質量％であり、最も好ましくは１００質量％である。
（Ａ２）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の基材成分として提案されているものを適宜選択して使用することができる。
レジスト組成物中の（Ａ）成分の含有量は、特に限定されず、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。通常、該レジスト組成物の有機溶剤溶液中の（Ａ）成分の濃度が高いほど、形成されるレジスト膜の膜圧が厚いものとなる。

＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。これらの中でも、オニウム塩系酸発生剤が好ましく、特に、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩を用いることが好ましい。
（Ｂ）成分としては、これらの酸発生剤を１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物中の（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、好ましくは０．５〜３０質量部、より好ましくは１〜１０質量部である。

＜（Ｃ）成分＞
本発明のレジスト組成物がネガ型レジスト組成物である場合、該レジスト組成物は、好ましくは、さらに（Ｃ）成分を含有する。
（Ｃ）成分としては、特に限定されず、これまでに化学増幅型のネガ型レジスト用の架橋剤として提案されているものの中から任意に選択して用いることができる。
具体的には、例えば２，３−ジヒドロキシ−５−ヒドロキシメチルノルボルナン、２−ヒドロキシ−５，６−ビス（ヒドロキシメチル）ノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、３，４，８（又は９）−トリヒドロキシトリシクロデカン、２−メチル−２−アダマンタノール、１，４−ジオキサン−２，３−ジオール、１，３，５−トリヒドロキシシクロヘキサンなどのヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。
また、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、プロピレン尿素、グリコールウリルなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、エポキシ基を有する化合物が挙げられる。
これらのうち、メラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素を用いたものを尿素系架橋剤、エチレン尿素、プロピレン尿素等のアルキレン尿素を用いたものをアルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤、エポキシ基を有する化合物を用いたものをエポキシ系架橋剤という。
（Ｃ）成分としては、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、特にグリコールウリル系架橋剤が好ましい。

（Ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｃ）成分としては、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤を用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。
レジスト組成物中の（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部であることが好ましく、３〜３０質量部がより好ましく、３〜１５質量部がさらに好ましく、５〜１０質量部が最も好ましい。（Ｃ）成分の含有量が下限値以上であると、架橋形成が充分に進行し、膨潤の少ない良好なレジストパターンが得られる。また、この上限値以下であると、レジスト塗布液の保存安定性が良好であり、感度の経時的劣化が抑制される。

＜任意成分＞
本発明のレジスト組成物は、任意成分（以下、（Ｄ）成分という。）として、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるための含窒素有機化合物；感度劣化の防止、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などの向上のための、有機カルボン酸、有機カルボン酸誘導体、リンのオキソ酸、リンのオキソ酸誘導体；レジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂；塗布性を向上させるための界面活性剤；溶解抑制剤；可塑剤；安定剤；着色剤；ハレーション防止剤；染料などを適宜、添加含有させることができる。

＜有機溶剤＞
本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤（以下、（Ｓ）成分ということがある）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることが出来るものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
（Ｓ）成分の使用量は特に限定しないが、支持体に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が２〜２０質量％、好ましくは３〜１５質量％の範囲内となる様に用いられる。

上記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法としては、支持体上に、前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含む方法が挙げられる。
該レジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まず、支持体上に、上記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、任意に８０〜１５０℃程度の温度条件で４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間のプレベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））を施してレジスト膜を形成する。形成されたレジスト膜を、例えばＡｒＦ露光装置、電子線描画装置、ＥＵＶ露光装置等の露光装置を用いて、マスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等により選択的に露光した後、８０〜１５０℃程度の温度条件で４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間のＰＥＢ（露光後加熱）を施す。続いて、アルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いてアルカリ現像処理した後、好ましくは純水を用いて水リンス処理を行い、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および／または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。
露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、特に、ＡｒＦエキシマレーザーに対して有効である。
レジスト膜の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）であってもよく、液浸露光であってもよい。

次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
［合成例１：３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレートの合成］
温度計、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた５Ｌ容４つ口フラスコに窒素を充填し、滴下ロートより、ヘプタン９８０ｇおよびクロロスルホニルイソシアナート３３４ｇ（２．４ｍｏｌ）を投入した。内温を５℃に冷却した後、滴下ロートより、ギ酸１１０ｇ（２．４ｍｏｌ）を、内温５〜８℃を維持できる速度で滴下した。滴下終了後、内温を２０℃に昇温し１０時間攪拌した。該反応混合液に、滴下ロートより、３−ヒドロキシアダマンチルアクリレート１７５ｇ（０．７９ｍｏｌ）、Ｎ−メチルピロリドン５２５ｇ、４−メトキシフェノール２．１ｇおよびフェノチアジン２．１ｇの溶液を、内温２０℃以下を維持できる速度で滴下した。内温２０〜２５℃にて３時間攪拌した後、反応混合物を分液ロートに移送し、上層を廃棄した。得られた下層に酢酸エチル８９０ｇおよび水７００ｇを添加し攪拌、静置した後、分液した。該水層に酢酸エチル８９０ｇを添加し、再抽出した。２回分の酢酸エチル層を混合した後、水９００ｇで５回洗浄した。次いで７質量％−炭酸水素ナトリウム水溶液４００ｇ、水４００ｇで洗浄した。該洗浄後有機層を５００ｇになるまで減圧下濃縮した後、トルエン６３０ｇを添加した。内温５５℃に加熱した後、３℃まで冷却し再結晶操作を実施した。得られた懸濁液をろ過することによって、下記化学式で表される３−スルファモイルオキシアダンマンチルアクリレート１４５ｇ（０．４８ｍｏｌ）を結晶として得た（収率＝６１％）。

得られた３−スルファモイルオキシアダンマンチルアクリレートの^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ_６、ＴＭＳ、ｐｐｍ）δ：７．４４（２Ｈ，ｓ）、６．２６（１Ｈ，ｍ）、６．０７（１Ｈ，ｍ，）、３．３４（１Ｈ，ｓ）、２．４８（３Ｈ，ｓ）、２．３４（２Ｈ，ｓ）、２．０４（６Ｈ，ｍ）、１．５２（２Ｈ，ｓ）。

［合成例２：３−スルファモイルオキシアダマンチルメタクリレートの合成］
３−ヒドロキシアダマンチルアクリレート１７５ｇ（０．７９ｍｏｌ）の替わりに３−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート１８６．７ｇ（０．７９ｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１と同様の操作を行い、下記化学式で表される３−スルファモイルオキシアダマンチルメタクリレート１５９．５ｇ（０．５１ｍｏｌ）を得た（収率＝６４％）。

得られた３−スルファモイルオキシアダンマンチルメタクリレートの^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ_６、ＴＭＳ、ｐｐｍ）δ：７．４３（２Ｈ，ｓ）、５．９６（１Ｈ，ｓ）、５．６２（１Ｈ，ｓ）、２．４８（２Ｈ，ｓ）、２．３５（３Ｈ，ｂｒ）、２．２３（１Ｈ，ｓ）、２．０４（６Ｈ，ｍ）、１．８４（３Ｈ，ｓ）１．５２（２Ｈ，ｓ）。

［実施例１］
温度計、窒素導入管、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた１００ｍｌ容四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル１３．０ｇを仕込んだ後、窒素導入管より１５分間窒素をバブリングした。次いで内温を８０℃に昇温した後、滴下ロートより３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレート７．０ｇ（ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル０．０５ｇ（０．３ｍｍｏｌ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル２２．６ｇの溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後８０〜８３℃にて３時間攪拌した後、２５℃まで冷却し、該反応液をジイソプロピルエーテル３０９ｇ中に滴下した。生じた沈殿を、グラスフィルターを用いてろ過した後、得られた粉末をプロピレングリコールモノメチルエーテル２８ｇに溶解し、ジイソプロピルエーテル１３６ｇおよび酢酸エチル１５ｇの混合溶媒中に滴下した。生じた沈殿を、グラスフィルターを用いてろ過した後、得られた粉末を減圧下４０℃で８時間乾燥した。質量平均分子量＝６１００、分子量分散度＝１．３５の下記式（１）で表される重合体（高分子化合物（１））を５．６ｇ得た（収率＝８０％）。式中、（ ）の右下の数値は、該数値が付された構成単位の割合（モル％）を示す。

［実施例２］
温度計、窒素導入管、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた１００ｍｌ容四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．８ｇを仕込んだ後、窒素導入管より１５分間窒素をバブリングした。次いで内温を８０℃に昇温した後、滴下ロートより３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレート４．０ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）、３−ヒドロキシアダマンチルアクリレート２．９ｇ（１３．１ｍｍｏｌ）アゾビスイソブチロニトリル０．０６ｇ（０．３ｍｍｏｌ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル２６．６ｇの溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後８０〜８３℃にて３時間攪拌した後、該反応液をジイソプロピルエーテル２０４ｇ中に滴下した。生じた沈殿を、グラスフィルターを用いてろ過した後、得られた粉末をプロピレングリコールモノメチルエーテル２０ｇに再溶解した。該溶液をジイソプロピルエーテル１１７ｇおよび酢酸エチル１３ｇの混合溶媒中に滴下し、生じた沈殿を、グラスフィルターを用いてろ過した後、得られた固体を減圧下乾燥することによって質量平均分子量５６００、分散度１．４０の下記式（２）で表される共重合体（高分子化合物（２））５．０ｇを得た（収率７２％）。式中、（ ）の右下の数値は、該数値が付された構成単位の割合（モル％）を示す。

［実施例３］
温度計、窒素導入管、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた１００ｍｌ容四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．０ｇを仕込んだ後、窒素導入管より１５分間窒素をバブリングした。次いで内温を８０℃に昇温した後、滴下ロートより３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレート６．１ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）、２−ヒドロキシエチルアクリレート２．４ｇ（２０．４ｍｍｏｌ）アゾビスイソブチロニトリル０．０８ｇ（０．５ｍｍｏｌ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル２２．０ｇの溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後８０〜８３℃にて３時間攪拌した後、該反応液をジイソプロピルエーテル２０４ｇ中に滴下した。生じた沈殿を、グラスフィルターを用いてろ過した後、得られた粉末をプロピレングリコールモノメチルエーテル２０ｇに再溶解した。該溶液をジイソプロピルエーテル１１７ｇおよび酢酸エチル１３ｇの混合溶媒中に滴下し、生じた沈殿を、グラスフィルターを用いてろ過した後、得られた固体を減圧下乾燥することによって質量平均分子量７０００、分子量分散度１．５０の下記式（３）で表される共重合体（高分子化合物（３））５．９ｇを得た（収率＝７０％）。式中、（ ）の右下の数値は、該数値が付された構成単位の割合（モル％）を示す。

＜実施例４＞
温度計、窒素導入管、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた２００ｍｌ容四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル３３．２ｇを仕込んだ後、窒素導入管より１５分間窒素をバブリングした。次いで内温を７８℃に昇温した後、滴下ロートより３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレート６．１０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）、アダマンチルアクリレート２．７９ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）アゾビスイソブチロニトリル０．２２ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル３３．２ｇの溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後７８〜８０℃にて２時間攪拌した後、該反応液をｎ−ヘキサン３００ｇ中に滴下した。デカンテーションによりろ液を除き、生じた沈殿をプロピレングリコールモノメチルエーテル２７．６ｇに再溶解した。該溶液をｎ−ヘキサン３６０ｇおよびイソプロピルアルコール４０ｇの混合溶媒中に滴下し、デカンテーションによりろ液を除き、得られた固体を減圧下乾燥することによって質量平均分子量３８００、分散度１．４８の下記式（４）で表される共重合体（高分子化合物（４））６．２ｇを得た（収率７０％）。式中、（ ）の右下の数値は、該数値が付された構成単位の割合（モル％）を示す。

＜実施例５＞
温度計、窒素導入管、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた２００ｍｌ容四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル２３．３ｇを仕込んだ後、窒素導入管より１５分間窒素をバブリングした。次いで内温を７８℃に昇温した後、滴下ロートより３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレート６．１０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）、アダマンチルアクリレート２．７９ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）アゾビスイソブチロニトリル０．１４ｇ（０．８５ｍｍｏｌ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル４２．０ｇの溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後７８〜８０℃にて２時間攪拌した後、該反応液をｎ−ヘキサン３００ｇ中に滴下した。デカンテーションによりろ液を除き、生じた沈殿をプロピレングリコールモノメチルエーテル２３．４ｇに再溶解した。該溶液をｎ−ヘキサン２７０ｇおよびイソプロピルアルコール３０ｇの混合溶媒中に滴下し、デカンテーションによりろ液を除き、得られた固体を減圧下乾燥することによって質量平均分子量６０４０、分散度１．３７の下記式（５）で表される共重合体（高分子化合物（５））３．７ｇを得た（収率４２％）。式中、（ ）の右下の数値は、該数値が付された構成単位の割合（モル％）を示す。

＜実施例６＞
温度計、窒素導入管、滴下ロート、攪拌装置を取り付けた２００ｍｌ容四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテル３７．０ｇを仕込んだ後、窒素導入管より１５分間窒素をバブリングした。次いで内温を８０℃に昇温した後、滴下ロートより３−スルファモイルオキシアダマンチルアクリレート９．０ｇ（２９．９ｍｍｏｌ）、アダマンチルアクリレート１．５４ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル０．１７ｇ（１．９ｍｍｏｌ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル６９．６ｇの溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後８０℃にて２時間攪拌した後、該反応液をジイソプロピルエーテル２２００ｇ中に滴下した。生じた沈殿をグラスフィルターを用いてろ過した後、得られた固体を減圧下乾燥することによって質量平均分子量４３００、分散度１．３１の下記式（６）で表される共重合体（高分子化合物（６））７．７ｇを得た（収率７３％）。式中、（ ）の右下の数値は、該数値が付された構成単位の割合（モル％）を示す。

［参考例１〜６］
表１に示す各成分を混合、溶解してネガ型のレジスト組成物を調製した。

表１中の各略号は以下の意味を有する。また、［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ａ）−１：前記高分子化合物（１）。
（Ａ）−２：前記高分子化合物（２）。
（Ａ）−４：前記高分子化合物（４）。
（Ａ）−５：前記高分子化合物（５）。
（Ａ）−６：前記高分子化合物（６）。
（Ａ）−１’：上記式（１）で示される質量平均分子量が５０００の重合体。
（Ｂ）−２：トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート。
（Ｃ）−１：下記化学式（Ｃ）−１で表される化合物（テトラメトキシメチル化グリコールウリル、製品名：ニカラックＭＸ−２７０、三和ケミカル社製）。
（Ｄ）−１：トリイソプロパノールアミン。
（Ｓ）−１：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）。

得られたレジスト組成物を用いて、以下の評価を行った。
［残膜特性の評価］
有機系反射防止膜組成物「ＡＲＣ２９」（商品名、ブリュワーサイエンス社製）を、スピンナーを用いて８インチシリコンウェーハ上に均一に塗布し、ホットプレート上で２０５℃、６０秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚７７ｎｍの有機系反射防止膜を形成した。
該有機系反射防止膜上に、上記レジスト組成物を、それぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、９０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚１６０ｎｍのレジスト膜を形成した。
該レジスト膜に対して、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ３０２（製品名、Ｎｉｋｏｎ社製；ＮＡ（開口数）＝０．６０，２／３輪帯照明）により、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を、０〜３０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光した。その後、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間現像し、その後３０秒間水洗し、乾燥した。
このとき、露光量の変化による残膜率（単位：％、現像後のレジスト膜厚／成膜時（露光前）のレジスト膜厚×１００）の変化から、残膜曲線を求めた。その結果、参考例１〜６のレジスト組成物すべてが良好なコントラストを示した。また、最大の残膜率（残膜率の収束値）はそれぞれ、参考例１（７３％）、参考例２（９６％）、参考例３（９９．６％）、参考例４（６０％）、参考例５（１００％）、参考例６（７０％）であった。
以上の結果から、参考例１〜６のレジスト組成物が、残膜特性に優れており、ネガ型レジスト組成物として機能することが確認された。

［リソグラフィー特性の評価］
有機系反射防止膜組成物「ＡＲＣ２９」（商品名、ブリュワーサイエンス社製）を、スピンナーを用いて８インチシリコンウェーハ上に均一に塗布し、ホットプレート上で２０５℃、６０秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚７７ｎｍの有機系反射防止膜を形成した。
該有機系反射防止膜上に、参考例２のレジスト組成物を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、９０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚１６０ｎｍのレジスト膜を形成した。
該レジスト膜に対して、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ３０２（製品名、Ｎｉｋｏｎ社製；ＮＡ（開口数）＝０．６０，２／３輪帯照明）により、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を、マスクパターンを介して、選択的に照射した。その後、１１０℃で６０秒間のＰＥＢ処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間現像し、その後３０秒間水洗し、乾燥した。
その結果、ライン幅２５０ｎｍ、ピッチ５００ｎｍのラインアンドスペースのレジストパターン（ＬＳパターン）の解像が確認された。
このとき、ライン幅２５０ｎｍ、ピッチ５００ｎｍのＬＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２）を「感度」として求めた。その結果、参考例２のＥｏｐは３５ｍＪ／ｃｍ^２であった。
また、「解像性」として、上記Ｅｏｐにおける限界解像度（ｎｍ）を、測長ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）Ｓ−９２２０（Ｈｉｔａｃｈｉ社製）を用いて求めた。その結果、参考例２の限界解像度は１５０ｎｍであった。

上記の結果から、本発明の高分子化合物が、レジスト組成物の基材成分として有用であることが確認できた。

Claims (3)

1. 下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。
   

   

   ［式（ａ０−１）中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のフッ素化アルキル基を表し、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ水素原子を表し、Ｗは、炭素鎖中に酸素原子（−Ｏ−）が導入されていてもよい炭素数３〜２０の環状のアルキレン基を表す。］
2. さらに、水酸基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する請求項１に記載の高分子化合物。
3. さらに、下記一般式（ａ４−１）〜（ａ４−６）で表される構成単位からなる群から選ばれる構成単位を有する請求項１または２に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。］