JP5254046B2 - 電子顕微鏡及び観察方法 - Google Patents

電子顕微鏡及び観察方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5254046B2
JP5254046B2 JP2008557958A JP2008557958A JP5254046B2 JP 5254046 B2 JP5254046 B2 JP 5254046B2 JP 2008557958 A JP2008557958 A JP 2008557958A JP 2008557958 A JP2008557958 A JP 2008557958A JP 5254046 B2 JP5254046 B2 JP 5254046B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
electron beam
energy
electron
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008557958A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008099501A1 (ja
Inventor
武志 添田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of JPWO2008099501A1 publication Critical patent/JPWO2008099501A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5254046B2 publication Critical patent/JP5254046B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/05Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261Details
    • H01J37/265Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/047Changing particle velocity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/05Arrangements for energy or mass analysis
    • H01J2237/057Energy or mass filtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2802Transmission microscopes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2809Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
    • H01J2237/2811Large objects

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

本発明は、3次元構造を持つ測定対象物を全体的且つ高精度に測定しうる電子顕微鏡及びそれを用いた観察方法に関する。
近年の電子デバイスの微細化に伴い、デバイス構造を評価する技術にも高精度化が求められている。評価技術の中でも、とりわけ透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope:TEM)並びに走査透過型電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope:STEM)は、ナノメートルオーダまで電子線を絞れるため、高精密観察及び分析に有効な技術である。しかしながら、これらの手法は3次元デバイス構造の投影像、すなわち2次元情報しか得ることができず、電子の進行方向(試料の深さ方向)に関する情報を得ることはできない。
このため現状では、3次元構造を持つ電子デバイス構造を全体的に評価するためには、試料の切り出し方向を変えて観察する方法や、多方向から観察した像を3次元構築する方法(電子線トモグラフィ法)等が用いられていた。しかしながら、前者は複数の試料が必要であり、切り出すことにより情報量が不完全となることが問題であった。また、後者も目標物を中心に切り出す必要があり、加工時間の長さと情報量の欠落が問題であった。
一方、TEM以外の手法としては、レーザー共焦点顕微鏡法や、集束イオンビームで加工しながらSEM観察して3次元構築する手法がある。しかしながら、これらの手法は像分解能がTEMやSTEMに劣るため、微小構造の評価に用いることは困難であった。
特開平10−246709号公報 特開2003−249186号公報 特開2006−059687号公報
一般に、200kV程度の加速エネルギーを用いる汎用のTEMやSTEMを用いる場合、評価試料は200nm以下の厚さに加工される。これは、評価試料が厚くなると入射電子と材料との相互作用が増し、入射エネルギーが失われやすくなるからである。エネルギーを損失した電子はTEM像やSTEM像において焦点ボケの成因となるため、例えばミクロンオーダの厚い試料を上述のような汎用のTEM装置やSTEM装置で従来通りに観察すると、像が暈けてしまう。
さらに、電子デバイスの構造やサイズは様々なため、評価試料の厚さがミクロンオーダになると不必要な情報が混在する虞がある。例えば素子領域を評価する際の絶縁領域や、配線を評価する際の層間絶縁膜やカバー膜などからの情報がそれに該当する。同様に、TEMやSTEMの試料を補強するのに用いられる支持膜や包埋材料などは観察や分析に無関係なため、機械強度以外にはまったく機能しないことが理想的である。しかしながら、これら材料と入射電子との相互作用を避けることはできない。
このように、従来技術には、3次元構造を持つ電子デバイス構造を全体的且つ高精度に評価する手法が存在しなかった。このため、更なる電子デバイスの微細化に向けて、3次元構造を持つ電子デバイス構造を全体的且つ高精度に評価しうる技術が待望されていた。
本発明の目的は、3次元構造を持つ電子デバイス構造等を全体的且つ高精度に評価しうる電子顕微鏡及びそれを用いた観察方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、電子線を生成する電子銃と、前記電子線を所定の加速電圧に加速して試料に入射する加速器と、前記電子線の焦点位置が前記試料の測定しようとする領域の深さとなるように、前記加速器の前記加速電圧を制御する制御装置と、前記試料との相互作用によりエネルギーを損失して前記試料を透過した前記電子線のうち、特定のエネルギーの電子線を検出することにより、前記試料の測定しようとする前記領域の深さにおける前記電子線の透過像又は回折像を取得する検出器とを有し、前記制御装置は、前記特定のエネルギーが定格加速エネルギーに一致するように、前記試料に入射する前記電子線の加速エネルギーを制御することを特徴とする電子顕微鏡が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、電子線を試料に入射し、前記試料を透過した電子線の透過像又は回折像を取得する電子顕微鏡を用いた観察方法であって、前記電子線の焦点位置が前記試料の測定しようとする領域の深さとなるように、前記試料に印加する前記電子線の加速エネルギーを制御し、前記試料との相互作用によりエネルギーを損失して前記試料を透過した前記電子線のうち、特定のエネルギーの電子線を検出することにより、前記電子線の損失エネルギー量に対応する前記試料の測定しようとする前記領域の深さにおける前記電子線の透過像又は回折像を取得を取得し、前記特定のエネルギーが、前記電子顕微鏡の定格加速エネルギーに一致するように、前記試料に入射する前記電子線の加速エネルギーを設定するすることを特徴とする観察方法が提供される。
本発明によれば、任意のエネルギー帯の電子線を選択して結像するので、試料の像観察したい任意の深さにおいて、焦点暈けの少ない明瞭な画像を得ることができる。また、試料に入射する電子線の加速エネルギーを、試料を透過した電子線の損失エネルギー分だけ増加することにより、試料を透過した電子線の電子エネルギーを電子顕微鏡の定格加速エネルギーに近づけるので、最適なレンズ条件で像観察を行うことができる。これにより、より焦点暈けの少ない明瞭な画像を得ることができる。
図1は、本発明の一実施形態による電子顕微鏡の構造を示す概略図(その1)である。 図2は、本発明の一実施形態による電子顕微鏡の構造を示す概略図(その2)である。 図3は、試料を透過した電子線のエネルギー損失スペクトルを示すグラフである。 図4は、試料を透過した電子線における試料厚さと電子エネルギーとの関係を示すグラフである。 図5は、加速電圧に損失エネルギー分の電圧を上乗せしない場合とした場合とにおけるエネルギー損失スペクトルを示すグラフである。 図6は、測定対象の試料のモデルを示す概略図である。 図7は、図6の試料の測定例を示す概略図である。 図8は、本発明の一実施形態の変形例による電子顕微鏡の構造を示す概略図である。
符号の説明
10…鏡筒
12…電子銃
14…加速電圧制御装置
16…収束レンズ系制御装置
18…走査レンズ系制御装置
20…結像レンズ系制御装置
22…試料台制御装置
24…電子プリズム
26…レンズ系制御用入力装置
28…試料台制御用入力装置
30…エネルギー選択絞り
32…検出器
34…処理装置
36…入力装置
38…外部記憶装置
40…表示装置
42…試料
50…電子線
52,54…構造体
本発明の一実施形態による電子顕微鏡及び観察方法について図1乃至図7を用いて説明する。
図1及び図2は本実施形態による電子顕微鏡の構造を示す概略図、図3は電子強度と電子エネルギーとの関係を示すグラフ、図4は試料による電子線のエネルギー損失を示すエネルギー損失スペクトル、図5は加速電圧に損失エネルギー分の電圧を上乗せしない場合とした場合のエネルギー損失スペクトルを示すグラフ、図6は測定対象の試料のモデルを示す概略図、図7は図6の試料の測定例を示す概略図である。
はじめに、本実施形態による電子顕微鏡の構造について図1及び図2を用いて説明する。
図1に示すように、電子ビーム光学系を構成する鏡筒10には、電子線を発生する電子銃12と、電子銃から発せられた電子線の加速電圧を制御する加速電圧制御装置14と、電子線を収束して試料に照射する収束レンズ系を制御する収束レンズ系制御装置16と、試料に照射する電子線を走査する走査レンズ制御装置18と、試料を透過した電子線を結像する結像レンズ系を制御する結像レンズ系制御装置20と、電子線に対する試料の位置を制御する試料台制御装置22と、試料を透過した電子線をそのエネルギーに応じて分散させる電子プリズム24とが設けられている。
収束レンズ系制御装置16及び結像レンズ系制御装置20には、各レンズ系を制御する情報を入力するためのレンズ系制御用入力装置26が接続されている。試料台制御装置22には、試料台を制御する情報を入力するための試料台制御用入力装置28が接続されている。
電子プリズム24の出力側には、エネルギー選択絞り30を介して、CCDカメラあるいはSTEM検出器等の検出器32が設けられている。エネルギー選択絞り30は、電子プリズム24を通過した所定範囲のエネルギーを有する電子線を選択的に透過して検出器32に導入するためのものである。なお、本明細書では、電子プリズム24及びエネルギー選択絞り30を一括して分光器と呼ぶこともある。
加速電圧制御装置14、エネルギー選択絞り30及び検出器32には、処理装置34が接続されている。処理装置34は、加速電圧制御装置14、収束レンズ系制御装置16、結像レンズ系制御装置20、試料台制御装置22、エネルギー選択絞り30等を制御する制御装置として、また、検出器32から入力される測定データの分析を行う分析装置として機能する。
処理装置34には、外部から測定等に必要な情報を入力するための入力装置36、測定データの分析に用いられるデータベース等を記憶する外部記憶装置38、分析結果等を表示する表示装置40等が接続されている。
このように、本実施形態による電子顕微鏡は、基本的にはSTEM機能を有する電子顕微鏡である。本実施形態による電子顕微鏡の主たる特徴は、検出器32の前段に、試料を透過した電子線を分光する電子プリズム24と、電子プリズム24により分光された電子線のうち特定エネルギー範囲の電子線を選択的に透過するエネルギー選択絞り30とが設けられていることにある。
なお、電子顕微鏡の基本構成は、STEMではなくTEMであってもよい。この場合、走査レンズ系(走査レンズ制御装置18等)は不要である。
次に、本実施形態による電子顕微鏡を用いた観察方法について図1及び図2を用いて説明する。
まず、評価対象の試料42を用意し、鏡筒10内の試料台44上に設置する。なお、本実施形態による観察方法では、通常のTEMやSTEMの測定では厚すぎると考えられている1μm以上の膜厚、例えば1.5μm程度の膜厚を有する試料42を用いることができる。
次いで、電子銃12から放出された電子を、加速電圧制御装置14により、汎用のTEMやSTEMで用いられている加速電圧、例えば100〜200kVで加速し、電子ビームを得る。なお、試料42に与えるダメージを抑制する観点からは、汎用のTEM等で用いられている200kV程度以下の加速電圧を用いることが望ましいが、それ以上の加速電圧、例えば1MV程度の加速電圧を用いてもよい。
次いで、試料台制御用入力装置28及び試料台制御装置22を介して試料台44の位置を制御し、試料42の電子ビームに対する傾斜角やユーセントリックを調整する。これにより、試料42の関心領域の明(暗)視野STEM像或いは明(暗)視野TEM像を撮影できる状態にする。
次いで、試料42を透過した電子ビームを電子プリズム24に通し、エネルギー損失スペクトルを得る。
試料42を透過した電子ビームは、試料42内において様々な散乱過程を経ており、様々なエネルギーを有している。ここでは、このような電子を総称して、エネルギー損失電子と呼ぶこととする。電子線に磁場を印加すると、電子は磁場によるローレンツ力の影響を受け、各電子が有するエネルギーに応じて偏向される。すなわち、エネルギー損失の大きいエネルギー損失電子ほど偏向角は大きく、エネルギー損失の小さいエネルギー損失電子ほど偏向角は小さくなる(図2参照)。この原理が光の波長を分散するプリズムによく似ていることから、磁場の印加により電子線のエネルギー分光を行うこのような装置を電子プリズムと呼んでいる。
図3は、電子プリズム24により分光された電子線の電子強度と電子エネルギーとの関係の一例を示すグラフ(エネルギー損失スペクトル)である。横軸は、入射エネルギー(加速エネルギー)から損失エネルギーを差し引いたエネルギー、すなわち試料42通過後の電子エネルギーである。
次いで、電子プリズム24を通過した電子線を、エネルギー選択絞り30に導入する(図2参照)。電子プリズム24で分光された電子線は、エネルギー損失の大きい電子ほど偏向角は大きく、エネルギー損失の小さい電子ほど偏向角は小さくなる。したがって、電子プリズム24の出力側に、所定の偏向角に対応する位置にスリットを有する絞り(エネルギー選択絞り30)を設けることで、任意のエネルギーを有する電子線を選択的に取り出すことができる。
次いで、エネルギー選択絞り30を通過した任意のエネルギーを有する電子線を、検出器32により検出する。
TEMやSTEMにおける焦点ボケは、エネルギーのズレ、すなわち色収差に起因する。したがって、結像に寄与する電子エネルギーを単エネルギー化することで、焦点ボケを低減することができる。この効果は、STEMよりもTEMにおいて大きく現れる。TEMでは、電子が試料を透過した後も多段レンズにより拡大操作が行われるため、色収差の影響を受けやすいからである。
また、試料の強度を向上するために利用される支持膜や包埋材料、或いはデバイス構造に多用されるカバー膜などに電子線を入射すると、例えば図4に示すように、電子エネルギーは膜の厚さと相関を持つようになる。すなわち、図4に示すスペクトルの横軸は、試料の厚さの関数となる。
ここでいう試料の厚さとは、試料表面からの電子の侵入距離と同義である。したがって、エネルギー選択絞り30によって任意のエネルギー帯の電子線を選択することで、焦点位置を試料の任意の深さに設定することができる。すなわち、試料42の像観察したい深さに対応したエネルギー帯をエネルギー選択絞り30により選択して像観察を行うことにより、試料42の任意の深さにおける焦点ボケの少ない明瞭な画像を得ることができる。
さらに、試料が厚くなると電子は相互作用を起こしやすくなるため、エネルギー損失電子の強度は増大する。それに伴い、TEMやSTEMの検出器に導入される電子信号が増加し、ひいては厚い試料の観察や分析に有利になる。
汎用の電子顕微鏡では、例えば120keVや200keVなどの特定の加速エネルギーを持つ電子に対してその光学的性能を最大限に引き出すことができるように、レンズ条件が設計されている。この加速エネルギーは、電子顕微鏡毎に固有のものであり、定格加速エネルギーと呼ばれている。定格加速エネルギーは、換言すれば、電子顕微鏡の光学的性能を最大限に引き出すことができる加速エネルギーである。
そのため、損失エネルギー量がゼロではない総ての電子は、レンズ条件に対してエネルギー的に最適とはいえない。試料を透過したエネルギー損失電子も多段レンズで集光することはできるが、最適レンズ条件ではないため定格加速エネルギーの電子線によって得られる分解能には及ばない。また、加速エネルギーを変更する度毎にレンズ条件を調整するのは時間を要するため実用的ではない。
そこで、本実施形態による観察方法では、加速エネルギーを損失エネルギー量と同期して昇圧することで、最適なレンズ条件を維持する。具体的には、観察対象の深さに対応するエネルギーを損失した透過電子線の電子エネルギーが電子顕微鏡の定格加速エネルギーになるように、透過電子線の損失エネルギー分の電圧を上乗せして電子線の加速エネルギーとする。
例えば、定格加速電圧が200kVの電子顕微鏡において、焦点を合わせたい位置(試料42への侵入深さ)に対応する透過電子線の電子エネルギーが、例えば図5(a)に示すように199.97keV(試料42内で電子が0.03keVのエネルギーを失った状態)の場合、試料42による損失分のエネルギー0.03keVを上乗せして、加速電圧を200.03kVに昇圧する。ここで、加速エネルギーの上乗せは、図3のエネルギー損失スペクトルを高エネルギー側にシフトすることを意味する。これにより、焦点を合わせたい位置に対応する透過電子線の電子エネルギーは、例えば図5(b)に示すように200.0keVとなり、レンズ系の調整を行うことなく、当該電子顕微鏡に最適なレンズ条件で像観察を行うことができる。
なお、このときのエネルギー選択絞り30は、損失エネルギーがゼロ付近の電子線(加速エネルギーが電子顕微鏡の定格加速エネルギーに一致する電子線)を選択的に通過するように、エネルギー選択幅を設定すればよい。すなわち、試料42の深さ方向の構造を観察する場合、エネルギー選択絞り30が選択的に透過する電子線のエネルギー帯を電子顕微鏡の定格加速エネルギー近傍に固定しておき、試料42の観察したい深さに応じて、加速電圧制御装置14により加速する電子線の加速エネルギーを増加する。
このようにして試料42の観察を行うことにより、試料42の任意の深さにおいて焦点ボケの少ない明瞭な画像を得ることができる。
なお、試料42内における焦点位置は、対物レンズによって制御してもよい。但し、この場合には、レンズ条件がエネルギー的に最適ではなくなるため、加速電圧を制御する場合と比較して分解能は劣化する。
図6は、試料42の一例を示す概略図である。図6に示す試料42は、深さAの位置に形成された直方体状の構造物52と、深さBの位置に形成された円筒状の構造物54とを有している。
図6に示す試料において、電子線50を入射し、深さAに対応する透過電子線の電子エネルギーが電子顕微鏡の定格加速エネルギーとなるように電子線の加速エネルギーを制御した場合、例えば図7(a)に示すような画像が得られる。すなわち、構造物52の鮮明な画像と、構造物54のぼけた画像とが重なった画像を得ることができる。一方、深さBに対応する透過電子線の電子エネルギーが電子顕微鏡の定格加速エネルギーとなるように電子線の加速エネルギーを制御した場合、例えば図7(b)に示すような画像が得られる。すなわち、構造物54の鮮明な画像と、構造物52のぼけた画像とが重なった画像を得ることができる。これら画像から鮮明な画像を抜き出す画像処理を行うことにより、試料42の深さ方向の情報を分離することができる。
このように、本実施形態によれば、任意のエネルギー帯の電子線を選択して結像するので、試料の像観察したい任意の深さにおいて、焦点暈けの少ない明瞭な画像を得ることができる。また、試料に入射する電子線の加速エネルギーを、試料を透過した電子線の損失エネルギー分だけ増加することにより、試料を透過した電子線の電子エネルギーを電子顕微鏡の定格加速エネルギーに近づけるので、最適なレンズ条件で像観察を行うことができる。これにより、より焦点暈けの少ない明瞭な画像を得ることができる。
[変形実施形態]
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、試料42を透過した電子線を、電子プリズム24及びエネルギー選択絞り30を介して検出器32に導入したが、電子プリズム24及びエネルギー選択絞り30は必ずしも必要はない。
STEMの場合、電子線が試料42を透過した後にはTEMのような拡大レンズが存在しないため、TEMの場合と比較して色収差の影響が小さい。このため、試料42を透過した電子線を検出器32によって直接検出した場合にも、TEMと比較して良好な画像を得ることができる。ただし、STEMの場合にも、上記実施形態に記載したように電子プリズム24及びエネルギー選択絞り30を用いて電子線のエネルギー帯を絞った方が、像の暈け除去効果は高い。
電子プリズム24及びエネルギー選択絞り30を用いない電子顕微鏡としては、例えば図8に示す装置構成を適用することができる。
また、電子線の加速エネルギーの昇圧幅を小さくすることで、焦点位置の移動量が減少する。この条件で焦点位置を連続的に変化させ、各条件で厚さの異なるスライス像を取得し、公知の方法で相互演算することで3次元画像を取得することができる。
また、上記実施形態では、厚さが1μmを超えるような厚い試料の場合を例に説明したが、本発明による観察方法は、通常のTEMやSTEMの測定に用いられる0.3μm程度以下の試料の測定に適用することもできる。このように試料が薄い場合、エネルギー損失する確率が減少し、厚い場合に比べてエネルギー分散幅がエネルギー選択幅に対して小さくなる。このとき本発明による観察方法を適用すると、すべての厚さで焦点を合わせることができる。電子は試料が厚くなるほどエネルギーを失いやすくなるが、例えば0.3μm以下の厚さではエネルギーをまったく失わない電子も微量ながら存在する。いま選択するエネルギー値を定格の200kVとすると、試料表面から裏面まですべての領域で焦点を合わせることができる。シグナル・ノイズ(S/N)比は表面ほど良く、厚くなるほど悪くなる。同様に、200kV以外のエネルギーを選択しても、すべての領域で焦点を合わせることができる。選択エネルギーを変化させることで、S/N比の最高値を深さ方向に制御することができる。試料が1μm以上になると、エネルギー分散幅がエネルギー選択幅に対して十分に大きくなるので、試料全体で焦点を合わせることはできなくなる。
本発明による電子顕微鏡及びこれを用いた観察方法は、試料の像観察したい任意の深さにおいて、焦点暈けの少ない明瞭な画像を得ることができるものである。したがって、3次元構造を持つ電子デバイス構造等を全体的且つ高精度に評価するためにきわめて有用である。

Claims (7)

  1. 電子線を生成する電子銃と、
    前記電子線を所定の加速電圧に加速して試料に入射する加速器と、
    前記電子線の焦点位置が前記試料の測定しようとする領域の深さとなるように、前記加速器の前記加速電圧を制御する制御装置と、
    前記試料との相互作用によりエネルギーを損失して前記試料を透過した前記電子線のうち、特定のエネルギーの電子線を検出することにより、前記試料の測定しようとする前記領域の深さにおける前記電子線の透過像又は回折像を取得する検出器とを有し、
    前記制御装置は、前記特定のエネルギーが定格加速エネルギーに一致するように、前記試料に入射する前記電子線の加速エネルギーを制御する
    ことを特徴とする電子顕微鏡。
  2. 請求項1記載の電子顕微鏡において、
    前記試料との相互作用によりエネルギーを損失して前記試料を透過した前記電子線のうち、前記試料の測定しようとする前記領域の深さに対応する前記特定のエネルギーの電子線を選別する分光器を更に有し、
    前記検出器は、前記分光器により選別された前記特定のエネルギーの前記電子線を検出して、前記試料の測定しようとする前記領域の深さにおける前記電子線の透過信号又は回折信号を取得する
    ことを特徴とする電子顕微鏡。
  3. 請求項1又は2記載の電子顕微鏡において、
    前記加速器により加速した前記電子線を前記試料上で走査する走査レンズを更に有する
    ことを特徴とする電子顕微鏡。
  4. 請求項1又は2記載の電子顕微鏡において、
    前記試料を透過した前記電子線を多段レンズで拡大又は縮小する結像レンズを更に有することを特徴とする電子顕微鏡。
  5. 電子線を試料に入射し、前記試料を透過した電子線の透過像又は回折像を取得する電子顕微鏡を用いた観察方法であって、
    前記電子線の焦点位置が前記試料の測定しようとする領域の深さとなるように、前記試料に印加する前記電子線の加速エネルギーを制御し、
    前記試料との相互作用によりエネルギーを損失して前記試料を透過した前記電子線のうち、特定のエネルギーの電子線を検出することにより、前記電子線の損失エネルギー量に対応する前記試料の測定しようとする前記領域の深さにおける前記電子線の透過像又は回折像を取得し、
    前記特定のエネルギーが、前記電子顕微鏡の定格加速エネルギーに一致するように、前記試料に入射する前記電子線の加速エネルギーを設定する
    ことを特徴とする観察方法。
  6. 請求項5記載の観察方法において、
    前記試料の厚さ方向の焦点位置を変えることにより、厚さの異なるスライス像を取得し、相互演算することで、3次元画像を取得する
    ことを特徴とする観察方法。
  7. 請求項5記載の観察方法において、
    前記電子線のエネルギー選択幅を大きくすることにより、前記試料の厚さ方向のすべての領域に焦点を合わせる
    ことを特徴とする観察方法。
JP2008557958A 2007-02-16 2007-02-16 電子顕微鏡及び観察方法 Expired - Fee Related JP5254046B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2007/052850 WO2008099501A1 (ja) 2007-02-16 2007-02-16 電子顕微鏡及び観察方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008099501A1 JPWO2008099501A1 (ja) 2010-05-27
JP5254046B2 true JP5254046B2 (ja) 2013-08-07

Family

ID=39689760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008557958A Expired - Fee Related JP5254046B2 (ja) 2007-02-16 2007-02-16 電子顕微鏡及び観察方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8299430B2 (ja)
JP (1) JP5254046B2 (ja)
WO (1) WO2008099501A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8704176B2 (en) * 2011-08-10 2014-04-22 Fei Company Charged particle microscope providing depth-resolved imagery
JP7228869B2 (ja) * 2018-02-23 2023-02-27 国立大学法人 東京大学 電子顕微鏡及び測定試料の観察方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07296758A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Canon Inc 透過型電子顕微鏡装置および電子顕微鏡用tv装置
JPH09119907A (ja) * 1995-10-24 1997-05-06 Hitachi Ltd 三次元元素濃度分布測定方法及び装置
JP2001266783A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Hitachi Ltd 元素マッピング装置、走査透過型電子顕微鏡及び元素マッピング方法
JP2004227942A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Jeol Ltd 電子分光系を有した電子線装置
JP2005121552A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Fujitsu Ltd 格子歪み測定装置及び測定方法
JP2006012863A (ja) * 2005-08-22 2006-01-12 National Institute For Materials Science 透過電子顕微鏡の軸調整方法およびその装置
JP2006059687A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Jeol Ltd 3次元像構築方法および透過電子顕微鏡

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3439614B2 (ja) * 1997-03-03 2003-08-25 株式会社日立製作所 透過型電子顕微鏡及び元素分布観察方法
JP3687541B2 (ja) * 1999-01-04 2005-08-24 株式会社日立製作所 元素マッピング装置、走査透過型電子顕微鏡および元素マッピング方法
JP2003249186A (ja) 2002-02-22 2003-09-05 Fujitsu Ltd 走査透過型電子顕微鏡に依る観察方法及び観察装置
JP3789104B2 (ja) * 2002-05-13 2006-06-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 元素分布観察方法及び装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07296758A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Canon Inc 透過型電子顕微鏡装置および電子顕微鏡用tv装置
JPH09119907A (ja) * 1995-10-24 1997-05-06 Hitachi Ltd 三次元元素濃度分布測定方法及び装置
JP2001266783A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Hitachi Ltd 元素マッピング装置、走査透過型電子顕微鏡及び元素マッピング方法
JP2004227942A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Jeol Ltd 電子分光系を有した電子線装置
JP2005121552A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Fujitsu Ltd 格子歪み測定装置及び測定方法
JP2006059687A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Jeol Ltd 3次元像構築方法および透過電子顕微鏡
JP2006012863A (ja) * 2005-08-22 2006-01-12 National Institute For Materials Science 透過電子顕微鏡の軸調整方法およびその装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008099501A1 (ja) 2008-08-21
US8299430B2 (en) 2012-10-30
US20090272902A1 (en) 2009-11-05
JPWO2008099501A1 (ja) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5404008B2 (ja) 粒子光機器においてサンプルの走査型透過画像を取得する方法
EP2593958B1 (en) Improved contrast for scanning confocal electron microscope
US7612337B2 (en) Focused ion beam system and a method of sample preparation and observation
JP5948084B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP4399471B2 (ja) 電子分光器を備えた透過型電子顕微鏡
CN105405734B (zh) 在透射带电粒子显微镜中执行光谱术的方法
US20160178543A1 (en) Analyzing an object using a particle beam apparatus
JP2007128893A (ja) 粒子光学装置における色収差の補正用の補正器
JP6666627B2 (ja) 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法
JP2008084643A (ja) 電子顕微鏡及び立体観察方法
TW202024581A (zh) 用於監測束輪廓及功率的方法及設備
US8227752B1 (en) Method of operating a scanning electron microscope
JP5423612B2 (ja) 共焦点走査透過型電子顕微鏡装置及び3次元断層像観察方法
CZ2016300A3 (cs) Rastrovací elektronový mikroskop a způsob jeho provozu
JP6266467B2 (ja) 電子顕微鏡、およびモノクロメーターの調整方法
JP2006153894A (ja) 電子線を用いた観察装置及び観察方法
US10103002B1 (en) Method for generating an image of an object and particle beam device for carrying out the method
CN108140525A (zh) 具备电子能量损失谱仪的扫描透射型电子显微镜及其观察方法
JP5254046B2 (ja) 電子顕微鏡及び観察方法
JP4726048B2 (ja) 位相回復方式の電子顕微鏡による観察方法
US20130206987A1 (en) Transmission Electron Microscope
JP2010009943A (ja) 電子分光器を有する透過型電子顕微鏡装置,試料ホルダ,試料台及びスペクトル像の取得方法
JP5397060B2 (ja) 荷電粒子顕微鏡及び解析方法
JP4150568B2 (ja) 電子顕微鏡
JP2006040777A (ja) 電子顕微鏡

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111025

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121023

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20121030

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20121122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5254046

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees