JP5237082B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a series of processes on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. (hereinafter simply referred to as “substrate”).

従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、レジスト膜などの塗膜を形成するための塗布セルや基板を現像するための現像セルなどが並べられて構成されている。各セルは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。塗布セルの処理ユニットとしては、基板にレジスト膜材料を塗布する複数のレジスト膜用塗布処理ユニットや、基板に熱処理を行う複数の熱処理ユニットなどを備えている。現像セルの処理ユニットとしては、基板に現像液を供給する複数の現像処理ユニットや複数の熱処理ユニットなどを備えている。各セルの主搬送機構は、そのセルに設けられる各種の処理ユニットに一定の搬送周期ごとに基板を順次搬送させる。これにより、複数種類の処理を所定の順番で基板に行わせる。主搬送機構はさらに、複数種類の処理が行われた基板を、隣接する他のセルの主搬送機構に受け渡す(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−324139号公報
Conventionally, as this type of apparatus, there is a substrate processing apparatus that forms a resist film on a substrate and develops the substrate exposed by a separate exposure machine. This apparatus is configured by arranging a coating cell for forming a coating film such as a resist film and a developing cell for developing a substrate. Each cell includes a single main transport mechanism and various processing units. The processing unit of the coating cell includes a plurality of resist film coating processing units that apply a resist film material to a substrate, and a plurality of heat treatment units that heat-treat the substrate. The processing unit of the development cell includes a plurality of development processing units that supply a developing solution to the substrate, a plurality of heat treatment units, and the like. The main transport mechanism of each cell causes the various processing units provided in the cell to sequentially transport the substrates at regular transport cycles. As a result, a plurality of types of processing are performed on the substrate in a predetermined order. The main transport mechanism further transfers the substrate on which a plurality of types of processing has been performed to the main transport mechanism of another adjacent cell (see, for example, Patent Document 1).
JP 2003-324139 A

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、例えば一の処理ユニットが故障すると、主搬送機構が当該処理ユニットに対して基板を搬送しようとしても搬送できない。また、この処理ユニットに搬入する予定であった基板はこの処理ユニット以外に適当な搬送先がないので、主搬送機構はその基板を保持したままの状態となる。この状態のまま、主搬送機構は次の搬送動作に移ることができず、停止してしまう。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
In other words, in the conventional apparatus, when one processing unit fails, for example, the main transport mechanism cannot transport the substrate to the processing unit. Further, since there is no suitable transport destination for the substrate that was to be carried into this processing unit, the main transport mechanism remains in the state where the substrate is held. In this state, the main transport mechanism cannot move to the next transport operation and stops.

また、次の搬送動作に移ることができたとしても、その後は、基板を処理可能な処理ユニットの数が変わるので、少なくともいずれかの種類の処理に要する時間が変わる。このため、そのままの搬送周期で主搬送機構が動作を継続しても、実際には基板を効率よく搬送することができないという不都合がある。   Even if the next transfer operation can be performed, the number of processing units capable of processing the substrate changes after that, and therefore the time required for at least one of the types of processing changes. For this reason, there is an inconvenience that even if the main transport mechanism continues to operate in the transport cycle as it is, the substrate cannot actually be transported efficiently.

具体的には、レジスト膜用塗布処理ユニットを並列に複数台使用する場合を例にとって説明する。基板1枚当たり60秒で処理可能なレジスト膜用塗布処理ユニットを3台使用しているときは、全体で20秒毎に1枚の基板を処理可能である。よって、レジスト膜用塗布処理ユニットのみについてみれば、20秒ごとにいずれかのレジスト膜用塗布処理ユニット内の基板Wを入れ替えれば、すなわち、搬送周期が20秒であれば、主搬送機構は効率よく基板を搬送することができる。   Specifically, the case where a plurality of resist film coating units are used in parallel will be described as an example. When three resist film coating units that can process in 60 seconds per substrate are used, a total of one substrate can be processed every 20 seconds. Therefore, when only the resist film coating unit is viewed, if the substrate W in any resist film coating unit is replaced every 20 seconds, that is, if the transport cycle is 20 seconds, the main transport mechanism is efficient. The substrate can be transported well.

しかし、レジスト膜用塗布処理ユニットが2台になると、全体では30秒毎に1枚の基板を処理可能となる。このような場合では、20秒の搬送周期ごとに主搬送機構がレジスト膜用塗布処理ユニットにアクセスしても、効率よく基板を搬送することができなくなる。   However, if there are two resist film coating processing units, one substrate can be processed every 30 seconds as a whole. In such a case, even if the main transport mechanism accesses the resist film coating unit every 20 seconds, a substrate cannot be transported efficiently.

さらに、上述した不都合は処理ユニットの使用数の変動に起因しているが、これに限られない。たとえば、塗布セルを複数備え、各塗布セルでレジスト膜などの塗膜を形成する処理を並行して行う場合にあっては、塗布セルの使用数の変動に応じて同じ不都合が生じる。   Furthermore, although the inconvenience described above is caused by fluctuations in the number of processing units used, the present invention is not limited to this. For example, in the case where a plurality of coating cells are provided and a process of forming a coating film such as a resist film is performed in parallel in each coating cell, the same inconvenience occurs depending on the variation in the number of coating cells used.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、実際に基板を処理させる処理部の数が変動しても、複数種類の処理を所定の順番どおりに効率よく基板に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and even when the number of processing units that actually process a substrate fluctuates, multiple types of processing can be efficiently performed on the substrate in a predetermined order. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of performing the above.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に複数種類の処理を所定の順番で行う基板処理装置において、処理の種類ごとに設けられるとともに、少なくともいずれかの種類については複数設けられている処理部と、各処理部に基板を搬送可能な搬送部と、前記処理部のうち実際に基板を処理させる使用処理部と、実際に基板を処理させない待機処理部とに区別して、使用処理部の数に応じた搬送周期ごとに、各使用処理部のみを基板の搬送先として前記搬送部を動作させ、前記複数種類の処理を前記所定の順番通りに基板に行わせる制御部と、を備え、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合であって更新の前後で搬送先から外れる処理部があるときは、搬送先から外れた処理部に基板を強制的に搬送可能か否かを判断し、搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に基板を搬送することを中止させる
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, according to the first aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for performing a plurality of types of processing on the substrate in a predetermined order, the processing is provided for each type of processing and a plurality of processing is provided for at least one of the types. A processing unit that can transport a substrate to each processing unit, a use processing unit that actually processes a substrate among the processing units, and a standby processing unit that does not actually process a substrate. A control unit that operates the transfer unit with each use processing unit as a substrate transfer destination for each transfer cycle according to the number, and performs the plurality of types of processing on the substrate in the predetermined order ; and The control unit forcibly transports the substrate to the processing unit that is out of the transport destination when the transport destination is updated during the operation of the transport unit and there is a processing unit that is out of the transport destination before and after the update. Determine whether it is possible When it is judged not to be transportable causes inconvenience to transport the substrate to the processing section which deviates from the conveying destination in the conveyance cycle in progress when updated.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、制御部は各処理部を使用処理部と待機処理部とに区別して、使用処理部のみに応じた搬送周期と搬送先によって搬送部を制御する。これにより、常に搬送周期を適切な期間に保つことができ、搬送先を実際に基板を処理する処理部のみに絞ることができる。したがって、基板処理装置が備える処理部の全てが使用処理部である場合は勿論のこと、基板処理装置が備える処理部の一部が使用処理部である場合であっても、基板を効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板に行うことができる。
また、搬送先から外れた処理部に基板を強引に搬送することによって、搬送部が搬送不能に陥ることを回避することができる。なお、強制的に搬送可能であるとは、搬送部に障害が生じることなく搬送部が処理部に基板を搬入/搬出できることである。よって、その処理部が基板を一定の品質以上で処理できるか否かとは関係がない。
[Operation / Effect] According to the first aspect of the present invention, the control unit distinguishes each processing unit into a use processing unit and a standby processing unit, and a transfer unit according to a transfer cycle and a transfer destination according to only the use processing unit. To control. As a result, the transfer cycle can always be maintained in an appropriate period, and the transfer destination can be limited to only the processing unit that actually processes the substrate. Accordingly, not only when all of the processing units included in the substrate processing apparatus are use processing units, but also when a part of the processing unit included in the substrate processing apparatus is a use processing unit, the substrate is efficiently transferred. Thus, a plurality of types of processing can be performed on the substrate in a predetermined order.
In addition, by forcibly transporting the substrate to the processing unit that is out of the transport destination, it is possible to avoid the transport unit from being unable to transport. Note that being able to be forcibly transported means that the transport unit can carry in / out the substrate to / from the processing unit without causing any trouble in the transport unit. Therefore, it has nothing to do with whether or not the processing unit can process the substrate with a certain quality or higher.

本発明において、前記制御部は、使用処理部を変更した場合であっても、前記所定の順番を変えることなく前記複数種類の処理を基板に行わせることが好ましい使用処理部を変更した場合であっても、複数種類の処理を行う順番は所定の順番のまま変わらないので、基板を好適に処理することができる。なお、使用処理部を待機処理部に変えるとき、および、待機処理部を使用処理部に変えるときはいずれも、使用処理部の変更に該当する。 In the present invention, it is preferable that the control unit causes the substrate to perform the plurality of types of processing without changing the predetermined order even when the use processing unit is changed . Even when the use processing unit is changed, the order of performing a plurality of types of processing does not change in a predetermined order, so that the substrate can be suitably processed. Note that both the change of the use processing unit to the standby processing unit and the change of the standby processing unit to the use processing unit correspond to the change of the use processing unit.

また、本発明において、前記制御部は、使用処理部を変更した場合は、搬送周期および搬送先を、変更後の使用処理部に応じた搬送周期および搬送先に更新し、更新した搬送周期および搬送先に基づいて前記搬送部を制御することが好ましい制御部は、使用処理部の変更に好適に対応することができる。 In the present invention, when the use processing unit is changed, the control unit updates the transfer cycle and the transfer destination to the transfer cycle and the transfer destination corresponding to the changed use processing unit, and the updated transfer cycle and It is preferable to control the transport unit based on the transport destination . The control unit can suitably cope with the change of the use processing unit.

また、本発明において、任意の処理部を使用処理部に指定する命令をユーザーから受け付ける入力部を備え、前記制御部は、前記入力部が受け付けた命令に基づいて使用処理部を決定することが好ましい使用処理部を任意に指定することができる。 Further, in the present invention, an input unit that receives an instruction for designating an arbitrary processing unit as a use processing unit from a user may be provided, and the control unit may determine the use processing unit based on the command received by the input unit. Is preferred . The use processing unit can be arbitrarily specified.

また、本発明において、前記制御部は、使用処理部が異常状態である場合は、前記入力部が受け付けた命令に関わらず、その使用処理部を待機処理部に変更することが好ましい使用処理部に指定されている処理部が異常状態である場合であっても、自動的に待機処理部に変更するので、基板処理を円滑に継続させることができる。 In the present invention, it is preferable that when the use processing unit is in an abnormal state, the control unit changes the use processing unit to a standby processing unit regardless of a command received by the input unit . Even when the processing unit designated as the use processing unit is in an abnormal state, the processing is automatically changed to the standby processing unit, so that the substrate processing can be continued smoothly.

また、本発明において、前記制御部は、異常状態でない処理部を使用処理部に決定することが好ましい処理部が異常状態である場合は自動的に待機処理部に決定するので、常に異常状態でない処理部のみが使用処理部となる。よって、高い効率性を維持しつつ、基板処理を行うことができる。 In the present invention, it is preferable that the control unit determines a processing unit that is not in an abnormal state as a use processing unit . When the processing unit is in an abnormal state, it is automatically determined as a standby processing unit, so that only a processing unit that is not always in an abnormal state is a use processing unit. Therefore, substrate processing can be performed while maintaining high efficiency.

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる搬送周期から更新後の搬送先のみに基板を搬送させるように、前記搬送部の制御を切り替えることが好ましい制御部は、更新した後に新しく始まる搬送周期から搬送部の搬送先を切り替える。言い換えれば、搬送部が動作しているときに搬送先を更新しても、制御部は搬送部の動作中に搬送部の搬送先を切り替えない。この結果、各搬送周期の搬送部の動作をそれぞれ搬送開始前に原則的に確定させることができ、搬送部を確実かつ円滑に制御することができる。 In the present invention, when the transport destination is updated during the operation of the transport section, the control section causes the transport section to transport the substrate only to the updated transport destination from the transport cycle newly started after the update. It is preferable to switch the control . The control unit switches the transport destination of the transport unit from the transport cycle that is newly started after the update. In other words, even if the transport destination is updated while the transport unit is operating, the control unit does not switch the transport destination of the transport unit during the operation of the transport unit. As a result, the operation of the transport unit in each transport cycle can be determined in principle before the start of transport, and the transport unit can be controlled reliably and smoothly.

本発明において、基板を載置するバッファ部を備え、前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に搬入する予定であった基板を前記バッファ部に載置させることが好ましい搬送部は、搬送先から外れた処理部に搬入する予定であった基板をバッファ部に載置する。この結果、搬送部は他の基板を保持可能になり、次の搬送動作に移ることができる。よって、搬送部はその後の搬送動作を継続することができる。 In the present invention, a buffer unit for placing a substrate is provided, the transport unit can transport the substrate to the buffer unit, and the control unit determines that the substrate cannot be forcibly transported to a processing unit that is out of the transport destination. In this case, it is preferable to place the substrate that was scheduled to be loaded into the processing unit that has been removed from the conveyance destination in the conveyance cycle in progress at the time of the update on the buffer unit . The transfer unit places the substrate, which was scheduled to be loaded into the processing unit removed from the transfer destination, on the buffer unit. As a result, the transfer unit can hold another substrate and can move to the next transfer operation. Therefore, the transport unit can continue the subsequent transport operation.

また、本発明において、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に対しても基板搬送を続行させることが好ましい搬送先から外れた処理部に対して強制的に搬送可能であれば、搬送部は当該処理部に対しても基板搬送を続行する。これにより、搬送動作の途中で搬送先を変更することを極力回避することができる。 Further, in the present invention, when the control unit determines that the processing unit can be forcibly transported to a processing unit that has been removed from the transport destination, the control unit is configured to handle the processing unit that has been removed from the transport destination in the ongoing transport cycle when updated. However, it is preferable to continue the substrate conveyance . If it can be forcibly transported to the processing unit that is out of the transport destination, the transport unit continues to transport the substrate to the processing unit. Thereby, changing a conveyance destination in the middle of conveyance operation can be avoided as much as possible.

また、本発明において、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部からも基板を搬出させることが好ましい搬送先から外れた処理部に対して強制的に搬送可能であれば、搬送部は当該処理部から基板を搬出させる。これにより、搬送動作の途中で搬送部の動作を変更することを極力回避することができる。 Further, in the present invention, when the control unit determines that the processing unit can be forcibly transported to a processing unit that has been removed from the transport destination, the control unit also includes a processing unit that has been removed from the transport destination in the ongoing transport cycle when updated. It is preferable to carry out the substrate . If it can be forcibly transported to the processing unit removed from the transport destination, the transport unit causes the substrate to be unloaded from the processing unit. Thereby, it is possible to avoid changing the operation of the transport unit during the transport operation as much as possible.

また、本発明において、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部にも基板を搬入させることが好ましいこれにより、搬送動作の途中で搬送部の動作を変更することを極力回避することができる。 Further, in the present invention, when the control unit determines that it can be forcibly transported to the processing unit that is out of the transport destination, the control unit also applies to the processing unit that is out of the transport destination during the ongoing transport cycle when updated. It is preferable to carry in the substrate . Thereby, it is possible to avoid changing the operation of the transport unit during the transport operation as much as possible.

また、本発明において、基板を載置するバッファ部を備え、前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部から搬出した基板を前記バッファ部に載置させることが好ましい使用処理部から待機処理部に変更された時点でその処理部内にあった基板についてはバッファ部に載置する。これにより、その基板にさらに他の処理を行うことを中止することができる。 In the present invention, a buffer unit for placing a substrate is provided, the transport unit can transport the substrate to the buffer unit, and the control unit can be forcibly transported to a processing unit that is out of the transport destination. When it is determined that there is a substrate, it is preferable that the substrate unloaded from the processing unit removed from the transfer destination in the transfer cycle in progress when updated is placed on the buffer unit . The substrate in the processing unit at the time of changing from the use processing unit to the standby processing unit is placed in the buffer unit. As a result, it is possible to stop further processing on the substrate.

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送周期を更新した場合であって更新の前後で搬送周期の期間が変わったときは、更新した時に進行中の搬送周期の次から更新後の搬送周期に基づいて前記搬送部を制御することが好ましい更新した時に進行中の搬送周期は更新前の搬送周期である。たとえ、ある搬送周期が進行中に搬送周期の期間が変わったとしても、制御部は、搬送部の制御において搬送周期の途中から更新後の搬送周期に変更しない。これにより、制御部による搬送部の確実な制御を実現することができる。 Further, in the present invention, the control unit updates the conveyance cycle during the operation of the conveyance unit, and when the period of the conveyance cycle changes before and after the update, the control unit determines the conveyance cycle in progress when the update is performed. It is preferable to control the said conveyance part based on the conveyance period after an update from the next . The conveyance cycle in progress when updated is the conveyance cycle before the update. Even if the period of the conveyance cycle changes while a certain conveyance cycle is in progress, the control unit does not change from the middle of the conveyance cycle to the updated conveyance cycle in the control of the conveyance unit. Thereby, reliable control of the conveyance part by a control part is realizable.

また、本発明において、前記制御部は、前記搬送部の制御において更新前の搬送周期から更新後の搬送周期に切り替える場合、直前の搬送周期の始期から更新後の搬送周期に相当する時間が経過したときに、更新後の搬送周期を開始させることが好ましい搬送周期が進行中に搬送周期の期間が変わったときでも、進行中の搬送周期の次から更新した搬送周期を好適に開始することができる。 In the present invention, when the control unit switches from the pre-update conveyance cycle to the updated conveyance cycle in the control of the conveyance unit, a time corresponding to the updated conveyance cycle elapses from the start of the immediately preceding conveyance cycle. When it is done, it is preferable to start the updated conveyance cycle . Even when the period of the transport cycle changes while the transport cycle is in progress, the transport cycle updated from the next of the current transport cycle can be suitably started.

また、本発明において、前記処理部として、基板に処理液を供給する処理ユニットと、基板に熱処理を行う処理ユニットとを少なくとも有し、前記搬送部は各処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構で構成されることが好ましい基板に処理液を供給する処理、および、基板に熱処理を行う処理をそれぞれ所定の順番で好適に行うことができる。 In the present invention, the processing unit includes at least a processing unit for supplying a processing liquid to the substrate and a processing unit for performing a heat treatment on the substrate, and the transport unit is a single unit that transports the substrate to each processing unit. It is preferable that the main transport mechanism is used . The processing for supplying the processing liquid to the substrate and the processing for performing the heat treatment on the substrate can be suitably performed in a predetermined order.

また、本発明において、基板に処理液を供給する処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニット、および、基板に現像液を供給する現像処理ユニットの少なくともいずれかであることが好ましい基板にレジスト膜を形成する処理、および、基板を現像する処理の少なくともいずれかを好適に行うことができる。 In the present invention, the processing unit that supplies the processing liquid to the substrate is at least one of a resist film coating processing unit that applies the resist film material to the substrate and a development processing unit that supplies the developer to the substrate. It is preferable . At least one of the process of forming a resist film on the substrate and the process of developing the substrate can be suitably performed.

また、本発明において、前記処理ユニットと前記主搬送機構とで構成されるセルを複数備えており、前記制御部は各セルの前記主搬送機構を制御することが好ましい複数のセルのそれぞれにおいて、複数種類の処理を基板に行うことができる。 In the present invention, it is preferable that a plurality of cells including the processing unit and the main transport mechanism are provided, and the control unit controls the main transport mechanism of each cell . In each of the plurality of cells, a plurality of types of processing can be performed on the substrate.

また、本発明において、前記処理部として、複数の処理ユニットを含んで構成され、基板にレジスト膜を形成する処理を行う塗布セルと、複数の処理ユニットを含んで構成され、基板を現像する処理を行う現像セルとを少なくとも有することが好ましいレジスト膜を形成する処理、および、現像する処理を基板に対して好適に行うことができる。 In the present invention, the processing unit includes a plurality of processing units, and includes a coating cell that performs a process of forming a resist film on the substrate and a plurality of processing units, and develops the substrate. It is preferable to have at least a development cell for performing the above . The process for forming the resist film and the process for developing can be suitably performed on the substrate.

また、本発明において、単一の塗布セルと単一の現像セルとによって相互に基板を受け渡し可能に構成されるセルの列を複数有し、前記搬送部は、各塗布セルとの間で基板を搬送するインデクサ用搬送機構と、各現像セルとの間で基板を搬送するインターフェイス用搬送機構とを含んで構成されていることが好ましい単一の塗布セルと単一の現像セルとによって構成されるセルの列を複数備えているので、各セルの列において基板を並列的に処理することができる。また、搬送部は、塗布セルと現像セルとで別個の搬送機構(インデクサ用搬送機構およびインターフェイス用搬送機構)を備えているので、塗布セル及び現像セルのそれぞれに好適に基板を搬送することができる。 Further, in the present invention, there are a plurality of rows of cells configured such that a single coating cell and a single development cell can deliver a substrate to each other, and the transport unit is a substrate between each coating cell. It is preferable to include an indexer transport mechanism that transports the substrate and an interface transport mechanism that transports the substrate between the development cells . Since a plurality of cell rows each including a single coating cell and a single development cell are provided, the substrates can be processed in parallel in each cell row. Further, since the transport unit includes separate transport mechanisms (indexer transport mechanism and interface transport mechanism) for the coating cell and the development cell, the substrate can be transported suitably to each of the coating cell and the development cell. it can.

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。   The present specification also discloses an invention relating to the following substrate processing apparatus.

(1)請求項1から請求項19のいずれかに基板処理装置において、前記搬送周期は、各種類の処理に要する基板1枚あたりの処理時間をそれぞれ種類別単位処理時間として、各種類別単位処理時間を対応する種類の処理を行う使用処理部の数でそれぞれ除した種類別処理時間のうち、最も長い種類別処理時間またはこれより若干長い時間とする基板処理装置。 (1) In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 19 , the transfer period includes a unit processing time for each type, with a processing time per substrate required for each type of processing as a unit processing time for each type. A substrate processing apparatus that sets the longest type-specific processing time or slightly longer than the type-specific processing time divided by the number of use processing units that perform processing of a corresponding type.

前記(1)に記載の基板処理装置によれば、処理部の種類別の数を考慮した搬送周期とすることができる。このような搬送周期で搬送部を動作させることにより、基板に複数種類の処理を効率良く行わせることができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (1), it can be set as the conveyance period which considered the number according to the kind of process part. By operating the transport unit in such a transport cycle, it is possible to efficiently perform a plurality of types of processing on the substrate.

ここで、「種類別単位処理時間」は、各種類のプロセス処理の時間に、プロセス処理の前後に発生する準備時間および待ち時間や、搬送部が各処理部において基板を取り置きする時間などを実用に即して適宜に加えた時間である。   Here, “unit processing time for each type” refers to the preparation time and waiting time that occur before and after each type of process processing, the time for the transfer unit to leave the substrate in each processing unit, etc. It is the time added appropriately according to.

(2)請求項3に記載の基板処理装置において、前記制御部は、使用処理部の変更と同時に搬送周期および搬送先を更新する基板処理装置。   (2) The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit updates the transfer period and the transfer destination simultaneously with the change of the use processing unit.

前記(2)に記載の基板処理装置によれば、制御部は、使用処理部の変更に好適かつ迅速に対応することができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (2), the control part can respond to the change of a use process part suitably and rapidly.

(3)請求項6に記載の基板処理装置において、前記制御部は、使用処理部が異常状態となったとき、その使用処理部を待機処理部に変更する基板処理装置。   (3) The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the control unit changes the use processing unit to a standby processing unit when the use processing unit is in an abnormal state.

前記(3)に記載の基板処理装置によれば、使用処理部が異常状態の変化にしても、それによって基板に対する処理が滞ることを好適に回避することができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (3), even if a use process part changes to an abnormal state, it can avoid suitably that the process with respect to a board | substrate is delayed by it.

(4)請求項5または請求項6に記載の基板処理装置において、前記制御部は、待機処理部が異常状態でなくなったときは、その待機処理部を使用処理部に変更する基板処理装置。   (4) The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein when the standby processing unit is no longer in an abnormal state, the control unit changes the standby processing unit to a use processing unit.

前記(4)に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に処理可能となった待機処理部を自動的に使用処理部に変更することで、常に装置の処理能力を最大まで引き出すことができる。   According to the substrate processing apparatus described in the above (4), the processing capacity of the apparatus can always be maximized by automatically changing the standby processing unit that can process the substrate appropriately to the use processing unit. it can.

(5)請求項5または請求項6に記載の基板処理装置において、異常状態は、一定以上の品質で基板に処理を行うことができない状態である基板処理装置。   (5) The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the abnormal state is a state in which the substrate cannot be processed with a certain quality or more.

前記(5)に記載の基板処理装置によれば、基板に行う処理の品質を一定以上確保することができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (5), the quality of the process performed to a board | substrate can be ensured more than fixed.

(6)請求項5または請求項6に記載の基板処理装置において、前記異常状態は、基板に対する処理液の供給量、および、基板を熱処理する温度の少なくともいずれかである基板処理装置。   (6) The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the abnormal state is at least one of a supply amount of a processing liquid to the substrate and a temperature at which the substrate is heat-treated.

前記(6)に記載の基板処理装置によれば、基板に行う処理の品質を好適に確保することができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (6), the quality of the process performed to a board | substrate can be ensured suitably.

(7)請求項5または請求項6に記載の基板処理装置において、前記処理部が異常状態であることを検知する検知部を備え、前記制御部は前記検知部の検知結果に基づいて使用処理部を決定する基板処理装置。   (7) The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, further comprising a detection unit that detects that the processing unit is in an abnormal state, and the control unit uses the processing based on a detection result of the detection unit. A substrate processing apparatus for determining a part.

前記(7)に記載の基板処理装置によれば、制御部は的確に使用処理部を変更することができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (7), the control part can change a use processing part exactly.

(8)請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる最初の搬送周期から更新後の搬送先のみに基板を搬送させるように、前記搬送部の制御を切り替える基板処理装置。   (8) In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, when the control unit updates the transfer destination during the operation of the transfer unit, the control unit starts from the first transfer period newly started after the update. A substrate processing apparatus for switching the control of the transfer unit so that the substrate is transferred only to the updated transfer destination.

前記(8)に記載の基板処理装置によれば、制御部は、更新した後に新しく始まる最初の搬送周期から搬送部の制御を切り替える。言い換えれば、搬送部が動作しているときに搬送先を更新しても、制御部は搬送部の動作中に搬送部の制御を切り替えることはない。この結果、各搬送周期の搬送部の動作をそれぞれ搬送開始前に原則的に確定させることができ、搬送部を確実かつ円滑に制御することができる。また、搬送部の制御の切り替えは、更新した後に新しく始まる最初の搬送周期で行うので、迅速に搬送部の動作を変更させることができる。   According to the substrate processing apparatus described in (8) above, the control unit switches the control of the transport unit from the first transport cycle that starts anew after being updated. In other words, even if the conveyance destination is updated when the conveyance unit is operating, the control unit does not switch the control of the conveyance unit during the operation of the conveyance unit. As a result, the operation of the transport unit in each transport cycle can be determined in principle before the start of transport, and the transport unit can be controlled reliably and smoothly. Further, since the control of the transport unit is switched in the first transport cycle that starts newly after the update, the operation of the transport unit can be changed quickly.

(9)請求項1から請求項13のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記搬送部の制御において更新前の搬送周期から更新後の搬送周期に切り替える場合、直前の搬送周期の期間の始期から更新前の搬送周期に相当する時間が経過したときに、更新後の搬送周期を開始させる基板処理装置。 (9) In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 13 , when the control unit switches from the conveyance cycle before the update to the conveyance cycle after the update in the control of the conveyance unit, the immediately preceding conveyance is performed. A substrate processing apparatus that starts an updated transfer cycle when a time corresponding to the transfer cycle before the update has elapsed from the start of the cycle period.

前記(9)に記載の基板処理装置によれば、搬送周期が進行中に搬送周期の期間が変わったときでも、進行中の搬送周期の期間を変更しないので、更新した搬送周期に確実に切り替えることができる。   According to the substrate processing apparatus described in (9) above, even when the period of the conveyance cycle changes while the conveyance cycle is in progress, the period of the conveyance cycle that is in progress is not changed, so that it is surely switched to the updated conveyance cycle. be able to.

(10)請求項17に記載の基板処理装置において、2以上のセルで行われる処理は互いに異なっており、前記制御部は、異なる処理を行う複数のセルに同じ基板を順次搬送して処理させる基板処理装置。 (10) In the substrate processing apparatus according to claim 17, processes performed in two or more cells are different from each other, and the control unit sequentially transports and processes the same substrate to a plurality of cells performing different processes. Substrate processing equipment.

前記(10)に記載の基板処理装置によれば、同じ基板に対して、各セルにおいてそれぞれ複数種類の処理を行うことができる。   According to the substrate processing apparatus described in (10), a plurality of types of processing can be performed in each cell on the same substrate.

(11)請求項18に記載の基板処理装置において、前記塗布セルは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、前記現像セルは、基板に現像液を供給する現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有する基板処理装置。 (11) The substrate processing apparatus according to claim 18 , wherein the coating cell includes a resist film coating processing unit for coating a resist film material on the substrate, and a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate, and the developing cell. A substrate processing apparatus having a development processing unit for supplying a developing solution to a substrate and a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate.

前記(11)に記載の基板処理装置によれば、塗布セルではレジスト膜を形成する処理を基板に好適に行うことができる。また、現像セルでは現像する処理を基板に好適に行うことができる。   According to the substrate processing apparatus as described in said (11), the process which forms a resist film can be suitably performed to a board | substrate in a coating cell. In the development cell, the developing process can be suitably performed on the substrate.

(12)請求項19に記載の基板処理装置において、前記セルの列は、互いに上下方向に並ぶように配置されているとともに、各セルの列を構成する前記塗布セルと前記現像セルとは、横方向に並ぶように配置されている基板処理装置。 (12) In the substrate processing apparatus according to (19 ), the rows of cells are arranged so as to be vertically aligned with each other, and the coating cells and the developing cells that constitute each row of cells are: A substrate processing apparatus arranged in a horizontal direction.

前記(12)に記載の基板処理装置によれば、セルの列は上下方向に並ぶように配置されているので、設置面積を低減することができる。   According to the substrate processing apparatus described in (12), since the cell rows are arranged in the vertical direction, the installation area can be reduced.

この発明に係る基板処理装置によれば、制御部は各処理部を使用処理部と待機処理部とに区別して、使用処理部のみに応じた搬送周期と搬送先によって搬送部を制御する。これにより、常に搬送周期を適切な期間に保つことができ、搬送先を実際に基板を処理する処理部のみに絞ることができる。したがって、基板処理装置が備える処理部の全てが使用処理部である場合は勿論のこと、基板処理装置が備える処理部の一部が使用処理部である場合であっても、基板を効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板に行うことができる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the control unit distinguishes each processing unit into a use processing unit and a standby processing unit, and controls the transport unit according to a transport cycle and a transport destination according to only the use processing unit. As a result, the transfer cycle can always be maintained in an appropriate period, and the transfer destination can be limited to only the processing unit that actually processes the substrate. Accordingly, not only when all of the processing units included in the substrate processing apparatus are use processing units, but also when a part of the processing unit included in the substrate processing apparatus is a use processing unit, the substrate is efficiently transferred. Thus, a plurality of types of processing can be performed on the substrate in a predetermined order.

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2と図3は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図4ないし図7は、図1におけるa−a矢視、b−b矢視、c−c矢視およびd−d矢視の各垂直断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. FIGS. 2 and 3 are schematic side views showing the arrangement of processing units of the substrate processing apparatus. FIGS. FIG. 3 is a vertical sectional view taken along arrows aa, bb, cc, dd, and dd in FIG. 1.

実施例は、基板(例えば、半導体ウエハ)Wにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Wを現像する基板処理装置10である。以下では、基板処理装置10を「装置10」と適宜に略記する。本装置10は、インデクサ部(以下、「ID部」と記載する)1と、処理ブロックBa、Bbと、インターフェイス部(以下、「IF部」と記載する)5とを備える。   The embodiment is a substrate processing apparatus 10 that forms a resist film on a substrate (for example, a semiconductor wafer) W and develops the exposed substrate W. Hereinafter, the substrate processing apparatus 10 is appropriately abbreviated as “apparatus 10”. The apparatus 10 includes an indexer section (hereinafter referred to as “ID section”) 1, processing blocks Ba and Bb, and an interface section (hereinafter referred to as “IF section”) 5.

ID部1、処理ブロックBa、処理ブロックBbおよびIF部5は、この順番に1列で並ぶように設けられている。並び方向は横方向(水平方向)が好ましい。ID部1、処理ブロックBa、処理ブロックBbおよびIF部5は、互いに隣接している。IF部5にはさらに本装置10とは別体の外部装置である露光機EXPが隣接して設けられる。   The ID unit 1, the processing block Ba, the processing block Bb, and the IF unit 5 are provided so as to be arranged in a line in this order. The alignment direction is preferably the horizontal direction (horizontal direction). The ID unit 1, the processing block Ba, the processing block Bb, and the IF unit 5 are adjacent to each other. The IF unit 5 is further provided with an exposure unit EXP that is an external device separate from the apparatus 10.

処理ブロックBaは、上下方向に複数(2つ)の塗布セルC1、C3を備えている。処理ブロックBbは、上下方向に複数(2つ)の現像セルC2、C4を備えている。図1では、処理ブロックBaの上側の塗布セルC1と、処理ブロックBbの上側の現像セルC2を示す。塗布セルC3と現像セルC4の平面視におけるレイアウトは、図示を省略するが、それぞれ塗布セルC1と現像セルC2と略同様である。   The processing block Ba includes a plurality (two) of application cells C1 and C3 in the vertical direction. The processing block Bb includes a plurality (two) of developing cells C2 and C4 in the vertical direction. FIG. 1 shows a coating cell C1 on the upper side of the processing block Ba and a developing cell C2 on the upper side of the processing block Bb. Although the layout of the coating cell C3 and the developing cell C4 in plan view is omitted, it is substantially the same as the coating cell C1 and the developing cell C2, respectively.

塗布セルC1は、塗布処理ユニット31と熱処理ユニット41等を有し、基板Wにレジスト膜を形成する処理を行う。現像セルC2は、現像処理ユニットDEVと熱処理ユニット42等を有し、基板Wを現像する処理を行う。   The coating cell C1 includes a coating processing unit 31, a heat treatment unit 41, and the like, and performs a process of forming a resist film on the substrate W. The development cell C2 includes a development processing unit DEV, a heat treatment unit 42, and the like, and performs processing for developing the substrate W.

塗布セルC1と現像セルC2は互いに横方向に隣接しており、相互に基板Wを受け渡し可能である。このように、塗布セルC1と現像セルC2とによって「セルの列」が構成されている。同様に、塗布セルC3と現像セルC4も互いに横方向に隣接しており、相互に基板Wを受け渡し可能であり、塗布セルC3と現像セルC4とによって「セルの列」が構成されている。これら複数(2つ)のセルの列は、上下方向に並んでいる。以下では、塗布セルC1、C3、および、現像セルC2、C4を特に区別しない場合は、単に「セルC」と略記する。   The coating cell C1 and the developing cell C2 are adjacent to each other in the lateral direction, and can transfer the substrate W to each other. Thus, the “cell row” is constituted by the coating cell C1 and the developing cell C2. Similarly, the coating cell C3 and the developing cell C4 are adjacent to each other in the lateral direction, and can transfer the substrate W to each other. The coating cell C3 and the developing cell C4 constitute a “column of cells”. These multiple (two) cell rows are arranged in the vertical direction. Hereinafter, the coating cells C1 and C3 and the development cells C2 and C4 are simply abbreviated as “cell C” unless otherwise distinguished.

ID部1は、各塗布セルC1、C3との間で基板Wを搬送するID用搬送機構TIDを備えている。各セルC1、C2、C3、C4はそれぞれ、単一の主搬送機構T、T、T、Tを備えている。IF部5は、各現像セルC2、C4との間で基板Wを搬送するIF用搬送機構TIFを備えている。 The ID unit 1 includes an ID transport mechanism T ID that transports the substrate W between the coating cells C1 and C3. Each cell C1, C2, C3, C4 respectively is provided with a single main transport mechanism T 1, T 2, T 3 , T 4. IF section 5 is provided with an IF's transport mechanisms T IF for transporting wafers W between the respective developing cell C2, C4.

ID部1、各セルCおよびIF部5の各動作の概略を説明する。ID部1は、各塗布セルC1、C3に基板Wを搬送する。塗布セルC1は、基板Wにレジスト膜を形成する処理を行い、現像セルC2に搬送する。同様に、塗布セルC3は、基板Wにレジスト膜を形成する処理を行い、現像セルC4に搬送する。現像セルC2、C4はそれぞれ、基板WをIF5に搬送する。IF部5は露光機EXPに基板Wを搬送する。露光機EXPは基板Wを露光し、再びIF部5に基板Wを搬送する。IF部5は基板Wを現像セルC2、C4に搬送する。現像セルC2は、基板Wを現像する処理を行い、塗布セルC1に搬送する。同様に、現像セルC4は、基板Wを現像する処理を行い、塗布セルC3に搬送する。塗布セルC1、C3は、基板WをID部1に搬送する。以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。   An outline of each operation of the ID unit 1, each cell C, and the IF unit 5 will be described. The ID unit 1 transports the substrate W to the coating cells C1 and C3. The coating cell C1 performs a process of forming a resist film on the substrate W and transports it to the developing cell C2. Similarly, the coating cell C3 performs a process of forming a resist film on the substrate W and transports it to the developing cell C4. Each of the developing cells C2 and C4 transports the substrate W to the IF 5. The IF unit 5 transports the substrate W to the exposure machine EXP. The exposure machine EXP exposes the substrate W and transports the substrate W to the IF unit 5 again. The IF unit 5 transports the substrate W to the developing cells C2 and C4. The development cell C2 performs a process of developing the substrate W and transports it to the coating cell C1. Similarly, the developing cell C4 performs a process of developing the substrate W and transports it to the coating cell C3. The coating cells C1 and C3 transport the substrate W to the ID unit 1. Below, the structure of each part of a present Example is demonstrated in detail.

[ID部1]
ID部1は複数枚の基板Wを収容するカセットCaから基板Wを取り出すとともに、カセットCaに基板Wを収納する。このID部1はカセットCaを載置するカセット載置台9を備える。カセット載置台9は4個のカセットCaを1列に並べて載置可能に構成される。
[ID part 1]
The ID unit 1 takes out the substrate W from the cassette Ca that accommodates a plurality of substrates W, and accommodates the substrate W in the cassette Ca. The ID unit 1 includes a cassette mounting table 9 on which the cassette Ca is mounted. The cassette mounting table 9 is configured so that four cassettes Ca can be arranged in a row.

ID用搬送機構TIDは、各カセットCaに対して基板Wを搬送するとともに、後述する載置部PASS及び載置部PASSに基板Wを搬送する。ID用搬送機構TIDは、カセット載置台9の側方をカセットCaの並び方向に水平移動する可動台21と、可動台21に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸23と、この昇降軸23に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム25とを備えている。 The ID transport mechanism T ID transports the substrate W to each cassette Ca and transports the substrate W to a placement unit PASS 1 and a placement unit PASS 3 to be described later. The ID transport mechanism T ID includes a movable table 21 that horizontally moves the side of the cassette mounting table 9 in the direction in which the cassette Ca is arranged, a lifting shaft 23 that expands and contracts in the vertical direction with respect to the movable table 21, and the lifting shaft 23. And a holding arm 25 that holds the substrate W by moving back and forth in the turning radius direction.

[処理ブロックBa]
ID部1と処理ブロックBaの各塗布セルC1、C3の間には、基板Wを載置する載置部PASS、PASSが設けられている。載置部PASSには、ID用搬送機構TIDと主搬送機構Tとの間で受け渡される基板Wが一時的に載置される。同様に、載置部PASSには、ID用搬送機構TIDと主搬送機構Tとの間で受け渡される基板Wが一時的に載置される。断面視では載置部PASSは塗布セルC1の下部付近の高さ位置に配置され、載置部PASSは塗布セルC3の上部付近の高さに配置されている。このように載置部PASSと載置部PASSの位置が比較的近いので、ID用搬送機構TIDは少ない昇降量で載置部PASSと載置部PASSとの間を移動することができる。
[Processing block Ba]
Placed parts PASS 1 and PASS 3 for placing the substrate W are provided between the application part C1 and C3 of the ID part 1 and the processing block Ba. A substrate W transferred between the ID transport mechanism T ID and the main transport mechanism T 1 is temporarily placed on the platform PASS 1 . Similarly, the substrate W transferred between the ID transport mechanism T ID and the main transport mechanism T 3 is temporarily placed on the placement unit PASS 3 . In the cross-sectional view, the placement portion PASS 1 is disposed at a height position near the lower portion of the coating cell C1, and the placement portion PASS 3 is disposed at a height near the upper portion of the coating cell C3. As described above, since the positions of the placement unit PASS 1 and the placement unit PASS 3 are relatively close, the ID transport mechanism T ID moves between the placement unit PASS 1 and the placement unit PASS 3 with a small ascending / descending amount. be able to.

処理ブロックBa、Bbの間にも、基板Wを載置する載置部PASS、PASSが設けられている。載置部PASSは塗布セルC1と現像セルC2との間に、載置部PASSは塗布セルC3と現像セルC4との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構Tと主搬送機構Tは載置部PASSを介して基板Wを受け渡し、主搬送機構Tと主搬送機構Tは載置部PASSを介して基板Wを受け渡す。 Between the processing blocks Ba and Bb, placement units PASS 2 and PASS 4 for placing the substrate W are also provided. The placement portion PASS 2 is disposed between the coating cell C1 and the development cell C2, and the placement portion PASS 4 is disposed between the coating cell C3 and the development cell C4. The main transport mechanism T 1 and the main transport mechanism T 2 deliver the substrate W via the placement unit PASS 2 , and the main transport mechanism T 3 and the main transport mechanism T 4 transfer the substrate W via the placement unit PASS 4. Deliver.

各載置部PASSは複数(本実施例では2台)であり、これら複数の載置部PASSは互いに上下方向に近接して配置されている。2つの載置部PASSのうち、一方の載置部PASS1Aには、ID用搬送機構TIDから主搬送機構Tへ渡す基板Wが載置され、他方の載置部PASS1Bには主搬送機構TからID用搬送機構TIDへ渡す基板Wが載置される。載置部PASS〜PASSおよび後述する載置部PASS、PASSもそれぞれ複数(2台)であり、基板Wが受け渡される方向に応じていずれかの載置部PASSが選択される。また、載置部PASS1A、PASS1Bには基板Wの有無を検知するセンサ(図示省略)がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ID用搬送機構TIDおよび主搬送機構Tによる基板Wの受け渡しを制御する。同様のセンサは載置部PASS〜PASSにもそれぞれ付設されている。 There are a plurality of mounting parts PASS 1 (two in this embodiment), and the plurality of mounting parts PASS 1 are arranged close to each other in the vertical direction. Of the two placement units PASS 1, the substrate W passing from the ID transport mechanism T ID to the main transport mechanism T 1 is placed on one placement unit PASS 1A , and the other placement unit PASS 1B is placed on the other placement unit PASS 1B . substrate W to pass from the main transport mechanism T 1 to the ID's transport mechanism T ID is placed. There are also a plurality (two) of the placement units PASS 2 to PASS 4 and later-described placement units PASS 5 and PASS 6 , and one of the placement units PASS is selected according to the direction in which the substrate W is delivered. . In addition, sensors (not shown) for detecting the presence or absence of the substrate W are attached to the placement units PASS 1A and PASS 1B , respectively, and based on the detection signal of each sensor, the ID transport mechanism T ID and the main transport mechanism. to control the transfer of a substrate W by T 1. Similar sensors are also attached to the placement portions PASS 2 to PASS 6 , respectively.

また、処理ブロックBa、Bbの間には、基板Wを載置するバッファ部BF2、BF4が設けられている。バッファ部BF2は、塗布セルC1と現像セルC2との間に設けられている。バッファ部BF4は、塗布セルC3と現像セルC4との間に設けられている。   Further, buffer units BF2 and BF4 on which the substrate W is placed are provided between the processing blocks Ba and Bb. The buffer unit BF2 is provided between the coating cell C1 and the development cell C2. The buffer unit BF4 is provided between the coating cell C3 and the development cell C4.

バッファ部BF2、BF4は、それぞれ載置部PASS、PASSに近接する位置に配置されている。本実施例では、バッファ部BF2は載置部PASSの下方に、バッファ部BF4は載置部PASSの下方に積層配置されている。 The buffer units BF2 and BF4 are arranged at positions close to the placement units PASS 2 and PASS 4 , respectively. In this embodiment, the lower buffer portion BF2 is mounting portion PASS 2, the buffer portion BF4 are stacked below the placing portion PASS 4.

各バッファ部BF2、BF4は、複数の基板Wを載置可能である。バッファ部BF2は、基板Wを多段に収納できる棚を備えて、主搬送機構Tおよび主搬送機構Tに対向する両側が開放されている。主搬送機構Tおよび主搬送機構Tはいずれも、当該棚に基板Wを載置すること、および、当該棚に載置された基板Wを取り出すことが許容されている。バッファ部BF4もバッファ部BF2と同様に構成されており、主搬送機構Tおよび主搬送機構Tはいずれも、バッファ部BF4に対して基板を搬送可能に構成されている。 Each buffer unit BF2, BF4 can place a plurality of substrates W thereon. Buffer BF2 is provided with a cabinet capable of housing the substrate W in multiple stages, and opposite sides to the main transport mechanism T 1 and the main transport mechanism T 2 is opened. Both the main transport mechanism T 1 and a main transport mechanism T 2, placing the substrate W to the shelf, and are allowed to take out the substrate W placed on the shelf. Buffer BF4 also has the same configuration as the buffer unit BF2, both the main transport mechanism T 3 and main transport mechanism T 4 is configured to transfer the substrate to the buffer unit BF4.

なお、バッファ部BF2、BF4は、上述した構成に限られない。すなわち、基板Wを一時的に載置できれば、基板Wの周縁部や下面などいずれの位置で保持してもよい。たとえば、載置部PASSと同様に、突出形成された複数の支持ピンを備えて、これら支持ピンによって基板Wを略水平姿勢で載置可能に構成してもよい。   The buffer units BF2 and BF4 are not limited to the configuration described above. That is, as long as the substrate W can be temporarily placed, the substrate W may be held at any position such as the peripheral edge or the lower surface of the substrate W. For example, like the mounting part PASS, a plurality of projecting support pins may be provided, and the substrate W may be configured to be mounted in a substantially horizontal posture by these support pins.

塗布セルC1について説明する。主搬送機構Tは、平面視で塗布セルC1の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースAを移動可能に設けられている。上述した塗布処理ユニット31は搬送スペースAの一方側に配置されており、上述した熱処理ユニット41は搬送スペースAの一方側に配置されている。塗布処理ユニット31は、基板Wに処理液を塗布する。熱処理ユニット41は、基板Wに熱処理を行う。 The coating cell C1 will be described. The main transport mechanism T 1, provided the street parallel to the conveying direction transporting space A 1 to substantially the center of the coating cell C1 in a plan view so as to be movable. Coating units 31 described above are arranged on one side of the transporting space A 1, a heat treatment unit 41 described above are arranged on one side of the transporting space A 1. The coating processing unit 31 applies a processing liquid to the substrate W. The heat treatment unit 41 performs heat treatment on the substrate W.

塗布処理ユニット31は、それぞれ搬送スペースAに面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Wの搬送路に沿って2列2段で合計4つの塗布処理ユニット31が配置されている。 The coating units 31 are arranged vertically and horizontally, respectively facing the transporting space A 1. In the present embodiment, a total of four coating processing units 31 are arranged in two rows and two stages along the transport path of the substrate W.

塗布処理ユニット31は、基板Wに反射防止膜用材料を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットBARCと、基板Wにレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTとを含む。本明細書では、反射防止膜用塗布処理ユニットBARCで行われる処理を適宜に反射防止膜材料塗布処理と記載し、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTで行われる処理を適宜にレジスト膜材料塗布処理と記載する。   The coating processing unit 31 includes an antireflection film coating processing unit BARC that applies an antireflection film material to the substrate W, and a resist film coating processing unit RESIST that applies a resist film material to the substrate W. In this specification, the processing performed in the antireflection film coating processing unit BARC is appropriately described as antireflection film material coating processing, and the processing performed in the resist film coating processing unit RESIST is appropriately described as resist film material coating processing. Describe.

反射防止膜用塗布処理ユニットBARCは複数(2台)であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTも複数であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットBARCを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない(連通している)。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。   There are a plurality (two) of antireflection film coating processing units BARC, and they are arranged side by side so as to be at substantially the same height in the lower stage. There are also a plurality of resist film coating processing units RESIST, and they are arranged side by side so as to be at substantially the same height in the upper stage. There are no partition walls or partition walls between the antireflection coating application units BARC. That is, all the antireflection coating application units BARC are only accommodated in a common chamber, and the atmosphere around each antireflection coating application unit BARC is not blocked (communicated). Similarly, the atmosphere around each resist film coating unit RESIST is not blocked from each other.

図8(a)、(b)を参照する。図8(a)は塗布処理ユニットの平面図であり、(b)は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット31は、基板Wを回転可能に保持する回転保持部32と、基板Wの周囲に設けられるカップ33と、基板Wに処理液を供給する供給部34などを備えている。   Reference is made to FIGS. FIG. 8A is a plan view of the coating processing unit, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the coating processing unit. Each coating processing unit 31 includes a rotation holding unit 32 that rotatably holds the substrate W, a cup 33 provided around the substrate W, a supply unit 34 that supplies a processing liquid to the substrate W, and the like.

供給部34は、複数個のノズル35と、一のノズル35を把持する把持部36と、把持部36を移動させて一のノズル35を基板Wの上方の処理位置と基板Wの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構37とを備えている。各ノズル35にはそれぞれ処理液配管38の一端が連通接続されている。処理液配管38は、待機位置と処理位置との間におけるノズル35の移動を許容するように可動(可撓)に設けられている。各処理液配管38の他端側は処理液供給源(図示省略)に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル35に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル35に対して供給する。   The supply unit 34 has a plurality of nozzles 35, a gripping unit 36 that grips one nozzle 35, and moves the gripping unit 36 so that the one nozzle 35 is displaced from the processing position above the substrate W and the top of the substrate W. And a nozzle moving mechanism 37 for moving between the standby positions. One end of a processing liquid pipe 38 is connected to each nozzle 35 in communication. The processing liquid pipe 38 is provided movably (flexibly) so as to allow movement of the nozzle 35 between the standby position and the processing position. The other end of each processing liquid pipe 38 is connected to a processing liquid supply source (not shown). Specifically, in the case of the antireflection film coating processing unit BARC, the processing liquid supply source supplies different types of antireflection film processing liquids to the nozzles 35. In the case of the resist film coating processing unit RESIST, the processing liquid supply source supplies different types of resist film materials to the nozzles 35.

ノズル移動機構37は、第1ガイドレール37aと第2ガイドレール37bと有する。第1ガイドレール37aは横に並ぶ2つのカップ33を挟んで互いに平行に配備されている。第2ガイドレール37bは2つの第1ガイドレール37aに摺動可能に支持されて、2つのカップ33の上に架設されている。把持部36は第2ガイドレール37bに摺動可能に支持される。ここで、第1ガイドレール37aおよび第2ガイドレール37bが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構37は、さらに第2ガイドレール37bを摺動移動させ、把持部36を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部36によって把持されたノズル35を処理位置に相当する2つの回転保持部32の上方位置に移動させる。   The nozzle moving mechanism 37 includes a first guide rail 37a and a second guide rail 37b. The first guide rails 37a are arranged in parallel with each other with the two cups 33 arranged side by side. The second guide rail 37 b is slidably supported by the two first guide rails 37 a and is installed on the two cups 33. The grip portion 36 is slidably supported by the second guide rail 37b. Here, the directions guided by the first guide rail 37a and the second guide rail 37b are both substantially horizontal directions and are substantially orthogonal to each other. The nozzle moving mechanism 37 further includes a drive unit (not shown) that slides and moves the second guide rail 37b and slides the grip portion 36. When the driving unit is driven, the nozzle 35 held by the holding unit 36 is moved to a position above the two rotation holding units 32 corresponding to the processing position.

熱処理ユニット41は複数であり、それぞれ搬送スペースAに面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に3つの熱処理ユニット41を配置可能であり、縦方向に5つの熱処理ユニット41を積層可能である。熱処理ユニット41はそれぞれ基板Wを載置するプレート43などを備えている。熱処理ユニット41は基板Wを冷却処理する冷却ユニットCP、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットPHPおよび基板Wと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン(HMDS)の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットAHLを含む。なお、加熱冷却ユニットPHPはプレート43を2つ有するとともに、2つのプレート43間で基板Wを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットCP、PHP、AHLはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。なお、本明細書では、加熱冷却ユニットPHPで行われる処理を適宜に加熱/冷却処理と記載する。 Heat-treating units 41 are a plurality, are arranged vertically and horizontally, each facing the transporting space A 1. In this embodiment, three heat treatment units 41 can be arranged in the horizontal direction, and five heat treatment units 41 can be stacked in the vertical direction. Each heat treatment unit 41 includes a plate 43 on which the substrate W is placed. The heat treatment unit 41 includes a cooling unit CP for cooling the substrate W, a heating / cooling unit PHP for continuously performing the heating process and the cooling process, and a vapor atmosphere of hexamethyldisilazane (HMDS) for improving the adhesion between the substrate W and the film. It includes an adhesion processing unit AHL for heat treatment. The heating / cooling unit PHP has two plates 43 and a local transport mechanism (not shown) that moves the substrate W between the two plates 43. There are a plurality of various heat treatment units CP, PHP, and AHL, which are arranged at appropriate positions. In this specification, processing performed in the heating / cooling unit PHP is appropriately described as heating / cooling processing.

主搬送機構Tを具体的に説明する。図9を参照する。図9は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Tは、上下方向に案内する2本の第3ガイドレール51と横方向に案内する第4ガイドレール52を有している。第3ガイドレール51は搬送スペースAの一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット31の側に配置している。第4ガイドレール52は第3ガイドレール51に摺動可能に取り付けられている。第4ガイドレール52には、ベース部53が摺動可能に設けられている。ベース部53は搬送スペースAの略中央まで横方向に張り出している。主搬送機構Tは、さらに第4ガイドレール52を上下方向に移動させ、ベース部53を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット31および熱処理ユニット41の各位置にベース部53を移動させる。 The main transport mechanism T 1 will be described in detail. Please refer to FIG. FIG. 9 is a perspective view of the main transport mechanism. The main transport mechanism T 1 has a fourth guide rail 52 for guiding the third guide rail 51 and the lateral two guiding in the vertical direction. Third guide rails 51 are fixed opposite each other at one side of the transporting space A 1. In this embodiment, it is arranged on the coating processing unit 31 side. The fourth guide rail 52 is slidably attached to the third guide rail 51. A base portion 53 is slidably provided on the fourth guide rail 52. The base 53 extends transversely, substantially to the center of the transporting space A 1. The main transport mechanism T 1, and further comprising a fourth guide rail 52 is moved in the vertical direction, drive members (not shown) for moving the base portion 53 in the lateral direction. When the drive unit is driven, the base unit 53 is moved to each position of the coating processing unit 31 and the heat treatment unit 41 arranged vertically and horizontally.

ベース部53には縦軸心Q周りに回転可能に回転台55が設けられている。回転台55には基板Wを保持する2つの保持アーム57a、57bがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。2つの保持アーム57a、57bは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台55を回転させ、各保持アーム57a、57bを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット31、各熱処理ユニット41及び載置部PASS、PASSに対向する位置に回転台55を対向させ、これら塗布処理ユニット31等に対して保持アーム57a、57bを進退させる。 The base 53 is provided with a turntable 55 that can rotate about the vertical axis Q. On the turntable 55, two holding arms 57a and 57b for holding the substrate W are provided so as to be movable in the horizontal direction. The two holding arms 57a and 57b are arranged at positions close to each other in the vertical direction. Further, a drive unit (not shown) that rotates the turntable 55 and moves the holding arms 57a and 57b is provided. When this driving unit is driven, the turntable 55 is opposed to the respective coating processing units 31, the respective heat treatment units 41 and the placement units PASS 1 and PASS 2, and is held with respect to these coating processing units 31 and the like. The arms 57a and 57b are advanced and retracted.

塗布セルC3について説明する。なお、塗布セルC1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。塗布セルC3の主搬送機構Tおよび処理ユニットの平面視でのレイアウト(配置)は塗布セルC1のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Tから見た塗布セルC3の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構Tから見た塗布セルC1の各種処理ユニットの配置と略同じである。塗布セルC3の塗布処理ユニット31と熱処理ユニット41は、それぞれ塗布セルC1の塗布処理ユニット31と熱処理ユニット41の下側にそれぞれ積層されている。 The coating cell C3 will be described. In addition, about the same structure as the application | coating cell C1, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol. The main transport mechanism T 3 and processing unit in plan view with the layout of the coating cell C3 (arrangement) is substantially the same as those of the coating cell C1. Therefore, the arrangement of the various treating units of coating cell C3 as seen from the main transport mechanism T 3 is substantially the same as the arrangement of the various treating units of the coating cell C1 as seen from the main transport mechanism T 1. The coating processing unit 31 and the heat treatment unit 41 of the coating cell C3 are respectively stacked below the coating processing unit 31 and the heat treatment unit 41 of the coating cell C1.

以下において、塗布セルC1、C3に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットRESIST等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「1」又は「3」を付す(たとえば、塗布セルC1に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTを「レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST」と記載する)。 In the following, when distinguishing the resist film coating processing units RESIST and the like provided in the coating cells C1 and C3, subscripts “1” or “3” are respectively attached (for example, provided in the coating cell C1). The resist film coating processing unit RESIST is referred to as “resist film coating processing unit RESIST 1 ”).

処理ブロックBaのその他の構成について説明する。図4、図5に示すように、搬送スペースA、Aには、清浄な気体を吹き出す第1吹出ユニット61と気体を吸引する排出ユニット62とがそれぞれ設けられている。第1吹出ユニット61と排出ユニット62は、それぞれ平面視における搬送スペースAと略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第1吹出ユニット61と排出ユニット62の一方面にはそれぞれ第1吹出口61aと排出口62aが形成されている。本実施例では多数の小孔f(図9参照)で第1吹出口61aおよび排出口62aが構成されている。第1吹出ユニット61は第1吹出口61aを下に向けた姿勢で搬送スペースA、Aの上部に配置されている。また、排出ユニット62は排出口62aを上に向けた姿勢で搬送スペースA、Aの下部に配置されている。搬送スペースAの雰囲気と搬送スペースAの雰囲気とは、搬送スペースAの排出ユニット62と搬送スペースAの第1吹出ユニット61とによって遮断されている。よって、各塗布セルC1、C3は互いに雰囲気が遮断されている。 Other configurations of the processing block Ba will be described. As shown in FIGS. 4 and 5, a first blowing unit 61 that blows clean gas and a discharge unit 62 that sucks gas are provided in the transport spaces A 1 and A 3 , respectively. The first blowout unit 61 and exhaust unit 62 is a flat box having substantially the same area as the transporting space A 1 in plan view. A first outlet 61 a and a discharge outlet 62 a are formed on one surface of the first outlet unit 61 and the discharge unit 62, respectively. In the present embodiment, the first outlet 61a and the outlet 62a are constituted by a large number of small holes f (see FIG. 9). The first blow-out unit 61 is arranged in the upper part of the transport spaces A 1 and A 3 with the first blow-out opening 61a facing downward. Further, the discharge unit 62 is disposed below the transport spaces A 1 and A 3 with the discharge port 62a facing upward. Atmosphere atmosphere transporting space A 3 of the transporting space A 1 and is blocked off by the exhaust unit 62 of the transporting space A 1 and the first blowout unit 61 of the transporting space A 3. Therefore, the atmospheres of the coating cells C1 and C3 are cut off from each other.

搬送スペースA、Aの各第1吹出ユニット61は同じ第1気体供給管63に連通接続されている。第1気体供給管63は載置部PASS、PASSの側方位置に、搬送スペースAの上部から搬送スペースAの下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースAの下方で水平方向に曲げられている。第1気体供給管63の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースA、Aの排出ユニット62は同じ第1気体排出管64に連通接続されている。第1気体排出管64は搬送スペースAの下部から搬送スペースAの下部にかけて、載置部PASS、PASSの側方位置に設けられているとともに、搬送スペースAの下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースA、Aの各第1吹出口61aから気体を吹き出させるとともに各排出口62aから気体を吸引/排出させることで、搬送スペースA、Aには上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースA、Aは個別に清浄な状態に保たれる。 The first blowing units 61 in the transfer spaces A 1 and A 3 are connected to the same first gas supply pipe 63 in communication. The first gas supply pipe 63 is provided at a lateral position of the placement parts PASS 2 and PASS 4 from the upper part of the transport space A 1 to the lower part of the transport space A 3 and horizontally below the transport space A 2. Is bent. The other end of the first gas supply pipe 63 is connected to a gas supply source (not shown). Similarly, the discharge units 62 of the transfer spaces A 1 and A 3 are connected to the same first gas discharge pipe 64. The first gas discharge pipe 64 is provided at a lateral position of the placement parts PASS 2 and PASS 4 from the lower part of the transfer space A 1 to the lower part of the transfer space A 3 , and in the horizontal direction below the transfer space A 2. Is bent. Then, by sucking / discharging gas from the discharge port 62a causes blown gas from the first outlet 61a of the transporting space A 1, A 3, flows from top to bottom in the transport space A 1, A 3 An air flow is formed, and each of the transfer spaces A 1 and A 3 is individually kept clean.

図1、図6、および、図8(a)に示すように、塗布セルC1、C3の各塗布処理ユニット31には、縦方向に貫く竪穴部PSが形成されている。この竪穴部PSには清浄な気体を供給するための第2気体供給管65と、気体を排気するための第2気体排出管66が上下方向に設けられている。第2気体供給管65と第2気体排出管66はそれぞれ各塗布処理ユニット31の所定の高さ位置で分岐して竪穴部PSから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第2気体供給管65は、気体を下方に吹き出す第2吹出ユニット67に連通接続している。また、分岐した複数の第2気体排出管66は各カップ33の底部にそれぞれ連通接続している。第2気体供給管65の他端は、塗布セルC3の下方において第1気体供給管63に連通接続されている。第2気体排出管66の他端は、塗布セルC3の下方において第1気体排出管64に連通接続されている。そして、第2吹出ユニット67から気体を吹き出させるとともに、第2気体排出管66を通じて気体を排出させることで、各カップ33内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部32に保持された基板Wを好適に処理できる。   As shown in FIGS. 1, 6, and 8 </ b> A, each coating processing unit 31 of the coating cells C <b> 1 and C <b> 3 is formed with a pit portion PS penetrating in the vertical direction. A second gas supply pipe 65 for supplying clean gas and a second gas discharge pipe 66 for exhausting gas are provided in the vertical hole PS in the vertical direction. Each of the second gas supply pipe 65 and the second gas discharge pipe 66 is branched at a predetermined height position of each coating processing unit 31 and drawn out in a substantially horizontal direction from the pothole portion PS. The plurality of branched second gas supply pipes 65 are connected to a second blowing unit 67 that blows gas downward. The plurality of branched second gas discharge pipes 66 are connected to the bottom of each cup 33, respectively. The other end of the second gas supply pipe 65 is connected in communication with the first gas supply pipe 63 below the coating cell C3. The other end of the second gas exhaust pipe 66 is connected in communication with the first gas exhaust pipe 64 below the coating cell C3. Then, while the gas is blown out from the second blowing unit 67 and the gas is discharged through the second gas discharge pipe 66, the atmosphere in each cup 33 is always kept clean, and the substrate held in the rotation holding unit 32. W can be processed suitably.

また、竪穴部PSにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等(いずれも図示省略)が設置されている。このように、竪穴部PSに塗布セルC1、C3の塗布処理ユニット31に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。   In addition, piping and electric wiring (both not shown) through which the processing liquid is passed are installed in the hole portion PS. Thus, since the piping, wiring, etc. attached to the coating processing unit 31 of the coating cells C1, C3 can be accommodated in the pothole PS, the length of the piping, wiring, etc. can be shortened.

処理ブロックBaは、上述した主搬送機構T、Tと塗布処理ユニット31と熱処理ユニット41とを収容する一の筐体75を備えている。後述する処理ブロックBbも主搬送機構T、Tと処理ブロックBbが有する各処理ユニットとを収容する筐体75を備えている。処理ブロックBaの筐体75と処理ブロックBbの筐体75は別体である。このように処理ブロックBa、Bbごとに主搬送機構Tと各処理ユニットをまとめて収容する筐体75を備えているので、処理ブロックBa、Bbを並べて処理部3を簡易に製造し、組み立てることができる。 The processing block Ba includes one housing 75 that houses the main transport mechanisms T 1 and T 3 , the coating processing unit 31, and the heat treatment unit 41 described above. A processing block Bb, which will be described later, also includes a housing 75 that accommodates main transport mechanisms T 2 and T 4 and each processing unit included in the processing block Bb. The housing 75 of the processing block Ba and the housing 75 of the processing block Bb are separate bodies. As described above, the processing block 3 is provided with the housing 75 that accommodates the main transport mechanism T and each processing unit together, so that the processing unit 3 can be easily manufactured and assembled by arranging the processing blocks Ba and Bb. Can do.

[処理ブロックBb]
現像セルC2について説明する。なお、塗布セルC1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。現像セルC2の搬送スペースAは搬送スペースAの延長上となるように形成されている。
[Processing block Bb]
The developing cell C2 will be described. In addition, about the same structure as the application | coating cell C1, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting a same sign. Transporting space A 2 in developing cell C2 is formed as an extension of the transporting space A 1.

現像セルC2には、基板Wに現像液を供給する現像処理ユニットDEVと、基板Wに熱処理を行う熱処理ユニット42と、基板Wの周縁部を露光するエッジ露光ユニットEEWが設けられている。現像処理ユニットDEVは搬送スペースAの一方側に配置され、熱処理ユニット42およびエッジ露光ユニットEEWは搬送スペースAの他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットDEVは塗布処理ユニット31と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット42及びエッジ露光ユニットEEWは熱処理ユニット41と同じ並びとなることが好ましい。なお、本明細書では、現像処理ユニットDEVで行われる処理を適宜に現像処理と記載し、エッジ露光ユニットEEWで行われる処理を適宜にエッジ露光と記載する。 The development cell C2 is provided with a development processing unit DEV that supplies a developer to the substrate W, a heat treatment unit 42 that performs heat treatment on the substrate W, and an edge exposure unit EEW that exposes the peripheral edge of the substrate W. Developing units DEV are arranged at one side of the transporting space A 2, heat-treating units 42 and edge exposing unit EEW are arranged at the other side of the transporting space A 2. Here, the development processing unit DEV is preferably disposed on the same side as the coating processing unit 31. Further, it is preferable that the heat treatment unit 42 and the edge exposure unit EEW are aligned with the heat treatment unit 41. In this specification, processing performed in the development processing unit DEV is appropriately described as development processing, and processing performed in the edge exposure unit EEW is appropriately described as edge exposure.

現像処理ユニットDEVは4つであり、搬送スペースAに沿う横方向に2つ並べられたものが上下2段に積層されている。図1、図6に示すように、各現像処理ユニットDEVは基板Wを回転可能に保持する回転保持部77と、基板Wの周囲に設けられるカップ79とを備えている。1段に並設される2つの現像処理ユニットDEVは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、2つの現像処理ユニットDEVに対して、現像液を供給する供給部81が設けられている。供給部81は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する2つのスリットノズル81aを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Wの直径相当が好ましい。また、2つのスリットノズル81aは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部81はさらに、各スリットノズル81aを移動させる移動機構81bとを備えている。これにより、各スリットノズル81aはそれぞれ、横方向に並ぶ2つの回転保持部77の上方に移動可能である。 Developing units DEV is four, which are arranged two horizontally along the transporting space A 2 are stacked in upper and lower stages. As shown in FIGS. 1 and 6, each development processing unit DEV includes a rotation holding unit 77 that holds the substrate W in a rotatable manner, and a cup 79 provided around the substrate W. Two development processing units DEV arranged side by side are provided without being partitioned by a partition wall or the like. Further, a supply unit 81 that supplies a developing solution to the two development processing units DEV is provided. The supply unit 81 has two slit nozzles 81a having slits or small hole arrays for discharging the developer. The length in the longitudinal direction of the slit or small hole array is preferably equivalent to the diameter of the substrate W. The two slit nozzles 81a are preferably configured to discharge different types or concentrations of developing solutions. The supply unit 81 further includes a moving mechanism 81b that moves each slit nozzle 81a. Thereby, each slit nozzle 81a is movable above the two rotation holding portions 77 arranged in the horizontal direction.

熱処理ユニット42は複数であり、搬送スペースAに沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット42は、基板Wを加熱処理する加熱ユニットHPと、基板Wを冷却処理する冷却ユニットCPと、加熱/冷却処理を行う加熱冷却ユニットPHPを含む。 Heat-treating units 42 are a plurality, more aligned with are horizontally along the transporting space A 2, are stacked in a vertical direction. The heat treatment unit 42 includes a heating unit HP that heats the substrate W, a cooling unit CP that cools the substrate W, and a heating / cooling unit PHP that performs heating / cooling processing.

加熱冷却ユニットPHPは複数である。各加熱冷却ユニットPHPは、最もIF部5側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がIF部5側に面している。現像セルC2に設けられる加熱冷却ユニットPHPについては、その側部に基板Wの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットPHPに対しては、後述するIF用搬送機構TIFが上記搬送口を通じて基板Wを搬送する。そして、これら現像セルC2に配置される加熱冷却ユニットPHPでは露光後加熱(PEB)処理を行う。したがって、現像セルC2に設けられる加熱冷却ユニットPHPで行われる加熱/冷却処理を、特にPEB処理と記載する。同様に現像セルC4に加熱冷却ユニットPHPで行われる加熱/冷却処理を、特にPEB処理と記載する。 There are a plurality of heating / cooling units PHP. Each heating / cooling unit PHP is stacked in the vertical direction in the row closest to the IF unit 5, and one side portion of the heating / cooling unit PHP faces the IF unit 5 side. The heating / cooling unit PHP provided in the developing cell C2 has a transport port for the substrate W formed on the side thereof. For the heating / cooling unit PHP, an IF transport mechanism TIF, which will be described later, transports the substrate W through the transport port. The heating / cooling unit PHP disposed in the developing cell C2 performs post-exposure heating (PEB) processing. Therefore, the heating / cooling process performed in the heating / cooling unit PHP provided in the developing cell C2 is particularly referred to as a PEB process. Similarly, the heating / cooling process performed on the developing cell C4 by the heating / cooling unit PHP is particularly described as a PEB process.

エッジ露光ユニットEEWは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットEEWは、基板Wを回転可能に保持する回転保持部(不図示)と、この回転保持部に保持された基板Wの周縁を露光する光照射部(不図示)とを備えている。   The edge exposure unit EEW is single and is provided at a predetermined position. The edge exposure unit EEW includes a rotation holding unit (not shown) that rotatably holds the substrate W, and a light irradiation unit (not shown) that exposes the periphery of the substrate W held by the rotation holding unit. .

さらに、加熱冷却ユニットPHPの上側には、載置部PASSが積層されている。主搬送機構Tと後述するIF用搬送機構TIFは、載置部PASSを介して基板Wを受け渡す。 Further, a placement portion PASS 5 is stacked on the upper side of the heating / cooling unit PHP. The main transport mechanism T 2 and an IF transport mechanism T IF, which will be described later, deliver the substrate W via the placement unit PASS 5 .

主搬送機構Tは平面視で搬送スペースAの略中央に設けられている。主搬送機構Tは主搬送機構Tと同様に構成されている。そして、載置部PASSと各種の熱処理ユニット42とエッジ露光ユニットEEWと載置部PASSとの間で主搬送機構Tが基板Wを搬送する。 The main transport mechanism T 2 is disposed substantially at the center of the transporting space A 2 in plan view. The main transport mechanism T 2 has the same structure as the main transport mechanism T 1. The main transport mechanism T 2 transports the substrate W between the placement unit PASS 2 , the various heat treatment units 42, the edge exposure unit EEW, and the placement unit PASS 5 .

現像セルC4について簡略に説明する。現像セルC2と現像セルC4の各構成の関係は、塗布セルC1、C3間の関係と同様である。現像セルC4の処理ユニットは、現像処理ユニットDEVと熱処理ユニット42とエッジ露光ユニットEEWである。現像セルC4の熱処理ユニット42は加熱ユニットHPと冷却ユニットCPと加熱冷却ユニットPHPを含む。現像セルC4の加熱冷却ユニットPHPの上側には、載置部PASSが積層されている。主搬送機構Tと後述するIF用搬送機構TIFは、載置部PASSを介して基板Wを受け渡す。現像セルC4に設けられる加熱冷却ユニットPHPも、露光後の基板Wに露光後加熱(PEB:Post Exposure Bake)処理を行う。 The development cell C4 will be briefly described. The relationship between the development cell C2 and the development cell C4 is the same as the relationship between the coating cells C1 and C3. The processing units of the development cell C4 are a development processing unit DEV, a heat treatment unit 42, and an edge exposure unit EEW. The heat treatment unit 42 of the development cell C4 includes a heating unit HP, a cooling unit CP, and a heating / cooling unit PHP. On the upper side of the heating / cooling unit PHP of the developing cell C4, a placement unit PASS 6 is stacked. The main transport mechanism T 4 and an IF transport mechanism T IF, which will be described later, deliver the substrate W via the placement unit PASS 6 . The heating / cooling unit PHP provided in the developing cell C4 also performs a post-exposure heating (PEB) process on the exposed substrate W.

以下において、現像セルC2、C4に設けられている現像処理ユニットDEVやエッジ露光ユニットEEW等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「2」又は「4」を付す(たとえば、現像セルC2に設けられる加熱ユニットHPを「加熱ユニットHP」と記載する)。 In the following, when distinguishing the development processing units DEV, edge exposure units EEW, and the like provided in the development cells C2 and C4, subscripts “2” and “4” are respectively attached (for example, the development cells C2 are assigned to the development cells C2). The provided heating unit HP is described as “heating unit HP 2 ”).

現像セルC2、C4の搬送スペースA、Aにも、第1吹出ユニット61や排出ユニット62等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、現像セルC2、C4の現像処理ユニットDEVには、第2吹出ユニット67や第2気体排出管66等に相当する構成がそれぞれ設けられている。 The transport spaces A 2 and A 4 of the developing cells C 2 and C 4 are also provided with configurations corresponding to the first blowing unit 61 and the discharge unit 62, respectively. Further, the development processing units DEV of the development cells C2 and C4 are respectively provided with configurations corresponding to the second blowing unit 67, the second gas discharge pipe 66, and the like.

[IF部5]
IF部5は処理ブロックBbの各現像セルC2、C4と露光機EXPとの間で基板Wを受け渡す。IF部5は基板Wを搬送するIF用搬送機構TIFを備えている。IF用搬送機構TIFは、相互に基板Wを受け渡し可能な第1搬送機構TIFAと第2搬送機構TIFBを有する。第1搬送機構TIFAは、各現像セルC2、C4に対して基板Wを搬送する。上述したように、本実施例では第1搬送機構TIFAは、現像セルC2、C4の載置部PASS、PASSと、現像セルC3、C4の各加熱冷却ユニットPHPに対して基板Wを搬送する。第2搬送機構TIFBは、露光機EXPに対して基板Wを搬送する。
[IF unit 5]
The IF unit 5 delivers the substrate W between the developing cells C2 and C4 of the processing block Bb and the exposure apparatus EXP. IF section 5 is provided with an IF's transport mechanisms T IF for transporting the substrate W. The IF transport mechanism TIF includes a first transport mechanism TIFA and a second transport mechanism TIFB that can transfer the substrate W to each other. The first transport mechanism TIFA transports the substrate W to the development cells C2 and C4. As described above, the first transport mechanism T IFA in this embodiment, a part PASS 5, PASS 6 mounting of the developing cell C2, C4, the substrate W with respect to each of the heating and cooling units PHP for developing cell C3, C4 Transport. The second transport mechanism T IFB transports the substrate W to the exposure machine EXP.

図1に示すように、第1搬送機構TIFAと第2搬送機構TIFBとは、処理ブロックBa、処理ブロックBbの搬送方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第1搬送機構TIFAは現像セルC2、C4の熱処理ユニット42等が位置する側に配置されている。第2搬送機構TIFBは現像セルC2、C4の現像処理ユニットDEVが位置する側に配置されている。また、第1、第2搬送機構TIFA、TIFBの間には基板Wを載置して冷却する載置部PASS−CPと、基板Wを載置する載置部PASSと、基板Wを一時的に収容するバッファ部BFIFが設けられている。バッファ部BFIFは複数枚の基板Wを載置または収容可能である。第1、第2搬送機構TIFA、TIFBは、載置部PASS−CP及び載置部PASSを介して基板Wを受け渡す。バッファ部BFIFには、専ら第1搬送機構TIFAのみがアクセスする。 As shown in FIG. 1, the first transport mechanism T IFA and the second transport mechanism T IFB are provided side by side in a lateral direction substantially orthogonal to the transport direction of the processing block Ba and the processing block Bb. The first transport mechanism TIFA is disposed on the side of the developing cells C2 and C4 where the heat treatment unit 42 and the like are located. The second transport mechanism TIFB is disposed on the side of the development cells C2 and C4 where the development processing unit DEV is located. Further, between the first and second transport mechanisms T IFA , T IFB , a placement unit PASS-CP for placing and cooling the substrate W, a placement unit PASS 7 for placing the substrate W, and the substrate W Is provided in the buffer unit BFIF. The buffer unit BFIF can place or accommodate a plurality of substrates W. The first and second transport mechanisms T IFA and T IFB deliver the substrate W via the placement unit PASS-CP and the placement unit PASS 7 . The buffer unit BFIF, exclusively the first transport mechanism T IFA accesses.

図7に示すように、第1搬送機構TIFAは、固定的に設けられる基台83と、基台83に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸85と、この昇降軸85に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム87とを備えている。第2搬送機構TIFBも基台83と昇降軸85と保持アーム87とを備えている。 As shown in FIG. 7, the first transport mechanism TIFA is fixedly provided with a base 83, a lifting shaft 85 that expands and contracts vertically with respect to the base 83, and a swing with respect to the lifting shaft 85. And a holding arm 87 that moves back and forth in the turning radius direction and holds the substrate W. The second transport mechanism T IFB also includes a base 83, a lifting shaft 85, and a holding arm 87.

次に本装置10の制御系について説明する。図10は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置10は、制御部90と入力部101を備えている。   Next, the control system of the apparatus 10 will be described. FIG. 10 is a control block diagram of the substrate processing apparatus according to the embodiment. As illustrated, the apparatus 10 includes a control unit 90 and an input unit 101.

入力部101は、任意の処理ユニットを実際に基板Wに処理させる処理ユニットに指定する命令をユーザーから受け付ける。ここで、処理ユニットは、上述した各セルCに設けられている全ての処理ユニット(具体的には、塗布処理ユニット31、熱処理ユニット41、現像処理ユニットDEV、熱処理ユニット42、および、エッジ露光ユニットEEW)である。また、以下では、制御部90等によって各処理ユニットを、実際に基板Wに処理させる処理ユニットと実際に基板Wに処理させない処理ユニットとに区別する場合、前者を「使用処理部」と記載し、後者を「待機処理部」と記載する。入力部101は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。   The input unit 101 receives a command for designating a processing unit that actually processes an arbitrary processing unit on the substrate W from the user. Here, the processing units are all the processing units provided in each cell C described above (specifically, the coating processing unit 31, the heat treatment unit 41, the development processing unit DEV, the heat treatment unit 42, and the edge exposure unit). EEW). Further, in the following, when the processing unit 90 or the like distinguishes each processing unit into a processing unit that actually processes the substrate W and a processing unit that does not actually process the substrate W, the former is referred to as a “use processing unit”. The latter is referred to as a “standby processing unit”. The input unit 101 includes a pointing device represented by a mouse, a keyboard, a joystick, a trackball, a touch panel, and the like.

制御部90は、メインコントローラ91と第1ないし第7コントローラ93、94、95、96、97、98、99を備えている。メインコントローラ91には、入力部101が受け付けた命令が入力される。メインコントローラ91は、第1から第7コントローラ93〜99を統括的に制御する。   The control unit 90 includes a main controller 91 and first to seventh controllers 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99. The command received by the input unit 101 is input to the main controller 91. The main controller 91 comprehensively controls the first to seventh controllers 93 to 99.

第1コントローラ93はID用搬送機構TIDによる基板搬送を制御する。第2コントローラ94は主搬送機構Tによる基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTと反射防止膜用塗布処理ユニットBARCと冷却ユニットCPと加熱冷却ユニットPHPとアドヒージョン処理ユニットAHLにおける基板処理を制御する。第3コントローラ95は主搬送機構Tによる基板搬送と、エッジ露光ユニットEEWと現像処理ユニットDEVと加熱ユニットHPと冷却ユニットCPにおける基板処理を制御する。第4、第5コントローラ96、97の制御はそれぞれ第2、第3コントローラ94、95の制御と対応する。第6コントローラ98は、第1搬送機構TIFAによる基板搬送と、加熱冷却ユニットPHP、PHPにおける基板処理を制御する。第7コントローラ99は、第2搬送機構TIFBによる基板搬送を制御する。上述した第1〜第7コントローラ93〜99はそれぞれ互いに独立して制御を行う。 The first controller 93 controls substrate transport by the ID transport mechanism T ID . The second controller 94 transports the substrate by the main transport mechanism T 1 , resist film coating unit RESIST 1 , antireflection film coating unit BARC 1 , cooling unit CP 1 , heating / cooling unit PHP 1, and adhesion processing unit AHL 1. Control the substrate processing at. The third controller 95 controls substrate transport by the main transport mechanism T 2, and substrate treatment in the edge exposing unit EEW 2, developing units DEV 2, heating units HP 2 and cooling units CP 2. The control of the fourth and fifth controllers 96 and 97 corresponds to the control of the second and third controllers 94 and 95, respectively. The sixth controller 98 controls substrate transport by the first transport mechanism TIFA and substrate processing in the heating / cooling units PHP 2 and PHP 4 . The seventh controller 99 controls substrate transport by the second transport mechanism TIFB . The first to seventh controllers 93 to 99 described above perform control independently of each other.

また、本装置10は、第1ないし第7コントローラ93〜99ごとに、それらが制御する搬送機構および処理ユニットが異常状態であることを検知する検知部ER1、ER2、…、ER7を備えている。各検知部ER1〜ER7はそれぞれ、搬送機構ごとに、または、処理ユニットごとに別個に設けられていてもよい。各検知部ER1〜ER7が異常状態を検知すると、その検知結果は、対応する第1ないし第7コントローラ93〜99を介してメインコントローラ91に与えられる。   Moreover, this apparatus 10 is equipped with detection part ER1, ER2, ..., ER7 which detects that the conveyance mechanism and processing unit which they control for every 1st thru | or 7th controllers 93-99 are in an abnormal state. . Each of the detection units ER1 to ER7 may be provided for each transport mechanism or for each processing unit. When each of the detection units ER1 to ER7 detects an abnormal state, the detection result is given to the main controller 91 via the corresponding first to seventh controllers 93 to 99.

ここで、異常状態とは、処理ユニットであれば、一定以上の品質で基板に処理を行うことができない状態をいう。たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTであれば、処理液の供給量の異常などが例示される。また、加熱冷却ユニットPHPや冷却ユニットCPであれば、基板Wを熱処理する温度の異常などが例示される。そのほか、各処理ユニットの基板搬送口が開閉できない場合や、基板Wを回転保持できない場合など、処理ユニットの機械的な異常も含まれる。また、搬送機構の場合、物理的に基板Wを搬送できない場合のほか、保持アームの汚損等により基板を清浄に搬送できない場合などが例示される。   Here, the abnormal state refers to a state in which a substrate cannot be processed with a certain quality or more if it is a processing unit. For example, in the case of the resist film coating processing unit RESIST, an abnormality in the supply amount of the processing liquid is exemplified. Further, in the case of the heating / cooling unit PHP and the cooling unit CP, an abnormality in the temperature at which the substrate W is heat-treated is exemplified. In addition, mechanical abnormality of the processing unit is also included, such as when the substrate transfer port of each processing unit cannot be opened and closed, or when the substrate W cannot be rotated and held. In the case of the transport mechanism, there are exemplified cases in which the substrate W cannot be transported physically and the substrate cannot be transported cleanly due to contamination of the holding arm.

メインコントローラ91および第1〜第7コントローラ93〜99はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置(CPU)や、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)や、予め設定されている処理レシピ(処理プログラム)など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。処理レシピには、本装置10が搭載する処理ユニットの種類別の数、および、各種の処理ユニットが1枚の基板Wを処理するのに要する処理時間(「種類別単位処理時間」)が予め記憶されている。   Each of the main controller 91 and the first to seventh controllers 93 to 99 is a central processing unit (CPU) that executes various processes, a RAM (Random-Access Memory) that is a work area for arithmetic processing, It is realized by a storage medium such as a fixed disk for storing various information such as a processing recipe (processing program). In the processing recipe, the number of processing units mounted on the apparatus 10 by type and the processing time required for each processing unit to process one substrate W (“unit processing time by type”) are preliminarily set. It is remembered.

[1.本装置の基本的な動作]
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。まず、図11、図12を参照して、本装置10の基本的な動作を説明し、その後で、本装置10の特徴的な動作を説明する。図11は基板Wに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Wが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図12は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。
[1. Basic operation of this device]
Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment will be described. First, the basic operation of the apparatus 10 will be described with reference to FIGS. 11 and 12, and then the characteristic operation of the apparatus 10 will be described. FIG. 11 is a flowchart for performing a series of processes on the substrate W, and shows a processing unit or a placement unit on which the substrates W are sequentially transferred. FIG. 12 is a diagram schematically showing the operations that each transport mechanism repeatedly performs, and clearly shows the order of processing units, placement units, cassettes, and the like accessed by the transport mechanism.

[ID用搬送機構TID
ID用搬送機構TIDは一のカセットCに対向する位置に移動し、カセットCに収容される一枚の未処理の基板Wを保持アーム25に保持してカセットCから搬出する。ID用搬送機構TIDは保持アーム25を旋回し昇降軸23を昇降して載置部PASSに対向する位置に移動し、保持している基板Wを載置部PASS1Aに載置する(図11におけるステップS1aに対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。)。このとき、載置部PASS1Bには通常、基板Wが載置されており、この基板Wを受け取ってカセットCに収納する(ステップS23)。なお、載置部PASS1Bに基板Wがない場合はステップS23を省略する。続いて、ID用搬送機構TIDはカセットCにアクセスして、カセットCに収容される基板Wを載置部PASS3Aへ搬送する(ステップS1b)。ここでも、載置部PASS3Bに基板Wが載置されていれば、この基板WをカセットCに収納する(ステップS23)。ID用搬送機構TIDは上述した動作を繰り返し行う。
[ID transport mechanism T ID ]
The ID transport mechanism T ID moves to a position facing the one cassette C, holds one unprocessed substrate W accommodated in the cassette C in the holding arm 25 and carries it out of the cassette C. The ID transport mechanism T ID turns the holding arm 25 and moves the lifting shaft 23 up and down to move to a position facing the mounting portion PASS 1 to place the held substrate W on the mounting portion PASS 1A ( This corresponds to step S1a in Fig. 11. Hereinafter, only step symbols will be added. At this time, the substrate W is normally placed on the placement unit PASS 1B , and the substrate W is received and stored in the cassette C (step S23). In addition, when there is no substrate W in the placement unit PASS 1B , step S23 is omitted. Subsequently, the ID transport mechanism T ID accesses the cassette C, and transports the substrate W accommodated in the cassette C to the placement unit PASS 3A (step S1b). Also here, if the substrate W is placed on the placement part PASS 3B , the substrate W is stored in the cassette C (step S23). The ID transport mechanism T ID repeatedly performs the above-described operation.

このようなID用搬送機構TIDの動作は、第1コントローラ93によって制御されている。これにより、カセットCの基板Wを塗布セルC1に送るとともに、塗布セルC1から払い出された基板WをカセットCに収容する。同様に、カセットCの基板Wを塗布セルC3へ送るとともに、塗布セルC3から払い出された基板WをカセットCに収容する。 The operation of the ID transport mechanism T ID is controlled by the first controller 93. Thereby, the substrate W of the cassette C is sent to the coating cell C1, and the substrate W discharged from the coating cell C1 is accommodated in the cassette C. Similarly, the substrate W of the cassette C is sent to the coating cell C3, and the substrate W discharged from the coating cell C3 is accommodated in the cassette C.

[主搬送機構T、T
主搬送機構Tの動作は主搬送機構Tの動作と略同じであるので、主搬送機構Tについてのみ説明する。主搬送機構Tは載置部PASSに対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Tは直前に載置部PASS2Bから受け取った基板Wを一方の保持アーム57(例えば57b)に保持している。主搬送機構Tは保持している基板Wを載置部PASS1Bに載置するとともに(ステップS22)、他方の保持アーム57(例えば57a)で載置部PASS1Aに載置されている基板Wを保持する。
[Main transport mechanisms T 1 , T 3 ]
Since the operation of the main transport mechanism T 3 is substantially the same as operation of the main transport mechanism T 1, a description will be given only the main transport mechanism T 1. The main transport mechanism T 1 moves to a position facing the placement unit PASS 1 . At this time, the main transport mechanism T 1 holds the substrate W received from the portion PASS 2B placing just before the one holding arm 57 (e.g., 57 b). Substrate on which the main transport mechanism T 1 is placed on (step S22), and mounting the other holding arm 57 (e.g. 57a) portion PASS 1A with placing the portion PASS 1B mounting the wafer W held Hold W.

主搬送機構Tは冷却ユニットCPにアクセスする。冷却ユニットCPには既に冷却処理が終了した他の基板Wがある。主搬送機構Tは空の(基板Wを保持していない)保持アーム57で他の基板Wを保持して冷却ユニットCPから搬出するとともに、載置部PASS1Aから受け取った基板Wを冷却ユニットCPに搬入する。そして、主搬送機構Tは冷却された基板Wを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットBARCに移動する。冷却ユニットCPは搬入された基板Wに対して冷却処理を開始する(ステップS2)。この熱処理(冷却)は、当該冷却処理ユニットCPに主搬送機構Tが次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット41や塗布処理ユニット31においても、主搬送機構Tがアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Wが既にあるものとする。 The main transport mechanism T 1 accesses the cooling unit CP 1. The cooling unit CP 1 there are other substrate W already cooling process is completed. With unloaded from the main transport mechanism T 1 cooling unit CP 1 holds the other substrate W in an empty (not holding the substrate W) holding arm 57, cooling the wafer W received from the mounting portion PASS 1A It carried into the unit CP 1. Then, the main transport mechanism T 1 moves holding the cooled wafer W into the film coating units BARC 1. The cooling unit CP 1 starts cooling processing for the loaded wafer W (step S2). This heat treatment (cooling) has already finished when the main transport mechanism T 1 into the cooling processing unit CP 1 next access. In the following description, also in the heat-treating units 41 and coating units 31 of various other, when the main transport mechanism T 1 is accessed, it is assumed that the substrate W having been subjected to the predetermined processing each already.

反射防止膜用塗布処理ユニットBARCにアクセスすると、主搬送機構Tは反射防止膜用塗布処理ユニットBARCから反射防止膜が形成された基板Wを搬出するとともに、冷却された基板Wを反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの回転保持部32に置く。その後、主搬送機構Tは反射防止膜が形成された基板Wを保持して加熱冷却ユニットPHPに移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットBARCは回転保持部32に載置された基板Wに対して反射防止膜材料塗布処理を開始する(ステップS3a)。 When the antireflection film coating unit BARC 1 is accessed, the main transport mechanism T 1 unloads the substrate W on which the antireflection film is formed from the antireflection film coating unit BARC 1 and reflects the cooled substrate W. It is placed on the rotation holding unit 32 of the coating treatment unit BARC 1 for the prevention film. Thereafter, the main transport mechanism T 1 holds the substrate W on which the antireflection film is formed and moves to the heating / cooling unit PHP 1 . The antireflection film coating unit BARC 1 starts the antireflection film material coating process on the substrate W placed on the rotation holding unit 32 (step S3a).

具体的には、回転保持部32が基板Wを水平姿勢で回転させるとともに、把持部36で一のノズル35を把持し、ノズル移動機構37の駆動により把持したノズル35を基板Wの上方に移動させ、ノズル35から反射防止膜用の処理液を基板Wに供給する。供給された処理液は基板Wの全面に広がり、基板Wから捨てられる。カップ33は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Wに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。   Specifically, the rotation holding unit 32 rotates the substrate W in a horizontal posture, holds one nozzle 35 by the holding unit 36, and moves the held nozzle 35 above the substrate W by driving the nozzle moving mechanism 37. Then, the processing liquid for the antireflection film is supplied from the nozzle 35 to the substrate W. The supplied processing liquid spreads over the entire surface of the substrate W and is discarded from the substrate W. The cup 33 collects the discarded processing liquid. In this way, the process of coating and forming the antireflection film on the substrate W is performed.

主搬送機構Tは加熱冷却ユニットPHPにアクセスすると、加熱冷却ユニットPHPから熱処理が済んだ基板Wを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Wを加熱冷却ユニットPHPに投入する。その後、主搬送機構Tは加熱冷却ユニットPHPから搬出した基板Wを保持して冷却ユニットCPに移動する。加熱冷却ユニットPHPでは2つのプレート43上に順次、基板Wを載置して、一のプレート43上で基板Wを加熱した後に他のプレート43上で基板Wを冷却する(ステップS4a)。 The main transport mechanism T 1 accesses the the heating and cooling unit PHP 1, with unloading the wafer W having the heat treatment from the heating and cooling unit PHP 1, turning on the wafer W having antireflection film formed thereon into the heating and cooling unit PHP 1 . Then, the main transport mechanism T 1 holds and moves the wafer W taken out of the heating and cooling unit PHP 1 to the cooling unit CP 1. In the heating / cooling unit PHP 1 , the substrates W are sequentially placed on the two plates 43, the substrate W is heated on the one plate 43, and then the substrate W is cooled on the other plate 43 (step S 4 a).

主搬送機構Tは冷却ユニットCPに移動すると、冷却ユニットCP内の基板Wを搬出するとともに、保持している基板Wを冷却ユニットCPに搬入する。冷却ユニットCPは搬入された基板Wを冷却する(ステップS5a)。 The main transport mechanism T 1 moved to the cooling unit CP 1, with a wafer W out of the cooling unit CP 1, and loads the wafer W held in the cooling unit CP 1. The cooling unit CP 1 cools the loaded wafer W (step S5a).

続いて、主搬送機構Tはレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTに移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTからレジスト膜が形成された基板Wを搬出するとともに、保持している基板Wをレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTに搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTは搬入された基板Wを回転させつつレジスト膜材料を塗布する(ステップS6a)。 Subsequently, the main transport mechanism T 1 moves to the resist film coating unit RESIST 1 . Then, the substrate W on which the resist film is formed is unloaded from the resist film coating processing unit RESIST 1 , and the held substrate W is loaded into the resist film coating processing unit RESIST 1 . The resist film coating unit RESIST 1 applies the resist film material while rotating the substrate W that has been carried in (step S6a).

主搬送機構Tはさらに加熱冷却ユニットPHPと冷却ユニットCPに移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Wを加熱冷却ユニットPHPに搬入し、加熱冷却ユニット部PHPで処理が済んだ基板Wを冷却ユニットCPに移すとともに、この冷却ユニットCPにおいて処理が済んだ基板Wを受け取る。加熱冷却ユニットPHPと冷却ユニットCPはそれぞれ未処理の基板Wに所定の処理を行う(ステップS7a、ステップS8a)。 The main transport mechanism T 1 further moves to the heating / cooling unit PHP 1 and the cooling unit CP 1 . Then, the wafer W having resist film formed thereon is carried into the heating and cooling unit PHP 1, transfers a wafer W to the cooling unit CP 1 having undergone the processing in the heating and cooling unit portion PHP 1, the processing in the cooling unit CP 1 The finished substrate W is received. The heating / cooling unit PHP 1 and the cooling unit CP 1 each perform a predetermined process on the unprocessed substrate W (steps S7a and S8a).

主搬送機構Tは載置部PASSに移動して、保持している基板Wを載置部PASS2Aに載置し(ステップS9a)、載置部PASS2Bに載置されている基板Wを受け取る(ステップS21a)。 The main transport mechanism T 1 moves to the mounting portion PASS 2, held placed on the portion PASS 2A mounting the substrate W is (Step S9a), are placed on the placing portion PASS 2B substrate W Is received (step S21a).

その後、主搬送機構Tは再び載置部PASSにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第2コントローラ94によって制御されている。これにより、カセットCから載置部PASSに搬送された基板Wは全て、塗布セルC1において各種処理ユニット間を上述した搬送経路で搬送され、搬送された各処理ユニットで所定の処理が順次行われる。 Thereafter, the main transport mechanism T 1 accesses the placement unit PASS 1 again and repeats the above-described operation. This operation is controlled by the second controller 94. As a result, all the substrates W transferred from the cassette C to the placement unit PASS 1 are transferred between the various processing units in the coating cell C1 along the transfer path described above, and predetermined processing is sequentially performed in each transferred processing unit. Is called.

また、主搬送機構Tは、載置部PASSに搬送された基板Wを所定の処理ユニット(本実施例では冷却ユニットCP)に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Wを取り出す。引き続いて、取り出した基板Wを次の処理ユニット(本実施例で反射防止膜用塗布処理ユニットBARC)に搬送するとともにこの処理ユニットから処理済みの基板Wを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Wをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Wについて並行して処理を進める。そして、先に載置部PASSに載置された基板Wから順に載置部PASSに載置して、現像セルC2へ払いだす。同様に、先に載置部PASSに載置された基板Wから順に載置部PASSに載置して、ID部1へ払い出す。 The main transport mechanism T 1 transports the substrate W transported to the placement unit PASS 1 to a predetermined processing unit (cooling unit CP 1 in the present embodiment) and also transfers the processed substrate W from the processing unit. Take out. Subsequently, the taken-out substrate W is transferred to the next processing unit (antireflection film coating processing unit BARC 1 in this embodiment), and the processed substrate W is taken out from this processing unit. In this manner, the substrates W that have been processed in the respective processing units are moved to new processing units, so that the processing is performed in parallel on the plurality of substrates W. Then, the substrate W placed on the placement unit PASS 1 is placed on the placement unit PASS 2 in order from the substrate W and discharged to the developing cell C2. Similarly, the substrates W placed on the placement unit PASS 2 are placed on the placement unit PASS 1 in order from the substrate W and discharged to the ID unit 1.

[主搬送機構T、T
主搬送機構Tの動作は主搬送機構Tの動作と略同じであるので、主搬送機構Tについてのみ説明する。主搬送機構Tは載置部PASSに対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Tは直前にアクセスした冷却ユニットCPから受け取った基板Wを保持している。主搬送機構Tは保持している基板Wを載置部PASS2Bに載置するとともに(ステップS21a)、載置部PASS2Aに載置されている基板Wを保持する(ステップS9a)。
[Main transport mechanisms T 2 , T 4 ]
Since the operation of the main transport mechanism T 4 is substantially the same as the operation of the main transport mechanism T 2, a description will be given only the main transport mechanism T 2. The main transport mechanism T 2 moves to a position opposed to the receiver PASS 2. At this time, the main transport mechanism T 2 holds a wafer W received from a cooling unit CP 2 accessed immediately before. The main transport mechanism T 2 places the part PASS 2B mounting the wafer W held (step S21a), for holding a substrate W placed on the placing portion PASS 2A (step S9a).

主搬送機構Tはエッジ露光ユニットEEWにアクセスする。そして、エッジ露光ユニットEEWで所定の処理が行われた基板Wを受け取るととともに、冷却された基板Wをエッジ露光ユニットEEWに搬入する。エッジ露光ユニットEEWは搬入された基板Wを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Wの周縁部に光を照射する。これにより基板Wの周辺を露光する(ステップS10a)。 The main transport mechanism T 2 accesses into the edge exposing unit EEW 2. Then, the substrate W that has been subjected to the predetermined processing in the edge exposure unit EEW 2 is received, and the cooled substrate W is carried into the edge exposure unit EEW 2 . The edge exposure unit EEW 2 irradiates the peripheral edge of the substrate W from a light irradiation unit (not shown) while rotating the loaded substrate W. Thereby, the periphery of the substrate W is exposed (step S10a).

主搬送機構Tはエッジ露光ユニットEEWから受け取った基板Wを保持して載置部PASSにアクセスする。そして、保持している基板Wを載置部PASS5Aに載置し(ステップS11a)、載置部PASS5Bに載置されている基板Wを保持する(ステップS16a)。 The main transport mechanism T 2 holds the substrate W received from the edge exposure unit EEW 2 and accesses the placement unit PASS 5 . Then, the substrate W held is placed on the placement unit PASS 5A (step S11a), and the substrate W placed on the placement unit PASS 5B is held (step S16a).

主搬送機構Tは冷却ユニットCPに移動して、保持している基板Wを冷却ユニットCP内の基板Wと入れ換える。主搬送機構Tは冷却処理が済んだ基板Wを保持して現像処理ユニットDEVにアクセスする。冷却ユニットCPは新たに搬入された基板Wに対して処理を開始する(ステップS17a)。 The main transport mechanism T 2 moves to one of the cooling units CP 2, the wafer W held by replacing the substrate W in the cooling unit CP 2. The main transport mechanism T 2 accesses the developing units DEV 2 holds the wafer W having received cooling treatment. Cooling unit CP 2 starts treatment of the newly loaded wafer W (step S17a).

主搬送機構Tは現像処理ユニットDEVから現像された基板Wを搬出するとともに、冷却された基板Wを現像処理ユニットDEVの回転保持部77に置く。現像処理ユニットDEVは回転保持部77に置かれた基板Wを現像する(ステップS18a)。具体的には、回転保持部77が基板Wを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル81aから基板Wに現像液を供給して基板Wを現像する。 The main transport mechanism T 2 takes a wafer W that has been developed from the developing unit DEV 2, and places the cooled wafer W on the spin holder 77 of the developing unit DEV 2. The development processing unit DEV 2 develops the substrate W placed on the rotation holding unit 77 (step S18a). Specifically, while the rotation holding unit 77 rotates the substrate W in a horizontal posture, the developing solution is supplied to the substrate W from any of the slit nozzles 81a to develop the substrate W.

主搬送機構Tは現像された基板Wを保持して加熱ユニットHPにアクセスする。そして、加熱ユニットHPから基板Wを搬出するとともに、保持する基板Wを加熱ユニットHPに投入する。続いて、主搬送機構Tは加熱ユニットHPから搬出した基板Wを冷却ユニットCPに搬送するとともに、この冷却ユニットCPにおいて既に処理が済んだ基板Wを取り出す。加熱ユニットHPと冷却ユニットCPはそれぞれ未処理の基板Wに所定の処理を行う(ステップS19a、ステップS20a)。 The main transport mechanism T 2 accesses one of the heating units HP 2 holding the wafer W is developed. Then, the substrate W is unloaded from the heating unit HP 2 and the substrate W to be held is put into the heating unit HP 2 . Subsequently, the main transport mechanism T 2 conveys the substrate W out of the heating unit HP 2 to one of the cooling units CP 2, takes out the substrate W that is already processing completed in this cooling unit CP 2. Each of the heating unit HP 2 and the cooling unit CP 2 performs a predetermined process on the unprocessed substrate W (step S19a, step S20a).

その後、主搬送機構Tは再び載置部PASSにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第3コントローラ95によって制御されている。これにより、載置部PASS2Aに載置された順番どおりに基板Wが載置部PASS5Aに払い出される。同様に、また、基板Wを載置部PASS5Bに載置された順番どおりに基板Wが載置部PASS2Bに払い出される。 Thereafter, the main transport mechanism T 2 accesses the placement unit PASS 2 again and repeats the above-described operation. This operation is controlled by the third controller 95. Thereby, the substrate W is delivered to the placement unit PASS 5A in the order of placement on the placement unit PASS 2A . Similarly, the substrates W are discharged to the placement unit PASS 2B in the order in which the substrates W are placed on the placement unit PASS 5B .

[IF用搬送機構TIF〜第1搬送機構TIFA
第1搬送機構TIFAは載置部PASSにアクセスし、載置部PASS5Aに載置される基板Wを受け取る(ステップS11a)。第1搬送機構TIFAは受け取った基板Wを保持して載置部PASS−CPに移動し、載置部PASS−CP内に搬入する(ステップS12)。
次に、第1搬送機構TIFAは載置部PASSから基板Wを受け取り(ステップS14)、加熱冷却ユニットPHPに対向する位置に移動する。そして、第1搬送機構TIFAは加熱冷却ユニットPHPからすでに露光後加熱(PEB)処理が済んだ基板Wを取り出し、載置部PASSから受け取った基板Wを加熱冷却ユニットPHPに搬入する。加熱冷却ユニットPHPは未処理の基板Wを熱処理する(ステップS15)。
[IF transport mechanism T IF to first transport mechanism T IFA ]
First transport mechanism T IFA accesses the receiver PASS 5, and receives the substrate W placed on the placing part PASS 5A (step S11a). The first transport mechanism TIFA holds the received substrate W, moves to the placement unit PASS-CP, and carries it into the placement unit PASS-CP (step S12).
Next, it receives the substrate W from the first transport mechanism T IFA placing part PASS 7 (step S14), and moves to a position opposed to the heating and cooling units PHP 2. The first transport mechanism T IFA takes out a of the heating and cooling unit PHP 2 already heated after exposure from (PEB) processing has finished substrate W, and carries the wafer W received from the placing part PASS 7 of the heating and cooling units PHP 2 . The heating / cooling unit PHP 2 heat-treats the unprocessed substrate W (step S15).

第1搬送機構TIFAは加熱冷却ユニットPHPから取り出した基板Wを載置部PASS5Bに搬送する(ステップS16a)。続いて、第1搬送機構TIFAは載置部PASS6Aに載置される基板Wを載置部PASS−CPに搬送する(ステップS11b、S12)。次に、第1搬送機構TIFAは載置部PASSから加熱冷却ユニットPHPに搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットPHPにおける露光後加熱(PEB)処理が済んだ基板Wを取り出して載置部PASS4Bに載置する(ステップS14、S15b、S16b)。 The first transport mechanism T IFA transports the wafer W taken out of the heating and cooling unit PHP 2 to the mounting portion PASS 5B (step S16a). Subsequently, the first transport mechanism TIFA transports the substrate W placed on the placement unit PASS 6A to the placement unit PASS-CP (steps S11b and S12). Next, the first transport mechanism TIFA is transported from the placement unit PASS 7 to the heating / cooling unit PHP 4 . At this time, the substrate W that has been subjected to post-exposure heating (PEB) processing in the heating / cooling unit PHP 4 is taken out and placed on the placement unit PASS 4B (steps S14, S15b, and S16b).

その後、第1搬送機構TIFAは再び載置部PASSにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第6コントローラ98によって制御されている。 Thereafter, the first transport mechanism TIFA accesses the placement unit PASS 5 again and repeats the above-described operation. This operation is controlled by the sixth controller 98.

[IF用搬送機構TIF〜第2搬送機構TIFB
第2搬送機構TIFBは載置部PASS−CPから基板Wを取り出して、露光機EXPに搬送する。露光機EXPでは基板Wを露光する(ステップS13)。そして、露光機EXPから払い出される露光済みの基板Wを受け取ると、載置部PASSに搬送する。
[IF transport mechanism T IF to second transport mechanism T IFB ]
The second transport mechanism T IFB takes out the substrate W from the placement unit PASS-CP and transports it to the exposure apparatus EXP. The exposure machine EXP exposes the substrate W (step S13). Then, when the exposed substrate W delivered from the exposure machine EXP is received, it is transported to the placement unit PASS 7 .

その後、第2搬送機構TIFBは再び載置部PASS−CPにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。 Thereafter, the second transport mechanism TIFB accesses the placement unit PASS-CP again and repeats the above-described operation.

[2.本装置の特徴的な動作]
次に、本実施例の特徴的な動作を説明する。ここでは、塗布セルC1における主搬送機構Tの搬送動作を例にとって説明する。また、説明を簡略にするため、主搬送機構Tの搬送動作を、図11におけるステップS6aからステップS8aまでとして説明する。
[2. Characteristic operation of this device]
Next, a characteristic operation of the present embodiment will be described. Here, a description will be given of the transport operation of the main transport mechanism T 1 in the coating cell C1 as an example. Further, for simplicity of explanation, the conveyance operation of the main transport mechanism T 1, is described as the step S6a in Fig. 11 to step S8a.

さらに前提として、塗布セルC1は、ステップS6aで使用するレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTを3台、ステップS7aで使用する加熱冷却ユニットPHPを2台、ステップS8aで使用する冷却ユニットCPを1台、を備えているものとする。以下では、これらを各処理ユニットを区別するために、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTa、「RESISTb、RESISTc、と記載する。同様に、加熱冷却ユニットPHPa、PHPbと記載する。   As a further premise, the coating cell C1 has three resist film coating processing units RESIST used in step S6a, two heating / cooling units PHP used in step S7a, and one cooling unit CP used in step S8a. It shall be equipped with. Hereinafter, in order to distinguish these processing units, they are described as resist film coating processing units RESISTa, “RESISTb, RESISTc. Similarly, they are described as heating / cooling units PHPa, PHPb.

また、各レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTが基板Wを1枚処理するのに要する処理時間、すなわち、種類別単位時間を60秒とする。同様に、各加熱冷却ユニットPHPの種類別単位時間を40秒、各冷却ユニットCPの種類別単位時間を20秒とする。   Further, the processing time required for each resist film coating processing unit RESIST to process one substrate W, that is, the unit time for each type is 60 seconds. Similarly, the unit time by type of each heating / cooling unit PHP is 40 seconds, and the unit time by type of each cooling unit CP is 20 seconds.

この前提では、各レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST、各加熱冷却ユニットPHP、冷却ユニットCPが、この発明における処理部に相当する。また、主搬送機構Tが搬送部に相当する。また、バッファ部BF2が、この発明におけるバッファ部に相当する。ただし、この発明における処理部、搬送部、および、バッファ部は、これら各構成のみに限定されない。 Under this premise, each resist film coating processing unit RESIST, each heating / cooling unit PHP, and cooling unit CP correspond to the processing section in the present invention. The main transport mechanism T 1 is equivalent to the transport unit. The buffer unit BF2 corresponds to the buffer unit in the present invention. However, the processing unit, the transport unit, and the buffer unit in the present invention are not limited to these configurations.

図13を参照する。図13は制御部90の処理手順を示すフローチャートである。   Please refer to FIG. FIG. 13 is a flowchart showing a processing procedure of the control unit 90.

<ステップV1> 使用処理部の設定
ユーザーは、入力部101を操作して使用処理部を指定する。制御部90は、入力部101が受け付けた命令に基づいて、指定された処理ユニットを使用処理部と決定する。また、使用処理部に指定されなかった処理ユニットを待機処理部に決定する。
<Step V1> Setting of Use Processing Unit The user operates the input unit 101 to specify a use processing unit. The control unit 90 determines the designated processing unit as the use processing unit based on the command received by the input unit 101. In addition, a processing unit that is not designated as a use processing unit is determined as a standby processing unit.

<ステップV2> 搬送周期と搬送先の設定
レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの種類別処理時間を、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの数で除して、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの種類別処理時間を算出する。同様な手法で、加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPの各種類別処理時間を算出する。そして、最も長い種類別処理時間を、搬送周期に設定する。また、使用処理部と決定した各種の処理ユニットを搬送先と設定する。
<Step V2> Setting of transport cycle and transport destination Processing by type of resist film coating processing unit RESIST is divided by the number of resist film coating processing units RESIST to be processed by type of resist film coating processing unit RESIST. Calculate time. The processing time for each type of the heating / cooling unit PHP and the cooling unit CP is calculated by the same method. Then, the longest processing time by type is set as the conveyance cycle. In addition, various processing units determined as use processing units are set as transport destinations.

たとえば、全ての処理ユニットが使用処理部と決定された場合は次のようになる。すなわち、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTは3台であるので、その種類別処理時間は20秒である。加熱冷却ユニットPHPは2台であるので、その種類別処理時間は20秒である。冷却ユニットCPは1台であるので、その種類別処理時間は20秒である。よって、制御部90は、これらの中で最も長い種類別処理時間である20秒を搬送周期と設定する。また、全ての処理ユニットRESISTa、RESISTb、RESISTc、PHPa、PHPb、CPを搬送先と設定する。   For example, when all the processing units are determined to be use processing units, the processing is as follows. That is, since there are three resist film coating processing units RESIST, the processing time for each type is 20 seconds. Since there are two heating / cooling units PHP, the processing time for each type is 20 seconds. Since there is one cooling unit CP, the processing time for each type is 20 seconds. Accordingly, the control unit 90 sets 20 seconds, which is the longest processing time for each type, as the conveyance cycle. In addition, all the processing units RESISTa, RESISTb, RESISTc, PHPa, PHPb, and CP are set as transport destinations.

<ステップV3> 搬送制御
制御部90は設定した搬送周期ごとに、使用処理部のみを搬送先として、主搬送機構Tを動作させる。
Each conveying cycle <Step V3> conveyance control controller 90 is set, as the transport destination only use processing unit, to operate the main transport mechanism T 1.

<ステップV4> 異常状態の使用処理部があるか?
制御部90は、各検知部ER1〜ER7の検知結果に基づいて使用処理部が異常状態であるか否かを監視する。そして、異常状態の使用処理部がない場合はステップV3に戻り、上述した搬送動作を繰り返す。
<Step V4> Is there an abnormal use processing unit?
The control unit 90 monitors whether or not the use processing unit is in an abnormal state based on the detection results of the detection units ER1 to ER7. If there is no use processing unit in an abnormal state, the process returns to step V3 to repeat the above-described transport operation.

ここで、図14を参照する。図14は、処理の工程を例示するタイミングチャートである。図14において、符号u1、u2、u3、……を付記した黒三角は、各搬送周期t1、t2、t3、…における主搬送機構Tの搬送動作を模式的に示している。図15は、図14に示す搬送動作u1、u2、u3、…における主搬送機構Tの具体的な動作を示す図である。図14、図15は、全ての処理ユニットが使用処理部と決定された場合であって、異常状態の使用処理部がないときの動作を例示している。 Reference is now made to FIG. FIG. 14 is a timing chart illustrating the process steps. 14, reference numeral u1, u2, u3, black triangles which are indicated by the ...... are each carrier period t1, t2, t3, the conveying operation of the main transport mechanism T 1 in ... show schematically. 15, the transport operation u1, u2 shown in FIG. 14, u3, a diagram illustrating a specific operation of the main transport mechanism T 1 in .... FIG. 14 and FIG. 15 illustrate operations when all processing units are determined to be use processing units and there is no use processing unit in an abnormal state.

図14に示すように、全ての処理ユニットRESISTa、RESISTb、RESISTc、PHPa、PHPb、CPに基板Wが搬送されている。また、各搬送動作uは、搬送周期(20秒)ごとに行われている。   As shown in FIG. 14, the substrate W is transferred to all the processing units RESISTa, RESISTb, RESISTc, PHPa, PHPb, and CP. Each transport operation u is performed every transport cycle (20 seconds).

搬送周期t4における搬送動作u4に注目すると、搬送動作u4は、主搬送機構Tによる以下の一連に動作に相当する。まず、主搬送機構Tはレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTaに対して基板W6を搬出するとともに、基板W9を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットPHPaに対して基板W4を搬出するとともに、基板W6は搬入する。最後に、冷却ユニットCPに対して基板W3を搬出するともに、基板W4を搬入する。 Focusing on the transport operation u4 in the transport period t4, the transport operation u4 corresponds to the operation in the following sequence by the main transport mechanism T 1. First, the main transport mechanism T 1 as well as out the substrate W6 the resist film coating units RESISTa, carries the substrate W9. Subsequently, the substrate W4 is unloaded from the heating / cooling unit PHPa, and the substrate W6 is loaded. Finally, the substrate W3 is unloaded and the substrate W4 is loaded into the cooling unit CP.

ふたたび、ステップV4の説明をする。異常状態の使用処理部がある場合はステップV5に進む。   Step V4 will be described again. If there is an abnormal use processor, the process proceeds to step V5.

<ステップV5> 使用処理部の変更
制御部90は、異常状態となった使用処理部を待機処理部に変更する。
<Step V5> Change of Use Processing Unit The control unit 90 changes the use processing unit in an abnormal state to a standby processing unit.

<ステップV6> 搬送周期と搬送先の更新
制御部90は、それまでの搬送周期を、変更された使用処理部の数に基づいて得られる搬送周期に更新する。また、制御部90は、搬送先についても変更された使用処理部のみを搬送先とするように更新する。これにより、ステップV4で異常状態であると検知された処理ユニットは、搬送先から外れる。
<Step V6> Update of conveyance cycle and conveyance destination The control unit 90 updates the conveyance cycle so far to a conveyance cycle obtained based on the number of changed use processing units. Also, the control unit 90 updates the transport destination so that only the changed use processing unit is the transport destination. As a result, the processing unit detected as being in an abnormal state in step V4 is removed from the transport destination.

<ステップV7> 強制的に搬送可能か?
続いて、制御部90は、搬送先から外れた処理ユニットに強制的に搬送可能か否かを判断する。「強制的に搬送可能」とは、主搬送機構Tに障害、損傷、機能低下が生じることなく搬送部が処理部に基板を搬入/搬出できることである。したがって、その処理部が基板を一定の品質以上で処理できるか否かとは関係がない。また、この搬送可能か否かの判断の際、ステップV6で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期tにおける搬送動作uにおいては搬送先から外れた処理ユニットに基板Wを搬送しない場合は一律に、搬送可能と判断する(後述する「動作例2」に対応する)。
<Step V7> Can it be forcibly transported?
Subsequently, the control unit 90 determines whether or not the processing unit can be forcibly transported to a processing unit that is out of the transport destination. By "forced transportable", the main transport mechanism T 1 to the disorder, injury, conveyor portion without depression occurs is that the substrate can load / unload the processing unit. Therefore, it has nothing to do with whether or not the processing unit can process the substrate with a certain quality or higher. Further, when determining whether or not the transfer is possible, in the transfer operation u in the transfer cycle t that is in progress at the time when the transfer destination is updated in Step V6, the substrate W is not transferred to a processing unit that is out of the transfer destination. It is uniformly determined that the conveyance is possible (corresponding to “Operation Example 2” described later).

制御部90が強制的に搬送可能と判断したときは、ステップV8に進む。また、制御部90が強制的に搬送可能でないと判断したときはステップV9に進む。   When the control unit 90 determines that conveyance is forcibly possible, the process proceeds to step V8. On the other hand, when the controller 90 determines that it cannot be forcibly conveyed, the process proceeds to step V9.

<ステップV8> 強制搬送
制御部90は、ステップV6で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期tにおける搬送動作uにおいてはそのまま続行させる。具体的には、搬送先からはずれた処理ユニットに対しても基板Wを搬出するとともに、基板Wを搬入する。
<Step V8> Forced conveyance The controller 90 continues the conveyance operation u in the conveyance cycle t that is in progress at the time when the conveyance destination is updated in step V6. Specifically, the substrate W is unloaded to the processing unit deviated from the transfer destination, and the substrate W is loaded.

<ステップV9> バッファ部に搬送
制御部90は、ステップV6で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期tにおける搬送動作uにおいて、搬送先から外れた処理ユニットに対する基板搬送を中止させる。そして、搬送先からはずれた処理ユニットに搬入する予定であった基板Wをバッファ部に載置する。
<Step V9> Transfer to Buffer Unit The control unit 90 stops the substrate transfer to the processing unit that is out of the transfer destination in the transfer operation u in the transfer cycle t that is in progress at the time when the transfer destination is updated in Step V6. And the board | substrate W which was going to carry in to the processing unit offset from the conveyance destination is mounted in a buffer part.

<ステップV10> 搬送制御の切り替え
ステップV6で搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期tにおける搬送動作uが終了すると、制御部90は主搬送機構Tの搬送制御を切り替えて、ステップV3に進む。ステップV3では、更新された搬送周期および搬送先に基づいて主搬送機構Tを制御する。
When the transport operation u in the transport period t in progress at the time the <step V10> updates the transporting destination switching step V6 conveyance control is completed, the control unit 90 switches the conveyance control of the main transport mechanism T 1, Step V3 Proceed to At step V3, it controls the main transport mechanism T 1 based on the transport cycle and the transport destination is updated.

ここで、ステップV4〜V8、V3の動作例1、2、および、ステップV4〜V7、V9、V3の動作例3をそれぞれ例示する。   Here, operation examples 1 and 2 in steps V4 to V8 and V3 and operation example 3 in steps V4 to V7, V9, and V3 are illustrated.

前提として、加熱冷却ユニットPHPaが異常状態であると判断し(ステップV4)、加熱冷却ユニットPHPaを使用処理部から待機処理部に変更した(ステップV5)場合を例にとる。この場合、加熱冷却ユニットPHPは1台となるので、その種類別処理時間は40秒である。レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの種類別処理時間は20秒、冷却ユニットCPの種類別処理時間は20秒のままであるので、搬送周期は40秒に更新される(ステップV6)。また、搬送先は、処理ユニットRESISTa、RESISTb、RESISTc、PHPb、CPに更新され、搬送先から外れるのは加熱冷却ユニットPHPaである(ステップV6)。   As a premise, the heating / cooling unit PHPa is determined to be in an abnormal state (step V4), and the heating / cooling unit PHPa is changed from the use processing unit to the standby processing unit (step V5). In this case, since there is one heating / cooling unit PHP, the processing time for each type is 40 seconds. Since the processing time for each type of the resist film coating processing unit RESIST remains 20 seconds and the processing time for each type of the cooling unit CP remains 20 seconds, the conveyance cycle is updated to 40 seconds (step V6). The transport destination is updated to the processing units RESISTa, RESISTb, RESISTc, PHPb, and CP, and the heating / cooling unit PHPa is removed from the transport destination (step V6).

〈動作例1:ステップV4〜V8、V10、V3〉
制御部90は、この搬送先の更新を搬送周期t4の進行中に行い(ステップV6)、加熱冷却ユニットPHPaに強制的に基板Wを搬送可能と判断した(ステップV7)場合で説明する。
<Operation Example 1: Steps V4 to V8, V10, V3>
The control unit 90 updates the transfer destination while the transfer period t4 is in progress (step V6), and the case where it is determined that the substrate W can be forcibly transferred to the heating / cooling unit PHPa (step V7) will be described.

この場合、主搬送機構Tによる基板搬送は図16、図17に示す通りとなる。図16は、処理の工程を例示するタイミングチャートであり、図16(a)は搬送先の更新前の期間のみを示し、(b)は搬送先の更新の前後の期間を示す。図17は、図16(b)に示す搬送動作u4以降を模式的に示す図である。 In this case, the substrate transport by the main transport mechanism T 1 is as shown in FIG. 16, FIG. 17. FIG. 16 is a timing chart illustrating the process steps. FIG. 16A shows only the period before the transfer destination is updated, and FIG. 16B shows the period before and after the transfer destination is updated. FIG. 17 is a diagram schematically showing the transport operation u4 and subsequent steps shown in FIG.

図16(b)と図17に示すように、更新した時点で進行中の搬送周期t4における搬送動作u4自体は、図14、図15と同じである。すなわち、まず、主搬送機構Tはレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTaに対して基板W6を搬出するとともに、基板W9を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットPHPaに対して基板W4を搬出するとともに、基板W6は搬入する。最後に、冷却ユニットCPに対して基板W3を搬出するともに、基板W4を搬入する。このように、制御部90は、搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期t4における搬送動作u4については、そのまま続行させる。 As shown in FIGS. 16B and 17, the transport operation u4 itself in the transport cycle t4 in progress at the time of the update is the same as in FIGS. That is, first, the main transport mechanism T 1 as well as out the substrate W6 the resist film coating units RESISTa, carries the substrate W9. Subsequently, the substrate W4 is unloaded from the heating / cooling unit PHPa, and the substrate W6 is loaded. Finally, the substrate W3 is unloaded and the substrate W4 is loaded into the cooling unit CP. As described above, the control unit 90 continues the transfer operation u4 in the transfer period t4 in progress at the time when the transfer destination is updated as it is.

続く搬送周期t5から、更新後の搬送先および搬送周期に基づく搬送制御に切り替わる(ステップV10、V3)。具体的には、搬送動作u5以降、搬送先から加熱冷却ユニットPHPaを外す。この結果、基板W6は加熱冷却ユニットPHPa内に搬入されたままとなる。また、搬送先の更新時に進行中である搬送周期t4の次に新たに始まる最初の搬送周期t5以降では、搬送周期tを40秒に変更している。また、図16(b)に明示するように、更新された搬送周期に切り替わる最初の搬送周期t5は、直前の搬送周期t4の開始から20秒経過した時点で開始されている。すなわち、搬送周期t4の進行中に搬送期間を更新した場合であって更新の前後で搬送周期の期間が変わったときでも、制御部90は搬送周期t4については更新前の搬送周期(20秒)のまま、維持する。   From the subsequent conveyance cycle t5, the conveyance control based on the updated conveyance destination and conveyance cycle is switched (steps V10 and V3). Specifically, the heating / cooling unit PHPa is removed from the transfer destination after the transfer operation u5. As a result, the substrate W6 remains carried into the heating / cooling unit PHPa. Further, after the first conveyance cycle t5 that starts newly after the conveyance cycle t4 that is in progress at the time of updating the conveyance destination, the conveyance cycle t is changed to 40 seconds. Further, as clearly shown in FIG. 16B, the first transfer cycle t5 to be switched to the updated transfer cycle is started when 20 seconds have elapsed from the start of the immediately preceding transfer cycle t4. That is, even when the conveyance period is updated while the conveyance period t4 is in progress and the period of the conveyance period changes before and after the update, the control unit 90 does not update the conveyance period t4 (20 seconds). Maintain.

〈動作例2:ステップV4〜V8、V10、V3〉
強制的に搬送可能と判断したときの動作例をもう一つ例示する。上述の前提において、制御部90は、搬送先の更新を搬送周期t5の進行中に行い(ステップV6)場合で説明する。この場合、加熱冷却ユニットPHPaには搬送周期t5における搬送動作u5では基板Wを搬送しないので、強制的に搬送可能と判断する(ステップV7)。
<Operation Example 2: Steps V4 to V8, V10, V3>
Another example of operation when it is determined that conveyance is forcibly possible will be described. Based on the above assumptions, the control unit 90 will be described in the case where the transfer destination is updated during the transfer period t5 (step V6). In this case, since the substrate W is not transferred to the heating / cooling unit PHPa in the transfer operation u5 in the transfer cycle t5, it is determined that the substrate can be forcibly transferred (step V7).

この場合、主搬送機構Tによる基板搬送は図18、図19に示す通りとなる。図18は、処理の工程を例示するタイミングチャートであり、図18(a)は搬送先の更新前の期間のみを示し、(b)は搬送先の更新の前後の期間を示す。図19は、図18(b)に示す搬送動作u5以降を模式的に示す図である。 In this case, the substrate transport by the main transport mechanism T 1 18 is as shown in FIG. 19. FIG. 18 is a timing chart illustrating the processing steps. FIG. 18A shows only a period before the transfer destination is updated, and FIG. 18B shows a period before and after the transfer destination is updated. FIG. 19 is a diagram schematically showing the conveyance operation u5 and subsequent steps shown in FIG.

図18(b)と図19に示すように、更新した時点で進行中の搬送周期t5における搬送動作u5自体は、図14、図15と同じである。すなわち、まず、主搬送機構Tはレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTbに対して基板W7を搬出するとともに、基板W10を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットPHPbに対して基板W5を搬出するとともに、基板W7は搬入する。最後に、冷却ユニットCPに対して基板W4を搬出するともに、基板W5を搬入する。このように、制御部90は、搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期t5における搬送動作u5については、そのまま続行させる。 As shown in FIGS. 18B and 19, the transport operation u <b> 5 itself in the transport cycle t <b> 5 in progress at the time of the update is the same as FIGS. 14 and 15. That is, first, the main transport mechanism T 1 as well as out the substrate W7 the resist film coating units RESISTb, carries the substrate W10. Subsequently, the substrate W5 is carried out to the heating / cooling unit PHPb, and the substrate W7 is carried in. Finally, the substrate W4 is unloaded from the cooling unit CP and the substrate W5 is loaded. As described above, the control unit 90 continues the transfer operation u5 in the transfer cycle t5 in progress at the time when the transfer destination is updated.

続く搬送周期t6から、更新後の搬送先および更新後の搬送周期に基づく搬送制御に切り替わる(ステップV10、V3)。具体的には、搬送動作u6以降、搬送先から加熱冷却ユニットPHPaを外す。この結果、基板W6は加熱冷却ユニットPHPa内に搬入されたままとなる。また、搬送周期t6以降では、搬送周期tを40秒に変更している。また、図18(b)に明示するように、更新された搬送周期に切り替わる最初の搬送周期t6は、直前の搬送周期t5の開始から40秒経過した時点で開始されている。すなわち、搬送周期t5の進行中に搬送期間を更新した場合であって更新の前後で搬送周期tの期間が変わったときに、更新後の最初の搬送周期t6を、直前の搬送周期t5の始期から更新後の搬送周期t(40秒)に相当する時間が経過したときに、開始させる。   From the subsequent conveyance cycle t6, the control is switched to the conveyance control based on the updated conveyance destination and the updated conveyance cycle (steps V10 and V3). Specifically, the heating / cooling unit PHPa is removed from the transfer destination after the transfer operation u6. As a result, the substrate W6 remains carried into the heating / cooling unit PHPa. Further, after the conveyance cycle t6, the conveyance cycle t is changed to 40 seconds. Further, as clearly shown in FIG. 18B, the first transport cycle t6 to be switched to the updated transport cycle is started when 40 seconds have elapsed from the start of the immediately preceding transport cycle t5. That is, when the conveyance period is updated while the conveyance cycle t5 is in progress and the period of the conveyance cycle t changes before and after the update, the updated first conveyance cycle t6 is set as the start of the immediately preceding conveyance cycle t5. Is started when a time corresponding to the updated conveyance cycle t (40 seconds) has elapsed.

〈動作例3:ステップV4〜V7、V9、V10、V3〉
次に、強制的に搬送可能でないと判断したときの動作例を例示する。ここでは、制御部90は、上述した搬送先の更新を搬送周期t4の進行中に行い(ステップV6)、加熱冷却ユニットPHPaに強制的に基板Wを搬送可能ではないと判断した(ステップV7)場合で説明する。
<Operation Example 3: Steps V4 to V7, V9, V10, V3>
Next, an example of an operation when it is determined that it cannot be forcibly conveyed will be exemplified. Here, the control unit 90 updates the transfer destination described above during the transfer period t4 (step V6), and determines that the substrate W cannot be forcibly transferred to the heating / cooling unit PHPa (step V7). The case will be explained.

この場合、主搬送機構Tによる基板搬送は図20、図21に示す通りとなる。図20は、処理の工程を例示するタイミングチャートであり、図20(a)は搬送先の更新前の期間のみを示し、(b)は搬送先の更新の前後の期間を示す。図21は、図20(b)に示す搬送動作u4以降を模式的に示す図である。 In this case, the substrate transport by the main transport mechanism T 1 20 is as shown in FIG. 21. FIG. 20 is a timing chart illustrating processing steps. FIG. 20A shows only a period before the transfer destination is updated, and FIG. 20B shows a period before and after the transfer destination is updated. FIG. 21 is a diagram schematically showing the transport operation u4 and subsequent steps shown in FIG.

図18(b)と図19に示すように、まず、主搬送機構Tはレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTaに対して基板W6を搬出するとともに、基板W9を搬入する。続いて、加熱冷却ユニットPHPaに基板W6を搬送することを中止する。そして、基板W6をバッファ部BF2に載置する。最後に、冷却ユニットCPに対して基板W3を搬出する。このように、制御部90は、搬送先を更新した時点で進行中の搬送周期t4における搬送動作u4において、加熱冷却ユニットPHPaに基板W6を搬入することを中止し、加熱冷却ユニットPHPaに搬入する予定であった基板W6をバッファ部BF2に載置させる。 As shown in FIG. 18 (b) and FIG. 19, first, the main transport mechanism T 1 as well as out the substrate W6 the resist film coating units RESISTa, carries the substrate W9. Subsequently, the transfer of the substrate W6 to the heating / cooling unit PHPa is stopped. Then, the substrate W6 is placed on the buffer unit BF2. Finally, the substrate W3 is unloaded from the cooling unit CP. In this way, the control unit 90 stops loading the substrate W6 into the heating / cooling unit PHPa and loads it into the heating / cooling unit PHPa in the transfer operation u4 in the transfer cycle t4 that is in progress at the time when the transfer destination is updated. The planned substrate W6 is placed on the buffer unit BF2.

続く搬送周期t5から、更新後の搬送先および搬送周期に基づく搬送制御に切り替わる(ステップV10、V3)。具体的には、搬送動作u5以降、搬送先から加熱冷却ユニットPHPaを外す。この結果、基板W6はバッファ部BF2に載置されたままとなる。また、搬送周期t5、t6、…を40秒に変更している。   From the subsequent conveyance cycle t5, the conveyance control based on the updated conveyance destination and conveyance cycle is switched (steps V10 and V3). Specifically, the heating / cooling unit PHPa is removed from the transfer destination after the transfer operation u5. As a result, the substrate W6 remains placed on the buffer unit BF2. Further, the transport cycle t5, t6,... Is changed to 40 seconds.

このように、実施例1に係る基板処理装置によれば、制御部90は各処理ユニットを使用処理部と待機処理部とに区別して、使用処理部のみに応じた搬送周期と搬送先によって搬送部を制御する。これにより、常に搬送周期を適切な期間に保つことができ、搬送先を実際に基板Wを搬送する処理ユニットのみに絞ることができる。したがって、塗布セルC1が備える処理ユニットの全てが使用処理部である場合は勿論のこと、塗布セルC1が備える処理ユニットの一部が使用処理部である場合であっても、基板Wを効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板Wに行うことができる。   As described above, according to the substrate processing apparatus according to the first embodiment, the control unit 90 distinguishes each processing unit into the use processing unit and the standby processing unit, and transports according to the transport cycle and the transport destination according to only the use processing unit. Control part. As a result, the transfer cycle can always be maintained in an appropriate period, and the transfer destination can be limited to only the processing units that actually transfer the substrate W. Therefore, not only when all of the processing units included in the coating cell C1 are use processing units, but also when a part of the processing unit included in the coating cell C1 is a use processing unit, the substrate W can be efficiently used. A plurality of types of processing can be performed on the substrate W in a predetermined order by being conveyed.

また、上述した実施例では、説明の便宜上、塗布セルC1のみに着目して行ったが、他のセルC2ないしC4についても同様である。したがって、本装置10によれば、本装置10が備える処理ユニットの全てが使用処理部である場合は勿論のこと、本装置10が備える処理ユニットの一部が使用処理部である場合であっても、基板Wを効率よく搬送して、複数種類の処理を所定の順番通りに基板Wに行うことができる。   Further, in the above-described embodiment, for the convenience of explanation, the focus is on only the coating cell C1, but the same applies to the other cells C2 to C4. Therefore, according to this apparatus 10, not only when all of the processing units included in this apparatus 10 are use processing units, but also when a part of the processing units included in this apparatus 10 is a use processing unit. In addition, the substrate W can be efficiently transported and a plurality of types of processing can be performed on the substrate W in a predetermined order.

また、制御部90が使用処理部を変更した場合、制御部90は、搬送周期および搬送先を、変更後の使用処理部に応じた搬送周期および搬送先に更新し、更新した搬送周期および搬送先に基づいて主搬送機構TないしTを制御する。これにより、使用処理部を変更した場合であっても、複数種類の処理を行う順番を所定の順番のまま変えないので、基板Wを好適に処理することができる。 In addition, when the control unit 90 changes the use processing unit, the control unit 90 updates the transfer cycle and transfer destination to the transfer cycle and transfer destination according to the changed use processing unit, and updates the transfer cycle and transfer destination. Based on the above, the main transport mechanisms T 1 to T 4 are controlled. Thereby, even if it is a case where a use process part is changed, since the order which performs a several kind of process is not changed with the predetermined order, the board | substrate W can be processed suitably.

また、制御部90は、使用処理部に指定されている処理部が異常状態であると判断すると自動的に待機処理部に変更する(ステップV4、V5)ので、基板処理を円滑に継続することができる。   Further, when the control unit 90 determines that the processing unit designated as the use processing unit is in an abnormal state, it automatically changes to the standby processing unit (steps V4 and V5), so that the substrate processing can be continued smoothly. Can do.

また、制御部90は、主搬送機構Tの動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる搬送周期tから更新後の搬送先のみに基板Wを搬送させるように、主搬送機構Tの制御を切り替える。これにより、主搬送機構Tが動作しているときに搬送先を更新しても、制御部90は主搬送機構Tの動作中に主搬送機構Tの搬送先を原則として切り替えない。この結果、各搬送周期tにおける搬送動作uを、動作開始前に原則的に確定させることができる。よって、搬送部を確実かつ円滑に制御することができる。 The control unit 90, when updating the transport destination during the operation of the main transport mechanism T 1, so as to convey the conveyance destination only on the substrate W after the update from the new starting conveying period t after the update, the main transport mechanism switch the control of T 1. Thus, even if updated transport destination when the main transport mechanism T 1 is operating, the control unit 90 does not switch the transport destination of the main transport mechanism T 1 in principle in the operation of the main transport mechanism T 1. As a result, the transport operation u in each transport cycle t can be determined in principle before the operation starts. Therefore, it is possible to control the transport unit reliably and smoothly.

ただし、主搬送機構Tの動作中に搬送先を更新し、更新の前後で搬送先から外れる処理ユニットがある場合に、搬送先から外れた処理ユニットに基板を強制的に搬送可能でないと判断したときは、その処理ユニットに基板Wを搬送することを中止させる。これにより主搬送機構Tが搬送不能に陥ることを回避することができる。この場合、本装置10はバッファ部BF2を備えているので、搬送先から外れた処理ユニットに搬送する予定であった基板Wをバッファ部に載置させる。これにより、主搬送機構Tのその後の搬送動作uを好適に継続することができる。 However, it updates the transporting destination during the operation of the main transport mechanism T 1, if there is a processing unit out of the transport destination before and after the update, and not possible forcibly transport the substrate to the processing unit out of the transport destination determined When this happens, the transfer of the substrate W to the processing unit is stopped. Thereby the main transport mechanism T 1 is to avoid falling into non transport. In this case, since the apparatus 10 includes the buffer unit BF2, the substrate W that was to be transported to the processing unit that has been removed from the transport destination is placed on the buffer unit. Thus, it is possible to continue suitably subsequent conveying operation u of the main transport mechanism T 1.

他方、搬送可能であると判断したときは、主搬送機構Tは当該処理ユニットに対しても基板搬送を続行する。これにより、主搬送機構Tの搬送動作の途中で搬送先を変更することを極力回避することができる。 On the other hand, when it is determined that the transportable, the main transport mechanism T 1 also continues substrate transfer with respect to the processing unit. Thus, it can be avoided as much as possible to change the transport destination in the middle of the conveying operation of the main transport mechanism T 1.

また、入力部101を備えているので、ユーザーは使用処理部を任意に指定することができる。   In addition, since the input unit 101 is provided, the user can arbitrarily designate the use processing unit.

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.

(1)上述した実施例では、入力部101を備え、ユーザーから任意の処理ユニットを使用処理部に指定する命令を受け付けていたが、これに限られない。たとえば、制御部90は、異常状態でない処理ユニットを使用処理部に設定するように構成してもよい。この場合、ステップV1において、制御部90は各検知部ER1〜ER7の検知結果に基づいて各処理ユニットを使用処理部または待機処理部に自動的に決定することができ、ユーザーによる設定作業を省略することができる。   (1) In the above-described embodiment, the input unit 101 is provided, and an instruction for designating an arbitrary processing unit as a use processing unit is received from the user. However, the present invention is not limited to this. For example, the control unit 90 may be configured to set a processing unit that is not in an abnormal state as a use processing unit. In this case, in step V1, the control unit 90 can automatically determine each processing unit as a use processing unit or a standby processing unit based on the detection results of the detection units ER1 to ER7, and the setting work by the user is omitted. can do.

(2)上述した実施例では、レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST、加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPの各種類別処理時間のうち、最も長い種類別処理時間を、搬送周期に設定する(ステップV2)と説明したが、搬送周期の算出方法はこれに限られない。たとえば、最も長い種類別処理時間に所定時間を加えた時間を搬送周期としてもよい。   (2) In the embodiment described above, the longest processing time for each type among the processing times for each type of the resist film coating processing unit RESIST, the heating / cooling unit PHP, and the cooling unit CP is set as the transport cycle (step V2). However, the method for calculating the conveyance period is not limited to this. For example, the conveyance period may be a time obtained by adding a predetermined time to the longest processing time by type.

(3)上述した実施例では、制御部90は、異常状態の使用処理部があると判断したときは(ステップV4)、その使用処理部に設定されている処理ユニットを待機処理部に変更するように構成されていた(ステップV5)が、これに限られない。たとえば、ユーザーが使用処理部から待機処理部に変更する命令を入力部101が受け付けるように構成して、制御部90は、入力部101が受け付けた命令に基づいて使用処理部の変更を行うように構成してもよい。この変形例によれば、装置10が基板Wに処理を行っているときでも、ユーザーが任意に使用処理部を変更することができる。   (3) In the embodiment described above, when the control unit 90 determines that there is a use processing unit in an abnormal state (step V4), the control unit 90 changes the processing unit set in the use processing unit to a standby processing unit. (Step V5) is configured as described above, but is not limited thereto. For example, the input unit 101 is configured to accept a command for the user to change from the usage processing unit to the standby processing unit, and the control unit 90 changes the usage processing unit based on the command received by the input unit 101. You may comprise. According to this modification, even when the apparatus 10 is processing the substrate W, the user can arbitrarily change the use processing unit.

また、制御部90は、待機処理部の処理ユニットが異常状態でなくなったか否かの判断をし、異常状態でなくなった待機処理部を使用処理部に変更するように構成してもよい。あるいは、ユーザーが待機処理部から使用処理部に変更する命令を入力部101が受け付けるように構成して、制御部90は、ユーザーの命令に基づいて待機処理部から使用処理部への変更を行うように構成してもよい。この変形例によれば、正常な処理ユニットを自動的に全て稼動させることができ、本装置10の処理能力を高く保つことができる。   The control unit 90 may determine whether or not the processing unit of the standby processing unit is no longer in an abnormal state, and may change the standby processing unit that is no longer in an abnormal state to a use processing unit. Alternatively, the input unit 101 is configured to accept a command for the user to change from the standby processing unit to the usage processing unit, and the control unit 90 changes the standby processing unit to the usage processing unit based on the user's command. You may comprise as follows. According to this modification, all normal processing units can be automatically operated, and the processing capability of the apparatus 10 can be kept high.

(4)上述した実施例において、ステップV4〜V8、V10、V3の動作例として動作例1を具体的に例示した。ここで、動作例1では、搬送先から外れた加熱冷却ユニットPHPaから搬出した基板W4を冷却ユニットCPに搬入すると説明したが、これに限られない。たとえば、加熱冷却ユニットPHPaから搬出した基板W4を、バッファ部BF2に搬送し、基板W4に冷却処理を行うことを中止するように変更してもよい。これにより、基板Wの処理品質がばらつくことを未然に回避することができる。   (4) In the above-described embodiment, the operation example 1 is specifically exemplified as the operation example of the steps V4 to V8, V10, and V3. Here, in the operation example 1, it has been described that the substrate W4 unloaded from the heating / cooling unit PHPa deviated from the transfer destination is loaded into the cooling unit CP, but the present invention is not limited to this. For example, the substrate W4 carried out from the heating / cooling unit PHPa may be transferred to the buffer unit BF2, and the cooling process may be stopped on the substrate W4. Thereby, it is possible to prevent the processing quality of the substrate W from being varied.

(5)上述した実施例では、動作例1において、搬送先から外れた加熱冷却ユニットPHPaに、基板W6を搬入すると説明したが、これに限られない。たとえば、加熱冷却ユニットPHPaに強制的に基板Wを搬送可能と判断しても、当該加熱冷却ユニットPHPaに搬入する予定の基板W6を、バッファ部BF2に搬送するように変更してもよい。   (5) In the above-described embodiment, it has been described in the operation example 1 that the substrate W6 is carried into the heating / cooling unit PHPa that is removed from the transfer destination, but the present invention is not limited thereto. For example, even if it is determined that the substrate W can be forcibly transported to the heating / cooling unit PHPa, the substrate W6 scheduled to be carried into the heating / cooling unit PHPa may be changed to be transported to the buffer unit BF2.

(6)上述した実施例において、動作例1および動作例3では、搬送周期の更新時に進行中である搬送周期t4の次に新たに始まる最初の搬送周期t5から、更新後の搬送周期t(40秒)に変更すると説明した。同様に、動作例2では、搬送周期の更新時に進行中である搬送周期t5の次に新たに始まる最初の搬送周期t6から、更新後の搬送周期t(40秒)に変更すると説明した。しかしながら、更新後の搬送周期t(40秒)に切り替わるのは、搬送周期の更新時に進行中の搬送周期tの次に新たに始まる最初の搬送周期からでなくてもよい。たとえば、搬送周期t4の進行中に搬送周期tが変わった場合には、搬送周期t6、あるいは、それ以降の搬送周期tから更新後の搬送周期t(40秒)に切り替えるように変更してもよい。   (6) In the above-described embodiment, in the operation example 1 and the operation example 3, from the first transfer cycle t5 newly started after the transfer cycle t4 in progress at the time of update of the transfer cycle, the updated transfer cycle t ( 40 seconds). Similarly, in the operation example 2, it has been described that the first transfer cycle t6 newly started after the transfer cycle t5 that is in progress when the transfer cycle is updated is changed to the updated transfer cycle t (40 seconds). However, switching to the updated transfer cycle t (40 seconds) may not be from the first transfer cycle that starts newly after the transfer cycle t in progress at the time of update of the transfer cycle. For example, when the transfer cycle t changes during the transfer cycle t4, the transfer cycle t6 or the transfer cycle t after that may be switched to the updated transfer cycle t (40 seconds). Good.

同様に、動作例1および動作例3では、搬送先が更新された時点で進行中の搬送周期t4の次の搬送周期t5以降、更新後の搬送先に切り替わったが、これに限られない。すなわち、搬送周期t4の進行中に搬送先が変わった場合には、搬送周期t6、あるいは、それ以降の搬送周期tから更新後の搬送先に切り替えるように変更してもよい。   Similarly, in the operation example 1 and the operation example 3, the transfer destination is switched to the updated transfer destination after the transfer period t5 next to the transfer period t4 in progress at the time when the transfer destination is updated. However, the present invention is not limited to this. In other words, when the transport destination changes during the progress of the transport cycle t4, the transport cycle may be changed to the updated transport destination from the transport cycle t6 or the subsequent transport cycle t.

(7)上述した実施例では、制御部90は各処理ユニットを使用処理部と待機処理部に区別して制御していたが、これに限られない。たとえば、塗布セルC1、C3、現像セルC2、C4を使用処理部と待機処理部に区別して制御してもよい。この場合、塗布セルC1、C3がそれぞれ使用処理部か否かによって、ID用搬送機構TIDの基板搬送を制御し、現像セルC2、C4がそれぞれ使用処理部か否かによって、IF用搬送機構TIFの基板搬送を制御するように変更する。これにより、制御部90は、使用処理部に変更があっても、各塗布セルC1、C3による基板Wにレジスト膜を形成する処理と、各現像セルC2、C4による基板Wを現像する処理と、この順番で行うように制御する。なお、この変形例の場合、各セルC1ないしc4は、この発明における処理部に相当する。また、ID用搬送機構TIDとIF用搬送機構TIFは、この発明における搬送部に相当する。 (7) In the above-described embodiment, the control unit 90 controls each processing unit by distinguishing between the use processing unit and the standby processing unit, but the present invention is not limited to this. For example, the application cells C1 and C3 and the development cells C2 and C4 may be controlled separately from the use processing unit and the standby processing unit. In this case, the substrate transport of the ID transport mechanism T ID is controlled depending on whether each of the coating cells C1 and C3 is a use processing unit, and the IF transport mechanism is determined depending on whether each of the development cells C2 and C4 is a use processing unit. Change to control substrate transport of TIF . Thereby, the control unit 90 performs a process of forming a resist film on the substrate W by the coating cells C1 and C3 and a process of developing the substrate W by the development cells C2 and C4 even if the use processing unit is changed. Control to perform in this order. In the case of this modification, each of the cells C1 to c4 corresponds to a processing unit in the present invention. Further, the ID transport mechanism T ID and the IF transport mechanism T IF correspond to the transport unit in the present invention.

(8)上述した実施例では、各セルC1ないしC4において、それぞれ複数種類の処理の順番を例示したが、これに限られることなく、適宜に変更してもよい。   (8) In the above-described embodiment, the order of a plurality of types of processing is illustrated in each of the cells C1 to C4. However, the order is not limited to this, and may be appropriately changed.

(9)上述した実施例では、各処理ユニットの種類別の数、および、各処理ユニットユニットの種類別単位処理時間を例示したが、これに限られるものではない。いずれかの種類の処理ユニットが複数であれば、他の種類の処理ユニットは単一であってもよい。また、全ての種類の処理ユニットを複数としてもよい。   (9) In the above-described embodiment, the number of each processing unit by type and the unit processing time by type of each processing unit unit are exemplified, but the present invention is not limited to this. If there are a plurality of processing units of any type, the processing units of other types may be single. In addition, all types of processing units may be plural.

(10)上述した実施例では、複数のセルC1ないしC4を備える構成であったが、これに限られない。単一のセルCのみを備える装置であってもよい。   (10) In the above-described embodiment, the configuration includes a plurality of cells C1 to C4, but is not limited thereto. A device including only a single cell C may be used.

(11)上述した実施例では、塗布セルC1と現像セルC2の列、および、塗布セルC3と現像セルC4の列を備えるものであったが、これに限られない。セルCの列は単一であってもよいし、3以上であってもよい。   (11) In the above-described embodiment, the application cell C1 and the development cell C2 are provided, and the application cell C3 and the development cell C4 are provided. The column of the cell C may be single or three or more.

(12)上述した実施例では、基板Wにレジスト膜を形成する処理や、露光後加熱(PEB)処理、現像処理を行うものであったが、これに限られない。たとえば、洗浄処理などその他の処理を基板Wに行う装置に変更してもよい。   (12) In the above-described embodiment, the process of forming a resist film on the substrate W, the post-exposure heating (PEB) process, and the development process are performed. However, the present invention is not limited to this. For example, the apparatus may be changed to an apparatus that performs other processes such as a cleaning process on the substrate W.

(13)上述した実施例および上記(1)から(12)の各変形例で説明した各構成を適宜に組み合わせて構成してもよい。   (13) The configurations described in the above-described embodiments and the modifications (1) to (12) may be appropriately combined.

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on an Example. 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows arrangement | positioning of the processing unit which a substrate processing apparatus has. 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows arrangement | positioning of the processing unit which a substrate processing apparatus has. 図1におけるa−a矢視の各垂直断面図である。It is each vertical sectional view of the aa arrow in FIG. 図1におけるb−b矢視の各垂直断面図である。It is each vertical sectional view of the bb arrow in FIG. 図1におけるc−c矢視の各垂直断面図である。It is each vertical sectional view of cc arrow in FIG. 図1におけるd−d矢視の各垂直断面図である。It is each vertical sectional view of the dd arrow in FIG. (a)は塗布処理ユニットの平面図であり、(b)は塗布処理ユニットの断面図である。(A) is a top view of a coating processing unit, (b) is sectional drawing of a coating processing unit. 主搬送機構の斜視図である。It is a perspective view of a main conveyance mechanism. 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。It is a control block diagram of the substrate processing apparatus which concerns on an Example. 基板に行う一連の処理をフローチャートである。It is a flowchart of a series of processes performed on a substrate. 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the operation | movement which each conveyance mechanism repeats, respectively. 制御部の処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence of a control part. 処理の工程を例示するタイミングチャートである。It is a timing chart which illustrates the process of processing. 図14に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。It is a figure which shows the specific operation | movement procedure of the main conveyance mechanism in each conveyance operation | movement shown in FIG. 処理の工程を例示するタイミングチャートであり、(a)は搬送先の更新前の期間のみを示し、(b)は搬送先の更新の前後の期間を示す。It is a timing chart which illustrates the process of processing, (a) shows only the period before the update of a conveyance destination, and (b) shows the period before and behind the update of a conveyance destination. 図16(b)に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。It is a figure which shows the specific operation | movement procedure of the main conveyance mechanism in each conveyance operation | movement shown in FIG.16 (b). 処理の工程を例示するタイミングチャートであり、(a)は搬送先の更新前の期間のみを示し、(b)は搬送先の更新の前後の期間を示す。It is a timing chart which illustrates the process of processing, (a) shows only the period before the update of a conveyance destination, and (b) shows the period before and behind the update of a conveyance destination. 図18(b)に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。It is a figure which shows the specific operation | movement procedure of the main conveyance mechanism in each conveyance operation | movement shown in FIG.18 (b). 処理の工程を例示するタイミングチャートであり、(a)は搬送先の更新前の期間のみを示し、(b)は搬送先の更新の前後の期間を示す。It is a timing chart which illustrates the process of processing, (a) shows only the period before the update of a conveyance destination, and (b) shows the period before and behind the update of a conveyance destination. 図20(b)に示す各搬送動作における、主搬送機構の具体的な動作手順を示す図である。It is a figure which shows the specific operation | movement procedure of the main conveyance mechanism in each conveyance operation | movement shown in FIG.20 (b).

1 … インデクサ部(ID部)
5 … インターフェイス部(IF部)
31 … 塗布処理ユニット
41、42 … 熱処理ユニット
90 … 制御部
101 … 入力部
C1、c3 … 塗布セル
C2、C4 … 現像セル
Ba、Bb … 処理ブロック
RESIST … レジスト膜用塗布処理ユニット
HP … 加熱ユニット
CP、CPa、CPb … 冷却ユニット
DEV … 現像処理ユニット
EEW … エッジ露光ユニット
ID… ID用搬送機構
、T、T、T … 主搬送機構
IF … IF用搬送機構
IFA … 第1搬送機構
IFB … 第2搬送機構
PASS、PASS−CP … 載置部
BF2、BF4、BFIF … バッファ部
ER1〜ER7 … 検知部
、A、A、A … 搬送スペース
EXP … 露光機
C … カセット
W … 基板
t … 搬送周期
u … 搬送動作
1 ... Indexer part (ID part)
5 ... Interface part (IF part)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... Coating processing unit 41, 42 ... Heat processing unit 90 ... Control part 101 ... Input part C1, c3 ... Coating cell C2, C4 ... Development cell Ba, Bb ... Processing block RESIST ... Resist film coating processing unit HP ... Heating unit CP , CPa, CPb ... cooling unit DEV ... developing unit EEW ... edge exposing unit T ID ... ID's transport mechanism T 1, T 2, T 3 , T 4 ... carrying the main transport mechanism T IF ... IF mechanism T IFA ... first 1 transport mechanism T IFB ... 2nd transport mechanism PASS, PASS-CP ... placement part BF2, BF4, BFIF ... buffer part ER1 to ER7 ... detection part A 1 , A 2 , A 3 , A 4 ... transport space EXP ... exposure Machine C ... Cassette W ... Substrate t ... Transfer cycle u ... Transfer operation

Claims (19)

基板に複数種類の処理を所定の順番で行う基板処理装置において、
処理の種類ごとに設けられるとともに、少なくともいずれかの種類については複数設けられている処理部と、
各処理部に基板を搬送可能な搬送部と、
前記処理部のうち実際に基板を処理させる使用処理部と、実際に基板を処理させない待機処理部とに区別して、使用処理部の数に応じた搬送周期ごとに、各使用処理部のみを基板の搬送先として前記搬送部を動作させ、前記複数種類の処理を前記所定の順番通りに基板に行わせる制御部と、
備え、
前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合であって更新の前後で搬送先から外れる処理部があるときは、
搬送先から外れた処理部に基板を強制的に搬送可能か否かを判断し、
搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に基板を搬送することを中止させる基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for performing a plurality of types of processing on a substrate in a predetermined order,
Provided for each type of processing, and at least for any type, a plurality of processing units,
A transport unit capable of transporting a substrate to each processing unit;
Distinguishing between the use processing unit that actually processes the substrate among the processing units and the standby processing unit that does not actually process the substrate, only each use processing unit is provided for each transfer cycle according to the number of use processing units. A control unit that operates the transfer unit as a transfer destination, and causes the substrate to perform the plurality of types of processing in the predetermined order;
Equipped with a,
The control unit is a case where the transport destination is updated during the operation of the transport unit, and when there is a processing unit that deviates from the transport destination before and after the update,
Determine whether the substrate can be forcibly transported to the processing section that is out of the transport destination,
A substrate processing apparatus that, when it is determined that transfer is not possible, stops transferring a substrate to a processing unit that has been removed from the transfer destination in an ongoing transfer cycle when updated .
請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、使用処理部を変更した場合であっても、前記所定の順番を変えることなく前記複数種類の処理を基板に行わせる基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The said control part is a substrate processing apparatus which performs the said multiple types of process to a board | substrate, even if it is a case where a use process part is changed, without changing the said predetermined order.
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、使用処理部を変更した場合は、搬送周期および搬送先を、変更後の使用処理部に応じた搬送周期および搬送先に更新し、更新した搬送周期および搬送先に基づいて前記搬送部を制御する基板処理装置。
In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
When the use processing unit is changed, the control unit updates the transfer cycle and the transfer destination to the transfer cycle and the transfer destination according to the changed use processing unit, and based on the updated transfer cycle and the transfer destination, A substrate processing apparatus for controlling a transfer unit.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
任意の処理部を使用処理部に指定する命令をユーザーから受け付ける入力部を備え、
前記制御部は、前記入力部が受け付けた命令に基づいて使用処理部を決定する基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
Provided with an input unit that accepts an instruction to specify an arbitrary processing unit as a use processing unit from a user,
The substrate processing apparatus, wherein the control unit determines a use processing unit based on a command received by the input unit.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、使用処理部が異常状態である場合は、前記入力部が受け付けた命令に関わらず、その使用処理部を待機処理部に変更する基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
When the use processing unit is in an abnormal state, the control unit changes the use processing unit to a standby processing unit regardless of a command received by the input unit.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、異常状態でない処理部を使用処理部に決定する基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
The said control part is a substrate processing apparatus which determines the process part which is not in an abnormal state to a use process part.
請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送先を更新した場合、更新した後に新しく始まる搬送周期から更新後の搬送先のみに基板を搬送させるように、前記搬送部の制御を切り替える基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-6,
When the transfer unit is updated during the operation of the transfer unit, the control unit switches the control of the transfer unit so that the substrate is transferred only to the updated transfer destination from the transfer period newly started after the update. apparatus.
請求項1から請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板を載置するバッファ部を備え、
前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、
前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能でないと判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に搬入する予定であった基板を前記バッファ部に載置させる基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-7 ,
A buffer unit for mounting the substrate;
The transport unit can transport the substrate to the buffer unit;
When the control unit determines that it cannot be forcibly transported to the processing unit removed from the transport destination, the substrate that was scheduled to be transported to the processing unit out of the transport destination in the ongoing transport cycle when it is updated. A substrate processing apparatus to be placed on the buffer unit.
請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部に対しても基板搬送を続行させる基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-8 ,
When the control unit determines that it can be forcibly transported to a processing unit that is out of the transport destination, it continues to transport the substrate to the processing unit that is out of the transport destination in the ongoing transport cycle when updated. A substrate processing apparatus.
請求項1から請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部からも基板を搬出させる基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-9 ,
When the control unit determines that the processing unit can be forcibly transported to a processing unit that is out of the transport destination, the substrate processing is performed so that the substrate is also unloaded from the processing unit out of the transport destination in the ongoing transport cycle when updated. apparatus.
請求項1から請求項10のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部にも基板を搬入させる基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-10 ,
When the control unit determines that it can be forcibly transported to a processing unit that is out of the transport destination, the substrate processing is performed to bring the substrate into the processing unit that is out of the transport destination in the ongoing transport cycle when updated. apparatus.
請求項1から請求項11のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板を載置するバッファ部を備え、
前記搬送部は前記バッファ部に基板を搬送可能であり、
前記制御部は、搬送先から外れた処理部に強制的に搬送可能であると判断したときは、更新した時に進行中の搬送周期において搬送先から外れた処理部から搬出した基板を前記バッファ部に載置させる基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 11 ,
A buffer unit for mounting the substrate;
The transport unit can transport the substrate to the buffer unit;
When the control unit determines that the processing unit can be forcibly transported to the processing unit removed from the transport destination, the buffer unit transfers the substrate unloaded from the processing unit out of the transport destination in the ongoing transport cycle when updated. A substrate processing apparatus to be placed on the substrate.
請求項1から請求項12のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記搬送部の動作中に搬送周期を更新した場合であって更新の前後で搬送周期の期間が変わったときは、更新した時に進行中の搬送周期の次から更新後の搬送周期に基づいて前記搬送部を制御する基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 12 ,
When the transfer period is updated during the operation of the transfer unit and the transfer period changes before and after the update, the control unit transfers the updated transfer from the next transfer period in progress when the update is performed. The substrate processing apparatus which controls the said conveyance part based on a period.
請求項13に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記搬送部の制御において更新前の搬送周期から更新後の搬送周期に切り替える場合、直前の搬送周期の始期から更新後の搬送周期に相当する時間が経過したときに、更新後の搬送周期を開始させる基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 13 ,
In the control of the transport unit, when switching from the transport cycle before the update to the transport cycle after the update, the control unit is updated when the time corresponding to the transport cycle after the update has elapsed from the start of the previous transport cycle. The substrate processing apparatus which starts the conveyance cycle.
請求項1から請求項14のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部として、基板に処理液を供給する処理ユニットと、基板に熱処理を行う処理ユニットとを少なくとも有し、
前記搬送部は各処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構で構成される基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-14 ,
As the processing unit, at least a processing unit that supplies a processing liquid to the substrate, and a processing unit that performs a heat treatment on the substrate,
The said conveyance part is a substrate processing apparatus comprised by the single main conveyance mechanism which conveys a board | substrate to each processing unit.
請求項15に記載の基板処理装置において、
基板に処理液を供給する処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニット、および、基板に現像液を供給する現像処理ユニットの少なくともいずれかである基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein
The processing unit for supplying a processing liquid to a substrate is at least one of a resist film coating processing unit for applying a resist film material to the substrate and a developing processing unit for supplying a developing liquid to the substrate.
請求項15または請求項16に記載の基板処理装置において、
前記処理ユニットと前記主搬送機構とで構成されるセルを複数備えており、
前記制御部は各セルの前記主搬送機構を制御する基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 15 or 16 ,
A plurality of cells comprising the processing unit and the main transport mechanism;
The control unit is a substrate processing apparatus that controls the main transport mechanism of each cell.
請求項1から請求項14のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部として、
複数の処理ユニットを含んで構成され、基板にレジスト膜を形成する処理を行う塗布セルと、
複数の処理ユニットを含んで構成され、基板を現像する処理を行う現像セルと
を少なくとも有する基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-14 ,
As the processing unit,
A coating cell configured to include a plurality of processing units and performing a process of forming a resist film on the substrate;
A development cell configured to include a plurality of processing units and performing processing for developing a substrate;
A substrate processing apparatus having at least
請求項18に記載の基板処理装置において、
単一の塗布セルと単一の現像セルとによって相互に基板を受け渡し可能に構成されるセルの列を複数有し、
前記搬送部は、各塗布セルとの間で基板を搬送するインデクサ用搬送機構と、各現像セルとの間で基板を搬送するインターフェイス用搬送機構とを含んで構成されている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 18, wherein
A plurality of rows of cells configured such that a single coating cell and a single development cell can pass a substrate to each other;
The substrate processing apparatus is configured to include an indexer transport mechanism that transports a substrate to and from each coating cell, and an interface transport mechanism that transports a substrate to and from each development cell.
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