JP5277203B2 - パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 - Google Patents

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 Download PDF

Info

Publication number
JP5277203B2
JP5277203B2 JP2010123583A JP2010123583A JP5277203B2 JP 5277203 B2 JP5277203 B2 JP 5277203B2 JP 2010123583 A JP2010123583 A JP 2010123583A JP 2010123583 A JP2010123583 A JP 2010123583A JP 5277203 B2 JP5277203 B2 JP 5277203B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
developer
solvent
exposure
negative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010123583A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010244062A5 (enrdf_load_stackoverflow
JP2010244062A (ja
Inventor
英明 椿
慎一 漢那
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2010123583A priority Critical patent/JP5277203B2/ja
Publication of JP2010244062A publication Critical patent/JP2010244062A/ja
Publication of JP2010244062A5 publication Critical patent/JP2010244062A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5277203B2 publication Critical patent/JP5277203B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
JP2010123583A 2006-12-25 2010-05-28 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 Active JP5277203B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010123583A JP5277203B2 (ja) 2006-12-25 2010-05-28 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006347560 2006-12-25
JP2006347560 2006-12-25
JP2007103901 2007-04-11
JP2007103901 2007-04-11
JP2007117158 2007-04-26
JP2007117158 2007-04-26
JP2010123583A JP5277203B2 (ja) 2006-12-25 2010-05-28 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007325915A Division JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2007-12-18 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012243033A Division JP5531078B2 (ja) 2006-12-25 2012-11-02 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2013032157A Division JP2013117739A (ja) 2006-12-25 2013-02-21 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010244062A JP2010244062A (ja) 2010-10-28
JP2010244062A5 JP2010244062A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2011-11-17
JP5277203B2 true JP5277203B2 (ja) 2013-08-28

Family

ID=40167713

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010123583A Active JP5277203B2 (ja) 2006-12-25 2010-05-28 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2010123584A Active JP5186532B2 (ja) 2006-12-25 2010-05-28 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2012243033A Active JP5531078B2 (ja) 2006-12-25 2012-11-02 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2013032157A Pending JP2013117739A (ja) 2006-12-25 2013-02-21 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2014240467A Active JP5965971B2 (ja) 2006-12-25 2014-11-27 パターン形成方法
JP2016120588A Active JP6322668B2 (ja) 2006-12-25 2016-06-17 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010123584A Active JP5186532B2 (ja) 2006-12-25 2010-05-28 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2012243033A Active JP5531078B2 (ja) 2006-12-25 2012-11-02 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2013032157A Pending JP2013117739A (ja) 2006-12-25 2013-02-21 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2014240467A Active JP5965971B2 (ja) 2006-12-25 2014-11-27 パターン形成方法
JP2016120588A Active JP6322668B2 (ja) 2006-12-25 2016-06-17 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (6) JP5277203B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5707359B2 (ja) * 2011-05-30 2015-04-30 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
US8956799B2 (en) * 2011-12-31 2015-02-17 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator and photoresist comprising same
JP5719788B2 (ja) * 2012-02-24 2015-05-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP6007155B2 (ja) * 2013-07-30 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置
JP2015045836A (ja) * 2013-08-02 2015-03-12 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及びそれに用いられる表面処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP6159746B2 (ja) 2014-02-28 2017-07-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、処理剤、電子デバイス及びその製造方法
JP2018088615A (ja) 2016-11-29 2018-06-07 セイコーエプソン株式会社 測色値の検査装置、検査方法、及び、検査プログラム
KR102555351B1 (ko) * 2019-11-15 2023-07-13 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 현상액 및 린스액을 이용한 수지제 렌즈의 제조방법, 그리고 그의 린스액

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
JPH02161436A (ja) * 1988-12-15 1990-06-21 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト組成物及びその使用方法
JP2881969B2 (ja) * 1990-06-05 1999-04-12 富士通株式会社 放射線感光レジストとパターン形成方法
JP2723350B2 (ja) * 1990-09-27 1998-03-09 三菱電機株式会社 感光性樹脂組成物
JPH0635195A (ja) * 1992-07-22 1994-02-10 Fujitsu Ltd レジスト組成物
JP3339157B2 (ja) * 1993-05-31 2002-10-28 ソニー株式会社 感光性組成物及びパターン形成方法
JP2715881B2 (ja) * 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JPH07261392A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Fujitsu Ltd 化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法
US6114082A (en) * 1996-09-16 2000-09-05 International Business Machines Corporation Frequency doubling hybrid photoresist having negative and positive tone components and method of preparing the same
KR100273172B1 (ko) * 1998-08-01 2001-03-02 윤덕용 아크릴 측쇄에 디옥사스피로환기 유도체를 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트
US6569602B1 (en) * 1998-10-05 2003-05-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ionization radiation imageable photopolymer compositions
JP3943741B2 (ja) * 1999-01-07 2007-07-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2000315647A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Mitsubishi Electric Corp レジストパターン形成方法
JP4083035B2 (ja) * 2002-02-13 2008-04-30 富士フイルム株式会社 電子線、ｅｕｖ又はｘ線用レジスト組成物
WO2004022513A1 (ja) * 2002-09-09 2004-03-18 Nec Corporation レジスト及びレジストパターン形成方法
JP2004347985A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジストパターン形成方法
JP4533771B2 (ja) * 2004-02-20 2010-09-01 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
ATE414934T1 (de) * 2004-11-25 2008-12-15 Nxp Bv Lithographisches verfahren
JP2006276444A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4496120B2 (ja) * 2005-03-30 2010-07-07 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TW200715067A (en) * 2005-09-06 2007-04-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lithographic method
JP4554665B2 (ja) * 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013054377A (ja) 2013-03-21
JP5186532B2 (ja) 2013-04-17
JP5531078B2 (ja) 2014-06-25
JP2015057667A (ja) 2015-03-26
JP2016189018A (ja) 2016-11-04
JP6322668B2 (ja) 2018-05-09
JP2010237695A (ja) 2010-10-21
JP5965971B2 (ja) 2016-08-10
JP2010244062A (ja) 2010-10-28
JP2013117739A (ja) 2013-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4554665B2 (ja) パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP5002379B2 (ja) パターン形成方法
JP5011018B2 (ja) パターン形成方法
JP4982288B2 (ja) パターン形成方法
JP4562784B2 (ja) パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
JP5433181B2 (ja) ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5303604B2 (ja) ネガ型現像用レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP4551970B2 (ja) ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4617337B2 (ja) パターン形成方法
JP4558064B2 (ja) パターン形成方法
JP6322668B2 (ja) パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP2009025707A (ja) ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009025723A (ja) ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JPWO2011158687A1 (ja) パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5270249B2 (ja) ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5050086B2 (ja) パターン形成方法
JP5050087B2 (ja) パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100817

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110929

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120907

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121102

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130520

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5277203

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250