JP5259182B2 - 直角位相オフセット電力増幅器 - Google Patents
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Description
背景技術
当該技術分野で既知のように、過去数年にわたる商用の電気通信システム及び軍用の電気通信システムは、デジタル変調技法を使用する傾向を示してきた。これらのデジタルシステムは、引き続き費用効率を維持するために、高密度の搬送周波数を取り扱う能力を必要とする。さらに宇宙ベースのシステムの傾向によって、高効率の制約条件及び重量最小化の制約条件が課される。電力増幅器は、上記仕様に準拠しなければならないので、重要な設計課題を表す。あいにく、電力増幅器における高効率は、多数の搬送波周波数について達成するのが困難であった。つまり、これは、従来の増幅器設計における直接的なトレードオフである。
直角位相オフセット電力増幅器10の動作
ベースライン直角位相オフセット電力増幅器10は、RFトランジスタを有する1段増幅器である。このRFトランジスタは、それぞれ共通のRF入力ポート60及び共通の出力ポート62において互いに結合された2つの並列トランジスタ部12、14に分離されている。上部RFパスのRFトランジスタ16、すなわち増幅器部12は、基本的には、共通の入力ノード60及び共通の出力ノード62に直接結合されている。下部RFパスのRFトランジスタ32、すなわち増幅器部14は、共通の入力ノード60と共通の出力ノード62との間においてその入力及び出力に直角位相オフセットをそれぞれ有する。これらの直角位相オフセットは、それぞれ、進みネットワーク38及び遅れネットワーク42によって、実質的に90度に等しい大きさではあるが逆の極性を有する挿入位相シフトを提供することが望ましい。概略図に示すように、入力オフセットは、90度進みネットワーク38(図1A)によって提供される直角位相進みと等価な+90度の挿入位相を有する。出力オフセットは、90度遅れネットワーク42(図1B)によって提供される直角位相遅れと等価な−90度の挿入位相を有する。位相極性が逆(すなわち、進みと遅れ)であるために、下部パス、すなわちネットワーク14は、上部パス、すなわちネットワーク12と比較して挿入位相に最終的な相違を何ら有しない。したがって、それらパス、すなわちネットワーク12、14のそれぞれからのRF信号電力は、共通の出力ノード62において同相で結合する。
直角位相オフセット部14による負荷ラインスイッチング
出力における直角位相オフセット部42は、増幅器10に組み込まれているが、双方のトランジスタ16及び32がオンにされているフル電力モードで動作される時の増幅器10の動作には影響を与えない。増幅器10の通常の実施態様では、上部トランジスタ16及び下部トランジスタ32は同じサイズである。増幅器10が、双方のトランジスタ16、32がオンにされているフル動作電力バイアス状態にある時、各トランジスタに示される負荷ラインインピーダンスは、対称性のために、出力整合ネットワーク22によって提供される等価インピーダンスの2倍になる。出力直角位相オフセット部42の特性インピーダンスは、直角位相オフセット部42からノード62を見た負荷ラインと同じであり、その結果、直角位相オフセット部42は、負荷ラインインピーダンスに影響を与えない。増幅器部14は、トランジスタ32の出力側のネットワーク42を用いて90度位相遅れを提供する一方、位相進みネットワーク38を有する増幅器部14の対応する入力直角位相部は、2つのトランジスタ16、32がフル動作電力モードにおいて同相で有効に動作するように、出力遅れネットワークの効果をキャンセルする挿入位相を提供する。各トランジスタ16、32は、増幅器10全体の出力電力の2分の1を自身の負荷ラインに供給しており、結合された増幅器10は、高電力出力動作モードで必要とされる性能を満たすことができる。
ベースバイアススイッチング
バックオフモードの効率の全改善を調べるために、下部トランジスタ32のベースバイアスは、通常、より低い静止電流レベルに設定される。このレベルは、真のクラスBバイアス状態により近い。トランジスタ32のこのより低い静止バイアスへのスイッチングにより、RF駆動電力がこのバックオフ状態に向けて低減されるにつれて、トランジスタ32のコレクタ電流がより低い値に下がることが可能になり、したがって、バックオフの効率改善の全利益が与えられる。この低減された静止バイアス設定は、図3に示すように、トランジスタ32の制御電極に代わりのバイアス電流を供給するスイッチング可能バイアス回路部20’により達成される。スイッチング可能バイアス回路部20’は、電力レベルをバイアス電流レベル3(すなわち、電流バイアス源3)からバイアス電流レベル4(すなわち、電流バイアス源4)へ変更する。トランジスタ32に対する静止バイアスをより低く変更することは、上部トランジスタ16が、自身のベースバイアス回路部20を介して遮断されるのと同時に行われる。コントローラ52は、双方のスイッチング可能電流源20及び20’にライン51の共通のスイッチ信号を提供する。スイッチング可能電流源20’は、スマートコントローラ52により増幅器部12について決定された所望の動作状態に基づいて、コントローラ52からのライン51の制御信号により設定される。
高電力動作モードの期間中、増幅器部12のバイアス電流は、相対的に高い電流レベルであり(すなわち、電流レベル2は相対的に高い)、低電力動作モードの期間中、増幅器部12のバイアス電流は、相対的に低い(ここでは、開回路である)。高電力動作モード及び低電力動作モードの双方の期間中、増幅器部14のバイアス電流は、相対的に高い電流レベルである。
高電力動作モードの期間中、増幅器部12のバイアス電流は、相対的に高い電流レベルであり(すなわち、電流レベル2は相対的に高い)、低電力動作モードの期間中、増幅器部12のバイアス電流は、相対的に低い(すなわち、電流レベル1は相対的に低く、ここでは、開回路である)。高電力動作モードの期間中、増幅器14のバイアス電流(図3の電流3)は、相対的に高い電流レベルである一方、低電力動作モードの期間中、増幅器部14のバイアス電流レベル(図3の電流4)は、相対的に低い電流レベルである。
入力直角位相オフセット効果
入力回路の直角位相オフセット部14の主な機能は、下部RFパス、すなわち直角位相オフセット部14の挿入位相を、上部RFパスである直角位相オフセット部12と等しくすることである。図1の概略図に示すように、直角位相オフセット部14は、進みネットワーク38を使用して位相進みを提供し、遅れネットワーク42の位相遅れを相殺する。進みネットワーク38は、通常は下部トランジスタ32の入力インピーダンスとほぼ同じである特性インピーダンスZCLBを有し、その結果、直角位相部14の入力内を見た場合に見られるインピーダンスは、下部トランジスタ32のインピーダンスとなる。増幅器10が高電力モードで動作されると、上部トランジスタ16も、同様に、下部トランジスタ32と同じ状態にバイアスされ、その結果、トランジスタ16の入力インピーダンスは、トランジスタ32の入力インピーダンスとほぼ同じとなる。増幅器10の入力における整合回路18は、60における共通のノード接続で結合された2つのRFパス、すなわち直角位相オフセット部12、14の等価な並列インピーダンスと整合するように設計される。上部パス、すなわち直角位相オフセット部12のトランジスタ16は、そのノードに直接接続される一方、下部パスのトランジスタ32は、トランジスタ32とノード60との間に、直角位相部、すなわち遅れネットワーク38を有する。2つのRFパスの並列インピーダンスは、トランジスタ16及び32のそれぞれの入力におけるインピーダンスのほぼ2分の1である。
Claims (13)
- 共通の入力ノードと共通の出力ノードとの間に結合される一対の増幅器部を備え、
(A)前記増幅器部の第1のものは、
(i)第1電極、前記共通の出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第1のトランジスタと、
(ii)第1のバイアス源と、
(iii)制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第1のトランジスタの制御電極を前記第1のバイアス源に結合して、該第1のトランジスタを導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、制御電極を前記第1のバイアス源から除去して、前記第1のトランジスタを非導通状態にするためのスイッチと、を有し、
(B)前記増幅器部の第2のものは、
(i)第1電極、出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第2のトランジスタと、
(ii)前記相対的に高い電力動作モード及び前記相対的に低い電力動作モードの双方の期間中、前記第2のトランジスタの制御電極に結合されて、該第2のトランジスタを導通状態にバイアスするための第2のバイアス源と、
(iii)前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に結合される第1の回路部と、
(iv)前記共通の入力ノードと前記第2のトランジスタの前記制御電極との間に結合される第2の回路部と、を有し、
(C)前記第1の回路部及び前記第2の回路部の一方は位相進みを提供し、前記第1の回路部及び前記第2の回路部の他方は位相遅れを提供し、
(D)前記第1の回路部は、前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に、前記第1のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間の位相シフトと異なる位相シフトを提供する位相シフト・ネットワークを含み、更に
(E)前記共通の出力ノードに結合されるDC電圧源を備え、
前記第2の増幅器部が、前記制御信号に従って選択的に、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を前記第2のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第1の導通レベルにバイアスするか、又は、前記相対的に低い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を第3のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第2の導通レベルにバイアスするためのスイッチを含み、
前記相対的に低い電力動作モードの期間中に、前記第1の導通レベルから前記第2の導通レベルへの変化に伴い増加された前記第2のトランジスタの入力インピーダンスが、前記第2の回路部によってより低いインピーダンスに変換され、前記共通の入力ノードにおけるインピーダンスが、前記相対的に高い電力動作モードにおけるインピーダンスに近い値にシフトされることを特徴とする、増幅器。 - 前記位相進みは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、前記位相遅れは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数である、請求項1に記載の増幅器。
- 共通の入力ノードと共通の出力ノードとの間に結合される一対の増幅器部を備え、
(A)前記増幅器部の第1のものは、
(i)第1電極、前記共通の出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第1のトランジスタと、
(ii)第1のバイアス源と、
(iii)制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第1のトランジスタの制御電極を前記第1のバイアス源に結合して、該第1のトランジスタを導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、制御電極を前記第1のバイアス源から除去して、前記第1のトランジスタを非導通状態にするためのスイッチと、を有し、
(B)前記増幅器部の第2のものは、
(i)第1電極、前記共通の出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第2のトランジスタと、
(ii)前記相対的に高い電力動作モード及び前記相対的に低い電力動作モードの双方の期間中、前記第2のトランジスタの制御電極に結合されて、該第2のトランジスタを導通状態にバイアスするための第2のバイアス源と、
(iii)前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に結合され、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記相対的に低い電力動作モードの期間中と異なるインピーダンスを、前記第2のトランジスタの出力に提供する第1の回路部と、
(iv)前記共通の入力ノードと前記第2のトランジスタの前記制御電極との間に結合される第2の回路部と、を有し、
(C)前記第1の回路部及び前記第2の回路部の一方は位相進みを提供し、前記第1の回路部及び前記第2の回路部の他方は位相遅れを提供し、
(D)前記位相進みは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、前記位相遅れは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、更に
(E)前記共通の出力ノードに結合されるインピーダンスZoを有する負荷を含み、
前記第1の回路部は、特性インピーダンスZCI=2Zoを有し、該回路部は、前記相対的に高い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタの前記出力において2Zoのインピーダンスを提供し、前記相対的に低い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタの前記出力において(ZCI)2/Zoのインピーダンスを提供し、
前記第2の増幅器部が、前記制御信号に従って選択的に、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を前記第2のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第1の導通レベルにバイアスするか、又は、前記相対的に低い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を第3のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第2の導通レベルにバイアスするためのスイッチを含み、
前記相対的に低い電力動作モードの期間中に、前記第1の導通レベルから前記第2の導通レベルへの変化に伴い増加された前記第2のトランジスタの入力インピーダンスが、前記第2の回路部によってより低いインピーダンスに変換されて、前記共通の入力ノードにおけるインピーダンスが、前記相対的に高い電力動作モードにおけるインピーダンスに近い値にシフトされることを特徴とする、
増幅器。 - 共通の入力ノードと共通の出力ノードとの間に結合される一対の増幅器部を備え、
(A)前記増幅器部の第1のものは、
(i)第1電極、前記共通の出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第1のトランジスタと、
(ii)第1のバイアス源と、
(iii)制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第1のトランジスタの制御電極を前記第1のバイアス源に結合して、該第1のトランジスタを導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、制御電極を前記第1のバイアス源から除去して、前記第1のトランジスタを非導通状態にするためのスイッチと、を有し、
(B)前記増幅器部の第2のものは、
(i)第1電極、前記共通の出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第2のトランジスタと、
(ii)前記相対的に高い電力動作モード及び前記相対的に低い電力動作モードの双方の期間中、前記第2のトランジスタの制御電極に結合されて、該第2のトランジスタを導通状態にバイアスするための第2のバイアス源と、
(iii)前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に結合され、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記相対的に低い電力動作モードの期間中と異なるインピーダンスを、前記第2のトランジスタの出力に提供する第1の回路部と、
(iv)前記共通の入力ノードと前記第2のトランジスタの前記制御電極との間に結合される第2の回路部と、を有し、
(C)前記第1の回路部及び前記第2の回路部の一方は位相進みを提供し、前記第1の回路部及び前記第2の回路部の他方は位相遅れを提供し、
(D)前記第1の回路部は、前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に、前記第1のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間の位相シフトと異なる位相シフトを提供する位相シフト・ネットワークを含み、
(E)前記第2の増幅器部は、前記制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を前記第2のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第1の導通レベルにバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を第3のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第2の導通レベルにバイアスするためのスイッチを含み、
前記相対的に低い電力動作モードの期間中に、前記第1の導通レベルから前記第2の導通レベルへの変化に伴い増加された前記第2のトランジスタの入力インピーダンスが、前記第2の回路部によってより低いインピーダンスに変換されて、前記共通の入力ノードにおけるインピーダンスが、前記相対的に高い電力動作モードにおけるインピーダンスに近い値にシフトされることを特徴とする、
増幅器。 - 前記位相進みは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、前記位相遅れは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数である、請求項4に記載の増幅器。
- 前記共通の出力ノードに結合されるインピーダンスZoを有する負荷を含み、
前記第1の回路部は、特性インピーダンスZCI=2Zoを有し、該回路部は、前記相対的に高い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタの前記出力において2Zoのインピーダンスを提供し、前記相対的に低い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタの前記出力において(ZCI)2/Zoのインピーダンスを提供する、請求項5に記載の増幅器。 - 第1電極、出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第1のトランジスタと、
第1電極、前記出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第2のトランジスタと、を備え、
前記第1のトランジスタの制御電極が入力ノードに結合され、更に、
第1のバイアス源と、
制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第1のトランジスタの制御電極を前記第1のバイアス源に結合して、該第1のトランジスタを導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、制御電極を前記第1のバイアス源から除去して、前記第1のトランジスタを非導通状態にするためのスイッチと、
前記相対的に高い電力動作モード及び前記相対的に低い電力動作モードの双方の期間中、前記第2のトランジスタの制御電極に結合されて、該第2のトランジスタを導通状態にバイアスするための第2のバイアス源と、
前記第2のトランジスタの出力と前記出力ノードとの間に結合される第1の回路部と、
前記入力ノードと前記第2のトランジスタの制御電極との間に結合される第2の回路部と、
前記制御信号に従って選択的に、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を前記第2のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第1の導通レベルにバイアスするか、又は、前記相対的に低い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を第3のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第2の導通レベルにバイアスするためのスイッチと、
を有し、
前記第1の回路部及び前記第2の回路部の一方は位相進みを提供し、前記第1の回路部及び前記第2の回路部の他方は位相遅れを提供し、
前記相対的に低い電力動作モードの期間中に、前記第1の導通レベルから前記第2の導通レベルへの変化に伴い増加された前記第2のトランジスタの入力インピーダンスが、前記第2の回路部によってより低いインピーダンスに変換されて、前記共通の入力ノードにおけるインピーダンスが、前記相対的に高い電力動作モードにおけるインピーダンスに近い値にシフトされ、
更に、
前記出力ノードに結合されるDC電圧源を備える、
増幅器。 - 前記位相進みは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、前記位相遅れは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数である、請求項7に記載の増幅器。
- 共通の入力ノードと共通の出力ノードとの間に結合される一対の増幅器部を備え、
(A)前記増幅器部の第1のものは、
(i)前記共通の出力ノードに結合される出力電極を有する第1のトランジスタと、
(ii)第1のバイアス源と、
(iii)制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第1のトランジスタの制御電極を前記第1のバイアス源に結合して、該第1のトランジスタを導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、制御電極を前記第1のバイアス源から除去して、前記第1のトランジスタを非導通状態にするためのスイッチと、を有し、
(B)前記増幅器部の第2のものは、
(i)第1電極、前記共通の出力ノードに結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第2のトランジスタと、
(ii)前記相対的に高い電力動作モード及び前記相対的に低い電力動作モードの双方の期間中、前記第2のトランジスタの制御電極に結合されて、該第2のトランジスタを導通状態にバイアスするための第2のバイアス源と、
(iii)前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に結合される第1の回路部と、
(iv)前記共通の入力ノードと前記第2のトランジスタの前記制御電極との間に結合される第2の回路部と、を有し、
(C)前記第1の回路部及び前記第2の回路部の一方は位相進みを提供し、前記第1の回路部及び前記第2の回路部の他方は位相遅れを提供し、
(D)前記第1の回路部は、前記第2のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間に、前記第1のトランジスタの出力と前記共通の出力ノードとの間の位相シフトと異なる位相シフトを提供する位相シフト・ネットワークを含み、更に
(E)前記位相進みは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、前記位相遅れは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、更に、
(F)前記共通の出力ノードに結合されるインピーダンスZoを有する負荷を含み、
前記第1の回路部は、特性インピーダンスZCI=2Zoを有し、該回路部は、前記相対的に高い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタの前記出力において2Zoのインピーダンスを提供し、前記相対的に低い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタの前記出力において(ZCI)2/Zoのインピーダンスを提供し、
前記第2の増幅器部が、前記制御信号に従って選択的に、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を前記第2のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第1の導通レベルにバイアスするか、又は、前記相対的に低い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタの制御電極を第3のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタを第2の導通レベルにバイアスするためのスイッチを含み、
前記相対的に低い電力動作モードの期間中に、前記第1の導通レベルから前記第2の導通レベルへの変化に伴い増加された前記第2のトランジスタの入力インピーダンスが、前記第2の回路部によってより低いインピーダンスに変換されて、前記共通の入力ノードにおけるインピーダンスが、前記相対的に高い電力動作モードにおけるインピーダンスに近い値にシフトされることを特徴とする、増幅器。 - 回路において入力整合ネットワーク(18)及び出力整合ネットワーク(22)の間を結合する増幅器(10’)であって、
入力整合ネットワーク(18)に結合する共通の入力ノード(60)と、
出力整合ネットワーク(22)に結合する共通の出力ノード(62)と、
前記共通の入力ノード(60)及び前記共通の出力ノード(62)の間に結合される一対の増幅器部(12、14)とを備え、
(A)前記一対の増幅器部のうち第1の増幅器部(12)は、
(i)第1のトランジスタ(16)であって、基準電位に結合される第1電極、前記共通の出力ノード(62)に結合される出力電極、及び前記第1電極と出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第1のトランジスタ(16)と、
(ii)第1のバイアス源と、
(iii)スイッチであって、制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第1のトランジスタ(16)の制御電極を前記第1のバイアス源に結合して、該第1のトランジスタ(16)を導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中、制御電極を前記第1のバイアス源から除去して、前記第1のトランジスタ(16)を非導通状態にするためのスイッチと、を有し、
(B)前記一対の増幅器部のうち第2の増幅器部(14)は、
(i)第2のトランジスタ(32)であって、前記基準電位に結合される第1電極、前記共通の出力ノード(62)に結合される出力電極、及び前記第1電極と当該第2トランジスタ(32)の出力電極との間の電流の流れを制御する制御電極を有する第2のトランジスタと、
(ii)前記第2のトランジスタ(32)を導通状態にバイアスするための第2のバイアス源と、
(iii)前記第2のトランジスタ(32)の出力及び前記共通の出力ノード(62)の間に結合される第1の回路部(42)であって、前記第2トランジスタ(32)の出力において、前記相対的に高い電力動作モードの期間中に、前記相対的に低い電力動作制御モードの期間中とは異なるインピーダンスを提供する、第1回路部(42)と、を有し、
(C)DC電圧源(24)は、前記共通の出力ノード(62)に結合され、
前記一対の増幅器部のうち第2の増幅器部(14)が、
前記共通の入力ノード(60)及び前記第2のトランジスタ(32)の前記制御電極の間に結合される第2の回路部(38)と、
前記制御信号に従って選択的に、前記相対的に高い電力動作モードの期間中、前記第2のトランジスタ(32)の制御電極を、前記第2のバイアス源に結合して、該第2のトランジスタ(32)を第1の導通レベルにバイアスするか、又は、前記相対的に低い電力動作モードの期間中、第3のバイアス源に結合して、前記第2のトランジスタ(32)を第2の導通レベルにバイアスするためのスイッチと、を有し、
(D)前記第1の回路部(42)及び前記第2の回路部(38)の一方は位相進みを提供し、前記第1の回路部(38)及び前記第2の回路部(42)の他方は位相遅れを提供すること
を特徴とする、増幅器。 - 前記位相進みは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数であり、前記位相遅れは、実質的に(4n+1)π/2ラジアンであり、ここで、nは0を含む整数である、請求項10に記載の増幅器。
- 請求項11に記載の増幅器であって、前記共通の出力ノード(62)に結合されるインピーダンスZoを有する負荷を含み、
前記第1の回路部(42)は、特性インピーダンスZCI=2Zoを有し、該回路部(42)は、前記相対的に高い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタ(32)の前記出力電極において2Zoのインピーダンスを提供し、前記相対的に低い電力動作モードの期間中は前記第2のトランジスタ(32)の前記出力において(ZCI)2/Zoのインピーダンスを提供する、増幅器。 - 請求項10乃至12のいずれか一項に記載の増幅器において、前記第1回路部(42)が位相遅れを提供し、前記第2回路部(38)が位相進みを提供する、増幅器。
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