JP5251904B2 - Stainless foil coated with silica-based inorganic polymer film and silicon thin film solar cell using the same - Google Patents

Stainless foil coated with silica-based inorganic polymer film and silicon thin film solar cell using the same Download PDF

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Description

本発明は、シリカ系無機ポリマー膜で被覆したステンレス箔及びそれを用いたシリコン薄膜太陽電池に関するものである。   The present invention relates to a stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film and a silicon thin film solar cell using the same.

太陽光発電は、新しいエネルギー源の1つとして注目されている。太陽電池としては、単結晶Si又は多結晶Siのバルク型太陽電池が主流であるが、軽量化・大面積化・量産による低価格化等、薄膜太陽電池の方が有利と考えられる点も多い。   Solar power generation is attracting attention as one of new energy sources. As solar cells, single-crystal Si or polycrystalline Si bulk solar cells are the mainstream, but there are many points where thin-film solar cells are considered to be more advantageous, such as weight reduction, large area, and low price due to mass production. .

薄膜太陽電池の基板としては、ガラスが用いられているが、軽量化・フレキシビリティの観点から、樹脂基板も検討されている。しかしながら、樹脂は耐熱性が低いため、薄膜太陽電池の製造プロセス温度が制限される。   Glass is used as the substrate of the thin film solar cell, but a resin substrate is also being studied from the viewpoint of weight reduction and flexibility. However, since the resin has low heat resistance, the manufacturing process temperature of the thin film solar cell is limited.

このため、表面に絶縁膜をつけたステンレス箔基板が提案されている(特許文献1、参照)。太陽電池基板としては、複数のセルを配列して一定の性能が得られるように、少なくともMΩ・cmオーダーの絶縁性が求められるので、ステンレス箔上の膜にも、このレベルの絶縁が求められる。 For this reason, a stainless steel foil substrate with an insulating film on the surface has been proposed (see Patent Document 1). As a solar cell substrate, insulation of at least MΩ · cm 2 order is required so that a certain performance can be obtained by arranging a plurality of cells. Therefore, this level of insulation is also required for the film on the stainless steel foil. It is done.

金属箔の上に、絶縁性の高いポリイミド塗料等の有機樹脂塗料を塗布したものを使用する例がある(特許文献2、参照)が、有機樹脂は、太陽電池セル形成時の200〜350℃の熱処理で劣化するものが多い。   Although there is an example using what applied organic resin paints, such as a highly insulating polyimide paint, on metal foil (refer to patent documents 2), organic resin is 200-350 ° C at the time of photovoltaic cell formation. Many of them deteriorate with heat treatment.

薄膜太陽電池の中でも、高い変換効率が期待される結晶系Si薄膜太陽電池が、最近、注目されている。従来、この材料は、可視域での吸収係数が小さいので、薄膜材料には適さないと考えられていたが、結晶系Siにおいても、長い光路長を得られるよう、結晶系Si層の裏面及び表面に光を反射させて、中に閉じ込めることにより、高い変換効率を実現することがわかってきた。   Among thin film solar cells, crystalline Si thin film solar cells that are expected to have high conversion efficiency have recently attracted attention. Conventionally, since this material has a small absorption coefficient in the visible region, it has been thought that it is not suitable for a thin film material. However, even in crystalline Si, in order to obtain a long optical path length, It has been found that high conversion efficiency is achieved by reflecting light on the surface and confining it inside.

例えば、ガラス基板の上に、凹凸テクスチャ構造を有する裏面反射層としてSnOを設け、その上に、n型Si層、活性層となるSi層、p型Si層、ITO膜を順次積層し、セルを作製している。裏面反射層は、電極も兼ねた構造になっている(非特許文献1、参照)。 For example, SnO 2 is provided on a glass substrate as a back surface reflection layer having an uneven texture structure, and an n-type Si layer, an Si layer serving as an active layer, a p-type Si layer, and an ITO film are sequentially laminated thereon, A cell is produced. The back reflective layer has a structure that also serves as an electrode (see Non-Patent Document 1).

また、アモルファスSiにおいても、変換効率を上げるために、アモルファスSi層の表面、裏面のそれぞれに、凹凸テクスチャ構造を持たせて、光路長を稼いだ場合についてシミュレーションした結果、凹凸テクスチャ構造の有効性が示されている(非特許文献2、参照)。   In addition, in order to increase the conversion efficiency of amorphous Si, as a result of simulating the case where the surface of the amorphous Si layer has a concavo-convex texture structure on each of the back and earning the optical path length, the effectiveness of the concavo-convex texture structure is demonstrated. Is shown (see Non-Patent Document 2).

現在のところ、凹凸テクスチャ構造は、ガラス基板上に透明電極として、SnO又はZnOをCVD又はスパッタリングで作製後、酸によるウエットエッチングで得ているものが主流である。 At present, the mainstream of the uneven texture structure is obtained by wet etching with acid after producing SnO 2 or ZnO as a transparent electrode on a glass substrate by CVD or sputtering.

しかしながら、軽量化・フレキシビリティ・耐熱性等の観点から金属箔基板の採用を考えた場合、SnOやZnOの酸によるウエットエッチングプロセスでは、金属自体の腐食が問題になるため、凹凸テクスチャ構造を作ることができなかった。 However, when considering the use of a metal foil substrate from the viewpoint of weight reduction, flexibility, heat resistance, etc., the wet etching process with SnO 2 or ZnO acid causes a problem of corrosion of the metal itself. I couldn't make it.

裏面電極として、Al等の金属を凹凸テクスチャ構造を有する形に成膜することも考えられるが、現実には、光閉じ込め効果が発現するようなサブミクロンレベルでAl等を成膜する技術は、確立していない。   Although it is conceivable to form a metal such as Al in a shape having an uneven texture structure as the back electrode, in reality, the technique of depositing Al or the like at a submicron level that exhibits a light confinement effect is Not established.

特願2002−43362号公報Japanese Patent Application No. 2002-43362 特開2001−127323号公報JP 2001-127323 A

K.Yamamoto,et al., IEEE Trans.Elect. Devices, Vol. 46, p.2041 (1999)K. Yamamoto, et al. , IEEE Trans. Elect. Devices, Vol. 46, p. 2041 (1999) 太陽光発電技術研究組合監修、薄膜太陽電池の基礎と応用、p. 82〜91、オーム社 (2001)Supervised by the Photovoltaic Technology Research Association, Basics and Applications of Thin Film Solar Cells, p. 82-91, Ohmsha (2001)

本発明は、1MΩ・cmオーダー以上の絶縁性、熱安定性、及び、薄膜太陽電池として凹凸テクスチャ構造を有する裏面反射層が作製可能な、シリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔を提供するものである。 The present invention provides a stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film capable of producing a back reflective layer having an uneven texture structure as a thin film solar cell, with an insulation property of 1 MΩ · cm 2 order or more and thermal stability. To do.

本発明は、上記目的を達成するために以下のような手段を用いる。   In order to achieve the above object, the present invention uses the following means.

(1) 太陽電池用の絶縁基板とする、シロキサン結合を主体とするシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔であって、上記シリカ系無機ポリマー膜を構成するSiの少なくとも一部が、有機基又は水素の一方又は双方と化学結合しており、上記シリカ系無機ポリマー膜の表面にシリカ系無機ポリマー形成過程の相分離よる凹凸構造を有し、前記凹凸構造が表面粗さRaで0.1μm以上0.8μm以下であることを特徴とするシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。 (1) A stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film mainly composed of siloxane bonds, which is an insulating substrate for a solar cell, wherein at least a part of Si constituting the silica-based inorganic polymer film is organic are chemically bonded to one or both of the group or hydrogen, it has an uneven structure due to phase separation of the silica-based inorganic polymer formation process on the surface of the silica-based inorganic polymer film, the uneven structure in the surface roughness Ra 0 A stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film, characterized by being 1 μm or more and 0.8 μm or less.

(2) 前記シリカ系無機ポリマー膜の表面粗さRmaxが3μm以下である(1)に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。   (2) The stainless steel foil coat | covered with the silica type inorganic polymer film as described in (1) whose surface roughness Rmax of the said silica type inorganic polymer film is 3 micrometers or less.

(3) 前記シリカ系無機ポリマー膜の膜厚が0.6μm以上40μm以下であり、かつ、前記ステンレス箔の厚さが40μm以上200μm以下である(1)又は(2)に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。   (3) The silica-based inorganic film according to (1) or (2), wherein the thickness of the silica-based inorganic polymer film is 0.6 μm or more and 40 μm or less, and the thickness of the stainless steel foil is 40 μm or more and 200 μm or less. Stainless steel foil coated with polymer film.

(4) 前記シリカ系無機ポリマー膜を構成するSiについて、全Siに対するD核であるSiのモル比が0.3以上であり、かつ、Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wから選ばれる1種類以上の金属元素又はQ核のSiの一方又は双方をこれらの総和が全Siに対するモル比として0.025以上0.25以下含むことを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。   (4) About Si which comprises the said silica type inorganic polymer film, the molar ratio of Si which is D nucleus with respect to all Si is 0.3 or more, and it is chosen from Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W Any one of (1) to (3) characterized in that one or both of one or more kinds of metal elements or Si of Q nuclei includes 0.025 or more and 0.25 or less as a molar ratio with respect to total Si. A stainless steel foil coated with the silica-based inorganic polymer film described in 1.

(5) 前記シリカ系無機ポリマー膜のSiと化学結合している有機基がメチル基であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。
(6) 前記凹凸構造が、ラメラ状の凹凸構造であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。
(5) The silica-based inorganic polymer film is coated with the silica-based inorganic polymer film according to any one of (1) to (4), wherein the organic group chemically bonded to Si of the silica-based inorganic polymer film is a methyl group. Stainless steel foil.
(6) The stainless steel foil coated with the silica-based inorganic polymer film according to any one of claims 1 to 5, wherein the uneven structure is a lamellar uneven structure.

(7) 基板が、(1)〜(6)のいずれかに記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔であることを特徴とするシリコン薄膜太陽電池。   (7) A silicon thin film solar cell, wherein the substrate is a stainless steel foil coated with the silica-based inorganic polymer film according to any one of (1) to (6).

本発明によれば、表面に凹凸構造を有するシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔が得られ、太陽電池をはじめ各種電気・電子部品用に軽量で可とう性を備えた絶縁基板を提供することができる。   According to the present invention, a stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film having a concavo-convex structure on its surface is obtained, and a lightweight and flexible insulating substrate is provided for various electric and electronic parts including solar cells. can do.

本発明のステンレス箔は、特に、薄膜太陽電池基板として用いた場合、凹凸構造を有する裏面反射層が得られるので光路長を稼ぐことができ、太陽電池の変換効率を向上させることができる。   Especially when the stainless steel foil of the present invention is used as a thin film solar cell substrate, a back surface reflection layer having a concavo-convex structure can be obtained, so that the optical path length can be increased and the conversion efficiency of the solar cell can be improved.

本発明の凹凸構造を有するシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔の表面SEM写真(10000倍)を示す図である。It is a figure which shows the surface SEM photograph (10000 time) of the stainless steel foil coat | covered with the silica type inorganic polymer film | membrane which has the uneven structure of this invention.

無機ポリマーは、M(金属又は半金属)−O(酸素)−Mの無機結合で主骨格が構成されているポリマーである。特に、MがSiの場合は、シロキサン結合と呼ばれる。Siの4つの結合手の内のすべてがSi−O−Si結合でつながっている場合は、SiOガラスになる。SiOガラスは硬く、クラックが入りやすい。 An inorganic polymer is a polymer in which the main skeleton is composed of inorganic bonds of M (metal or metalloid) -O (oxygen) -M. In particular, when M is Si, it is called a siloxane bond. When all of the four bond hands of Si are connected by a Si—O—Si bond, it becomes SiO 2 glass. SiO 2 glass is hard and easily cracked.

一般に、ステンレス箔表面の表面粗さはRa=0.03〜0.6μm、Rmax=0.35〜5.0μmであるため、ある程度の膜厚がなければ絶縁性を維持することができない。スパッタ法、CVD法、ゾルゲル法等のいずれの成膜方法においても、クラックがなく、1μm近い厚さのSiO膜を成膜することは困難である。 In general, the surface roughness of the stainless steel foil surface is Ra = 0.03 to 0.6 μm and Rmax = 0.35 to 5.0 μm. Therefore, insulation cannot be maintained without a certain film thickness. In any film formation method such as sputtering, CVD, or sol-gel, it is difficult to form a SiO 2 film having no cracks and a thickness of nearly 1 μm.

SiOガラスの硬さを緩和するために、Si−R(Rは有機基又は水素)結合を導入したシロキサン結合を主体とする無機ポリマー膜にすると、膜に柔軟性が付与されるので、厚膜にしてもクラックが入りにくくなり、1MΩ・cm程度の絶縁抵抗値が得られる膜になる。 In order to reduce the hardness of the SiO 2 glass, when an inorganic polymer film mainly composed of siloxane bonds into which Si—R (R is an organic group or hydrogen) bond is used, flexibility is imparted to the film. Even if it is a film, cracks are less likely to occur, and an insulation resistance value of about 1 MΩ · cm 2 can be obtained.

Siは、Cと同様に、Si−CH、Si−C、Si−Hのように、Siが直接、有機基やHと化学結合することができる。Siの4つの結合手の内、2個がSi−R(Rは有機基又はH)結合を形成し、残りの2個がSi−O−Si結合になっているSi、即ち、RSi(−O−Si)をD核、1個がSi−R(Rは有機基又はH)結合を形成し、残りの3個がSi−O−Si結合になっているSi、即ち、RSi(−O−Si)をT核、4つの結合手の内のすべてがSi−O−Si結合でつながっているSi(−O−Si)の場合をQ核という。 Si, like C, can be directly chemically bonded to an organic group or H like Si—CH 3 , Si—C 6 H 5 , and Si—H. Of the four bonds of Si, two of them form Si—R (R is an organic group or H) bond, and the remaining two are Si—O—Si bonds, that is, R 2 Si (— O—Si) 2 is a D nucleus, one Si—R (R is an organic group or H) bond, and the remaining three are Si—O—Si bonds, that is, RSi (− O—Si) 3 is referred to as a T nucleus, and the case of Si (—O—Si) 4 in which all of the four bonds are connected by Si—O—Si bonds is referred to as a Q nucleus.

これらの核種については、NMRで調べることができる。Rの種類が同じ場合、シロキサン骨格がD核からなるときが最も疎水性である。Rが結合していないQ核からなるときが、最も親水性であり、T核はこれらの中間に位置する。   These nuclides can be examined by NMR. When the types of R are the same, it is most hydrophobic when the siloxane skeleton consists of D nuclei. When R consists of unbonded Q nuclei, it is the most hydrophilic, and the T nuclei are located between these.

発明者らは、ゾルゲル法においてはこれらの核種が混合しているゾルを塗布し、特定の条件で熱処理をすると相分離が生じ、その結果として、表面にサブミクロンの凹凸構造が現れることを見出した。   The inventors have found that in the sol-gel method, when a sol in which these nuclides are mixed is applied and heat-treated under specific conditions, phase separation occurs, and as a result, a submicron uneven structure appears on the surface. It was.

親水性のシロキサン骨格の前駆体と疎水性のシロキサン骨格の前駆体が共存しているとき、アルコール等の共通の良溶媒が一定量以上存在すると、両者とも溶け合って透明なゾルが得られるが、塗布後、溶媒が蒸発するにつれて不混和となり、エマルジョン状態の相分離が生じ、それが乾燥して表面が凹凸になると考えられる。   When a precursor of a hydrophilic siloxane skeleton and a precursor of a hydrophobic siloxane skeleton coexist, if a common good solvent such as alcohol is present in a certain amount or more, both of them are dissolved and a transparent sol is obtained. It is thought that after application, the solvent becomes immiscible as the solvent evaporates, resulting in phase separation in the emulsion state, which dries and the surface becomes uneven.

例えば、ポリジメチルシロキサンとTiのアルコキシドから合成したゾルの場合、Tiによってポリジメチルシロキサンが三次元的に架橋された網目構造の物質が得られるが、120℃の熱処理を12時間行うと、図1に示したように、架橋成分であるTiの多い親水性の凸部分と、ポリジメチルシロキサンが多い疎水性の凹部分に分離した状態が得られる。   For example, in the case of a sol synthesized from polydimethylsiloxane and an alkoxide of Ti, a substance having a network structure in which polydimethylsiloxane is three-dimensionally cross-linked by Ti is obtained. When heat treatment at 120 ° C. is performed for 12 hours, FIG. As shown in (1), a state in which a hydrophilic convex portion rich in Ti as a crosslinking component and a hydrophobic concave portion rich in polydimethylsiloxane are separated.

Tiの量、ポリジメチルシロキサンの分子量によって、ラメラ状の凹凸構造が得られる場合もあれば、アイランド状に凸部が分布する構造になる場合もある。   Depending on the amount of Ti and the molecular weight of polydimethylsiloxane, a lamellar uneven structure may be obtained or a structure in which convex portions are distributed in an island shape may be obtained.

共通の良溶媒を用いることにより、透明ゾルが作製できるので、ゾルの段階ではレイリー散乱が生じないレベル、即ち、数十nm以上の粒子や液滴は存在しないと推定できる。したがって、溶媒の蒸発を早くするような熱処理を行うと、ゾルと同一レベルの均質性が保たれるので、平滑表面となる。   By using a common good solvent, a transparent sol can be prepared, and it can be estimated that there are no particles or droplets of several tens of nm or more at the level where Rayleigh scattering does not occur at the sol stage. Therefore, when heat treatment is performed to accelerate the evaporation of the solvent, the same level of homogeneity as the sol is maintained, so that a smooth surface is obtained.

表面の凹凸構造は、凹凸をより強調するためにエッチング処理を施してもよい。無機成分としてSi以外の金属元素を含む膜の場合、アルカリでエッチングすることにより、シロキサン骨格が選択的にエッチングされる。   The concavo-convex structure on the surface may be subjected to an etching process in order to emphasize the concavo-convex structure. In the case of a film containing a metal element other than Si as an inorganic component, the siloxane skeleton is selectively etched by etching with an alkali.

ポリジメチルシロキサンとTiアルコキシドから得られる膜の場合、水酸化ナトリウム水溶液でエッチングすることにより、凹部のシロキサンポリマーがエッチングされ、Tiの多い凸部をより強調することができる。   In the case of a film obtained from polydimethylsiloxane and Ti alkoxide, by etching with an aqueous sodium hydroxide solution, the siloxane polymer in the recesses is etched, and the protrusions with much Ti can be emphasized more.

シリカ系無機ポリマー膜の表面粗さは、中心線平均粗さRaが0.1μm以上0.8μm以下であり、かつ、最大高さRmaxが3μm以下であることが望ましい。Raが0.1μmより小さい場合は、無機ポリマー膜上につけた裏面反射層に十分な凹凸テクスチャ構造が得られ難いため、光路長を稼いで太陽電池の変換効率を上げることが難しくなる。   The surface roughness of the silica-based inorganic polymer film is preferably such that the center line average roughness Ra is 0.1 μm or more and 0.8 μm or less, and the maximum height Rmax is 3 μm or less. When Ra is smaller than 0.1 μm, it is difficult to obtain a sufficient uneven texture structure for the back reflective layer provided on the inorganic polymer film, so it is difficult to increase the optical path length and increase the conversion efficiency of the solar cell.

Raが0.8μmを超える場合、及び、Rmaxが3μmを超える場合は、無機ポリマー膜上に薄膜太陽電池を積層するときにデラミネーションが発生しやすくなる。より好ましくは、Raが0.3μm以上0.6μm以下、かつ、Rmaxが1.5μm以下である。   When Ra exceeds 0.8 μm and Rmax exceeds 3 μm, delamination tends to occur when a thin-film solar cell is stacked on the inorganic polymer film. More preferably, Ra is 0.3 μm or more and 0.6 μm or less, and Rmax is 1.5 μm or less.

シリカ系無機ポリマー膜の膜厚は、0.6μm以上40μm以下であり、かつ、ステンレス箔の厚さが40μm以上200μm以下であることが望ましい。0.6μmより薄い膜をステンレス箔上に形成した場合は、十分な絶縁性が得られにくい。   The film thickness of the silica-based inorganic polymer film is desirably 0.6 μm or more and 40 μm or less, and the thickness of the stainless steel foil is desirably 40 μm or more and 200 μm or less. When a film thinner than 0.6 μm is formed on the stainless steel foil, it is difficult to obtain sufficient insulation.

40μmより厚い膜を形成した場合は、有機成分を含んでいても、無機ポリマー膜にクラックが入り易い。より好ましい膜厚の範囲は、1.5μm以上5μm以下である。   When a film thicker than 40 μm is formed, the inorganic polymer film is easily cracked even if it contains an organic component. A more preferable range of the film thickness is 1.5 μm or more and 5 μm or less.

ステンレス箔の厚さが40μmより薄い場合は、強度がなく、基板としてのハンドリングが難しい。ステンレス箔の厚さが200μmを超える場合は、軽量で柔軟性があるというガラス基板に対する優位性が小さくなる。   When the thickness of the stainless steel foil is less than 40 μm, there is no strength and handling as a substrate is difficult. When the thickness of the stainless steel foil exceeds 200 μm, the advantage over the glass substrate that it is lightweight and flexible is reduced.

全Siに対するD核であるSiのモル比は0.3以上であり、かつ、Al、Ti、Zr、Nb、Wから選ばれる1種類以上の金属元素又はQ核のSiの一方又は双方を、これらの総和が全Siに対するモル比として0.025以上0.25以下含むことが望ましい。   The molar ratio of Si that is D nuclei to all Si is 0.3 or more, and one or both of one or more metal elements selected from Al, Ti, Zr, Nb, and W or Si of Q nuclei, It is desirable that the sum of these be included in the range of 0.025 or more and 0.25 or less as a molar ratio to the total Si.

全Siに対するD核であるSiのモル比が0.3より小さい場合は、硬い膜組成になるため厚膜化が難しい。D核であるSiは疎水性が高いので、全Siに対するD核であるSiのモル比が0.8以上であるとき厚膜化が容易になるだけでなく、層分離も促進されるため特に好ましい。   When the molar ratio of Si as D nuclei to all Si is smaller than 0.3, it is difficult to increase the film thickness because of the hard film composition. Since Si as the D nucleus is highly hydrophobic, not only is the film thickness easy when the molar ratio of Si as the D nucleus to the total Si is 0.8 or more, but layer separation is also promoted. preferable.

Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wから選ばれる1種類以上の金属元素又はQ核のSiの一方又は双方を含むことにより、親水性の前駆体を形成することが容易になり、相分離を起こしやすくなる。   By including one or both of one or more metal elements selected from Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W or Si of Q nucleus, it becomes easy to form a hydrophilic precursor, and phase separation It becomes easy to cause.

Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wから選ばれる1種類以上の金属元素又はQ核のSiの一方又は双方の全Siに対するモル比が0.025より小さい場合は、相分離を起こす効果が小さい。このモル比が0.25を超える場合は、膜が硬くなり過ぎて、クラックが入り易くなる。   When the molar ratio of one or both of one or both of metal elements selected from Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W or Q nucleus to all Si is smaller than 0.025, the effect of causing phase separation is obtained. small. When this molar ratio exceeds 0.25, the film becomes too hard and cracks are likely to occur.

Siと直接結合する有機基は、耐熱性が高く、脱ガスが少ないという観点から、メチル基であることが、特に望ましい。   The organic group directly bonded to Si is particularly preferably a methyl group from the viewpoint of high heat resistance and low degassing.

本発明のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔は、ポリシロキサンとSi、Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wから選ばれる1種類以上の金属アルコキシドを出発原料として、加水分解して調製したゾルをステンレス箔に塗布し、乾燥・ゲル化させることにより作製することができる。   The stainless steel foil coated with the silica-based inorganic polymer film of the present invention is hydrolyzed using polysiloxane and one or more metal alkoxides selected from Si, Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W as starting materials. The prepared sol can be applied to a stainless steel foil, dried and gelled.

ポリシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン等が挙げられる。ポリシロキサンの両末端は、シラノール基の他、カルビノール変性、アミノ変性等でもよい。特に、ポリジメチルシロキサンを用いた場合は、耐熱性と耐クラック性に優れる。   Examples of the polysiloxane include polydimethylsiloxane, polymethylphenylsiloxane, and polydiphenylsiloxane. Both ends of the polysiloxane may be modified with carbinol or amino, in addition to a silanol group. In particular, when polydimethylsiloxane is used, it is excellent in heat resistance and crack resistance.

ポリシロキサンの質量平均分子量は、500以上15000以下であることが望ましい。質量平均分子量が500より小さい場合は、表面凹凸構造が得られ難く、15000を超える場合は、膜硬化に時間がかかる上、得られる膜も柔らかく傷つき易い。   The mass average molecular weight of the polysiloxane is desirably 500 or more and 15000 or less. When the mass average molecular weight is less than 500, it is difficult to obtain a surface uneven structure, and when it exceeds 15000, it takes time to cure the film, and the resulting film is also soft and easily damaged.

ポリジメチルシロキサン中のSiに対するSi、Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wから選ばれる1種類以上の金属アルコキシドのモル比が、1/40以上1/4以下であるように有機溶媒中に分散させてから、加水分解させることが特に望ましい。   In an organic solvent, the molar ratio of one or more metal alkoxides selected from Si, Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W to Si in polydimethylsiloxane is 1/40 or more and 1/4 or less. It is particularly desirable to disperse and then hydrolyze.

ポリジメチルシロキサン中のSiに対する金属アルコキシドのモル比が1/40より小さい場合は、三次元網目構造が発達し難いため、膜の硬化が不十分になり易い。このモル比が1/4を超える場合は、膜が硬くなり過ぎるため、クラックが入り易い。   When the molar ratio of the metal alkoxide to Si in the polydimethylsiloxane is less than 1/40, the three-dimensional network structure is difficult to develop and the film is likely to be insufficiently cured. If this molar ratio exceeds 1/4, the film becomes too hard and cracks are likely to occur.

Siのアルコキシドとしては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシランの他に、オルガノアルコキシシランを用いることができる。オルガノアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキヒシラン等が挙げられる。   As the Si alkoxide, organoalkoxysilane can be used in addition to tetraethoxysilane and tetramethoxysilane. Examples of the organoalkoxysilane include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, isobutyltriethoxysilane, dimethoxydimethylsilane, Diethoxydimethylsilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltriethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane And aminopropyltriethoxysilane.

Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wの金属アルコキシドは、いずれも、アルコキシシランに比べて反応性が高いため、アルコキシ基の一部をβ−ジケトン、β−ケトエステル、アルカノールアミン、アルキルアルカノールアミン、有機酸等で置換したアルコキシド誘導体を使用してもよい。   Since all metal alkoxides of Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W are more reactive than alkoxysilane, some alkoxy groups are β-diketone, β-ketoester, alkanolamine, alkylalkanolamine. Alternatively, an alkoxide derivative substituted with an organic acid or the like may be used.

前述したアルコキシド、ポリシロキサン等の膜固形分を生成するための出発原料を均一に分散、溶解できる有機溶媒中で、加水分解を行い、ゾルを調製することができる。有機溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の各種アルコール、アセトン、トルエン、キシレン等を用いることができる。   A sol can be prepared by performing hydrolysis in an organic solvent capable of uniformly dispersing and dissolving the starting material for producing the above-described film solids such as alkoxide and polysiloxane. As the organic solvent, for example, various alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, acetone, toluene, xylene and the like can be used.

親水性・疎水性の程度の異なる原料を溶かす有機溶媒の質量は、加水分解時に副生成物として生じるアルコールの量も含めて、固形分質量の2割以上であることが望ましい。溶媒の量が少ないと、加水分解終了時点でエマルジョン状のゾルになり、成膜時にハジキ・ピンホール等の欠陥が入り易くなる。   The mass of the organic solvent that dissolves the raw materials having different hydrophilicity and hydrophobicity is preferably 20% or more of the solid content mass including the amount of alcohol generated as a by-product during hydrolysis. When the amount of the solvent is small, it becomes an emulsion-like sol at the end of hydrolysis, and defects such as repellency and pinholes are likely to occur during film formation.

加水分解は、出発原料中の全アルコキシ基のモル数に対して0.5〜2倍の水を添加して行う。必要に応じて、加水分解の触媒として酸を添加してもよい。酸としては、無機酸、有機酸とも使用可能である。調製したゾルには、サブミクロン以下の粒径のフュームドシリカ等の無機粒子を添加することにより、粒子形状を利用した凹凸を作ることもできる。   Hydrolysis is performed by adding 0.5 to 2 times as much water as the number of moles of all alkoxy groups in the starting material. If necessary, an acid may be added as a hydrolysis catalyst. As the acid, both inorganic acids and organic acids can be used. The prepared sol can be made uneven by utilizing the particle shape by adding inorganic particles such as fumed silica having a particle size of submicron or less.

乾燥・ゲル化は、塗布した基板上でゾルが共通良溶媒の蒸発によりエマルジョン状態を生じさせるような条件、一般には、70℃以上200℃以下で行うことが特に望ましい。乾燥・ゲル化温度が70℃より低い場合は、膜硬化に時間がかかる。200℃を超える場合は、ゾルの段階での均質性が保たれたまま、瞬時に溶媒が蒸発するため、相分離が起こらず平滑面になり易い。   It is particularly desirable that the drying and gelation be performed under conditions such that the sol forms an emulsion state by evaporation of the common good solvent on the coated substrate, generally 70 ° C. or more and 200 ° C. or less. When the drying / gelation temperature is lower than 70 ° C., it takes time to cure the film. When the temperature exceeds 200 ° C., the solvent evaporates instantaneously while maintaining the homogeneity at the sol stage, so that phase separation does not occur and a smooth surface tends to be obtained.

ステンレス箔へのコーティングは、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スピンコート法等で行うことができる。特に、ステンレス箔がコイル形状の場合は、オフセット方式又はグラビア方式によるロールコータで塗布することが、連続処理が容易で、好ましい。   Coating on the stainless steel foil can be performed by a bar coating method, a roll coating method, a spray coating method, a dip coating method, a spin coating method, or the like. In particular, when the stainless steel foil has a coil shape, it is preferable to apply with a roll coater by an offset method or a gravure method because continuous processing is easy.

ステンレス箔に対して、特に前処理を行わなくても良好な密着性を示すが、必要に応じて、塗布前に前処理を行うこともできる。代表的な前処理としては、酸洗、アルカリ脱脂、クロメート等の化成処理、研削、研磨、ブラスト処理等があり、必要に応じて、これらを単独もしくは組み合わせて行うことができる。   The stainless steel foil exhibits good adhesion without any pretreatment, but it can be pretreated before application, if necessary. Typical pretreatments include pickling, alkali degreasing, chemical conversion treatment such as chromate, grinding, polishing, blasting, and the like, and these can be performed alone or in combination as necessary.

ステンレス箔材としては、フェライト系ステンレス箔、マルテンサイト系ステンレス箔、オーステナイト系ステンレス箔等が挙げられる。ステンレス箔の表面は、ブライトアニール、バフ研磨等の表面処理を施してあってもよい。   Examples of the stainless steel foil material include ferritic stainless steel foil, martensitic stainless steel foil, and austenitic stainless steel foil. The surface of the stainless steel foil may be subjected to a surface treatment such as bright annealing or buffing.

本発明のシリカ系膜で被覆されたステンレス箔を、以下の実施例によって具体的に説明する。   The stainless steel foil coated with the silica-based film of the present invention will be specifically described by the following examples.

(実施例1)
アセト酢酸エチル2モルとテトラエトキシチタン1モルを2モルのエタノールに分散させ、両末端カルビノール変性で平均分子量3000のポリジメチルシロキサン0.5モル加え、攪拌した。2モルのエタノールと2モルの水の混合溶液を滴下し、ゾルを調製した。
Example 1
2 mol of ethyl acetoacetate and 1 mol of tetraethoxytitanium were dispersed in 2 mol of ethanol, 0.5 mol of polydimethylsiloxane having an average molecular weight of 3000 was modified by both-end carbinol modification, and the mixture was stirred. A mixed solution of 2 mol of ethanol and 2 mol of water was added dropwise to prepare a sol.

厚さ100μmのSUS430の基板の上に、番手16番のバーコータで塗布し、150℃で24時間乾燥・ゲル化させた後、200℃4時間の膜硬化のための熱処理を真空中で行った。膜表面は、サブミクロンレベルのラメラ状の凹凸構造を示した。Raは0.4μm、Rmaxは1.5μm、膜厚は2.5μmであった。   A SUS430 substrate having a thickness of 100 μm was coated with a number 16 bar coater, dried and gelled at 150 ° C. for 24 hours, and then heat-treated for film curing at 200 ° C. for 4 hours in vacuum. . The surface of the film showed a submicron level lamellar uneven structure. Ra was 0.4 μm, Rmax was 1.5 μm, and the film thickness was 2.5 μm.

1cmの上部電極をつけて印加電圧100Vで絶縁抵抗を測定したところ、80MΩ・cmであり、サブミクロンレベルの凹凸構造を有する絶縁膜で被覆されたステンレス箔が得られた。 When an insulation resistance was measured at an applied voltage of 100 V with a 1 cm 2 upper electrode attached, a stainless steel foil of 80 MΩ · cm 2 and coated with an insulating film having a submicron level uneven structure was obtained.

この上に、Al電極、n型シリコン層、活性層となるSi層、p型シリコン層、ITO膜を順次積層し、最後に、くし型電極を形成した薄膜微結晶シリコンセルの変換効率は、プラズマCVD法で作製した凹凸のないSiO絶縁膜で被覆されたステンレス箔に、同様のプロセスで作製したシリコンセルの変換効率より高かった。 On top of this, an Al electrode, an n-type silicon layer, an Si layer as an active layer, a p-type silicon layer, an ITO film are sequentially laminated, and finally, the conversion efficiency of the thin-film microcrystalline silicon cell in which the comb-type electrode is formed is It was higher than the conversion efficiency of a silicon cell produced by a similar process on a stainless steel foil coated with an uneven SiO 2 insulating film produced by plasma CVD.

(実施例2)
アセト酢酸エチル2モルとテトラブトキシジルコニウム1モルを2モルの2−エトキシエタノールに分散させ、両末端カルビノール変性で平均分子量1500のポリメチルフェニルシロキサン2モルを加え、攪拌した。2モルの2−エトキシエタノールと2モルの水の混合溶液を滴下し、ゾルを調製した。
(Example 2)
2 moles of ethyl acetoacetate and 1 mole of tetrabutoxyzirconium were dispersed in 2 moles of 2-ethoxyethanol, and 2 moles of polymethylphenylsiloxane having an average molecular weight of 1500 was added to both ends by carbinol modification and stirred. A mixed solution of 2 mol of 2-ethoxyethanol and 2 mol of water was dropped to prepare a sol.

厚さ70μmのSUS304の基板を用い、基板引き上げ速度0.6mm/secのディップコータで塗布した。120℃で24時間乾燥・ゲル化させた後、200℃3時間の膜硬化のための熱処理を大気中で行った。膜表面は、サブミクロンレベルの凹凸構造を示した。Raは0.2μm、Rmaxは1μm、膜厚は1.7μmであった。   A SUS304 substrate having a thickness of 70 μm was used, and coating was performed with a dip coater having a substrate pulling rate of 0.6 mm / sec. After drying and gelling at 120 ° C. for 24 hours, heat treatment for film curing at 200 ° C. for 3 hours was performed in the air. The film surface showed a submicron level uneven structure. Ra was 0.2 μm, Rmax was 1 μm, and the film thickness was 1.7 μm.

1cmの上部電極をつけて印加電圧100Vで絶縁抵抗を測定したところ、10MΩ・cmであり、サブミクロンレベルの凹凸構造を有する絶縁膜で被覆されたステンレス箔が得られた。 It was measured insulation resistance at an applied voltage of 100V with a top electrode of 1 cm 2, a 10MΩ · cm 2, stainless steel foil coated with an insulating film having a submicron level in the rugged structure is obtained.

このステンレス箔を用いて実施例1と同様に作製した太陽電池セルの変換効率は、実施例1に示した凹凸構造がない絶縁膜で被覆されたステンレス箔上に作製したものより、高かった。   The conversion efficiency of the solar battery cell produced using this stainless steel foil in the same manner as in Example 1 was higher than that produced on the stainless steel foil coated with the insulating film having no uneven structure shown in Example 1.

(実施例3)
テトラメトキシシラン1モルを3モルの2−エトキシエタノールに分散させ、両末端シラノールで平均分子量6000のポリジフェニルシロキサン1モルを加え攪拌した。3モルの2−エトキシエタノールと2モルの水の混合溶液を滴下し、ゾルを調製した。
(Example 3)
1 mol of tetramethoxysilane was dispersed in 3 mol of 2-ethoxyethanol, and 1 mol of polydiphenylsiloxane having an average molecular weight of 6000 was added to both ends silanol and stirred. A mixed solution of 3 mol of 2-ethoxyethanol and 2 mol of water was dropped to prepare a sol.

厚さ70μmのSUS304の基板を用い、番手7番のバーコータで塗布し、100℃で24時間乾燥・ゲル化させた後、250℃1時間の膜硬化のための熱処理を真空中で行った。膜表面はサブミクロンレベルの凹凸構造を示した。Raは0.3μm、Rmaxは1μm、膜厚は1.5μmであった。   Using a 70 μm thick SUS304 substrate, it was applied with a No. 7 bar coater, dried and gelled at 100 ° C. for 24 hours, and then subjected to heat treatment for film hardening at 250 ° C. for 1 hour in a vacuum. The film surface showed a submicron level uneven structure. Ra was 0.3 μm, Rmax was 1 μm, and the film thickness was 1.5 μm.

1cmの上部電極をつけて印加電圧100Vで絶縁抵抗を測定したところ、10MΩ・cmであり、サブミクロンレベルの凹凸構造を有する絶縁膜で被覆されたステンレス箔が得られた。 It was measured insulation resistance at an applied voltage of 100V with a top electrode of 1 cm 2, a 10MΩ · cm 2, stainless steel foil coated with an insulating film having a submicron level in the rugged structure is obtained.

このステンレス箔を用いて実施例1と同様に作製した太陽電池セルの変換効率は、実施例1に示した凹凸構造がない絶縁膜で被覆されたステンレス箔上に作製したものより、高かった。   The conversion efficiency of the solar battery cell produced using this stainless steel foil in the same manner as in Example 1 was higher than that produced on the stainless steel foil coated with the insulating film having no uneven structure shown in Example 1.

(比較例1)
アセト酢酸エチル2モルとテトラエトキシチタン1モルを4モルのエタノールに分散させ、テトラメトキシシラン10モルを加え、攪拌した。4モルのエタノールと2モルの水の混合用液を滴下し、透明溶液を得た。厚さ70μmのSUS304の基板を用い、基板引き上げ速度0.6mm/secのディップコータで塗布した。120℃で24時間乾燥・ゲル化させた後、200℃3時間の膜硬化のための熱処理を大気中で行った。膜厚は0.6μmであった。
(Comparative Example 1)
2 mol of ethyl acetoacetate and 1 mol of tetraethoxytitanium were dispersed in 4 mol of ethanol, and 10 mol of tetramethoxysilane was added and stirred. A liquid for mixing 4 mol of ethanol and 2 mol of water was added dropwise to obtain a transparent solution. A SUS304 substrate having a thickness of 70 μm was used, and coating was performed with a dip coater having a substrate pulling rate of 0.6 mm / sec. After drying and gelling at 120 ° C. for 24 hours, heat treatment for film curing at 200 ° C. for 3 hours was performed in the air. The film thickness was 0.6 μm.

1cmの上部電極をつけて印加電圧100Vで絶縁抵抗を測定したところ、1MΩ・cmの絶縁抵抗であった。SEM観察の結果、膜表面は平滑で、Raは0.02μm以下であった。 When the insulation resistance was measured at an applied voltage of 100 V with the 1 cm 2 upper electrode attached, the insulation resistance was 1 MΩ · cm 2 . As a result of SEM observation, the film surface was smooth and Ra was 0.02 μm or less.

このステンレス箔を用いて実施例1と同様に作製した太陽電池セルの変換効率は、実施例1に示した凹凸構造がない絶縁膜で被覆されたステンレス箔上に作製したものと同等であった。   The conversion efficiency of the solar battery cell produced in the same manner as in Example 1 using this stainless steel foil was equivalent to that produced on the stainless steel foil coated with the insulating film having no uneven structure shown in Example 1. .

Claims (7)

太陽電池用の絶縁基板とする、シロキサン結合を主体とするシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔であって、上記シリカ系無機ポリマー膜を構成するSiの少なくとも一部が、有機基又は水素の一方又は双方と化学結合しており、上記シリカ系無機ポリマー膜の表面にシリカ系無機ポリマー形成過程の相分離よる凹凸構造を有し、前記凹凸構造が表面粗さRaで0.1μm以上0.8μm以下であることを特徴とするシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。 A stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film mainly composed of siloxane bonds as an insulating substrate for a solar cell, wherein at least part of Si constituting the silica-based inorganic polymer film is an organic group or hydrogen one or both and are chemically bonded, has an uneven structure due to phase separation of the silica-based inorganic polymer formation process on the surface of the silica-based inorganic polymer film, the relief structure 0.1μm or more surface roughness Ra of A stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film, characterized by being 0.8 μm or less. 前記シリカ系無機ポリマー膜の表面粗さRmaxが3μm以下である請求項1に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。   The stainless steel foil coated with the silica-based inorganic polymer film according to claim 1, wherein the silica-based inorganic polymer film has a surface roughness Rmax of 3 μm or less. 前記シリカ系無機ポリマー膜の膜厚が0.6μm以上40μm以下であり、かつ、前記ステンレス箔の厚さが40μm以上200μm以下である請求項1又は2に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。   3. The silica-based inorganic polymer film according to claim 1, wherein the silica-based inorganic polymer film has a thickness of 0.6 μm or more and 40 μm or less, and the stainless steel foil has a thickness of 40 μm or more and 200 μm or less. Stainless steel foil. 前記シリカ系無機ポリマー膜を構成するSiについて、全Siに対するD核であるSiのモル比が0.3以上であり、かつ、Al、Ti、Zr、Nb、Ta、Wから選ばれる1種類以上の金属元素又はQ核のSiの一方又は双方を、これらの総和が全Siに対するモル比として0.025以上0.25以下含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。 About Si which comprises the said silica type inorganic polymer film, the molar ratio of Si which is D nucleus with respect to all Si is 0.3 or more, and 1 or more types chosen from Al, Ti, Zr, Nb, Ta, and W of one or both of Si metal elements or Q nucleus, according to any one of claims 1 to 3, the sum of these is characterized in that it comprises 0.025 to 0.25 as the molar ratio of total Si Stainless steel foil coated with silica-based inorganic polymer film. 前記シリカ系無機ポリマー膜のSiと化学結合している有機基がメチル基であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。 Stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film according to any one of claims 1 to 4, Si chemically bonded to have an organic group of the silica-based inorganic polymer film characterized in that it is a methyl group . 前記凹凸構造が、ラメラ状の凹凸構造であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔。 The relief structure, lamellar stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film according to claim 1, characterized in that an uneven structure. 基板が、請求項1〜6のいずれか1項に記載のシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔であることを特徴とするシリコン薄膜太陽電池。 Substrate, a silicon thin film solar cell which is a stainless steel foil coated with a silica-based inorganic polymer film according to any one of claims 1-6.
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