JP5253562B2 - 半導体積層体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
〈2〉上記複合シリコン層の凸部の高さが100nm以下である、上記〈1〉項に記載の半導体積層体。
〈3〉上記〈1〉又は〈2〉項に記載の半導体積層体を有する、半導体デバイス。
〈4〉太陽電池である、上記〈3〉項に記載の半導体デバイス。
〈5〉上記複合シリコン層が、セレクティブエミッタ型太陽電池のセレクティブエミッタ層、又はバックコンタクト型太陽電池のバックコンタクト層を形成するためのものである、上記〈4〉項に記載の半導体デバイス。
〈6〉上記複合シリコン層が、裏面電界層又は表面電界層を形成するためのものである、上記〈4〉又は〈5〉項に記載の半導体デバイス。
〈7〉電界効果トランジスタである、上記〈3〉項に記載の半導体デバイス。
〈8〉下記の工程を含む、半導体積層体の製造方法:
(a)基材上にアモルファスシリコン層を形成する工程、
(b)上記アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層されている未処理積層体を形成する工程、及び
(c)上記未焼成積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及び上記第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する工程。
〈9〉上記アモルファスシリコン層の厚さが300nm以下である、上記〈8〉項に記載の方法。
〈10〉上記シリコン粒子層の厚さが300nm以下である、上記〈8〉又は〈9〉項に記載の方法。
〈11〉上記シリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、上記〈8〉〜〈10〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈12〉上記光照射を、レーザーを用いて行う、上記〈8〉〜〈11〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈13〉上記〈8〉〜〈12〉項のいずれか一項に記載の方法によって得られる、半導体積層体。
〈14〉上記〈8〉〜〈12〉項のいずれか一項に記載の方法によって半導体積層体を作ることを含む、半導体デバイスの製造方法。
〈15〉上記〈14〉項に記載の方法によって得られる、半導体デバイス。
本発明の半導体積層体は、基材及び基材上の複合シリコン膜を有し、この複合シリコン膜が、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層、及び第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する。
本発明の半導体デバイスは、本発明の半導体積層体を有する。本発明の半導体デバイスが電界効果トランジスタ又は太陽電池である場合、複合シリコン層が平坦な表面を有することによって、この複合シリコン層上に、絶縁層、電極等を堆積させたときに、安定な特性を提供できる。
半導体積層体を製造する本発明の方法は、下記の工程を含む:
(a)基材上にアモルファスシリコン層を形成する工程、
(b)アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層されている未処理積層体を形成する工程、及び
(c)未処理積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及びこの第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する工程。
半導体積層体を製造する本発明の方法の工程(a)では、基材上にアモルファスシリコン層を形成する。
本発明の方法で用いられる基材は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではない。したがって例えば、基材としてはシリコン基材、ガラス基材などを用いることができる。
本発明の方法で用いられるアモルファスシリコン層は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、したがって例えばスパッタリング、化学気相成長法(CVD)等によって形成された層を用いることができる。
半導体積層体を製造する本発明の方法の工程(b)では、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層された未処理積層体を形成する。
シリコン粒子分散体に含まれるシリコン粒子は、シリコンからなる粒子であれば、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではない。このようなシリコン粒子としては、例えば特許文献4及び5で示されるようなシリコン粒子を用いることができる。具体的には、このシリコン粒子としては、レーザー熱分解法、特にCO2レーザーを用いたレーザー熱分解法によって得られたシリコン粒子を挙げることができる。
分散体の分散媒は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、したがって例えば本発明で用いるシリコン粒子と反応しない有機溶媒を用いることができる。具体的にはこの分散媒は、非水系溶媒、例えばアルコール、アルカン、アルケン、アルキン、ケトン、エーテル、エステル、芳香族化合物、又は含窒素環化合物、特にイソプロピルアルコール(IPA)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)等であってよい。また、アルコールとしては、エチレングリコールのようなグリコール(2価アルコール)を用いることもできる。なお、分散媒は、本発明で用いる粒子の酸化を抑制するために、脱水溶媒であることが好ましい。
この乾燥は、分散体から分散媒を実質的に除去することができる方法であれば特に限定されず、例えば分散体を有する基材を、ホットプレート上に配置して行うこと、加熱雰囲気に配置して行うこと等ができる。
半導体積層体を製造する本発明の方法の工程(c)では、未処理積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及びこの第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する。
ここで照射される光としては、上記のような複合シリコン層の形成を達成できれば任意の光を用いることができる。例えば、照射される光としては、単一波長からなるレーザー光、特に波長600nm以下、500nm以下又は400nm以下であって、300nm以上の波長を有するレーザー光を用いることができる。また、複合シリコン層への光照射は、特定の帯域の波長範囲(例えば200〜1100nm)の光を一度に照射するフラッシュランプ、例えばキセノンフラッシュランプを用いて行うこともできる。また、上記のような複合シリコン層の形成を達成できれば、パルス状の光、連続発振される光などの光を任意に用いることができる。
分散体粒子を焼結するための光照射は、非酸化性雰囲気、例えば水素、希ガス、窒素、及びそれらの組合せからなる雰囲気において行うことが、分散体粒子の酸化を防ぐために好ましい。ここで、希ガスとしては、特にアルゴン、ヘリウム、及びネオンを挙げることができる。なお、雰囲気が水素を含有することは、分散体粒子の還元作用があり、酸化された表面部分を還元して、連続層を形成するために好ましいことがある。また、非酸化性雰囲気とするために、雰囲気の酸素含有率は、1体積%以下、0.5体積%以下、0.1体積%以下、又は0.01体積%以下とすることができる。
半導体デバイス、例えば電界効果トランジスタ(FET)又は太陽電池を製造する本発明の方法は、本発明の方法によって半導体積層体層を作る工程を含む。例えば、電界効果トランジスタを製造する本発明の方法は更に、ゲート絶縁体を製造する工程、ソース及びドレイン電極を製造する工程等を含むことができる。
(シリコン粒子分散体の調製)
リン(P)ドープシリコン粒子を、SiH4ガス及びPH3ガスを原料として、CO2レーザーを用いたレーザー熱分解(LP:Laser Pyrolysis)法により作製した。得られたリンドープシリコン粒子は、平均一次粒子径が約7nmであった。このリンドープシリコン粒子を、イソプロピルアルコール(IPA)中に超音波分散させて、固形分濃度2wt%のリンドープシリコン粒子分散体を得た。
ホウ素(B)ドープシリコン基材(厚さ280μm、比抵抗5Ωcm以下)を、アセトン及びイソプロピルアルコール中で各5分間ずつ超音波洗浄し、洗浄液(Frontier Cleaner、関東化学製)でパーティクル除去を行い、その後、5%フッ化水素水溶液中で10分間にわたって酸化層を除去し、清浄化された基材を準備した。
洗浄後の基材に対し、スパッタリング装置によってアモルファスシリコン層を形成した。スパッタリング条件は、圧力4×10−3Torr、コンデンサー300pf、Ar流量100sccm、電力300W、スパッタ時間20分(厚さ150nm)とした。
リンドープシリコン粒子分散体を、アモルファスシリコン層を形成した基材上に数滴滴下し、500rpmで5秒間にわたって、そして4000rpmで10秒間にわたって、スピンコートすることにより、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布した。
次に、未処理積層体に対して、レーザー光照射装置(Quantronix社製、商品名Osprey 355−2−0)を用いて、アルゴン雰囲気でYVO4レーザー(波長355nm)を照射し、焼成して、複合シリコン層を有する半導体積層体を得た。
作製された複合シリコン層の表面形態を、電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SEM)(日立ハイテクノロジーズ製、S5200型)にて観察した。この表面形態観察結果を図2に示す。図2からは、この複合シリコン層が、平坦な表面を有することが観察される。具体的には、この複合シリコン層の凸部の高さ、すなわち平坦部を基準とした凸部の高さは、50nm程度であった。
アモルファスシリコン層の形成を行わなかったこと、すなわちシリコン粒子層のみを用いたこと以外は実施例1と実質的に同様にして、半導体積層体を得た。
作製されたシリコン粒子由来のシリコン層の表面形態を、実施例1と同様にして観察した。この表面形態観察結果を図3に示す。図3からは、このシリコン層が、実施例1についての図2と比較して平坦化されていないことが観察される。具体的には、このシリコン層の凸部の高さ、すなわち平坦部を基準とした凸部の高さは、100nm以上であった。ただし、このシリコン層は明確な平坦部を有しておらず、したがって正確な凸部の高さの評価は困難であった。
320 アモルファスシリコン層
320a アモルファスシリコン由来のシリコン層(平坦部)
320b アモルファスシリコン由来のシリコン層(凸部)
330 シリコン粒子層
330a、b、c シリコン粒子由来のシリコン層
500a セレクティブエミッタ型太陽電池
600a バックコンタクト型太陽電池
Claims (15)
- 基材及び前記基材上の複合シリコン膜を有し、
前記複合シリコン膜が、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及びその上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有し、かつ
前記複合シリコン膜が、前記アモルファスシリコン層と前記シリコン粒子層とが共に融解して一体化することによって形成されている、
半導体積層体。 - 前記複合シリコン層の凸部の高さが100nm以下である、請求項1に記載の半導体積層体。
- 請求項1又は2に記載の半導体積層体を有する、半導体デバイス。
- 太陽電池である、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記複合シリコン層が、セレクティブエミッタ型太陽電池のセレクティブエミッタ層、又はバックコンタクト型太陽電池のバックコンタクト層を形成するためのものである、請求項4に記載の半導体デバイス。
- 前記複合シリコン層が、裏面電界層又は表面電界層を形成するためのものである、請求項4又は5に記載の半導体デバイス。
- 電界効果トランジスタである、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 下記の工程を含む、半導体積層体の製造方法:
(a)基材上にアモルファスシリコン層を形成する工程、
(b)前記アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層されている未処理積層体を形成する工程、及び
(c)前記未焼成積層体に光照射を行って、前記アモルファスシリコン層とその上の前記シリコン粒子層とを共に融解して一体化することによって、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及びその上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する工程。 - 前記アモルファスシリコン層の厚さが300nm以下である、請求項8に記載の方法。
- 前記シリコン粒子層の厚さが300nm以下である、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記シリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、請求項8〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光照射を、レーザーを用いて行う、請求項8〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項8〜12のいずれか一項に記載の方法によって得られる、半導体積層体。
- 請求項8〜12のいずれか一項に記載の方法によって半導体積層体を作ることを含む、半導体デバイスの製造方法。
- 請求項14に記載の方法によって得られる、半導体デバイス。
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