JP5273745B2 - オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5273745B2 JP5273745B2 JP2010204297A JP2010204297A JP5273745B2 JP 5273745 B2 JP5273745 B2 JP 5273745B2 JP 2010204297 A JP2010204297 A JP 2010204297A JP 2010204297 A JP2010204297 A JP 2010204297A JP 5273745 B2 JP5273745 B2 JP 5273745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- powder
- component
- overcoat material
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 COC*N(**OC)c1ccc(*2OC2)cc1 Chemical compound COC*N(**OC)c1ccc(*2OC2)cc1 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
(A)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂 100質量部、
(B)フェノール系硬化剤 5〜95質量部、
(C)硬化促進剤 10〜150質量部、
(D)重量平均粒子径15μm以上30μm未満の粒子を50〜75質量%、重量平均粒子径5μm以上15μm未満の粒子を15〜25質量%、及び重量平均粒子径2μm以下の粒子を10〜25質量%含む熱伝導性充填材であって、アルミニウム粉末、銅粉末、銀粉末、ニッケル粉末、金粉末、金属ケイ素粉末、アルミナ粉末、酸化亜鉛粉末、酸化マグネシウム粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、窒化珪素粉末、ダイヤモンド粉末、インジウム粉末、及びガリウム粉末から選ばれる1種又は2種以上 (A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1000質量部、
及び、
(E)1分子中に1つのエポキシ基を有する希釈剤 50〜200質量部
を含有し、(A)成分及び(E)成分中のエポキシ基/(B)成分中のフェノール性水酸基が1.3〜3.0(モル当量比)であるオーバーコート材、及び該オーバーコート材で封止したパッケージを備える半導体装置である。
(A)液状エポキシ樹脂は1分子中に2つ以上のエポキシ基を有するものである。本発明の液状エポキシ樹脂は、それ自体が室温(25℃)で液状のものであれば、分子構造、分子量等は特に限定されず、公知の液状エポキシ樹脂を全て用いることができる。中でも、25℃における粘度が0.05Pa・s〜200Pa・s、特に0.1Pa・s〜100Pa・sのものが好ましい。
[化2]
HaR2 bSiO(4−a−b)/2 (4)
で表され、かつ1分子中のケイ素原子の数が20〜400、好ましくは40〜200であり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を好ましくは1〜5個、より好ましくは2〜4個、特に好ましくは2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとのヒドロシリル化反応により製造することができる。該ヒドロシリル化反応は公知の反応条件で行えばよく、例えば白金系触媒を用いて行うのがよい。
(B)成分は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、分子構造、分子量等は特に限定されず、公知のフェノール系樹脂硬化剤を全て使用することができる。特に、それ自体が室温(25℃)で液状のものがよく、中でも、25℃における粘度が10Pa・s以下、特に5Pa・s以下のものが好ましい。該(B)成分の配合量は(A)成分100質量部に対し5〜95質量部、好ましくは30〜90質量部であることがよい。
硬化促進剤はオーバーコート材の硬化反応を促進するために使用する。該硬化促進剤の配合量は、(A)液状エポキシ樹脂100質量部に対し、10〜150質量部、好ましくは50〜150質量部、より好ましくは90〜150質量部である。本発明のオーバーコート材は硬化促進剤を多量に添加する事を特徴とし、これにより低温で速やかに硬化する事ができる。また過剰量の硬化促進剤が(A)成分及び(E)成分のエポキシ基と反応することにより、強固な硬化物を提供することができる。該硬化促進剤は、エポキシ樹脂の硬化反応を促進させるものならば特に限定されず、公知のものを全て使用することができ、例えば、イミダゾール化合物、第3級アミン化合物、有機リン系化合物等を挙げることができる。中でもイミダゾール化合物が好適であり、イミダゾール化合物を使用することにより硬化物の強靭性がより向上する。
本発明は特定の粒径分布を有する熱伝導性充填材を配合することにより、オーバーコート材の低粘度性を維持しながら、高い熱伝導性を付与することを可能にする。即ち、本発明の熱伝導性充填材は、重量平均粒子径15μm以上30μm未満の粒子50〜75質量%、重量平均粒子径5μm以上15μm未満の粒子15〜25質量%、及び重量平均粒子径2μm以下の粒子10〜25質量%を含む充填材である。好ましくは、重量平均粒子径15μm以上30μm未満の粒子60〜70質量%、重量平均粒子径5μm以上15μm未満の粒子20〜25質量%、及び重量平均粒子径2μm以下の粒子10〜20質量%を含む充填材である。なお、本発明の熱伝導性充填材は重量平均粒径30μm以上の粒子を少量含んでいてもよい。また、本発明の熱伝導性充填材は平均粒径0.1〜100μmを有する粒子から成ることが良い。該平均粒径が0.1μmより小さい粒子を含むと得られる組成物のチキソ指数が高くなり、伸展性に乏しいものとなり、100μmより大きい粒子を含むと樹脂組成物中の均一性が乏しくなる。充填材は如何なる形状でもよく、不定形でも球形でもよい。尚、上記重量平均粒径は、例えばレーザー光回折法による粒度分布測定における重量平均値D50(又は、メジアン径)等として求めることができる。
希釈剤はオーバーコート材を低粘度化し室温での充填性をさらに向上する。本発明の希釈剤は1分子中に1つのエポキシ基を有する希釈剤であり、単官能エポキシ化合物であるのがよい。これによって希釈剤が(B)フェノール系硬化剤や(C)硬化促進剤と反応し、室温でより強固な硬化物を提供する事ができる。このような単官能エポキシ化合物としては、脂肪族単官能エポキシ化合物、脂肪族二官能エポキシ化合物、芳香族単官能エポキシ化合物等を単独であるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。より具体的には、o−sec−ブチルフェニルグリシジルエーテル、シクロへキサンジメチロール型エポキシ樹脂、フェニルグリシジルエーテル、o−クレジルグリシジルエーテル、p−tert−ブチルフェニルグリシジルエーテル、o−フェニルフェニルグリシジルエーテル、ノニルフェニルグリシジルエーテル、フェノール(EO)5グリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル等の一つまたは二種以上の組み合わせが挙げられる。
制限されるものではない。
・ビスフェノールF型エポキシ樹脂:YDF8170(東都化成社製)エポキシ当量:160、粘度0.13mP・s(25℃)
・シリコーン変性エポキシ樹脂:下記式(7)で示される末端ビニル基含有エポキシ樹脂と下記式(8)で示されるオルガノポリシロキサンの付加反応生成物
アルケニル基含有フェノール樹脂:MEH−8000H(明和化成社製、粘度:2500mPa・s、OH当量:141g/eq)
マイクロカプセル化触媒:HX−3088(旭化成社製、コア材の平均粒径:2μm、最大粒径:75μm、シェル材の融点:70℃、コア材:イミダゾール系化合物、シェル材:ポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA))
アルミナA:重量平均粒径20μm、熱伝導率29W/mK
アルミナB:重量平均粒径10μm、熱伝導率29W/mK
アルミナC:重量平均粒径0.7μm、熱伝導率29W/mK
p−tert−ブチルフェニルグリシジルエーテル:EX−146(ナガセケムテックス社製) エポキシ当量:226
シランカップリング剤:KBM403(信越化学工業社製)
顔料:アデカブラック(アデカ)
上記成分を下記表1に示す組成及び配合量で配合し、プラネタリーミキサーを使用して均一に混練することによりオーバーコート材を調製した。各オーバーコート材を用いて、下記に示す各種評価試験を行った。結果を表1に示す。
各オーバーコート材を直径18mmのコーンを用いて、0.2mm厚となるように塗布し、25℃、40℃、60℃の粘度を測定した。粘度はE型粘度計(ブルックフィールド社製)により測定した。
各オーバーコート材を100℃のオーブンに30分間静置し、十分に硬化させた後の成型物から直径12mmの円盤を切り取り、LFA 447 Xe フラッシュアナライザー(NETZSCH社製)を用いて熱伝導性の測定を行った。
ソルダーマスクPSR−4000AUS308(太陽インキ化学工業(株)社製)を全面にコートしたBT基板(BT=ビスマレイミドトリアジン樹脂)に各オーバーコート材を塗布し、2mm×2mmのSiチップを乗せ、100℃に加熱したオーブンにて30分間硬化させた。硬化後の基板を260℃の熱板に40秒静置した。硬化後の基板の室温と260℃での接着強度を、ダイシェアテスターを用いて測定した。
各オーバーコート材10mgについて、昇温スピード5℃/minのDSCによって発熱量を測定し初期発熱量とした。次に、各オーバーコート材を100℃で30分間加熱後の発熱量を上記と同様に測定し反応後発熱量とした。下記式により反応率を算出した。
反応率(%)=(初期発熱量−反応後発熱量)/初期発熱量×100(%)
縦20mm×横20mm×高さ2mmの容器の中央にオーバーコート材を十分量ポッティングし、60℃の熱板の上で静置した。20分後のオーバーコート材の充填度合いを評価した。全体に充填しているものを○、充填していないものを×で示す。
各オーバーコート材の25℃における粘度(初期値)と、25℃で24時間放置後の粘度をそれぞれ測定し、粘度の上昇率が20%以下である場合を○、上昇率が20%を超えた場合を×とした。
室温曲げ強さ
各オーバーコート材を厚さ4mm×幅10mm×長さ100mmに成型し、100℃に加熱したオーブンにて30分間加熱して硬化した。室温での各硬化物の曲げ強さをJISK 6911に準拠して測定した。
2.シールド
3.アンダーフィル剤
4.はんだボール
5.配線基板
6.CSPパッケージ
7.半導体素子
8.キャリア基板
9.封止樹脂
10.アンダーフィル剤
11.はんだボール
12.電極
Claims (7)
- (A)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂 100質量部、
(B)フェノール系硬化剤 5〜95質量部、
(C)硬化促進剤 10〜150質量部、
(D)重量平均粒子径15μm以上30μm未満の粒子を50〜75質量%、重量平均粒子径5μm以上15μm未満の粒子を15〜25質量%、及び重量平均粒子径2μm以下の粒子を10〜25質量%含む熱伝導性充填材であって、アルミニウム粉末、銅粉末、銀粉末、ニッケル粉末、金粉末、金属ケイ素粉末、アルミナ粉末、酸化亜鉛粉末、酸化マグネシウム粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、窒化珪素粉末、ダイヤモンド粉末、インジウム粉末、及びガリウム粉末から選ばれる1種又は2種以上 (A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1000質量部、
及び、
(E)1分子中に1つのエポキシ基を有する希釈剤 50〜200質量部
を含有し、(A)成分及び(E)成分中のエポキシ基/(B)成分中のフェノール性水酸基が1.3〜3.0(モル当量比)であるオーバーコート材。 - (D)熱伝導性充填材が10W/mK以上の熱伝導率を有する請求項1に記載のオーバーコート材。
- (C)硬化促進剤がマイクロカプセル化されている請求項1または2に記載のオーバーコート材。
- (A)成分および/または(B)成分がシリコーン変性された樹脂を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載のオーバーコート材。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のオーバーコート材で封止したパッケージを備える半導体装置。
- 前記パッケージが半導体素子と該半導体素子を保持するキャリア基板とからなり、該キャリア基板の裏面と配線基板との隙間がアンダーフィル剤で封止されており、該パッケージの全面が請求項1〜5のいずれか1項に記載のオーバーコート材で封止されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010204297A JP5273745B2 (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-13 | オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010203653 | 2010-09-10 | ||
JP2010203653 | 2010-09-10 | ||
JP2010204297A JP5273745B2 (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-13 | オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012077098A JP2012077098A (ja) | 2012-04-19 |
JP5273745B2 true JP5273745B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=46237730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010204297A Active JP5273745B2 (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-13 | オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5273745B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6331526B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-05-30 | オムロン株式会社 | 樹脂組成物およびその硬化物 |
WO2016125664A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
CN107533310B (zh) * | 2015-02-11 | 2021-01-05 | 惠普印迪戈股份公司 | 电子照相清漆组合物 |
JP6475593B2 (ja) * | 2015-08-17 | 2019-02-27 | 積水化学工業株式会社 | 半導体素子保護用材料及び半導体装置 |
JP6834173B2 (ja) * | 2016-05-13 | 2021-02-24 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置 |
KR102137550B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2020-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
EP3757258A4 (en) * | 2018-02-23 | 2022-01-19 | Kansai Paint Co., Ltd | COATING PROCESS FOR CATIONIC ELECTROCOAT MATERIAL |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3650748B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2005-05-25 | 新日本無線株式会社 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
-
2010
- 2010-09-13 JP JP2010204297A patent/JP5273745B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012077098A (ja) | 2012-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3876965B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5273745B2 (ja) | オーバーコート材及びそれを用いた半導体装置 | |
JP3736611B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 | |
JP4786964B2 (ja) | 熱硬化型エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JP4656269B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2009007467A (ja) | 実装用難燃性サイドフィル材及び半導体装置 | |
JP3952143B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3695521B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
KR20100130966A (ko) | 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 | |
JP4176619B2 (ja) | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 | |
JP5278385B2 (ja) | 実装用封止材及びそれを用いて封止した半導体装置 | |
JP5278386B2 (ja) | 実装用封止材及びそれを用いて封止した半導体装置 | |
JP3985148B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3925803B2 (ja) | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 | |
KR100592461B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
JP2006169395A (ja) | アンダーフィル樹脂組成物 | |
JPWO2019146617A1 (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP3871032B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 | |
JP2005350618A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP6015912B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物および半導体電子部品 | |
JP2006028250A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2010144144A (ja) | アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 | |
JP2008177521A (ja) | 実装用封止材及び半導体装置 | |
JP2007224124A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006016433A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5273745 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |