JP5245697B2 - 多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体 - Google Patents

多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体 Download PDF

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Description

本発明は、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体に関する。
従来から、多孔質アルミニウム酸化物膜等の多孔質金属酸化物膜(多孔質セラミックス膜)は、ガス分離膜、触媒膜、反射防止膜等に広く用いられている。このような多孔質セラミックス膜を作製する方法として、セラミックス原料粉体を焼結し、セラミックスが緻密化する過程で形成される開放気孔をそのまま細孔として利用する方法が知られている(例えば特許文献1参照)。
多孔質アルミニウム酸化物膜の高性能化を図るためには、多孔質アルミニウム酸化物膜がナノメーターサイズの細孔を有していることが望ましいが、上記の方法では、ナノメーターサイズの細孔を再現性良く作製することは困難であった。
一方、ナノメーターサイズの細孔を再現性良く作製する方法が幾つか知られている。例えば非特許文献1においては、ゾル・ゲル法とスピノーダル分解とを組み合わせて、多孔質シリカ膜を作製する方法が開示されている。また、特許文献2においては、気相成長法によって成膜したセラミックス相と金属相からなる複合膜を形成し、金属相をエッチング除去し、膜の一方の表面からもう一方の表面に一次元的に貫通するナノメーターサイズの気孔を有する多孔質セラミックス膜を作製する方法が開示されている。
多孔質アルミニウム酸化物膜の更なる高性能化を図るためには、多孔質アルミニウム酸化物膜がナノメーターサイズの細孔を有し、かつ、その細孔が三次元連結孔であることが望ましい。しかしながら、従来、このような細孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を作製することは困難であった。
特開平7−8729号公報 特開平9−157062号公報 Nakanishi et al., "Ceramic Transactions, Porous Materials", The American Ceramics Society, 51-60 (1992)
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体を提供することを主目的とする。
上記課題を解決するために、本発明においては、基材と、上記基材上に形成され、平均細孔径500nm以下の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜と、を有することを特徴とする積層体を提供する。
本発明によれば、多孔質アルミニウム酸化物膜が、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有するため、種々の部材に有用な積層体とすることができる。
上記発明においては、上記多孔質アルミニウム酸化物膜の平均細孔径が、上記基材側に向かって、膜厚方向に沿って連続的に減少していることが好ましい。より高性能な多孔質アルミニウム酸化物膜とすることができるからである。
また、本発明においては、気相成長法またはスプレー熱分解法により、基材上に、アルミニウム酸化物膜を形成するアルミニウム酸化物膜形成工程と、上記アルミニウム酸化物膜に対して、上記アルミニウム酸化物膜を溶出させる溶出液を接触させることにより、三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を形成する多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法を提供する。
本発明によれば、気相成長法またはスプレー熱分解法により形成されたアルミニウム酸化物膜を、溶出液で溶出することにより、ナノメーターサイズの細孔を再現性良く作製することができる。
上記発明においては、上記多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程の際に、上記アルミニウム酸化物膜を上記溶出液に浸漬させることが好ましい。多孔質アルミニウム酸化物膜の平均細孔径等を、水平方向で均一にすることができるからである。
上記発明においては、上記溶出液が、水であることが好ましい。より効果的に、アルミニウム酸化物膜を溶出させることができるからである。
本発明においては、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体を得ることができるという効果を奏する。
以下、本発明の積層体およびその製造方法について、詳細に説明する。
A.積層体
まず、本発明の積層体について説明する。本発明の積層体は、基材と、上記基材上に形成され、平均細孔径500nm以下の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜と、を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、多孔質アルミニウム酸化物膜が、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有するため、種々の部材に有用な積層体とすることができる。例えば、多孔質アルミニウム酸化物膜を、ガス分離膜、触媒膜、反射防止膜等として用いる場合に、各部材の高性能化を図ることができる。
なお、本発明における「多孔質アルミニウム酸化物」とは、少なくともアルミニウム元素および酸素元素を有する多孔質化合物をいう。また、本発明において、アルミニウム元素および酸素元素のみから構成される多孔質アルミニウム酸化物を多孔質酸化アルミニウムと称し、多孔質酸化アルミニウムからなる膜を多孔質酸化アルミニウム膜と称する場合がある。
次に、本発明の積層体について図面を用いて説明する。図1は、本発明の積層体の一例を示す概略断面図である。図1に示される積層体は、基材1と、基材1上に形成され、ナノメーターサイズの平均細孔径の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜2と、有するものである。
以下、本発明の積層体について、構成ごとに説明する。
1.多孔質アルミニウム酸化物膜
まず、本発明における多孔質アルミニウム酸化物膜について説明する。本発明における多孔質アルミニウム酸化物膜は、基材上に形成され、平均細孔径500nm以下の三次元連結孔を有するものである。中でも、本発明においては、上記平均細孔径が、300nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがより好ましい。ここで、多孔質アルミニウム酸化物膜の平均細孔径は、多孔質アルミニウム酸化物膜の断面図のSEM写真を用い、画像解析を行うことにより算出することができる。具体的には、なるべく大きさの異なる細孔径を100点測定し、その平均値を求めることにより算出することができる。
また、本発明における多孔質アルミニウム酸化物膜は、三次元連結孔を有する。本発明における「三次元連結孔」とは、三次元に網目状に広がった連結孔をいう。そのため、上述した一次元的な連結孔、および発泡処理等により生じる独立孔は、本発明における三次元連結孔には該当しない。
多孔質アルミニウム酸化物膜の比表面積は、例えば0.01m/g〜500m/gの範囲内、中でも0.1m/g〜10m/gの範囲内であることが好ましい。ここで、多孔質アルミニウム酸化物膜の比表面積は、BET法により算出することができる。
多孔質アルミニウム酸化物膜の膜厚は、例えば10nm〜2000nmの範囲内、中でも100nm〜1000nmの範囲内であることが好ましい。
また、本発明においては、多孔質アルミニウム酸化物膜の平均細孔径が、基材側に向かって、膜厚方向に沿って連続的に減少していても良い。これにより、より高性能な多孔質アルミニウム酸化物膜とすることができる。このような多孔質アルミニウム酸化物膜は、例えば分離膜や触媒担持膜として有用である。このような多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体は、図2に示すように、多孔質アルミニウム酸化物膜2の平均細孔径が、基材1側に向かって、膜厚方向に沿って連続的に減少しているものである。なお、このような多孔質アルミニウム酸化物膜を形成する方法については、後述する「B.積層体の製造方法」で説明する。
2.基材
次に、本発明に用いられる基材について説明する。本発明に用いられる基材の材料としては、上述した多孔質アルミニウム酸化物膜を保持することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えばガラス、SUS等の金属板、セラミック基材、耐熱性プラスチック等を挙げることができ、中でもガラス、SUS等の金属板、セラミック基材が好ましく、特にSUS等の金属板が好ましい。
また、本発明に用いられる基材は、例えば、平滑な表面を有するもの、微細構造部を有するもの、穴が開いているもの、溝が刻まれているもの、多孔質であるもの、多孔質膜を備えたものであっても良い。中でも、平滑な表面を有するもの、微細構造部を有するもの、溝が刻まれているもの、多孔質であるものが好ましい。
B.積層体の製造方法
次に、本発明の積層体の製造方法について説明する。本発明の積層体の製造方法は、気相成長法またはスプレー熱分解法により、基材上に、アルミニウム酸化物膜を形成するアルミニウム酸化物膜形成工程と、上記アルミニウム酸化物膜に対して、上記アルミニウム酸化物膜を溶出させる溶出液を接触させることにより、三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を形成する多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程と、を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、気相成長法またはスプレー熱分解法により形成されたアルミニウム酸化物膜を、溶出液で溶出することにより、ナノメーターサイズの細孔を再現性良く作製することができる。本発明においては、アルミニウム酸化物膜に溶出液を接触させることで、三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を形成する。そのメカニズムは確かではないが、アモルファスなアルミニウム酸化物膜は原子配列がランダムであるために、構造に乱れが存在しており、結晶性のアルミニウム酸化物膜と比較して、アルミニウム元素と酸素元素の結合が弱い箇所が存在しているからであると考えられる。
図3は、本発明の製造方法の一例を示す説明図である。図3においては、まず基材1を用意し(図3(a))、気相成長法またはスプレー熱分解法により、基材1上に、緻密なアルミニウム酸化物膜2aを形成する(図3(b))。次に、アルミニウム酸化物膜2aを溶出液3に浸漬させ(図3(c))、三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜2を形成する(図3(d))。
以下、本発明の積層体の製造方法について、工程ごとに説明する。
1.アルミニウム酸化物膜形成工程
本発明におけるアルミニウム酸化物膜形成工程は、気相成長法またはスプレー熱分解法により、基材上に、アルミニウム酸化物膜を形成する工程である。本発明においては、得られるアルミニウム酸化物膜が、アモルファス状であることが好ましい。得られるアルミニウム酸化物膜がアモルファス状であるか否かについては、アルミニウム酸化物膜のX線回折(XRD)測定を行うことで判断することができる。
(1)気相成長法
まず、気相成長法を用いてアルミニウム酸化物膜を形成する場合について説明する。本発明に用いられる気相成長法としては、所望のアルミニウム酸化物膜を形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば化学気相成長法(CVD法)および物理気相成長法(PVD法)等を挙げることができる。さらに、上記CVD法としては、例えば熱CVD法およびプラズマCVD法等を挙げることができる。一方、上記PVD法としては、例えばスパッタリング法およびイオンプレーティング法等を挙げることができる。
本発明においては、気相成長法の各種条件を、アモルファス状のアルミニウム酸化物膜を得られる条件とすることが好ましい。なお、通常の気相成長法を用いれば、アモルファス状の酸化アルミニウム膜が得られる。酸化アルミニウムの結晶化温度は高く、安定と言われるα―アルミナになるには1200℃以上の加熱が必要だからである。通常の気相成長法では、成膜温度や成膜エネルギーが結晶化の条件まで達していないため、アモルファス状の酸化アルミニウム膜が得られる。
(2)スプレー熱分解法
次に、スプレー熱分解法を用いてアルミニウム酸化物膜を形成する場合について説明する。スプレー熱分解法は、通常、アルミニウム源を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、基材上にアルミニウム酸化物膜を形成する方法である。
図4は、スプレー熱分解法を用いたアルミニウム酸化物膜の形成方法の一例を示す説明図である。図4に示すように、基材1をアルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱し、アルミニウム源を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液4を、スプレー装置5を用いて噴霧することにより、基材1上にアルミニウム酸化物膜を形成する方法である。
なお、本発明において、「アルミニウム酸化物膜形成温度」とは、アルミニウム源に含まれるアルミニウム元素が酸素と結合し、基材上にアルミニウム酸化物膜を形成することが可能な温度をいい、アルミニウム源の種類、溶媒等のアルミニウム酸化物膜形成用溶液の組成によって大きく異なるものである。本発明において、このような「アルミニウム酸化物膜形成温度」は、以下の方法により測定することができる。すなわち、実際に所望のアルミニウム源を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を用意し、基材の加熱温度を変化させて接触させることにより、アルミニウム酸化物膜を形成することができる最低の基材加熱温度を測定する。この最低の基材加熱温度を本発明における「アルミニウム酸化物膜形成温度」とすることができる。この際、アルミニウム酸化物膜が形成したか否かは、光電子分光分析装置(V.G.Scientific社製、ESCALAB 200i−XL)より得られた結果から判断するものとする。
アルミニウム酸化物膜形成温度は、上述したように、用いられるアルミニウム源等の種類により異なるものであるが、通常200℃〜600℃の範囲内である。また、本発明において、基材の加熱温度は、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度であれば特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム酸化物膜形成温度+300℃以下、中でもアルミニウム酸化物膜形成温度+200℃以下、特にアルミニウム酸化物膜形成温度+100℃以下であることが好ましい。基材の加熱温度は、例えば300℃〜600℃の範囲内である。
(i)アルミニウム酸化物膜形成用溶液
スプレー熱分解法に用いられるアルミニウム酸化物膜形成用溶液は、通常、アルミニウム源および溶媒を含有する。また、本発明においては、アルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アモルファス状のアルミニウム酸化物膜を得られる組成とすることが好ましい。
(アルミニウム源)
アルミニウム酸化物膜形成用溶液に用いられるアルミニウム源は、アルミニウム元素を含有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば無機アルミニウム化合物および有機アルミニウム錯体等を挙げることができる。上記無機アルミニウム化合物としては、例えば塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、硫酸アルミニウム等を挙げることができる。一方、上記有機アルミニウム錯体としては、例えばアルミニウムトリエトキシド、アルミニウムブトキシド、アルミニウムプロポキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、アルミニウムトリスアセチルアセトナート、エチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等を挙げることができ、中でもアルミニウムトリスアセチルアセトナートが好ましい。
アルミニウム酸化物膜形成用溶液におけるアルミニウム源の濃度としては、特に限定されるものではないが、例えば0.001mol/L〜1mol/Lの範囲内、中でも0.01mol/L〜0.5mol/Lの範囲内であることが好ましい。濃度が上記範囲内にあれば、比較的短時間でアルミニウム酸化物膜を形成することができるからである。
(溶媒)
アルミニウム酸化物膜形成用溶液に用いられる溶媒は、アルミニウム源を溶解でき、所望のアルミニウム酸化物膜を形成できるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、水;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、プロパノール、ブタノール等の総炭素数が5以下の低級アルコール;トルエン;アセチルアセトン、ジアセチル、ベンゾイルアセトン等のジケトン類;アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、ベンゾイル酢酸エチル、ベンゾイル蟻酸エチル等のケトエステル類;およびこれらの混合溶媒等を挙げることができる。
(添加剤)
アルミニウム酸化物膜形成用溶液は、界面活性剤等の添加剤を含有していても良い。上記界面活性剤は、上記アルミニウム酸化物膜形成用溶液と上記基材表面との界面に作用するものである。上記界面活性剤を用いることにより、アルミニウム酸化物膜形成用溶液と基材表面との接触面積を向上させることができ、均一なアルミニウム酸化物膜を得ることができる。特に、アルミニウム酸化物膜形成用溶液を噴霧により接触させる場合、上記界面活性剤の効果により、アルミニウム酸化物膜形成用溶液の液滴と、基材表面とを充分に接触させることができる。なお、上記界面活性剤の使用量は、使用するアルミニウム源等に合わせて適宜選択することが好ましい。
上記界面活性剤の種類としては、例えば、サーフィノール(登録商標)485、サーフィノール(登録商標)SE、サーフィノール(登録商標)SE−F、サーフィノール(登録商標)504、サーフィノール(登録商標)GA、サーフィノール(登録商標)104A、サーフィノール(登録商標)104BC、サーフィノール(登録商標)104PPM、サーフィノール(登録商標)104E、サーフィノール(登録商標)104PA等のサーフィノール(登録商標)シリーズ(以上、全て日信化学工業(株)社製)、NIKKOL AM301、NIKKOL AM313ON(以上全て日光ケミカル社製)等を挙げることができる。
(ii)基材とアルミニウム酸化物膜形成用溶液との接触方法
次に、スプレー熱分解法における基材とアルミニウム酸化物膜形成用溶液との接触方法について説明する。上記接触方法としては、上述した基材と上述したアルミニウム酸化物膜形成用溶液とを接触させる方法であれば特に限定されるものではないが、基材およびアルミニウム酸化物膜形成用溶液を接触させた際に、基材の温度を低下させない方法であることが好ましい。基材の温度が低下すると成膜反応が起こらず、所望のアルミニウム酸化物膜を得ることができない可能性があるからである。このような基材の温度を低下させない方法としては、例えば、アルミニウム酸化物膜形成用溶液を液滴として基材に接触させる方法等が挙げられ、中でも上記液滴の径が小さいことが好ましい。上記液滴の径が小さければ、アルミニウム酸化物膜形成用溶液の溶媒が瞬時に蒸発し、基材温度の低下をより抑制することができ、さらに液滴の径が小さいことで、均一な膜厚のアルミニウム酸化物膜を得ることができるからである。
このような径が小さいアルミニウム酸化物膜形成用溶液の液滴を基材に接触させる方法は、特に限定されるものではないが、具体的には、アルミニウム酸化物膜形成用溶液を噴霧することにより基材に接触させる方法、アルミニウム酸化物膜形成用溶液をミスト状にした空間の中に基材を通過させる方法等が挙げられる。
上記アルミニウム酸化物膜形成用溶液を噴霧することにより基材に接触させる方法は、例えばスプレー装置等を用いて噴霧する方法等が挙げられる。上記スプレー装置等を用いて噴霧する場合、液滴の径は、通常0.1μm〜1000μmの範囲内、中でも0.5μm〜300μmの範囲内であることが好ましい。液滴の径が上記範囲内にあれば、基材温度の低下を抑制することができ、均一なアルミニウム酸化物膜を得ることができるからである。
また、上記スプレー装置の噴射ガスとしては、アルミニウム酸化物膜の形成を阻害しない限り特に限定されるものではないが、例えば、空気、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素等を挙げることができ、中でも不活性な気体である窒素、アルゴン、ヘリウムが好ましい。また、上記噴射ガスの噴射量としては、例えば、0.1L/min〜50L/minの範囲内、中でも1L/min〜20L/minの範囲内であることが好ましい。また、上記スプレー装置は固定されていているもの、可動式のもの、回転によって上記溶液を噴射させるもの、圧力によって上記溶液のみを噴射させるもの等であっても良い。このようなスプレー装置としては、一般的に用いられるスプレー装置を用いることができ、例えばハンドスプレー(スプレーガンNo.8012、アズワン社製)、超音波ネプライザー(NE−U17、オムロン社製)等を用いることができる。
また、アルミニウム酸化物膜形成用溶液をミスト状にした空間の中に基材を通過させる方法においては、液滴の径は、通常0.1μm〜300μmの範囲内、中でも1μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。液滴の径が上記範囲内にあれば、基材温度の低下を抑制することができ、均一なアルミニウム酸化物膜を得ることができるからである。
また、基材の加熱方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、ホットプレート、オーブン、焼成炉、赤外線ランプ、熱風送風機等の加熱方法を挙げることができ、中でも基材温度を上記温度に保持しながら上記アルミニウム酸化物膜形成用溶液に接触できる方法が好ましく、具体的にはホットプレート等を使用することが好ましい。
次に、上述した接触方法について図面を用いて具体的に説明する。上述したアルミニウム酸化物膜形成用溶液を噴霧することにより基材に接触させる方法としては、例えば、ローラーによって基材を連続的に移動させ噴霧する方法、固定された基材上に噴霧する方法、パイプのような流路に噴霧する方法等が挙げられる。
上記ローラーによって基材を連続的に移動させ噴霧する方法としては、例えば、図5に示すように、基材1を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱したローラー6〜8を用いて連続的に移動させ、スプレー装置5によりアルミニウム酸化物膜形成用溶液4を噴霧しアルミニウム酸化物膜を形成する方法等を挙げることができる。この方法は、連続的にアルミニウム酸化物膜を形成することができるという利点を有する。
また、上記固定された基材上に噴霧する方法としては、例えば、図4に示すように、基材1をアルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱し、この基材1に対して、スプレー装置5を用いてアルミニウム酸化物膜形成用溶液4を噴霧することにより、アルミニウム酸化物膜を形成する方法等を挙げることができる。
また、上述したアルミニウム酸化物膜形成用溶液をミスト状にした空間の中に基材を通過させる方法としては、例えば、図6に示すように、アルミニウム酸化物膜形成用溶液4をミスト状にした空間に、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱された基材1を通過させることによりアルミニウム酸化物膜を形成する方法等を挙げることができる。
(3)その他
本発明に用いられる基材については、上記「A.積層体」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、得られるアルミニウム酸化物膜の膜厚は、上記「A.積層体」に記載した多孔質アルミニウム酸化物膜の膜厚が得られる程度の膜厚であることが好ましい。
2.多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程
次に、本発明における多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程について説明する。本発明における多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程は、上記アルミニウム酸化物膜に対して、上記アルミニウム酸化物膜を溶出させる溶出液を接触させることにより、三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を形成する工程である。
本発明に用いられる溶出液は、アルミニウム酸化物膜を溶出させることができるものであれば特に限定されるものではないが、中でも水が好ましい。
アルミニウム酸化物膜および溶出液を接触させる方法としては、例えば、アルミニウム酸化物膜を溶出液に浸漬させる方法、散布手段を用いて溶出液をアルミニウム酸化物膜に吹き付ける方法等を挙げることができ、中でも、アルミニウム酸化物膜を溶出液に浸漬させる方法が好ましい。効率良くアルミニウム酸化物膜を溶出させることができるからである。
アルミニウム酸化物膜および溶出液を接触させる時間としては、特に限定されるものではないが、例えば0.5時間〜20日の範囲内であることが好ましく、2時間〜14日の範囲内であることがより好ましい。また、アルミニウム酸化物膜および溶出液を接触させる際の温度は、特に限定されるものではないが、通常10℃〜90℃の範囲内である。また、溶出を促進するために、アルミニウム酸化物膜と溶出液とを接触させる際に超音波を使用してもよい。
本発明において、アルミニウム酸化物膜の溶解は、アルミニウム酸化物膜の基材側とは反対側の表面から連続的に行われる。そのため、溶出時間、溶出温度、アルミニウム酸化物膜と溶出液との接触方法等を適宜選択することにより、平均細孔径が基材側に向かって、膜厚方向に沿って連続的に減少している多孔質アルミニウム酸化物膜を形成することができる。一方、アルミニウム酸化物膜の溶解を充分に行うことにより、平均細孔径が均一な多孔質アルミニウム酸化物膜を形成することができる。また、溶出の条件を適宜選択することにより、多孔質アルミニウム酸化物膜の平均細孔径を調整することもできる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
[実施例1−1]
まず、ステンレス基材を用意した。次に、このステンレス基材上に、スパッタリング法により、膜厚1μmのアモルファス状の酸化アルミニウム膜を形成した。具体的には、成膜室内にステンレス基材をセットし、成膜室の圧力を0.6Pa、アルゴンガス流量を29sccm、酸素ガス流量を20sccmに調整した。ターゲットにはアルミニウムを使用し、投入電力2000W、成膜時間2hの条件で反応性スパッタリングにて成膜した。得られた酸化アルミニウム膜のXRD測定の結果を図7に示す。
次に、この酸化アルミニウム膜を純水に浸漬させ、13日間静置した。これにより、多孔質酸化アルミニウム膜を有する積層体を得た。
得られた多孔質酸化アルミニウム膜に対してSEM観察を行ったところ、多孔質酸化アルミニウム膜は三次元連結孔を有することが確認された。そのSEM写真を図8に示す(図8(a)は平面図であり、図8(b)は断面図である)。SEM写真から、多孔質酸化アルミニウム膜の平均細孔径は134nmであることが確認された。
[実施例1−2]
酸化アルミニウム膜を純水に浸漬させる時間を、32時間とし、浸漬中に超音波処理を施したこと以外は、実施例1−1と同様にして、多孔質酸化アルミニウム膜を有する積層体を得た。
得られた多孔質酸化アルミニウム膜に対してSEM観察を行ったところ、多孔質酸化アルミニウム膜は三次元連結孔を有することが確認された。そのSEM写真を図9に示す(図9(a)は平面図であり、図9(b)は断面図である)。SEM写真から、多孔質酸化アルミニウム膜の平均細孔径は31nmであることが確認された。
[実施例2]
まず、ステンレス基材を用意した。次に、このステンレス基材上に、イオンプレーティング法により、膜厚1μmのアモルファス状の酸化アルミニウム膜を形成した。具体的には、真空反応槽内にステンレス基材をセット後、槽内を1×10-3Paまで真空に排気した。目標真空度に到達後、300℃に加熱保持し、溶解アルミナを9kV、400mAの電子ビームで加熱溶解した。溶解アルミナの溶融面が安定したところで、酸素ガスを導入し、圧力を1.5×10-2Paとして、15分間成膜した。得られた酸化アルミニウム膜のXRD測定の結果を図10に示す。
次に、この酸化アルミニウム膜を純水に浸漬させ、13日間静置した。これにより、多孔質酸化アルミニウム膜を有する積層体を得た。
得られた多孔質酸化アルミニウム膜に対してSEM観察を行ったところ、多孔質酸化アルミニウム膜は三次元連結孔を有することが確認された。そのSEM写真を図11に示す(図11(a)は平面図であり、図11(b)は断面図である)。SEM写真から、多孔質酸化アルミニウム膜の平均細孔径は142nmであることが確認された。
[実施例3]
まず、ステンレス基材を用意した。次に、このステンレス基材上に、スプレー熱分解法により、膜厚1μmのアモルファス状の酸化アルミニウム膜を形成した。具体的な手順は以下の通りである。まず、アルミニウムアセチルアセトナート(川研ファインケミカル社製)64gを、メタノール(純正化学社製)1000mLに溶解させて、アルミニウム酸化物膜形成用溶液を得た。次に、ステンレス基材をホットプレート(アズワン社製)で500℃に加熱し、この基材に対し、アルミニウム酸化物膜形成用溶液を、エアレススプレー(A74エアレスオートガン、クロスカットノズル1/15、液圧2MPa、ノードソン社製)を用いて500回走査しながらスプレーし、基材上に酸化アルミニウム膜を得た。得られた酸化アルミニウム膜のXRD測定の結果を図12に示す。
次に、この酸化アルミニウム膜を純水に浸漬させ、13日間静置した。これにより、多孔質酸化アルミニウム膜を有する積層体を得た。
得られた多孔質酸化アルミニウム膜に対してSEM観察を行ったところ、多孔質酸化アルミニウム膜は三次元連結孔を有することが確認された。そのSEM写真を図13に示す(図13(a)は平面図であり、図13(b)は断面図である)。SEM写真から、多孔質酸化アルミニウム膜の平均細孔径は157nmであることが確認された。
本発明の積層体の一例を示す概略断面図である。 本発明の積層体の他の例を示す概略断面図である。 本発明の積層体の製造方法の一例を説明図である。 スプレー熱分解法による成膜を説明する説明図である。 スプレー熱分解法による成膜を説明する説明図である。 スプレー熱分解法による成膜を説明する説明図である。 実施例1−1で得られた酸化アルミニウム膜のXRD測定の結果である。 実施例1−1で得られた酸化アルミニウム膜のSEM写真である。 実施例1−2で得られた酸化アルミニウム膜のSEM写真である。 実施例2で得られた酸化アルミニウム膜のXRD測定の結果である。 実施例2で得られた酸化アルミニウム膜のSEM写真である。 実施例3で得られた酸化アルミニウム膜のXRD測定の結果である。 実施例3で得られた酸化アルミニウム膜のSEM写真である。
符号の説明
1 … 基材
2 … 多孔質アルミニウム酸化物膜
2a … アルミニウム酸化物膜
3 … 溶出液
4 … アルミニウム酸化物膜形成用溶液
5 … スプレー装置
6、7、8 … ローラー

Claims (1)

  1. アルミニウム源、溶媒、および界面活性剤を有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、前記基材上に、アルミニウム酸化物膜を形成するアルミニウム酸化物膜形成工程と、
    前記アルミニウム酸化物膜を、水に浸漬させることにより、三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を形成する多孔質アルミニウム酸化物膜形成工程と、
    を有することを特徴とする積層体の製造方法。
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JPH06297639A (ja) * 1993-04-13 1994-10-25 Sky Alum Co Ltd フィルム積層アルミニウム材およびフィルム積層用アルミニウム材の製造方法
JPH06316019A (ja) * 1993-04-30 1994-11-15 Nissha Printing Co Ltd 香料保持皮膜を有する基材とその製造方法
JPH09202649A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Central Glass Co Ltd 花弁状透明アルミナ膜及びその形成法
JP4119959B2 (ja) * 1998-01-13 2008-07-16 山梨県 有色皮膜上への透明保護膜の形成方法
JP4247354B2 (ja) * 1999-07-08 2009-04-02 財団法人大阪産業振興機構 表面微細凹凸組織の低温形成法および当該組織を有する基体
JP2004086975A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Kyocera Corp 薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法
ATE374735T1 (de) * 2004-03-10 2007-10-15 Pilkington North America Inc Verfahren zur abscheidung von aluminiumoxidbeschichtungen
JP4520418B2 (ja) * 2005-02-18 2010-08-04 キヤノン株式会社 光学用透明部材及びそれを用いた光学系
JP5245083B2 (ja) * 2007-01-19 2013-07-24 国立大学法人信州大学 アルミナミクロ多孔膜およびその製造方法

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