JP5263494B2 - Current sensor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current sensor insusceptible to the effect of interference due to a magnetic field of adjacent bus bar or an external magnetic field even when not using a ring magnetic core, having satisfactory linearity of output characteristics, and allowing reduction in size. <P>SOLUTION: A magnetic shield body 65 performs magnetic shielding from the external magnetic field by constituting an annular surrounding part annularly surrounding the bus bar 12, an insulating substrate 13, and a Hall IC 14, wherein gaps 67, 68 are formed. When the direction connecting the positions of the bus bar 12 and the Hall IC 14 is defined as the height direction on a virtual plane perpendicular to the length direction of the bus bar 12 and including the existence position of the Hall IC 14, the position of the gaps 67, 68 in the height direction is the same as or in the vicinity of the position of the bus bar 12 in the height direction. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、例えばハイブリッドカーや電気自動車のバッテリー電流やモータ駆動電流を測定する電流センサに関し、特に、ホール素子等の磁気検出素子を用いてバスバーに流れる電流を測定する電流センサに関する。   The present invention relates to a current sensor that measures, for example, a battery current and a motor driving current of a hybrid car or an electric vehicle, and more particularly to a current sensor that measures a current flowing through a bus bar using a magnetic detection element such as a Hall element.

ホール素子等の磁気検出素子を用いてバスバーに流れる電流(被測定電流)を非接触状態で検出する電流センサとして、以下に示す磁気比例式や磁気平衡式のものが従来から知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a current sensor for detecting a current flowing through a bus bar (current to be measured) in a non-contact state using a magnetic detection element such as a Hall element, the following magnetic proportional type and magnetic balance type are known.

磁気比例式電流センサは、図13に例示のように、ギャップGを有するリング状の磁気コア20(高透磁率で残留磁気が少ない珪素鋼板やパーマロイコア等)と、ギャップGに配置されたホール素子116(磁気検出素子の例示)とを有する。磁気コア20は、被測定電流Iinの流れるバスバー10が貫通する配置である。したがって、被測定電流IinによってギャップG内に磁界が発生し、これがホール素子116の感磁面に印加される。磁界の強さは被測定電流Iinに比例するので、ホール素子116の出力電圧から被測定電流Iinが求められる。なお、磁気比例式電流センサの回路構成は、例えば図14に示されるものである。この回路では、定電流駆動されるホール素子116の出力電圧を差動増幅回路で増幅してセンサ出力としている。図13の磁気比例式電流センサの改良として、下記特許文献1に示されるようなU字型のバスバーを用いたものが知られている。
WO2003−046584号公報
As illustrated in FIG. 13, the magnetic proportional current sensor includes a ring-shaped magnetic core 20 having a gap G (such as a silicon steel plate or a permalloy core with high permeability and low residual magnetism), and a hole disposed in the gap G. And an element 116 (an example of a magnetic detection element). The magnetic core 20 is an arrangement in which the bus bar 10 of the flow of the current I in the measurement through. Therefore, a magnetic field is generated in the gap G by the current I in to be measured, and this is applied to the magnetic sensitive surface of the Hall element 116. Since the intensity of the magnetic field is proportional to the measured current I in, the measured current I in is determined from the output voltage of the Hall element 116. The circuit configuration of the magnetic proportional current sensor is as shown in FIG. 14, for example. In this circuit, the output voltage of the Hall element 116 driven by constant current is amplified by a differential amplifier circuit to obtain a sensor output. As an improvement of the magnetic proportional current sensor of FIG. 13, one using a U-shaped bus bar as shown in Patent Document 1 below is known.
WO2003-046584

磁気平衡式電流センサは、磁気比例式電流センサの構成に加えて、図15に例示のように、磁気コア20に巻線を設けてなる負帰還用コイルLFBを有する。そして被測定電流IinによってギャップG内に磁界(以下「第1の磁界」とも表記)が発生してこれがホール素子116の感磁面に印加され、印加された前記第1の磁界を相殺する(ゼロにする)磁界(以下「第2の磁界」とも表記)を発生するように負帰還用コイルLFBに電流が供給される。前記第2の磁界を発生するために負帰還用コイルLFBに供給される電流(負帰還電流)から被測定電流Iinが求められる。なお、磁気平衡式電流センサの回路構成は、例えば図16に示されるものである。この回路では、負帰還電流を検出抵抗で電圧に変換し、これを差動増幅回路で増幅してセンサ出力としている。 In addition to the configuration of the magnetic proportional current sensor, the magnetic balance type current sensor has a negative feedback coil L FB in which a winding is provided in the magnetic core 20 as illustrated in FIG. Then, a magnetic field (hereinafter also referred to as “first magnetic field”) is generated in the gap G by the measured current I in , and this is applied to the magnetosensitive surface of the Hall element 116 to cancel the applied first magnetic field. A current is supplied to the negative feedback coil L FB so as to generate a magnetic field (hereinafter also referred to as “second magnetic field”). The measurement current I in is determined from the current (negative feedback current) supplied to the negative feedback coil L FB to generate the second magnetic field. The circuit configuration of the magnetic balance type current sensor is as shown in FIG. 16, for example. In this circuit, a negative feedback current is converted into a voltage by a detection resistor, which is amplified by a differential amplifier circuit to be a sensor output.

近年のハイブリッドカーや電気自動車用のモータは、位相がそれぞれ120度ずれた三相交流電流(図17の波形図参照)で駆動される。そのため、200〜300Vの直流高電圧が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下「IGBT」と表記。IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)等のパワー素子によりスイッチングされ、大電流が制御される。前記IGBT及びそのドライブ回路等が内蔵されたユニットとして「インバータECU」(ECU:Electronic Control Unit)が構成され、外部との電気的接続には三相交流電源(U相、V相、W相)用の3本のバスバーが用いられる。装置の小型化の要求のため、バスバー間のピッチはさらに狭くすることが求められ、それに伴って電流センサも小型化が必要となっている。そのため、従来のようなリング状の磁気コアを用いたものに替えて、下記特許文献2に示されるような「コアレス電流センサ」が近年では採用されている。
特開2006−112968号公報
In recent years, motors for hybrid cars and electric cars are driven by a three-phase alternating current whose phases are shifted by 120 degrees (see the waveform diagram of FIG. 17). Therefore, a DC high voltage of 200 to 300 V is switched by a power element such as an insulated gate bipolar transistor (hereinafter referred to as “IGBT”; IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor), and a large current is controlled. An "inverter ECU" (ECU: Electronic Control Unit) is configured as a unit incorporating the IGBT and its drive circuit, etc., and a three-phase AC power supply (U phase, V phase, W phase) is electrically connected to the outside. Three bus bars are used. Due to the demand for miniaturization of the device, it is required to further reduce the pitch between the bus bars, and accordingly, the current sensor is also required to be miniaturized. Therefore, in place of the conventional one using a ring-shaped magnetic core, a “coreless current sensor” as shown in Patent Document 2 below has been adopted in recent years.
JP 2006-112968 A

リング状の磁気コアを用いない「コアレス電流センサ」の場合、隣接するバスバー又は外部からの磁界に干渉されて電流検出精度が悪化しやすい(図18参照)。このため、高精度の電流検出のためには磁気シールド手段を設ける必要がある。特許文献2の電流センサでは、複数のバスバーの各々にセンサ本体(ホール素子等)と磁気シールドが設けられ、バスバーに流れる電流によって発生する磁界が隣接するバスバーに影響を及ぼすことを磁気シールドによって防止している。しかし、特許文献2の電流センサでは、センサ本体は磁気シールドされていないため、外部磁界による干渉には弱いと言わざるを得ない。つまり、電流測定に誤差が生じ、高精度な測定ができないという問題があった。そこでセンサ本体も磁気シールドすると、隣接するバスバーや外部からの磁界による干渉は防げても、今度は磁気シールド自身の影響により、センサ本体への印加磁界と被測定電流とのリニアリティが悪化し、電流センサの出力特性がノンリニアになってしまうという問題がある。この問題は、図19のように磁気シールドを十分に大きくする(例えば縦横共にバスバー幅dの3倍以上にする)ことで改善することが可能であるが、それでは電流センサの小型化の要求に反する。   In the case of a “coreless current sensor” that does not use a ring-shaped magnetic core, current detection accuracy is likely to deteriorate due to interference with an adjacent bus bar or an external magnetic field (see FIG. 18). For this reason, it is necessary to provide a magnetic shield means for highly accurate current detection. In the current sensor of Patent Document 2, each of the plurality of bus bars is provided with a sensor body (Hall element or the like) and a magnetic shield, and the magnetic shield prevents the magnetic field generated by the current flowing through the bus bar from affecting the adjacent bus bar. doing. However, in the current sensor disclosed in Patent Document 2, since the sensor body is not magnetically shielded, it must be said that it is weak against interference by an external magnetic field. That is, there is a problem in that an error occurs in current measurement and high-precision measurement cannot be performed. Therefore, if the sensor body is also magnetically shielded, interference from the adjacent bus bar and external magnetic field can be prevented, but the linearity between the magnetic field applied to the sensor body and the current to be measured deteriorates due to the influence of the magnetic shield itself. There is a problem that the output characteristic of the sensor becomes non-linear. This problem can be remedied by making the magnetic shield sufficiently large as shown in FIG. 19 (for example, at least three times the bus bar width d in both the vertical and horizontal directions). Contrary.

本発明はこうした状況を認識してなされたものであり、その目的は、リング状磁気コアを用いない場合でも隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉の影響を受けにくく、かつ、出力特性のリニアリティが良好で小型化の可能な電流センサを提供することにある。   The present invention has been made in view of such a situation, and the object thereof is to prevent the influence of interference from an adjacent bus bar or an external magnetic field even when a ring-shaped magnetic core is not used, and to provide linearity of output characteristics. It is an object of the present invention to provide a current sensor which is favorable and can be miniaturized.

本発明のある態様は、電流センサである。この電流センサは、
バスバーと、
前記バスバーに流れる電流によって発生する磁界が感磁面に印加されるように前記バスバーに対して固定配置された磁気検出素子と、
前記磁気検出素子を磁気遮蔽する磁気シールド体とを備え、
前記磁気シールド体は、前記バスバーと前記磁気検出素子とを内側に囲む環状囲み部を有し、
前記環状囲み部には少なくとも1カ所の空隙が形成され、前記空隙が前記バスバーの側面対向する位置にある又は前記バスバーの厚み寸法内に位置し
前記バスバーが複数平行に設けられ、各バスバーに前記磁気検出素子が固定配置され、各バスバー及び各磁気検出素子に対して前記磁気シールド体が設けられ、
各バスバーの長手方向の中間部が所定の嵌合構造で単一のホルダに位置決め保持されている。
One embodiment of the present invention is a current sensor. This current sensor
A bus bar,
A magnetic detection element fixedly arranged with respect to the bus bar so that a magnetic field generated by a current flowing through the bus bar is applied to a magnetic sensitive surface;
A magnetic shield body for magnetically shielding the magnetic detection element,
The magnetic shield body has an annular enclosure that encloses the bus bar and the magnetic detection element inside,
The gap of the at least one location in the annular surrounding member is formed, before Kisora gap is located within the thickness of a or the bus bar at a position facing the side surface of the bus bar,
A plurality of the bus bars are provided in parallel, the magnetic detection element is fixedly disposed on each bus bar, and the magnetic shield body is provided for each bus bar and each magnetic detection element,
An intermediate portion in the longitudinal direction of each bus bar is positioned and held by a single holder with a predetermined fitting structure.

本発明のもう1つの態様は、電流センサである。この電流センサは、
バスバーと、
前記バスバーに流れる電流によって発生する磁界が感磁面に印加されるように前記バスバーに対して固定配置された磁気検出素子と、
前記磁気検出素子を磁気遮蔽する磁気シールド体とを備え、
前記磁気シールド体は、前記バスバーと前記磁気検出素子とを内側に囲む環状囲み部を有し、
前記環状囲み部には少なくとも1カ所の空隙が形成され、前記空隙が前記バスバーの側面対向する位置にある又は前記バスバーの厚み寸法内に位置し
前記バスバーが複数平行に設けられ、各バスバーに前記磁気検出素子が固定配置され、各バスバー及び各磁気検出素子に対して前記磁気シールド体が設けられ、
各磁気シールド体は、複数のシールド収容部を有する単一のホルダの各シールド収容部に位置決め保持されている。
Another aspect of the present invention is a current sensor. This current sensor
A bus bar,
A magnetic detection element fixedly arranged with respect to the bus bar so that a magnetic field generated by a current flowing through the bus bar is applied to a magnetic sensitive surface;
A magnetic shield body for magnetically shielding the magnetic detection element,
The magnetic shield body has an annular enclosure that encloses the bus bar and the magnetic detection element inside,
The gap of the at least one location in the annular surrounding member is formed, before Kisora gap is located within the thickness of a or the bus bar at a position facing the side surface of the bus bar,
A plurality of the bus bars are provided in parallel, the magnetic detection element is fixedly disposed on each bus bar, and the magnetic shield body is provided for each bus bar and each magnetic detection element,
Each magnetic shield body is positioned and held in each shield housing portion of a single holder having a plurality of shield housing portions.

前記ホルダはカバーで覆われ、各バスバーの長手方向の中間部と、各磁気検出素子と、各磁気シールド体とが前記ホルダ及び前記カバーからなるケースに収容され、前記ホルダ及び前記カバーは少なくとも外面又は内面が磁性面であってもよい。The holder is covered with a cover, and an intermediate portion in the longitudinal direction of each bus bar, each magnetic detection element, and each magnetic shield body are accommodated in a case including the holder and the cover, and the holder and the cover are at least outer surfaces. Alternatively, the inner surface may be a magnetic surface.

前記ホルダはカバーで覆われ、各バスバーの長手方向の中間部と、各磁気検出素子と、各磁気シールド体とが前記ホルダ及び前記カバーからなるケースに収容され、前記ケースの外側が磁気シールド外装体で覆われていてもよい。The holder is covered with a cover, and an intermediate portion in the longitudinal direction of each bus bar, each magnetic detection element, and each magnetic shield body are accommodated in a case composed of the holder and the cover, and the outside of the case is a magnetic shield exterior. It may be covered with a body.

各磁気検出素子及び各磁気シールド体は前記バスバーの長手方向について異なる位置に存在していてもよい。Each magnetic detection element and each magnetic shield body may exist at different positions in the longitudinal direction of the bus bar.
少なくとも2つの隣り合う磁気シールド体は、前記バスバーの短手方向についての位置が互いに部分的に重複してもよい。At least two adjacent magnetic shield bodies may partially overlap each other in the short direction of the bus bar.

前記バスバーは平板形状であり、前記磁気検出素子は前記バスバーの幅広主面上に固定配置されていてもよい。 The bus bar is plate-shaped, the magnetic detection element can be Tei fixedly arranged on the wide main surfaces of the bus bar.

記磁気シールド体は、第1及び第2の磁気シールド部材によって前記バスバーと前記磁気検出素子とを囲むものであり、その囲っている状態で前記第1及び第2の磁気シールド部材間に前記空隙が形成されているとよい。 Prior Symbol magnetic shield, which by the first and second magnetic shield member surrounding the said magnetic detection element and the bus bar, the between the first and second magnetic shielding member with its enclosing and state A void is preferably formed.

記バスバーに嵌合する絶縁スペーサをさらに備え、前記磁気検出素子は前記絶縁スペーサ上に固定配置されているとよい。 Further comprising an insulating spacer which fits before Symbol busbar, the magnetic detection element may is fixedly disposed on the insulating spacer.

記磁気シールド体の形状が角筒状、長円筒状、円筒状又は楕円筒状であってもよい。 Before Symbol magnetic shield shape square tube-shaped, elliptic cylindrical shape may be cylindrical or elliptical cylindrical shape.

なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法やシステムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。   It should be noted that any combination of the above-described constituent elements, and those obtained by converting the expression of the present invention between methods and systems are also effective as aspects of the present invention.

本発明によれば、バスバーと磁気検出素子とを内側に囲む環状囲み部を有する磁気シールド体の前記環状囲み部に少なくとも1カ所の空隙が形成され、前記バスバー及び前記磁気検出素子の位置を結ぶ方向を高さ方向としたとき、前記空隙の高さ方向の位置が前記バスバーの近傍となっているため、リング状磁気コアを用いない場合でも隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉の影響を受けにくく、かつ、磁気シールド体を小型なものとしても前記空隙の作用により出力特性のリニアリティを良好に保つことが可能となる。   According to the present invention, at least one air gap is formed in the annular enclosure portion of the magnetic shield body having an annular enclosure portion that encloses the bus bar and the magnetic detection element, and connects the positions of the bus bar and the magnetic detection element. When the direction is the height direction, since the position in the height direction of the gap is in the vicinity of the bus bar, even when a ring-shaped magnetic core is not used, the influence of interference due to the magnetic field from the adjacent bus bar or the outside is not affected. Even if the magnetic shield body is not easily received and is small, the linearity of the output characteristics can be kept good by the action of the gap.

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を詳述する。なお、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材等には同一の符号を付し、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は発明を限定するものではなく例示であり、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or equivalent component, member, etc. which are shown by each drawing, and the overlapping description is abbreviate | omitted suitably. In addition, the embodiments do not limit the invention but are exemplifications, and all features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.

(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る電流センサ100の正断面図(図2の1-1'断面図)である。図2は、図1に示される電流センサ100の平面図である。図3は、図2の3-3'断面図である。この電流センサ100は、磁気比例式の原理に基づいて電流検出を行うものである。
(First embodiment)
FIG. 1 is a front sectional view (1-1 ′ sectional view of FIG. 2) of a current sensor 100 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the current sensor 100 shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line 3-3 ′ of FIG. The current sensor 100 performs current detection based on a magnetic proportional principle.

電流センサ100は、U相、V相及びW相の各々についてバスバー12と、絶縁基板13と、磁気検出素子としてのホールIC14と、磁気シールド体65とを備える。バスバー12と絶縁基板13とホールIC14は必要に応じて非磁性の樹脂でモールドしてバスバー12と一体化されてもよい。   The current sensor 100 includes a bus bar 12, an insulating substrate 13, a Hall IC 14 as a magnetic detection element, and a magnetic shield body 65 for each of the U phase, the V phase, and the W phase. The bus bar 12, the insulating substrate 13, and the Hall IC 14 may be integrated with the bus bar 12 by molding with a nonmagnetic resin as necessary.

バスバー12は平板形状(例えば銅板で幅10mm、厚さ2mm程度)であり、取付穴22および24を介して各相の被測定電流の経路をなすように取り付けられる。絶縁基板13は、バスバー12の幅広主面上に固定配置される。ホールIC14は、バスバー12に流れる電流によって発生する磁界が感磁面(ホールIC14に内蔵のホール素子の感磁面)に印加されるように、絶縁基板13を介してバスバー12の幅広主面上に固定配置される。ホールIC14は具体的には、例えばバスバー12の幅方向及び長手方向の中間、好ましくは略中央に位置し、感磁面はバスバー12の幅方向と略垂直(感磁方向はバスバー12の幅方向)である。この場合、バスバー電流によって発生する磁界とホールIC14の感磁面は略垂直となる。なお、バスバー12には高電圧が印加されるため、低電圧電源(例:5V単電源)に接続されるホールIC14は、上記のように絶縁基板13(例:厚さ1.6mmのプリント基板)を介することにより、バスバー12から電気的に絶縁されている。   The bus bar 12 has a flat plate shape (for example, a copper plate having a width of about 10 mm and a thickness of about 2 mm), and is attached through the mounting holes 22 and 24 so as to form a path for the current to be measured for each phase. The insulating substrate 13 is fixedly disposed on the wide main surface of the bus bar 12. The Hall IC 14 is arranged on the wide main surface of the bus bar 12 via the insulating substrate 13 so that a magnetic field generated by the current flowing through the bus bar 12 is applied to the magnetic sensitive surface (the magnetic sensitive surface of the Hall element incorporated in the Hall IC 14). Fixedly arranged. Specifically, the Hall IC 14 is located, for example, in the middle of the width direction and the longitudinal direction of the bus bar 12, preferably substantially in the center, and the magnetic sensitive surface is substantially perpendicular to the width direction of the bus bar 12 (the magnetic sensitive direction is the width direction of the bus bar 12). ). In this case, the magnetic field generated by the bus bar current and the magnetic sensitive surface of the Hall IC 14 are substantially perpendicular. Since a high voltage is applied to the bus bar 12, the Hall IC 14 connected to the low voltage power source (eg, 5V single power source) is connected to the insulating substrate 13 (eg, 1.6 mm thick printed board) as described above. ) Is electrically insulated from the bus bar 12.

磁気シールド体65は、第1磁気シールド部材としての上側磁気シールド部材62及び第2の磁気シールド部材としての下側磁気シールド部材63によってバスバー12と絶縁基板13とホールIC14とを環状に囲む環状囲み部を構成することで外部磁界から磁気遮蔽するものであり、その囲っている状態で上側磁気シールド部材62および下側磁気シールド部材63の間に空隙67、68が形成される。ここで、バスバー12の長さ方向と垂直かつホールIC14の存在位置を含む仮想平面上でバスバー12及びホールIC14の位置同士(例えば中心位置同士)を結ぶ方向を高さ方向としたとき、空隙67、68の高さ方向の位置は、バスバー12の高さ方向の位置と同じ又は近傍である。本実施の形態では特に、バスバー12の側面と対向する部分に空隙67、68が位置する。つまり、空隙67、68はバスバー12の厚み寸法内又はその近傍に位置する。   The magnetic shield body 65 is an annular enclosure that surrounds the bus bar 12, the insulating substrate 13, and the Hall IC 14 in an annular shape by an upper magnetic shield member 62 as a first magnetic shield member and a lower magnetic shield member 63 as a second magnetic shield member. By constituting the part, magnetic shielding is provided from an external magnetic field, and voids 67 and 68 are formed between the upper magnetic shield member 62 and the lower magnetic shield member 63 in the enclosed state. Here, when the direction connecting the positions of the bus bar 12 and the Hall IC 14 (for example, the center positions) on the virtual plane perpendicular to the length direction of the bus bar 12 and including the position where the Hall IC 14 exists is defined as the height direction, the gap 67 , 68 in the height direction is the same as or close to the height direction position of the bus bar 12. In the present embodiment, in particular, gaps 67 and 68 are located in a portion facing the side surface of bus bar 12. That is, the gaps 67 and 68 are located within or near the thickness dimension of the bus bar 12.

磁気シールド体65を構成する上側磁気シールド部材62及び下側磁気シールド部材63としては、例えば、コの字型(換言すれば、半四角筒状ないし半方形環状)の高透磁率磁性材である珪素鋼板あるいはパーマロイ(低周波の磁気的干渉に好適)、フェライト(高周波の磁気的干渉に好適)を用いることができる。   The upper magnetic shield member 62 and the lower magnetic shield member 63 that constitute the magnetic shield body 65 are, for example, U-shaped (in other words, a semi-rectangular cylindrical shape or a semicircular annular shape) high permeability magnetic material. A silicon steel plate, permalloy (suitable for low-frequency magnetic interference), or ferrite (suitable for high-frequency magnetic interference) can be used.

図4A及びBは、磁気シールド体の環状囲み部に形成された空隙の位置と、バスバー12に流れる電流(被測定電流I(BU))と、ホールIC14の感磁面に印加される磁束密度(印加磁界B)との関係を示す説明図(No.1〜4は比較例、No.5,6は実施例)である。   4A and 4B show the position of the air gap formed in the annular enclosure of the magnetic shield body, the current flowing through the bus bar 12 (current to be measured I (BU)), and the magnetic flux density applied to the magnetic sensitive surface of the Hall IC 14. It is explanatory drawing (No. 1-4 is a comparative example and No. 5, 6 is an Example) which shows the relationship with (applied magnetic field B).

No.1(比較例1)は、磁気シールド体を設けていない場合を示す。この場合、被測定電流の0〜400Aのレンジに対して、印加磁界は概ね0〜8mTのレンジでほぼ直線的に単調増加する。したがって出力特性のリニアリティは良好といえるが、磁気シールド体を設けていないため、隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉には弱い。   No. 1 (Comparative Example 1) shows a case where no magnetic shield is provided. In this case, the applied magnetic field monotonously increases substantially linearly in the range of 0 to 8 mT with respect to the current to be measured range of 0 to 400 A. Therefore, the linearity of the output characteristics can be said to be good, but since the magnetic shield is not provided, it is weak against interference caused by a magnetic field from an adjacent bus bar or the outside.

No.2(比較例2)は、磁気シールド体に空隙がない場合を示す。この場合、被測定電流の0〜400Aのレンジに対して印加磁界は概ね0〜8mTのレンジで単調増加するが、増加率は単調減少する(ノンリニア)。したがって、出力特性のリニアリティが悪く、電流センサとしての信頼性は低い。   No. 2 (Comparative Example 2) shows a case where there is no gap in the magnetic shield body. In this case, the applied magnetic field monotonously increases in the range of 0 to 8 mT with respect to the current to be measured range of 0 to 400 A, but the increase rate monotonously decreases (non-linear). Therefore, the linearity of the output characteristics is poor and the reliability as a current sensor is low.

No.3(比較例3)は、空隙がバスバー及び磁気検出素子の真上に存在する場合を示す。被測定電流の0〜300Aのレンジに対して印加磁界は概ね0〜12mTのレンジで単調増加するが、増加率は単調減少する(ノンリニア)。したがって、出力特性のリニアリティが悪く、電流センサとしての信頼性は低い。   No. 3 (Comparative Example 3) shows a case where the air gap exists right above the bus bar and the magnetic detection element. The applied magnetic field increases monotonically in the range of 0 to 12 mT with respect to the current to be measured range of 0 to 300 A, but the increase rate decreases monotonously (non-linear). Therefore, the linearity of the output characteristics is poor and the reliability as a current sensor is low.

No.4(比較例4)は、空隙がバスバー及び磁気検出素子の真下に存在する場合を示す。被測定電流の0〜400Aのレンジに対して印加磁界は概ね0〜4mTのレンジで単調増加するが、増加率は単調増加する(ノンリニア)。したがって、出力特性のリニアリティが悪く、電流センサとしての信頼性は低い。   No. 4 (Comparative Example 4) shows the case where the air gap exists directly below the bus bar and the magnetic detection element. The applied magnetic field increases monotonically in the range of 0 to 4 mT with respect to the current to be measured in the range of 0 to 400 A, but the increase rate increases monotonously (nonlinear). Therefore, the linearity of the output characteristics is poor and the reliability as a current sensor is low.

No.5(実施例1)は、空隙がバスバーの側方に1カ所だけ存在する場合を示す。この場合、被測定電流の0〜400Aのレンジに対して印加磁界は概ね0〜8mTのレンジで直線的に単調増加する。したがって出力特性のリニアリティは良好であり、磁気シールド体を設けているため、隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉に強く、電流センサとしての信頼性が高い。   No. 5 (Example 1) shows a case where there is only one gap on the side of the bus bar. In this case, the applied magnetic field increases linearly and monotonically in the range of 0 to 8 mT with respect to the range of 0 to 400 A of the current to be measured. Therefore, the linearity of the output characteristics is good, and since the magnetic shield is provided, it is strong against interference due to the magnetic field from the adjacent bus bar or the outside, and has high reliability as a current sensor.

No.6(実施例2)は、空隙がバスバーの側方に2カ所存在する場合(図1ないし3の場合に相当)を示す。この場合、被測定電流の0〜400Aのレンジに対して印加磁界は概ね0〜8mTのレンジで直線的に単調増加する。したがって、No.5(実施例1)と同様に、出力特性のリニアリティは良好であり、磁気シールド体を設けているため、隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉に強く、電流センサとしての信頼性が高い。   No. 6 (Example 2) shows a case where there are two gaps on the side of the bus bar (corresponding to FIGS. 1 to 3). In this case, the applied magnetic field increases linearly and monotonically in the range of 0 to 8 mT with respect to the range of 0 to 400 A of the current to be measured. Therefore, as in No. 5 (Example 1), the linearity of the output characteristics is good, and since the magnetic shield is provided, it is resistant to interference due to the magnetic field from the adjacent bus bar or outside, and is reliable as a current sensor. High nature.

上記より、空隙67、68を設ける場所は、No.5(実施例1)及びNo.6(実施例2)のように磁気シールド体65におけるバスバー12の高さ方向の位置と同じ又は近傍にするとよいことが分かる。その理由としては、バスバー12の幅方向両端に磁気シールド体65の側面が接近するためにバスバー12の発生磁束が磁気シールド体65の側面を通りやすくなりノンリニアとなる傾向を、磁気シールド体65の側面に空隙を設けて磁気抵抗を大きくすることで抑制しているものと考えられる。   From the above, the locations where the gaps 67 and 68 are provided are the same as or close to the position in the height direction of the bus bar 12 in the magnetic shield body 65 as in No. 5 (Example 1) and No. 6 (Example 2). It turns out that it is good. The reason is that the magnetic flux generated by the bus bar 12 tends to pass through the side surface of the magnetic shield body 65 because the side surface of the magnetic shield body 65 approaches the both ends of the bus bar 12 in the width direction. It is thought that it is suppressed by providing a gap on the side surface to increase the magnetic resistance.

本実施の形態によれば、下記の効果を奏することができる。   According to the present embodiment, the following effects can be achieved.

(1) バスバー12と絶縁基板13とホールIC14とを内側に囲む環状囲み部を有する磁気シールド体65を設けているため、リング状磁気コアを用いない場合でも隣接するバスバー又は外部からの磁界による干渉の影響を受けにくい。具体的には、図4Cのように、磁気シールド体がない場合の10%程度に外部磁界による影響度を低下させることができる。 (1) Since the magnetic shield body 65 having an annular surrounding portion surrounding the bus bar 12, the insulating substrate 13, and the Hall IC 14 is provided, even when the ring-shaped magnetic core is not used, the magnetic field is generated by an adjacent bus bar or an external magnetic field. Less susceptible to interference. Specifically, as shown in FIG. 4C, the degree of influence by the external magnetic field can be reduced to about 10% when there is no magnetic shield.

(2) 磁気シールド体65の前記環状囲み部に空隙67、68が形成され、空隙67、68の高さ方向の位置をバスバー12の高さ方向の位置と同じ又は近傍としているため、磁気シールド体65を小型なものとしても空隙67、68の作用により出力特性のリニアリティを良好に保つことができる。 (2) Since the gaps 67 and 68 are formed in the annular surrounding portion of the magnetic shield body 65, and the positions in the height direction of the gaps 67 and 68 are the same as or close to the position in the height direction of the bus bar 12, the magnetic shield Even if the body 65 is small, the linearity of the output characteristics can be kept good by the action of the gaps 67 and 68.

(第2の実施の形態)
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る電流センサ200の平面図である。この電流センサ200は、第1の実施の形態の電流センサ100と比較して、バスバー12に対する絶縁基板とホールICと磁気シールド体65の位置が隣接するバスバー12間でバスバー12の長手方向にずれていて、かつ隣り合う磁気シールド体65はバスバー12の短手方向(幅方向)についての位置が互いに部分的に重複している点で相違し、その他の点で一致している。このようにすることで本実施の形態では、第1の実施の形態と比較して、隣接するバスバー12間の間隔が同じであれば各磁気シールド体65を大きくすることができるため、磁気シールド体65がセンサ出力に与える影響を小さくすることができ、出力特性のリニアリティをより高めることができる。一方、磁気シールド体65の大きさが同じであれば隣接するバスバー12間の間隔を狭めることができ、小型化により有利といえる。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a plan view of a current sensor 200 according to the second embodiment of the present invention. Compared with the current sensor 100 of the first embodiment, the current sensor 200 is such that the positions of the insulating substrate, the Hall IC, and the magnetic shield body 65 relative to the bus bar 12 are shifted in the longitudinal direction of the bus bar 12 between the adjacent bus bars 12. The adjacent magnetic shield bodies 65 are different in that the positions of the bus bars 12 in the short direction (width direction) partially overlap each other, and are identical in other points. By doing so, in the present embodiment, each magnetic shield body 65 can be enlarged if the distance between the adjacent bus bars 12 is the same as in the first embodiment. The influence of the body 65 on the sensor output can be reduced, and the linearity of the output characteristics can be further increased. On the other hand, if the size of the magnetic shield body 65 is the same, the interval between the adjacent bus bars 12 can be narrowed, which can be said to be advantageous by downsizing.

(第3の実施の形態)
本実施の形態では、U相、V相及びW相の各相の構成を単一のケースで保持する具体的な構成を説明する。
(Third embodiment)
In the present embodiment, a specific configuration that holds the configuration of each of the U phase, the V phase, and the W phase in a single case will be described.

図6は、本発明の第3の実施の形態に係る電流センサ300の分解斜視図である。図7は、同電流センサ300の組立手順及び完成状態を示す斜視図である。ここでは、ホルダ71とカバー82とからなるケース70によって各相の構成を保持する。なお、磁気シールド体65は、第1の実施の形態と異なり、1カ所の空隙69を有する一体のものを用いている。   FIG. 6 is an exploded perspective view of a current sensor 300 according to the third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a perspective view showing an assembly procedure and a completed state of the current sensor 300. Here, the configuration of each phase is held by a case 70 including a holder 71 and a cover 82. Note that, unlike the first embodiment, the magnetic shield body 65 is an integral member having a single gap 69.

ホルダ71は、有底で上部が開口した例えば直方体形状であり、向かい合う長側面の上部には凹部72が3つずつ存在し、各相のバスバー12が前記凹部72同士を渡すように配置される。ホルダ71の底面には筒状(ここでは角筒状)の凸部73が3つ形成され、これがホルダ71の内部にて各相の磁気シールド体65を位置決め保持するためのシールド収容部75を成している。各筒状の凸部73は向かい合う2カ所だけ部分的に高さが低くなって凹部74を形成し、ホルダ71の長側面に形成された前記凹部72とともにバスバー12を図7のようにガイドするようになっている。   The holder 71 has, for example, a rectangular parallelepiped shape with a bottom and an opening at the top, and there are three recesses 72 at the tops of the long sides facing each other, and the bus bars 12 of each phase are arranged so as to pass the recesses 72 to each other. . Three cylindrical (here, rectangular tube-shaped) convex portions 73 are formed on the bottom surface of the holder 71, and this has a shield housing portion 75 for positioning and holding the magnetic shield body 65 of each phase inside the holder 71. It is made. Each of the cylindrical convex portions 73 is partially lowered in height at only two locations facing each other to form a concave portion 74, and guides the bus bar 12 together with the concave portion 72 formed on the long side surface of the holder 71 as shown in FIG. It is like that.

絶縁基板13は、本実施の形態では各相について共通の回路基板を1つを用いる。この絶縁基板13は、各相のホールIC14を配置するIC搭載部131と、各IC搭載部を連結する連結部132と、連結部132から各IC搭載部の側方に突出したガイド部133とを有する。   In this embodiment, the insulating substrate 13 uses one common circuit substrate for each phase. The insulating substrate 13 includes an IC mounting part 131 for disposing the Hall ICs 14 of each phase, a connecting part 132 for connecting the IC mounting parts, and a guide part 133 protruding from the connecting part 132 to the side of each IC mounting part. Have

組立の際には、まず各シールド収容部75に磁気シールド体65を配置し(図7(A)→(B))、その後、磁気シールド体65を貫通するようにバスバー12を凹部72、74に合わせて配置する(図7(B)→(C))。ここで、バスバー12に切欠125を形成しておけば、切欠125と凹部72とを嵌合することで長手方向の位置決めを確実に行うことができる。あるいは、図8のように、向かい合う凹部72間の距離と同じ長さだけバスバー12の中間部を端部よりも幅広として、当該幅広部分を向かい合う凹部72間に嵌めてもよい。このように、バスバー12の幅を部分的に変えることでホルダ71と所定の嵌合構造をとることができる。   At the time of assembly, first, the magnetic shield body 65 is disposed in each shield housing portion 75 (FIG. 7 (A) → (B)), and then the bus bar 12 is recessed into the recesses 72 and 74 so as to penetrate the magnetic shield body 65. (FIG. 7 (B) → (C)). Here, if the notch 125 is formed in the bus bar 12, the longitudinal direction can be reliably positioned by fitting the notch 125 and the recess 72. Alternatively, as shown in FIG. 8, the middle portion of the bus bar 12 may be wider than the end portion by the same length as the distance between the facing recesses 72, and the wide portion may be fitted between the facing recesses 72. Thus, the holder 71 and a predetermined fitting structure can be taken by partially changing the width of the bus bar 12.

バスバー12の配置後、各相のホールIC14を搭載した絶縁基板13をバスバー上に配置する(図7(C)→(D))。このとき、絶縁基板13のガイド部133を隣接する凸部73の間、及びホルダ71の短側面と凸部73の間に通す。これにより絶縁基板13及びホールIC14がバスバー12に対して確実に位置決めされる。最後にホルダ71にカバー82を嵌合させて完成となる(図7(D)→(E))   After the bus bar 12 is arranged, the insulating substrate 13 on which the Hall ICs 14 of the respective phases are mounted is arranged on the bus bar (FIG. 7C → D). At this time, the guide portion 133 of the insulating substrate 13 is passed between the adjacent convex portions 73 and between the short side surface of the holder 71 and the convex portion 73. Thereby, the insulating substrate 13 and the Hall IC 14 are reliably positioned with respect to the bus bar 12. Finally, the cover 82 is fitted to the holder 71 to complete (FIG. 7 (D) → (E)).

本実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するとともに、バスバー12とホールIC14と磁気シールド体65(及び空隙69)の相対的な位置関係をケース70によって安定的に保持することができるため、位置ずれによる特性の悪化等を防止して電流センサとしての信頼性を高めることができる。また、各相の構成を単一のケース70で保持するので、取り扱いが容易である。さらに、ケース70すなわちホルダ71及びカバー82の少なくとも外面又は内面を磁性面とすれば、磁気シールド体65による磁気遮蔽のみならず、ケース70によっても外部磁界に対する磁気遮蔽の効果が得られる。あるいは、図7(E)に仮想線で示すようにケース70の外側を高透磁率の磁性材からなる磁気シールド外装体85で覆った場合も、外部磁界に対する磁気遮蔽の効果がさらに高められる。   According to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the relative positional relationship among the bus bar 12, the Hall IC 14 and the magnetic shield body 65 (and the gap 69) can be stabilized by the case 70. Since it can be held, it is possible to prevent deterioration of characteristics due to displacement and to improve the reliability as a current sensor. Moreover, since the structure of each phase is hold | maintained in the single case 70, handling is easy. Furthermore, if at least the outer surface or the inner surface of the case 70, that is, the holder 71 and the cover 82 is a magnetic surface, not only the magnetic shielding by the magnetic shield body 65 but also the case 70 can provide a magnetic shielding effect against an external magnetic field. Alternatively, as shown by an imaginary line in FIG. 7E, when the outside of the case 70 is covered with a magnetic shield exterior body 85 made of a magnetic material having a high magnetic permeability, the effect of magnetic shielding against an external magnetic field is further enhanced.

図9(A),(B)は、ホルダ71にてバスバー12を保持する構成の別の例を示す説明図である。この場合、バスバー12に位置決め用の半抜き部123を形成しておき、この半抜き部123の凸側をホルダ71底面に形成された凹部77と嵌合させる。さらにカバー82側に凸部78を設けておき、この凸部78を前記半抜き部123の凹側に嵌合させる。   FIGS. 9A and 9B are explanatory views showing another example of a configuration in which the bus bar 12 is held by the holder 71. In this case, a half punching portion 123 for positioning is formed on the bus bar 12, and the convex side of the half punching portion 123 is fitted with the concave portion 77 formed on the bottom surface of the holder 71. Further, a convex portion 78 is provided on the cover 82 side, and the convex portion 78 is fitted to the concave side of the half punched portion 123.

図10は、ホルダ71にてバスバー12を保持する構成のさらに別の例を示す説明図である。この場合、ホルダ71の底面に1対の凸部172を先端同士の間隔がバスバー12の幅と一致するように形成し、基部側を幅狭としてバスバー12の配置面としている。そしてカバー82側に設けた凸部178でバスバー12を押圧し、前記2つの凸部172間に配置したバスバー12の位置ずれを防止する。   FIG. 10 is an explanatory view showing still another example of a configuration in which the bus bar 12 is held by the holder 71. In this case, a pair of convex portions 172 are formed on the bottom surface of the holder 71 so that the distance between the tips coincides with the width of the bus bar 12, and the base side is narrowed to serve as the arrangement surface of the bus bar 12. And the bus bar 12 is pressed by the convex part 178 provided in the cover 82 side, and the position shift of the bus bar 12 arrange | positioned between the said two convex parts 172 is prevented.

(第4の実施の形態)
図11は、本発明の第4の実施の形態の説明図である。なお、本図において、磁気シールド体の図示は省略している。本実施の形態では、バスバー12とホールIC14との間隔を広げるために絶縁性のスペーサ192を挿入する。スペーサ192は、先端が係止爪194となっているコの字型形状であり、バスバー12の長手方向中間位置に形成された切欠127に嵌合する。そしてスペーサ192上に絶縁基板13及びホールIC14が固定配置される。本実施の形態によれば、バスバー12とホールIC14との間隔を広げてゲインの適正化を図ることができ、また、バスバー12と絶縁基板13及びホールIC14との絶縁を確実にすることができる。
(Fourth embodiment)
FIG. 11 is an explanatory diagram of the fourth embodiment of the present invention. In the drawing, the illustration of the magnetic shield body is omitted. In the present embodiment, an insulating spacer 192 is inserted in order to widen the distance between the bus bar 12 and the Hall IC 14. The spacer 192 has a U-shaped shape with a distal end serving as a locking claw 194, and fits into a notch 127 formed at an intermediate position in the longitudinal direction of the bus bar 12. The insulating substrate 13 and the Hall IC 14 are fixedly disposed on the spacer 192. According to the present embodiment, the interval between the bus bar 12 and the Hall IC 14 can be widened to optimize the gain, and the insulation between the bus bar 12, the insulating substrate 13 and the Hall IC 14 can be ensured. .

以上、実施の形態を例に本発明を説明したが、実施の形態の各構成要素には請求項に記載の範囲で種々の変形が可能であることは当業者に理解されるところである。以下、変形例について触れる。   The present invention has been described above by taking the embodiment as an example. However, it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to each component of the embodiment within the scope of the claims. Hereinafter, modifications will be described.

実施の形態では磁気シールド体の形状を角筒状としたが、変形例では図12(A)〜(C)のように長円筒状、円筒状又は楕円筒状としてもよい。   In the embodiment, the shape of the magnetic shield body is a rectangular tube shape, but in a modified example, it may be a long cylindrical shape, a cylindrical shape, or an elliptical cylindrical shape as shown in FIGS.

実施の形態ではバスバーの形状を平板状としたが、変形例では断面が正方形、円形又は楕円形等のものを採用してもよい。円形又は楕円形の場合、図12(D)のように絶縁基板やホールICの配置部分を平坦面に加工しておくとよい。   In the embodiment, the shape of the bus bar is a flat plate, but in a modified example, the bus bar may have a square, circular, or elliptical cross section. In the case of a circle or an ellipse, it is preferable to process the insulating substrate and the Hall IC placement portion into a flat surface as shown in FIG.

実施の形態では三相交流電流を検出対象としたが、変形例では単相交流あるいは直流電流を検出対象としてもよい。   In the embodiment, a three-phase alternating current is a detection target, but in a modified example, a single-phase alternating current or a direct current may be the detection target.

実施の形態ではホールIC14の近傍に磁気ヨークを設けない場合を説明したが、従来のリング状の磁気コア(図13参照)のように小型化を大きく阻害するものでなければ、磁気ヨークを設けてゲインを増大させてもよい。例えば、バスバー12の幅内に収まるようにホールIC14の片側又は両側に直線状の磁気ヨークを配置することは差し支えない。さらに、その直線状の磁気ヨークに巻線を施して図16のような回路を構成し、磁気平衡式の電流センサとしてもよい。   In the embodiment, the case where the magnetic yoke is not provided in the vicinity of the Hall IC 14 has been described. However, if the miniaturization is not significantly inhibited as in the conventional ring-shaped magnetic core (see FIG. 13), the magnetic yoke is provided. The gain may be increased. For example, a linear magnetic yoke may be disposed on one side or both sides of the Hall IC 14 so as to be within the width of the bus bar 12. Further, a coil as shown in FIG. 16 may be formed by winding the linear magnetic yoke to form a magnetic balance type current sensor.

本発明の第1の実施の形態に係る電流センサの正断面図(図2の1-1'断面図)。FIG. 3 is a front sectional view (1-1 ′ sectional view of FIG. 2) of the current sensor according to the first embodiment of the present invention. 図1に示される電流センサの平面図。The top view of the current sensor shown by FIG. 図2の3-3'断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line 3-3 ′ of FIG. 磁気シールド体の環状囲み部に形成された空隙の位置と、バスバーに流れる電流(被測定電流)と、ホールICの感磁面に印加される磁束密度(印加磁界)との関係を示す説明図(No.1〜3は比較例)。Explanatory drawing which shows the relationship between the position of the space | gap formed in the annular enclosure part of a magnetic shield body, the electric current (measured current) which flows into a bus-bar, and the magnetic flux density (applied magnetic field) applied to the magnetic sensitive surface of Hall IC. (No. 1 to 3 are comparative examples). 磁気シールド体の環状囲み部に形成された空隙の位置と、バスバーに流れる電流(被測定電流)と、ホールICの感磁面に印加される磁束密度(印加磁界)との関係を示す説明図(No.4は比較例、No.5,6は実施例)。Explanatory drawing which shows the relationship between the position of the space | gap formed in the annular enclosure part of a magnetic shield body, the electric current (measured current) which flows into a bus-bar, and the magnetic flux density (applied magnetic field) applied to the magnetic sensitive surface of Hall IC. (No. 4 is a comparative example, No. 5 and 6 are examples). 磁気シールド体がない場合(比較例)と実施例(No.6)との外部磁界による影響度を比較した説明図。Explanatory drawing which compared the influence degree by an external magnetic field of the case (comparative example) and the Example (No. 6) when there is no magnetic shield body. 本発明の第2の実施の形態に係る電流センサの平面図。The top view of the current sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態に係る電流センサの分解斜視図。The disassembled perspective view of the current sensor which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 同電流センサの組立手順及び完成状態を示す斜視図。The perspective view which shows the assembly procedure and completion state of the same current sensor. 第3の実施の形態における、バスバーとホルダとの嵌合構造の例を示す説明図。Explanatory drawing which shows the example of the fitting structure of a bus-bar and a holder in 3rd Embodiment. 同実施の形態で、ホルダにてバスバーを保持する構成の別の例を示す説明図。Explanatory drawing which shows another example of the structure which hold | maintains a bus bar with a holder in the embodiment. 同構成のさらに別の例を示す説明図。Explanatory drawing which shows another example of the same structure. 本発明の第4の実施の形態の説明図。Explanatory drawing of the 4th Embodiment of this invention. 磁気シールド体及びバスバーの変形例の説明図(正断面図)。Explanatory drawing (front sectional drawing) of the modification of a magnetic shield body and a bus-bar. 磁気比例式電流センサの基本的構成図。The basic block diagram of a magnetic proportional type current sensor. 磁気比例式電流センサの基本的回路図。A basic circuit diagram of a magnetic proportional current sensor. 磁気平衡式電流センサの基本的構成図。The basic block diagram of a magnetic balance type current sensor. 磁気平衡式電流センサの基本的回路図。The basic circuit diagram of a magnetic balance type current sensor. 三相交流電流の例示的な波形図。An exemplary waveform diagram of a three-phase alternating current. 隣接するバスバー又は外部からの磁界に影響が及ぶことを示す説明図。Explanatory drawing which shows that the magnetic field from an adjacent bus bar or the outside is affected. バスバー幅に対して磁気シールド体を十分大きくした例の正断面図。The front sectional view of the example which made the magnetic shield body large enough with respect to the bus bar width.

符号の説明Explanation of symbols

12 バスバー
13 絶縁基板
14 ホールIC
62 上側磁気シールド部材
63 下側磁気シールド部材
65 磁気シールド体
67,68 空隙
100 電流センサ
12 Bus bar 13 Insulating substrate 14 Hall IC
62 Upper magnetic shield member 63 Lower magnetic shield member 65 Magnetic shield body 67, 68 Air gap 100 Current sensor

Claims (10)

バスバーと、
前記バスバーに流れる電流によって発生する磁界が感磁面に印加されるように前記バスバーに対して固定配置された磁気検出素子と、
前記磁気検出素子を磁気遮蔽する磁気シールド体とを備え、
前記磁気シールド体は、前記バスバーと前記磁気検出素子とを内側に囲む環状囲み部を有し、
前記環状囲み部には少なくとも1カ所の空隙が形成され、前記空隙が前記バスバーの側面対向する位置にある又は前記バスバーの厚み寸法内に位置し
前記バスバーが複数平行に設けられ、各バスバーに前記磁気検出素子が固定配置され、各バスバー及び各磁気検出素子に対して前記磁気シールド体が設けられ、
各バスバーの長手方向の中間部が所定の嵌合構造で単一のホルダに位置決め保持されている、電流センサ。
A bus bar,
A magnetic detection element fixedly arranged with respect to the bus bar so that a magnetic field generated by a current flowing through the bus bar is applied to a magnetic sensitive surface;
A magnetic shield body for magnetically shielding the magnetic detection element,
The magnetic shield body has an annular enclosure that encloses the bus bar and the magnetic detection element inside,
The gap of the at least one location in the annular surrounding member is formed, before Kisora gap is located within the thickness of a or the bus bar at a position facing the side surface of the bus bar,
A plurality of the bus bars are provided in parallel, the magnetic detection element is fixedly disposed on each bus bar, and the magnetic shield body is provided for each bus bar and each magnetic detection element,
A current sensor in which a middle portion in the longitudinal direction of each bus bar is positioned and held by a single holder with a predetermined fitting structure.
バスバーと、
前記バスバーに流れる電流によって発生する磁界が感磁面に印加されるように前記バスバーに対して固定配置された磁気検出素子と、
前記磁気検出素子を磁気遮蔽する磁気シールド体とを備え、
前記磁気シールド体は、前記バスバーと前記磁気検出素子とを内側に囲む環状囲み部を有し、
前記環状囲み部には少なくとも1カ所の空隙が形成され、前記空隙が前記バスバーの側面対向する位置にある又は前記バスバーの厚み寸法内に位置し
前記バスバーが複数平行に設けられ、各バスバーに前記磁気検出素子が固定配置され、各バスバー及び各磁気検出素子に対して前記磁気シールド体が設けられ、
各磁気シールド体は、複数のシールド収容部を有する単一のホルダの各シールド収容部に位置決め保持されている、電流センサ。
A bus bar,
A magnetic detection element fixedly arranged with respect to the bus bar so that a magnetic field generated by a current flowing through the bus bar is applied to a magnetic sensitive surface;
A magnetic shield body for magnetically shielding the magnetic detection element,
The magnetic shield body has an annular enclosure that encloses the bus bar and the magnetic detection element inside,
The gap of the at least one location in the annular surrounding member is formed, before Kisora gap is located within the thickness of a or the bus bar at a position facing the side surface of the bus bar,
A plurality of the bus bars are provided in parallel, the magnetic detection element is fixedly disposed on each bus bar, and the magnetic shield body is provided for each bus bar and each magnetic detection element,
Each magnetic shield body is a current sensor which is positioned and held in each shield housing portion of a single holder having a plurality of shield housing portions.
請求項1又は2に記載の電流センサにおいて、前記ホルダはカバーで覆われ、各バスバーの長手方向の中間部と、各磁気検出素子と、各磁気シールド体とが前記ホルダ及び前記カバーからなるケースに収容され、前記ホルダ及び前記カバーは少なくとも外面又は内面が磁性面である、電流センサ。   The current sensor according to claim 1 or 2, wherein the holder is covered with a cover, and a middle portion of each bus bar in the longitudinal direction, each magnetic detection element, and each magnetic shield body are formed of the holder and the cover. A current sensor, wherein at least an outer surface or an inner surface of the holder and the cover is a magnetic surface. 請求項1又は2に記載の電流センサにおいて、前記ホルダはカバーで覆われ、各バスバーの長手方向の中間部と、各磁気検出素子と、各磁気シールド体とが前記ホルダ及び前記カバーからなるケースに収容され、前記ケースの外側が磁気シールド外装体で覆われている、電流センサ。   The current sensor according to claim 1 or 2, wherein the holder is covered with a cover, and a middle portion of each bus bar in the longitudinal direction, each magnetic detection element, and each magnetic shield body are formed of the holder and the cover. The current sensor is housed in an outer casing and is covered with a magnetic shield outer body. 請求項1から4のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、各磁気検出素子及び各磁気シールド体は前記バスバーの長手方向について異なる位置に存在する、電流センサ。   5. The current sensor according to claim 1, wherein each magnetic detection element and each magnetic shield body are present at different positions in the longitudinal direction of the bus bar. 6. 請求項5に記載の電流センサにおいて、少なくとも2つの隣り合う磁気シールド体は、前記バスバーの短手方向についての位置が互いに部分的に重複している、電流センサ。   6. The current sensor according to claim 5, wherein at least two adjacent magnetic shield bodies partially overlap each other in the short direction of the bus bar. 請求項1から6のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記バスバーは平板形状であり、前記磁気検出素子は前記バスバーの幅広主面上に固定配置されている、電流センサ。 In the current sensor according to any one of claims 1 to 6, wherein the bus bar is plate-shaped, the magnetic detection element is Ru Tei fixedly arranged on the wide main surfaces of the busbar, the current sensor. 請求項1から7のいずれかに記載の電流センサにおいて、前記磁気シールド体は、第1及び第2の磁気シールド部材によって前記バスバーと前記磁気検出素子とを囲むものであり、その囲っている状態で前記第1及び第2の磁気シールド部材間に前記空隙が形成されている、電流センサ。   8. The current sensor according to claim 1, wherein the magnetic shield body surrounds the bus bar and the magnetic detection element by first and second magnetic shield members and surrounds the bus bar and the magnetic detection element. 9. A current sensor in which the gap is formed between the first and second magnetic shield members. 請求項1から8のいずれかに記載の電流センサにおいて、前記バスバーに嵌合する絶縁スペーサをさらに備え、前記磁気検出素子は前記絶縁スペーサ上に固定配置されている、電流センサ。   9. The current sensor according to claim 1, further comprising an insulating spacer fitted to the bus bar, wherein the magnetic detection element is fixedly disposed on the insulating spacer. 請求項1から9のいずれかに記載の電流センサにおいて、前記磁気シールド体の形状が角筒状、長円筒状、円筒状又は楕円筒状である、電流センサ。   10. The current sensor according to claim 1, wherein a shape of the magnetic shield body is a rectangular tube shape, a long cylindrical shape, a cylindrical shape, or an elliptical cylindrical shape.
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5482736B2 (en) 2011-06-28 2014-05-07 株式会社デンソー Current sensor
JP5960403B2 (en) * 2011-09-26 2016-08-02 矢崎総業株式会社 Current sensor
JP2013238580A (en) * 2011-12-28 2013-11-28 Tdk Corp Current sensor
JP2013145165A (en) * 2012-01-13 2013-07-25 Denso Corp Current sensor mechanism
JP5806134B2 (en) * 2012-01-23 2015-11-10 トヨタ自動車株式会社 Power converter
JP2013246005A (en) * 2012-05-24 2013-12-09 Fujikura Ltd Current sensor
JP5985257B2 (en) * 2012-05-31 2016-09-06 矢崎総業株式会社 Current sensor
JP6030866B2 (en) 2012-06-14 2016-11-24 矢崎総業株式会社 Current sensor
JP5952650B2 (en) * 2012-06-14 2016-07-13 矢崎総業株式会社 Current sensor
JP6372969B2 (en) 2012-12-03 2018-08-15 矢崎総業株式会社 Current sensor
JP2014185999A (en) * 2013-03-25 2014-10-02 Omron Corp Current sensor and power sensor using the same
JP6350785B2 (en) * 2013-09-03 2018-07-04 Tdk株式会社 Inverter device
JP2015194472A (en) 2014-01-23 2015-11-05 株式会社デンソー current detection system
JP6265282B2 (en) 2014-12-15 2018-01-24 株式会社村田製作所 Current sensor
JP6149885B2 (en) * 2015-03-18 2017-06-21 トヨタ自動車株式会社 Current sensor
WO2016203781A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-22 株式会社村田製作所 Current sensor
WO2017217267A1 (en) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社デンソー Electric current sensor
CN109313223B (en) * 2016-06-15 2021-02-26 株式会社电装 Current sensor
JP6536553B2 (en) * 2016-12-12 2019-07-03 株式会社デンソー Current sensor
JP6536544B2 (en) * 2016-06-15 2019-07-03 株式会社デンソー Current sensor
CN109313224B (en) * 2016-06-30 2021-07-16 日立汽车系统株式会社 Current detection device
KR101871214B1 (en) * 2016-08-19 2018-06-27 부산대학교 산학협력단 Shield structure and current sensors
JP6699532B2 (en) * 2016-12-12 2020-05-27 株式会社デンソー Current sensor
JP6490130B2 (en) * 2017-03-24 2019-03-27 Tdk株式会社 Magnetic sensor
JP2018169305A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 日立金属株式会社 Current sensor
JP7003620B2 (en) * 2017-12-14 2022-01-20 日立金属株式会社 Current sensor
JP7322442B2 (en) * 2019-03-15 2023-08-08 Tdk株式会社 current sensor
JP7259586B2 (en) 2019-06-20 2023-04-18 株式会社デンソー sensor unit
CN115698730A (en) * 2020-07-14 2023-02-03 阿尔卑斯阿尔派株式会社 Current detection device
JP2022091549A (en) * 2020-12-09 2022-06-21 株式会社デンソー Current sensor
CN113571975A (en) * 2021-07-22 2021-10-29 阳光电源股份有限公司 Copper bar assembly and electronic equipment
WO2023053792A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 株式会社村田製作所 Electric current sensor, method for correcting same, and method for correcting plurality of electric current sensors
JP2023073978A (en) * 2021-11-16 2023-05-26 株式会社デンソー current sensor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5982867U (en) * 1982-11-25 1984-06-04 三菱電機株式会社 current measuring device
JP2890650B2 (en) * 1990-04-14 1999-05-17 株式会社豊田自動織機製作所 Current sensor
JPH0792199A (en) * 1993-07-28 1995-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Current sensor
JP2001289884A (en) * 2000-04-04 2001-10-19 Mitsubishi Electric Corp Current sensor
JP2006112968A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Toyota Motor Corp Current detecting device
JP4629644B2 (en) * 2006-10-31 2011-02-09 株式会社東海理化電機製作所 Current detector

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JP2010002277A (en) 2010-01-07

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