JP5128918B2 - The substrate processing apparatus - Google Patents

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Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。 This invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, the optical disc substrate or the like (hereinafter, simply referred to as "substrate") relates to a substrate processing apparatus for performing a series of processing to.

従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。 Conventionally, as this type of apparatus, to form a resist film on a substrate, there is a substrate processing apparatus for developing the substrate exposed in separate exposure machine. この装置は、レジスト膜などの塗膜を形成するための塗布処理ブロックや基板を現像するための現像処理ブロックなどが並べられて構成される処理部を備えている。 The apparatus includes a processor configured developing block, etc. is arranged for developing the coating block and the substrate to form a coating film such as a resist film. 各処理ブロックは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。 Each processing block comprises a single main transport mechanism, the various processing units. そして、各処理ブロックの主搬送機構はその処理ブロックに設けられる処理ユニットに基板を搬送しつつ、隣接する他の処理ブロックの主搬送機構との間で載置台を介して基板の受け渡しを行って、一連の処理を基板に行う(例えば、特許文献1参照)。 Then, the main transport mechanism of each processing block while conveying the substrate to a processing unit provided in the processing block by performing a transfer of the substrate through the mounting table between the main transport mechanism of the other adjacent processing blocks , a series of treatments of wafers (e.g., see Patent Document 1).
特開2003−324139号公報 JP 2003-324139 JP

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。 However, in the case of the conventional example having such a configuration, the following problems.
すなわち、従来の装置では、いずれかの処理ブロックの主搬送機構が故障等により基板を搬送できない状態(異常状態)になると、これに隣接する処理ブロックに基板を一切搬送できなくなる。 That is, in the conventional apparatus, the main transport mechanism of any of the processing block is in a state that can not transport the substrate (abnormal state) due to failure or the like, can not be transported any substrate processing blocks adjacent thereto. このように処理ブロック同士の間における基板の搬送は単一のルート(搬送経路)しかなく柔軟に欠けるため、たとえ他の処理ブロックの主搬送機構が正常であっても基板を全く処理できないという不都合がある。 Disadvantage that the transport of the substrate between the processing blocks between so due to lack flexibility there is only a single route (transport path), can not be processed at all the substrate even if normal main transport mechanism of the other processing block there is.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus capable of flexibly transfer the substrate between adjacent processing blocks.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 The present invention, in order to achieve this object, the following construction.
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送可能であることを特徴とするものである。 That is, the invention described in claim 1, in the substrate treating apparatus for treating substrates, provided for each vertical hierarchy, a processing unit for treating substrates, provided for each hierarchy, the processing of the hierarchy Yes and arranging a plurality of processing blocks having a main transport mechanism for transporting the substrate in a direction transverse to the unit, as well as a possible transfer the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks, at least one of the processing blocks adjacent to each other it is characterized in that it is capable of transporting the substrate by changing the hierarchy in.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。 Operation and Effect According to the invention described in claim 1, it is possible to perform a series of processes on a substrate by transferring the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks. これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。 Thus, with the transport path of the substrate corresponding to the number of layers. また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。 Can also be carried out by conveying the substrate by changing the hierarchy at least one of the processing blocks adjacent to each other, the series of processing on a substrate. これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。 This makes it possible to more than the number of hierarchy conveyance path of the substrate. このように、本装置では隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。 Thus, the present device can be flexibly transfer the substrate between adjacent processing blocks. このため、基板を搬送できない異常状態の主搬送機構が生じても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。 Therefore, even if the main transport mechanism of the abnormal state that can not transport the substrate can be a series of treatments of wafers by transporting the substrate in a conveyance path that does not include the main transport mechanism.

本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、複数の階層にわたって昇降可能に設けられ、基板を載置する可動載置部を備え、前記処理ブロック同士のそれぞれに設けられる複数の階層の主搬送機構がそれぞれ、当該階層に応じた高さ位置に移動した前記可動載置部に対して基板を搬送可能であることが好ましい(請求項2)。 In the present invention, during the processing between blocks that can transfer the substrate between different stories, vertically movably provided over the plurality of layers comprises a movable mounting part for mounting a substrate, each of the processing blocks to each other each main transport mechanism of a plurality of hierarchies which is provided is preferably a possible transporting the substrates to the movable mounting part that moves to a height position corresponding to the hierarchy (claim 2). 複数の階層にわたって昇降する可動載置部は、一の階層の主搬送機構によって載置された基板を、他の階層の主搬送機構が受け取ることができる位置まで移動させることができる。 Movable mounting part for vertically across hierarchies, can move the substrate placed by the main transport mechanism of one of the stories, to a position where it can receive the main transport mechanism of the other layers. このため、当該可動載置部を挟む両側の各処理ブロックに設けられる階層の異なる主搬送機構同士は、当該可動載置部を介して基板の受け渡しを好適に行うことができる。 Therefore, the main transport mechanism between the different hierarchy provided in each processing block of the both sides of the movable mounting part can be suitably receiving and transferring the substrates through the movable mounting part.

本発明において、前記可動載置部に基板が載置されると、前記可動載置部は基板が載置された階層とは異なる階層に移動することが好ましい(請求項3)。 In the present invention, the substrate is placed on the movable mounting part, wherein the movable mounting part is preferably moved to a different hierarchy with hierarchy substrate is placed (claim 3). 基板を載置している可動載置部が、当該基板が載置された階層とは異なる階層へ移動することで、可動載置部を挟む処理ブロック同士において、階層を変えて基板を搬送することができる。 Movable mounting part that mounts the substrate, that the substrate is moved to a different hierarchy with mounted hierarchy, at processing block each other sandwiching the movable mounting section for transferring a substrate different stories be able to.

本発明において、前記可動載置部は全ての階層にわたって移動可能であることが好ましい(請求項4)。 In the present invention, it is preferable that the movable mounting part is movable over the entire hierarchy (claim 4). 可動載置部を挟む処理ブロック同士において、一方の処理ブロックの各階層は、他方の処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送することができ、他方の処理ブロックの各階層も、一方の処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送することができる。 In process block each other sandwiching the movable mounting part, each layer of one of the processing blocks may carry the substrate between all hierarchy of the other processing blocks, also each layer of the other processing blocks, whereas it is possible to transfer the substrate between all hierarchy processing block.

本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、階層ごとに設けられる複数の固定載置部であって、前記処理ブロック同士のそれぞれに設けられる当該階層の各主搬送機構がそれぞれ基板を搬送可能な前記固定載置部と、各固定載置部の間で基板を搬送する載置部用搬送機構と、を備えていることが好ましい(請求項5)。 In the present invention, during the processing between blocks that can transfer the substrate while changing the hierarchy, a plurality of fixed mounting portion provided in each layer, each main of the hierarchy is provided in each of the processing blocks to each other conveying mechanism and the fixed mounting portion capable of feeding a substrate respectively, is preferably provided with a, a transport mechanism for placing section transports the substrate between the respective fixed mounting portion (claim 5). 載置部用搬送機構が一の階層の固定載置部に載置された基板を他の階層の固定載置部に移動させることで、他の階層の主搬送機構に当該基板を受け取らせることができる。 Mounting unit for conveying mechanism that moves the substrate placed on the fixed mounting portion of one of the stories in a fixed mounting portion of the other layers, thereby receive the substrate to the main transport mechanism of the other layers can. このため、載置部用搬送機構および複数の固定載置部を挟む両側の各処理ブロックに設けられる階層の異なる主搬送機構同士は、これら載置部用搬送機構および複数の固定載置部を介して基板の受け渡しを好適に行うことができる。 Therefore, the main transport mechanism between the the hierarchy provided in each processing block of the both sides of the transport mechanism for placing portion and a plurality of fixed mounting portion different from, those for placement unit transport mechanism and a plurality of fixed mounting portion it can be suitably receiving and transferring the substrates through.

本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の一方の処理ブロックに異常状態の主搬送機構がある場合は、他方の処理ブロックの各主搬送機構はそれぞれ、前記一方の処理ブロックが有する、前記異常状態の主搬送機構以外の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うことが好ましい(請求項6)。 In the present invention, when there is a main transport mechanism of the abnormal condition in one of the processing block of the processing between blocks that can transfer the substrate by changing the hierarchies, each of the main transport mechanism of the other processing blocks, said one of the processing blocks has, it is preferable for transferring the substrate between the main transport mechanisms other than the main transport mechanism of the abnormal state (claim 6). 異常状態の主搬送機構がある場合であっても、この主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送するため、基板に一連の処理を行うことができる。 Even when there is a main transport mechanism of the abnormal condition, for transferring the substrate transport path that does not include the main transport mechanism, it is possible to perform a series of processing on a substrate.

本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記現像処理ユニットは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックとの間で階層 In the present invention, the processing between blocks that can transfer the substrate by changing the hierarchy, the coating block, a development processing block provided adjacent to the coating block, the coating processing unit, a resist film on a substrate provided with a coating unit and the heat treatment unit for forming a said processing unit comprises a first main transport mechanism for transporting the substrates to these coating units and heat-treating units as the main transport mechanism, the developing processing unit provided with a developing unit and the heat treatment unit for developing the substrate as the processing unit includes a second main transport mechanism for transporting the substrates to these developing units and heat treatment units as the main transport mechanism, the coating hierarchy between the processing block the developing block 変えて基板を搬送可能であることが好ましい(請求項7)。 Is preferably capable of transporting the substrate is changed (claim 7). 塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、階層を変えて基板を搬送可能である。 Between the coating block and developing block can be transporting the substrate between the same hierarchy, it is possible to transfer the substrate by changing the hierarchy. このように基板を柔軟に搬送することができるため、基板にレジスト膜を形成する処理および基板を現像する処理をそれぞれ好適に行うことができる。 Thus it is possible to transport the substrate flexibility, it is possible to perform the processing and the processing for developing the substrate to form a resist film on a substrate suitably respectively.

本発明において、前記塗布処理ブロックの各階層はそれぞれ、前記現像処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることが好ましい(請求項8)。 In the present invention, each of the respective story of the coating block is preferably a substrate can be transported between all hierarchy of the developing block (claim 8). 塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で基板をより柔軟に搬送することができる。 It can transfer the substrate more flexibility between the coating block and developing block.

本発明において、前記塗布処理ブロックの一部の階層では専ら、基板にレジスト膜を形成する処理を行わせるとともに、前記現像処理ブロックに向けてレジスト膜が形成された基板を払い出させ、前記塗布処理ブロックの他の一部の階層では専ら、前記現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせることが好ましい(請求項9)。 In the present invention, solely in some layer of the coating block, together with to perform processing for forming a resist film on a substrate, not paid the substrate on which the resist film has been formed toward the developing block, the coating exclusively in another part of the hierarchy of the processing block, it is preferable to receive a substrate that has been paid out from the developing block (claim 9). 専ら現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせる塗布処理ブロックの階層では、基板に処理を行わない。 The exclusively stories of the coating block to receive the substrate paid out from the developing block, no processing is performed on the substrate. たとえば、塗布処理ブロックの処理ユニットが異常状態になった場合であっても、当該処理ユニットが設けられる階層で、専ら現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせることにより、この階層を全く使用しない場合に比べて基板の処理効率の低下を抑制できる。 For example, even if the processing unit of the coating block becomes abnormal state, a hierarchy in which the processing unit is provided, by which receive the substrate paid out exclusively from the developing block, at all use this hierarchy It can suppress a decrease in processing efficiency of the substrate compared with the case of no.

また、請求項10に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて、一方の処理ブロックの少なくとも一の階層は他方の処理ブロックの異なる階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とするものである。 The invention according to claim 10, in the substrate treating apparatus for treating substrates, provided for each vertical hierarchy, a processing unit for treating substrates, provided for each hierarchy, the processing of the hierarchy Yes and arranging a plurality of processing blocks having a main transport mechanism for transporting the substrate in a direction transverse to the unit, as well as a possible transfer the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks, at least one of the processing blocks adjacent to each other in at least one layer of the one of the processing blocks it is characterized in that it is capable of transporting the substrate between the different levels of the other processing blocks.

[作用・効果]請求項10に記載の発明によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。 According to the invention described in Operation and Effect according to claim 10, it is possible to perform a series of processes on a substrate by transferring the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks. これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。 Thus, with the transport path of the substrate corresponding to the number of layers. また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて異なる階層間で基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。 Can also be carried out by conveying the substrate between the different hierarchy in at least one of the processing blocks adjacent to each other, the series of processing on a substrate. これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。 This makes it possible to more than the number of hierarchy conveyance path of the substrate. このように、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。 Thus, it is possible to flexibly transfer the substrate between adjacent processing blocks. このため、基板を搬送できない異常状態の主搬送機構が生じても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。 Therefore, even if the main transport mechanism of the abnormal state that can not transport the substrate can be a series of treatments of wafers by transporting the substrate in a conveyance path that does not include the main transport mechanism.

また、本発明において、前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において当該一の階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの複数の階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい(請求項11)。 Further, in the present invention, the main transport mechanism of the one hierarchy, in the processing block retractable or vertically movable to and constructed over the plurality of hierarchies including the one of the stories, a plurality of layers of adjacent processing blocks is preferably a substrate can be passed to and from the main transport mechanism (claim 11). 複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成される主搬送機構を備えることで、当該主搬送機構は、隣接する処理ブロックの異なる階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを好適に行うことができる。 By providing a retractable or vertically configured to allow main transport mechanism across multiple tiers, the main transport mechanism, be suitably receiving and transferring the substrates between the main transport mechanism of the different layers of the adjacent processing blocks can.

また、本発明において、前記一の階層は、隣接する処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることが好ましい(請求項12)。 Further, in the present invention, the one of the stories is preferably capable of transporting the substrate between all hierarchy of adjacent processing blocks (claim 12). 処理ブロックの間で基板をより柔軟に搬送することができる。 It can transfer the substrate more flexibility between the processing block.

本発明において、前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において全ての階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの全ての階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい(請求項13)。 In the present invention, the main transport mechanism of the one hierarchy, are retractable or vertically movable structure over all the stories in the processing block, the substrate between the main transport mechanisms of all the stories of the adjacent processing blocks is preferably capable passes the (claim 13). 処理ブロックの間で基板をより柔軟に搬送することができる。 It can transfer the substrate more flexibility between the processing block.

本発明において、異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記現像処理ユニットは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構を前記主搬送機構として備え、同じ階層の第1主搬送機構と第2主搬送機構との間で基板 In the present invention, the processing between blocks that can transfer the substrate between different hierarchies, and the coating block, a development processing block provided adjacent to the coating block, the coating processing unit, a resist film on a substrate provided with a coating unit and the heat treatment unit for forming a said processing unit comprises a first main transport mechanism for transporting the substrates to these coating units and heat-treating units as the main transport mechanism, the developing processing unit provided with a developing unit and the heat treatment unit for developing the substrate as the processing unit includes a second main transport mechanism for transporting the substrates to these developing units and heat treatment units as the main transport mechanism, the same level substrate between the first main transport mechanism and a second main transport mechanism 受け渡しを行うとともに、少なくともいずれかの階層の第1主搬送機構は、塗布処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第2主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい(請求項14)。 Passing performs, first main transport mechanism on at least one of the hierarchy, retractable or vertically movable to and configured across multiple tiers, including the hierarchical in coating processing block, the plurality of second main transport mechanism is preferably a substrate can be passed between (claim 14). 塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、異なる階層間で基板を搬送可能である。 Between the coating block and developing block can be transporting the substrate between the same hierarchy, it is possible to transfer the substrate between the different layers. このように基板を柔軟に搬送することができるため、基板にレジスト膜を形成する処理および基板を現像する処理をそれぞれ好適に行うことができる。 Thus it is possible to transport the substrate flexibility, it is possible to perform the processing and the processing for developing the substrate to form a resist film on a substrate suitably respectively.

本発明において、少なくともいずれかの階層の第2主搬送機構は、現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第1主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい(請求項15)。 In the present invention, the second main transport mechanism on at least one of the hierarchy, retractable or vertically movable to and configured across multiple tiers, including the hierarchical in the development processing block, between a plurality of first main transport mechanism is preferably capable transferring wafers in (claim 15). 塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、より柔軟に基板を搬送することができる。 Between the coating block and developing block, it is possible to more flexibly transfer a substrate.

本発明において、異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記現像処理ユニットは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構を前記主搬送機構として備え、同じ階層の第1主搬送機構と第2主搬送機構との間で基板 In the present invention, the processing between blocks that can transfer the substrate between different hierarchies, and the coating block, a development processing block provided adjacent to the coating block, the coating processing unit, a resist film on a substrate provided with a coating unit and the heat treatment unit for forming a said processing unit comprises a first main transport mechanism for transporting the substrates to these coating units and heat-treating units as the main transport mechanism, the developing processing unit provided with a developing unit and the heat treatment unit for developing the substrate as the processing unit includes a second main transport mechanism for transporting the substrates to these developing units and heat treatment units as the main transport mechanism, the same level substrate between the first main transport mechanism and a second main transport mechanism 受け渡しを行うとともに、少なくともいずれかの階層の第2主搬送機構は、現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第1主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい(請求項16)。 Passing performs, second main transport mechanism on at least one of the hierarchy, retractable or vertically movable to and configured across multiple tiers, including the hierarchical in developing block, a plurality of first main transport mechanism is preferably a substrate can be passed between (claim 16). 塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、異なる階層間で基板を搬送可能である。 Between the coating block and developing block can be transporting the substrate between the same hierarchy, it is possible to transfer the substrate between the different layers. このように基板を柔軟に搬送することができるため、基板にレジスト膜を形成する処理および基板を現像する処理をそれぞれ好適に行うことができる。 Thus it is possible to transport the substrate flexibility, it is possible to perform the processing and the processing for developing the substrate to form a resist film on a substrate suitably respectively.

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。 The present specification also discloses the invention according to the following substrate processing apparatus.

(1)基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかは、一方の処理ブロックの少なくともいずれかの階層が他方の処理ブロックの複数の階層と基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 (1) In the substrate treating apparatus for treating substrates, provided for each vertical hierarchy, a processing unit for treating substrates, provided for each hierarchy, to transport the substrate relative to the processing unit of the hierarchical Yes and arranging a plurality of processing blocks having a main transport mechanism in the lateral direction, as well as a possible transfer the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks, at least one of the processing adjacent blocks, at least one of the processing blocks a substrate processing apparatus, characterized in that one of the hierarchy is capable of transporting a plurality of hierarchies and the substrate of the other processing blocks.

前記(1)に記載の基板処理装置によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。 According to the substrate processing apparatus according to (1), it is possible to perform a series of processes on a substrate by transferring the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks. これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。 Thus, with the transport path of the substrate corresponding to the number of layers. また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかは、一方の処理ブロックの少なくともいずれかの階層が他方の処理ブロックの複数の階層に対しても基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。 Further, at least one of the processing adjacent blocks, at least one of a hierarchy of one processing block to transfer the substrate against the plurality of hierarchies of the other processing blocks, to perform a series of processing on a substrate It can also be. これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。 This makes it possible to more than the number of hierarchy conveyance path of the substrate. このように、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。 Thus, it is possible to flexibly transfer the substrate between adjacent processing blocks. この結果、他方の処理ブロックの当該複数の階層のいずれかに設けられる主搬送機構が基板を搬送できなくなったとしても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送して基板に一連の処理を行うことができる。 As a result, the main transport mechanism provided in one of the other processing blocks the plurality of hierarchies even can no longer transfer the substrate, a series of the substrate by transporting the substrate in a conveyance path that does not include the main transport mechanism processing can be performed.

(2)請求項7に記載の基板処理装置において、前記塗布処理ブロックの一の階層から、当該一の階層と異なる前記現像処理ブロックの階層に基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。 (2) In the substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the one of the stories of the coating block, a substrate processing apparatus, characterized by transporting the substrate to the layer of the developing block different from the one of the stories.

前記(2)に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックから現像処理ブロックへ基板を柔軟に搬送することができる。 According to the substrate processing apparatus according to (2), it is possible to flexibly transfer the substrate from the coating block to the development processing block.

(3)請求項7に記載の基板処理装置において、前記塗布処理ブロックの一の階層は、前記現像処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 (3) In the substrate processing apparatus according to claim 7, one of the stories of the coating block to a substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is capable of transporting between all hierarchy of the developing block .

前記(3)に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で基板を柔軟に搬送することができる。 According to the substrate processing apparatus according to (3), it is possible to flexibly transfer the substrate between the coating block and the developing block.

(4)請求項7に記載の基板処理装置において、前記現像処理ブロックの一の階層から、当該一の階層と異なる前記塗布処理ブロックの階層へ基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。 (4) The apparatus according to claim 7, wherein the developing from one of the stories of the processing block, the substrate processing apparatus characterized by transporting the substrate to the layer of the coating block different from the one of the stories.

前記(4)に記載の基板処理装置によれば、現像処理ブロックから塗布処理ブロックへ基板を柔軟に搬送することができる。 According to the substrate processing apparatus according to (4), it is possible to flexibly transfer the substrate from the developing block to the coating block.

(5)請求項7に記載の基板処理装置において、前記現像処理ブロックの一の階層は、前記塗布処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 (5) The apparatus according to claim 7, one of the stories of the developing block, a substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is capable of transporting between all hierarchy of the coating block .

前記(5)に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で基板を柔軟に搬送することができる。 According to the substrate processing apparatus according to (5), it is possible to flexibly transfer the substrate between the coating block and the developing block.

この発明に係る基板処理装置によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。 According to the substrate processing apparatus according to the present invention, it is possible to perform a series of processes on a substrate by transferring the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks. これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。 Thus, with the transport path of the substrate corresponding to the number of layers. また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。 Can also be carried out by conveying the substrate by changing the hierarchy at least one of the processing blocks adjacent to each other, the series of processing on a substrate. これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。 This makes it possible to more than the number of hierarchy conveyance path of the substrate. このように、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。 Thus, it is possible to flexibly transfer the substrate between adjacent processing blocks. このため、基板を搬送できない異常状態の主搬送機構が生じても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送して基板に一連の処理を行うことができる。 Therefore, even if the main transport mechanism of the abnormal state that can not transport the substrate can be a series of treatments of wafers by transporting the substrate in a conveyance path that does not include the main transport mechanism.

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings illustrating the embodiments of the present invention.
まず、本実施例の概要を説明する。 First, an outline of this embodiment. 図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing an outline of a substrate treating apparatus according to the invention.

実施例は、基板(例えば、半導体ウエハ)Wにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Wを現像する基板処理装置である。 Examples, the substrate (e.g., semiconductor wafer) as a substrate processing apparatus for developing the exposed substrate W to form a resist film W. 本装置は、インデクサ部(以下、「ID部」と記載する)1と処理部3とインターフェイス部(以下、「IF部」と記載する)5とを備える。 The apparatus comprises an indexer section (hereinafter, "ID portion" referred to as) 1 and the processing unit 3 and the interface section (hereinafter referred to as "IF section") and a 5. ID部1、処理部3およびIF部5はこの順番に隣接して設けられている。 ID section 1, the processing unit 3 and the IF section 5 is provided adjacent to this order. IF部5にはさらに本装置とは別体の外部装置である露光機EXPが隣接して設けられる。 The more the apparatus the IF section 5 exposing machine EXP which is an external apparatus separate is provided adjacent.

ID部1は外部から本装置に搬送される基板Wを処理部3へ搬送する。 ID section 1 transports the substrate W to be conveyed to the device from the outside to the processing section 3. 処理部3は、ID1から搬送された基板Wにレジスト膜を形成する処理と、基板Wを現像する処理を行う。 Processor 3 performs a process of forming a resist film on the transported substrate W from ID1, the process of developing the substrate W. IF部5は処理部3と露光機EXPとの間で基板Wを搬送する。 IF section 5 transports the substrate W between the processing section 3 and the exposing machine EXP. 露光機EXPは基板Wを露光する。 Exposure machine EXP exposes the substrate W.

処理部3は、塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBbとを備えている。 Processor 3 is provided with a coating block Ba and developing block Bb. 塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBbは、ID部1とIF部5を結ぶ横方向に並べて設けられている。 Coating block Ba and developing block Bb are provided side by side in the transverse direction connecting the ID section 1 and IF section 5. ID部1には塗布処理ブロックBaが隣接しており、IF部5には現像処理ブロックBbが隣接している。 The ID section 1 is adjacent the coating block Ba, developing block Bb is adjacent the IF section 5.. 塗布処理ブロックBaは、基板Wにレジスト膜を形成する。 Coating block Ba forms a resist film on the substrate W. 現像処理ブロックBbは、基板Wを現像する。 Developing block Bb develops the substrate W.

各処理ブロックBa、Bbは、それぞれ上下方向に複数の階層Kに分けられている。 Each processing block Ba, Bb is divided into a plurality of hierarchies K respectively vertically. 本実施例では、塗布処理ブロックBaは上側の階層K1と下側の階層K3とを有する。 In this embodiment, the coating block Ba includes a hierarchical K3 upper story K1 and lower. 同様に、現像処理ブロックBbは上側の階層K2と下側の階層K4とを有する。 Similarly, the developing block Bb includes the upper story K2 and lower story K4. 階層K1と階層K2は同じレベル(高さ位置)であり、階層K3と階層K4も同じレベル(高さ位置)である。 The story K1 and story K2 are the same level (height position) is a hierarchical K3 and story K4 same level (height position). このように、処理部3は全体として、階層K1、K2を上側の階層とし、階層K3、K4を下側の階層とする階層構造である。 Thus, the processing unit 3 as a whole, and the hierarchical K1, K2 and the upper hierarchy is a hierarchical structure of the hierarchical K3, K4 and lower story. ここで、階層K1、階層K2は、それぞれ別個の処理ブロックBa、Bbに設けられているが、本明細書では、階層K1と階層K2について、同じレベルの階層という意味で「同じ階層」、「同じ階層同士」等と適宜に記載する。 Here, story K1, hierarchical K2 are each separate processing block Ba, but are provided in Bb, in the present specification, the hierarchical K1 and story K2, "the same level" in the sense that the same level of the hierarchy, " appropriately describes the same level with each other "and the like. 同様に、階層K3と階層K4についても「同じ階層」等と適宜に記載する。 Similarly, also described as appropriate with "the same level", etc. for the hierarchical K3 and hierarchy K4.

各処理ブロックBa、Bbの各階層Kは、基板Wに処理を行う処理ユニットと、当該階層の処理ユニットに対して基板Wを搬送する主搬送機構とを有する。 Each layer K of each processing block Ba, Bb includes a processing unit that performs processing on a substrate W, and a main transport mechanism for transporting the substrate W relative to the processing unit of the hierarchy. 塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3の処理ユニットは、基板Wにレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットなどである。 Processing units of each layer K1, K3 of the coating block Ba coating units for forming resist film on the substrate W, and the like. 塗布処理ユニットとしては、基板Wにレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTが例示される。 The coating unit, the resist film coating units RESIST for applying a resist film material to the substrate W is illustrated. 現像処理ブロックBbの各階層K2、K4の処理ユニットは、基板Wを現像するための現像処理ユニットDEVなどである。 Processing units of each layer K2, K4 of the developing block Bb is such developing units DEV for developing the substrate W. なお、図1には、レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTと現像処理ユニットDEVのみを図示する。 Incidentally, in FIG. 1 illustrates a resist film coating units RESIST only developing units DEV. 塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBbは、それぞれこの発明における処理ブロックに相当する。 Coating block Ba and developing block Bb, respectively correspond to the processing blocks in the invention.

このように構成される本装置では次のように動作する。 Thus the present apparatus is configured to operate as follows. ID部1から塗布処理ブロックBaの階層K1、K3にそれぞれ基板Wを搬送する。 Each transport of a substrate W from the ID section 1 to the hierarchy K1, K3 of the coating block Ba. 階層K1、K3では、基板Wにレジスト膜を形成する処理を行う。 Hierarchical K1, K3, and performs a process of forming a resist film on the substrate W. 当該処理が終了すると、レジスト膜が形成された基板Wを、階層K1から階層K2、K4のいずれかに搬送する。 When the process is finished, the wafer W having resist film formed thereon is transferred to one of hierarchies K2, K4 from the story K1. 同様に、レジスト膜が形成された基板Wを、階層K3から階層K2、K4のいずれかに搬送する。 Similarly, the wafer W having resist film formed thereon is transferred to one of hierarchies K2, K4 from the story K3.

階層K2、K4はそれぞれ、基板WをIF部5へ搬送する。 Hierarchical K2, K4, respectively, transports the substrate W to the IF section 5. IF部5は、基板Wを露光機EXPへ搬送する。 IF section 5 transports the substrate W to the exposing machine EXP. 露光機EXPではレジスト膜が形成された基板Wを露光する。 Resist film in the exposing machine EXP exposes the substrate W is formed. 露光が終了すると、露光済みの基板Wが露光機EXPからIF部5へ搬送される。 After the exposure, the exposed substrate W is transported to the IF section 5 from the exposing machine EXP.

この基板Wを、IF部5から現像処理ブロックBbの階層K2、K4に搬送する。 The the substrate W, is transported from the IF section 5 in a hierarchical K2, K4 of the developing block Bb. 階層K2、K4では、露光済みの基板Wを現像する処理を行う。 Hierarchical K2, K4, performs a process of developing the exposed substrate W. 当該処理が終了すると、処理済みの基板Wを階層K2から階層K1、K3のいずれかに搬送する。 When the process is completed, it conveys the processed substrate W to one of the hierarchical K2 hierarchy K1, K3. 同様に、処理済みの基板Wを階層K4から階層K1、K3のいずれかに搬送する。 Similarly, conveying the processed substrate W to any one story K4 hierarchy K1, K3. 階層K1、K3はそれぞれ、当該階層に搬送された各基板WをID部1に搬送する。 Hierarchical K1, K3, respectively, transports each substrate W transferred to the hierarchy ID section 1.

このように、隣接する処理ブロックBa、Bbの同じ階層間(階層K1と階層K2の間、および、階層K3と階層K4との間)で、基板Wを搬送可能である。 Thus, the adjacent processing blocks Ba, between the same hierarchy Bb (between story K1 and hierarchy K2, and, between the story K3 and hierarchy K4) in a transportable substrate W. これとともに、隣接する処理ブロックBa、Bb同士において階層K1と階層K4の間、または、階層K2と階層K4の間のように階層Kを変えて基板Wを搬送可能である。 Along with this, between adjacent processing blocks Ba, story K1 and story K4 in Bb each other or can be transported to the substrate W different stories K as between story K2 and story K4.

これにより、処理ブロックBa、Bb同士の間における基板Wの搬送経路は、階層K1−階層K2(図1におけるr1)、階層K2−階層K4(同r2)、階層K1−階層K4(同r3)、階層K3−階層K2(同r4)の4通りがある。 Thus, the conveyance path of the processing block Ba, Bb substrate W between each other, hierarchical K1- hierarchy K2 (r1 in FIG. 1), the hierarchical K2- hierarchy K4 (the r2), hierarchical K1- hierarchy K4 (same r3) , there are four types of hierarchy K3- hierarchy K2 (same r4). 搬送方向を区別すると、その倍の8通りである。 To distinguish between the transport direction and eight of its fold. このため、仮にある階層Kが基板Wを処理できなくなったり、基板Wを搬送できなくなった場合であっても、当該階層Kを含まない搬送経路で基板Wを搬送するなど柔軟に対応することができる。 Accordingly, or hierarchical K is no longer able to process a wafer W is temporarily, even when it becomes impossible to transfer the substrate W, it can be flexibly like to transfer the substrate W at a transport path that does not include the hierarchical K it can.

たとえば、本装置では、図2に示すような2つの搬送経路R1、R2で基板Wを搬送することができる。 For example, the present apparatus can transport wafers W through two transport paths R1, R2 as shown in FIG. 搬送経路R1は、各処理ブロックBa、Bbの同じ(上側の)階層K1、K3間で基板Wを搬送する。 Conveying path R1, each processing block Ba, the same (upper) of Bb transporting the substrate W between the hierarchical K1, K3. 搬送経路R2は、処理ブロックBaの上側の階層K1と処理ブロックBbの下側の階層K4との間で基板Wを搬送する。 Conveying route R2 conveys the substrate W between the lower story K4 of upper story K1 and block Bb processing block Ba. したがって、図示するように、各搬送経路R1、R2のいずれにも階層K3は含まれない。 Thus, as shown, hierarchical K3 to any of the conveying path R1, R2 is not included. このような搬送経路R1、R2は、階層K3の処理ユニット(たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST)が基板Wを処理できない状態になったときや、階層K3の主搬送機構が基板Wを搬送できない状態(異常状態)になったときに有効である。 Such transport path R1, R2, the transport processing unit hierarchy K3 (e.g., a resist film coating units RESIST) and when is brought into a state where it can not handle the substrate W, the main transport mechanism of the story K3 is the substrate W it is effective when it is can not state (abnormal state). また、現像処理ブロックBbで現像された基板Wが全て階層K1へ基板Wが搬送されるので、現像処理ブロックBbで現像された基板Wを異なる階層K1、階層K3へそれぞれ搬送する場合に比べて、より基板W間の処理品質を均一にすることができる。 Further, since the substrate W developed substrate W is to all hierarchies K1 in developing block Bb is conveyed, as compared to the case of transporting each substrate W developed by the developing block Bb different layers K1, the hierarchy K3 , it can be made more uniform processing quality between the substrate W. さらに、各搬送経路R1、R2は、同一の階層K1で基板Wにレジスト膜を形成する処理を行い、異なる階層K2、K4でそれぞれ基板Wを現像する処理を行う。 Further, each transport path R1, R2 performs a process of forming a resist film on the substrate W in the same layer K1, performs a process of developing the substrate W respectively different layers K2, K4. このような搬送経路R1、R2で基板Wに一連の処理を行うことで、階層K2、K4における処理品質等を比較、検証することができる点でも有効である。 By performing a series of processes such transport path R1, R2 in the substrate W, comparing the process quality, etc. in the hierarchy K2, K4, it is also effective in that it can be verified.

また、本装置では、図3に示すような2つの搬送経路R2、R3で基板Wを搬送することができる。 Further, the present apparatus can transport wafers W through two transport paths R2, R3, as shown in FIG. 搬送経路R3は、各処理ブロックBa、Bbの同じ(下側の)階層K2、K4間で基板Wを搬送する。 Conveying path R3 transports wafers W between the respective processing blocks Ba, (lower) same Bb hierarchy K2, K4. したがって、図示するように、各搬送経路R2、R3のいずれにも階層K2は含まれない。 Thus, as shown, hierarchical K2 to any of the conveying path R2, R3 is not included. このような搬送経路R2、R3は、階層K2の処理ユニット(たとえば、現像処理ユニットDEV)が基板Wを処理できない状態になったときや、階層K2の主搬送機構が基板Wを搬送できない状態(異常状態)になったときに有効である。 Such conveying path R2, R3, the processing unit hierarchy K2 (e.g., developing units DEV) and when is ready can not handle the substrate W, the state where the main transport mechanisms of the hierarchical K2 can not transport the substrate W ( it is effective when it is in an abnormal state). また、各搬送経路R2、R3は、異なる階層K1、K3で基板Wにレジスト膜を形成する処理を行い、同一の階層K4で基板Wを現像する処理を行う。 Each transport path R2, R3 performs a process of forming a resist film on the substrate W in different layers K1, K3, performs processing for developing the substrate W in the same hierarchy K4. このような搬送経路R2、R3で基板Wに一連の処理を行うことで、階層K1、K3における処理品質等を比較、検証することができる点でも有効である。 By a series of treatments of wafers W in such a conveying path R2, R3, compare the processing quality, etc. in the hierarchy K1, K3, it is also effective in that it can be verified.

さらに、本装置では、図4に示すような2つの搬送経路R4、R5で基板Wを搬送することができる。 Furthermore, the present apparatus can transport wafers W through two transport paths R4, R5 as shown in FIG. 搬送経路R4は、階層K3から階層K4へ基板Wを搬送させるとともに、階層K4から階層K1へ基板Wを搬送させる。 Transport path R4 from the story K3 to hierarchical K4 with conveying the substrate W, to transport the substrate W from the hierarchy K4 to hierarchy K1. 搬送経路R5は、階層K3から階層K4へ基板Wを搬送させるとともに、階層K2から階層K1へ基板Wを搬送させる。 Conveyance path R5 from the story K3 to hierarchical K4 with conveying the substrate W, to transport the substrate W from the story K2 to hierarchy K1. したがって、図示するように、塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3が基板Wを搬送する方向はそれぞれ一方向である。 Thus, as illustrated, the direction in which each layer K1, K3 of the coating block Ba transports the substrate W is a one-way, respectively. 具体的には、塗布処理ブロックBaの階層K3は、専らID部1から基板Wを受け取り、専ら現像処理ブロックBb(階層K4)へ基板Wを払い出す。 Specifically, the hierarchy K3 of the coating block Ba receives the substrate W exclusively from the ID section 1 pays out the substrate W exclusively to the developing block Bb (hierarchy K4). また、塗布処理ブロックBaの階層K1は、専ら現像処理ブロックBbから基板Wを受け取り、専らID部1へ基板Wを払い出す。 Moreover, the hierarchy K1 of the coating block Ba receives the substrate W from exclusively developing block Bb, pays out the substrate W exclusively to the ID section 1. また、塗布処理ブロックBaにおける処理は基板Wを露光する前の処理であるので、この処理は、専ら露光前の基板Wが搬送される階層K3のみで行われる。 Further, since the processing in the coating block Ba is the process prior to exposure of the substrate W, the process exclusively substrate W before exposure is performed only hierarchy K3 to be conveyed. このような搬送経路R4、R5は、階層K1の処理ユニットが基板Wを処理できない状態になったときに、有効である。 Such transport path R4, R5, when the processing unit hierarchy K1 is brought into a state where it can not handle the substrate W, is effective. すなわち、現像処理ブロックBbから基板Wを受け取ってID部1へ基板Wを払い出す動作を階層K1が負担することで、階層K3における処理能力を高めることができる。 That is, the operation of paying out the substrate W to the ID section 1 receives the substrate W from the developing block Bb by story K1 will bear, it is possible to increase the processing capacity in the hierarchy K3.

なお、本発明は処理ブロックBa、Bb同士の間における基板Wの搬送経路rは、上述した上記搬送経路r1〜r4の4通りである場合に限られない。 The transport path r of the present invention is processing block Ba, Bb substrate W between each other is not limited to the case of the four types of the transport path r1~r4 described above. すなわち、同じ階層K間の搬送経路r1、r2に、異なる階層K間の搬送経路r3またはr4のいずれかを加えた3通りであってもよい。 That is, the conveyance path r1, r2 between the same hierarchical K, may be three types plus any conveyance path r3 or r4 between different hierarchies K. たとえば、図3で説明した動作例では搬送経路r1、r2、r3があれば足り、図2、図4で説明した動作例では搬送経路r1、r2、r4があれば足りる。 For example, in the operation example described with reference to FIG. 3 sufficient if the conveying path r1, r2, r3, 2, sufficient if the conveying path r1, r2, r4 in operation example described in FIG. さらに、搬送経路r3、r4は双方向に基板Wを搬送可能な場合のほか、一方向にのみ基板Wを搬送可能であってもよい。 Further, the conveyance path r3, r4 Other when possible transport the substrate W in both directions, the substrate W in one direction only may be transported. たとえば、図4で説明した動作例は、搬送経路r3のうち現像処理ブロックBbから塗布処理ブロックBaへの一方向に基板Wを搬送するのみである。 For example, the operation example described in FIG. 4, only transports the substrate W in one direction from the developing block Bb to the coating block Ba of the conveying path r3.

以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。 In the following, the configuration of each section of this embodiment in more detail.
図5は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図6と図7は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図8ないし図11は、図5におけるa−a矢視、b−b矢視、c−c矢視およびd−d矢視の各垂直断面図である。 Figure 5 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the embodiment, FIG. 6 and FIG. 7 is a schematic side view showing the arrangement of the processing units included in the substrate processing apparatus, FIG. 8 to 11 , a-a arrow in FIG. 5, b-b arrow is the vertical sectional view of a c-c arrow and d-d arrow.

[ID部1] [ID section 1]
ID部1は複数枚の基板Wを収容するカセットCから基板Wを取り出すとともに、カセットCに基板Wを収納する。 Along with the ID section 1 takes out the substrate W from the cassette C for storing a plurality of the substrate W, for housing the substrate W in a cassette C. このID部1はカセットCを載置するカセット載置台9を備える。 The ID section 1 includes a cassette table 9 for mounting a cassette C. カセット載置台9は4個のカセットCを1列に並べて載置可能に構成される。 Cassette table 9 can be placed configured by arranging four cassettes C in a row. ID部1はID用搬送機構T IDを備えている。 ID section 1 has a ID transport mechanism T ID. ID用搬送機構T IDは、各カセットCに対して基板Wを搬送するとともに、後述する載置部PASS 及び載置部PASS に基板Wを搬送する。 ID transport mechanism T ID, conveys the substrate W to each cassette C, and transports the substrate W to part PASS 1 and receiver PASS 3 to be described later. ID用搬送機構T IDは、カセット載置台9の側方をカセットCの並び方向に水平移動する可動台21と、可動台21に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸23と、この昇降軸23に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム25とを備えている。 ID's transport mechanism T ID, a movable base 21 for moving horizontally alongside the cassette table 9 in the direction of arrangement of the cassettes C, a lift shaft 23 vertically extendible and contractible relative to the movable base 21, the lifting shaft 23 and it moved in the turning radius direction while turning and a holding arm 25 for holding the substrate W with respect. ID用搬送機構T IDは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。 ID transport mechanism T ID corresponds to the indexer's transport mechanism in this invention.

[処理部3] [Processing section 3]
図5、図8等に示すように、塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3にはそれぞれ主搬送機構T 、T が設けられている。 5, as shown in FIG. 8 or the like, the main transport mechanism T 1, T 3 respectively are provided in each layer K1, K3 of the coating block Ba. また、現像処理ブロックBbの各階層K2、K4にはそれぞれ主搬送機構T 、T が設けられている。 Further, the main transport mechanism T 2, T 4 are respectively provided on each layer K2, K4 of the developing block Bb. 以下では、各処理ブロックBa、Bbに分けて説明する。 Hereinafter, each process block Ba, will be described separately Bb.

[処理部3〜塗布処理ブロックBa] [Section 3 coating block Ba]
ID部1と処理ブロックBaの各階層K1、K3の間には、基板Wを載置する載置部PASS 、PASS が設けられている。 Between each layer K1, K3 of the ID section 1 and the processing block Ba, placing part PASS 1, PASS 3 are provided for mounting a substrate W. 載置部PASS には、ID用搬送機構T IDと主搬送機構T との間で受け渡される基板Wが載置される。 The mounting portion PASS 1, the substrate W passed between the ID transport mechanism T ID and main transport mechanisms T 1 is placed. 同様に、載置部PASS には、ID用搬送機構T IDと主搬送機構T との間で受け渡される基板Wが載置される。 Similarly, the mounting portion PASS 3, the substrate W passed between the ID transport mechanism T ID and main transport mechanism T 3 is placed. 断面視では載置部PASS は上側の階層K1の下部付近の高さ位置に配置され、載置部PASS は下側の階層K3の上部付近の高さに配置されている。 Receiver PASS 1 is a cross-sectional view is arranged at a height near the bottom of the upper story K1, while the receiver PASS 3 is disposed at a height near the top of the lower story K3. このように載置部PASS と載置部PASS の位置が比較的近いので、ID用搬送機構T IDは少ない昇降量で載置部PASS と載置部PASS との間を移動することができる。 Since the mounting is relatively close position of the receiver PASS 1 and receiver PASS 3, the ID's transport mechanism T ID moves between the receiver PASS 1 and receiver PASS 3 mounting a small lift amount be able to.

処理ブロックBa、Bbの間には、各階層ごとに基板Wを載置する載置部PASS 、PASS が固定的に設けられている。 Processing block Ba, between Bb, part PASS 2, PASS 4 mounting for placing the substrate W for each hierarchy are fixedly provided. 具体的には、載置部PASS は階層K1と階層K2との間に、載置部PASS は階層K3と階層K4との間にそれぞれ配置されている。 Specifically, mounting portion PASS 2 between the story K1 and hierarchy K2, mounting portion PASS 4 are respectively disposed between the story K3 and hierarchy K4. そして、主搬送機構T と主搬送機構T は載置部PASS を介して基板Wを受け渡し、主搬送機構T と主搬送機構T は載置部PASS を介して基板Wを受け渡す。 Then, the main transport mechanism T I and the main transport mechanism T 2 mounting transferring wafers W through the part PASS 2, the main transport mechanism T 3 and the main transport mechanism T 4 is the substrate W through a portion PASS 4 mounting received pass. このように、載置部PASS 、PASS は、同じ階層同士の間で基板Wを搬送するためのものである。 Thus, part PASS 2, PASS 4 mounting is for transporting the substrate W between the same hierarchy other. 載置部PASS 、PASS は、この発明における固定載置部に相当する。 Part PASS 2, PASS 4 mounting corresponds to the fixed mounting portion in the present invention.

処理ブロックBa、Bbの間には、さらに、基板Wを載置する可動載置部MPASSが上下方向の各階層にわたって昇降可能に設けられている。 Processing block Ba, between Bb, further movable receiver MPASS places the substrate W is provided to be vertically movable over each layer of the vertical direction. 具体的には、可動載置部MPASSは、図示省略の駆動機構により、載置部PASS と載置部PASS との間を上下方向に移動する。 Specifically, the movable receiver MPASS is by a drive mechanism (not shown), to move between a portion PASS 4 mounting the mounting portion PASS 2 in the vertical direction. そして、階層K1(K2)に応じた高さ位置と、階層K3(K4)に応じた高さ位置とに移動可能である。 Then, a movable and height position corresponding to the story K1 (K2), to a height position corresponding to the story K3 (K4). 階層K1(K2)に応じた高さ位置は、載置部PASS よりやや下側であり、図8において実線で示される位置である。 Height position corresponding to the story K1 (K2) is slightly lower than the mounting portion PASS 2, a position indicated by the solid line in FIG. 8. 階層K3(K4)に応じた高さ位置は、載置部PASS よりやや上側であり、図8において点線で示される位置である。 Hierarchical K3 (K4) height position corresponding to is slightly above the mounting part PASS 4, a position indicated by a dotted line in FIG. 8. 階層K1(K2)に応じた高さ位置に移動した可動載置部MPASSに対しては、主搬送機構T と主搬送機構T が基板Wを載置することができ、また、載置されている基板Wを受け取ることができる(すなわち、搬送可能である)。 For movable receiver MPASS having moved to the height position corresponding to the story K1 (K2), can be the main transport mechanism T I and the main transport mechanism T 2 is placed on the substrate W, also placed You can receive the wafer W which has been (i.e., can be transported). 同様に、階層K3(K4)に応じた高さ位置に移動した可動載置部MPASSに対しては、主搬送機構T と主搬送機構T が基板Wを搬送可能である。 Similarly, with respect to the movable receiver MPASS having moved to the height position corresponding to the story K3 (K4), the main transport mechanism T 3 and the main transport mechanism T 4 is capable of transporting the substrate W. なお、可動載置部MPASSは、同じ階層同士の間で基板Wを搬送するために用いることができるが、本実施例では専ら異なる階層同士の間で基板Wを搬送するために用いる。 The movable receiver MPASS is can be used to transfer the substrate W between the same hierarchy each other in the present embodiment is used to carry the substrate W between the exclusively different hierarchies together.

各載置部PASS 〜PASS 、後述する各載置部PASS 、PASS および可動載置部MPASSは、複数(本実施例では2台)であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。 Each mounting portion PASS 1 ~PASS 4, each mounting part PASS 5, PASS 6 and movable receiver MPASS described below are a plurality (two in this embodiment), are arranged in close proximity in the vertical direction ing. そして、基板Wが受け渡される方向に応じていずれかの載置部PASSが選択される。 Then, one of the receiver PASS in accordance with the direction in which the substrate W is delivered is selected.

たとえば、載置部PASS については、上下方向に近接配置される2つの載置部PASS 1A 、PASS 1Bを有している。 For example, the mounting portion PASS 1, the two mounting portions PASS 1A which is disposed close to the vertical direction, and a PASS 1B. そして、一方の載置部PASS 1Aには、ID用搬送機構T IDから主搬送機構T へ渡す基板Wを載置し、他方の載置部PASS 1Bには主搬送機構T からID用搬送機構T IDへ渡す基板Wを載置する。 Then, in the one mounting unit PASS 1A, a substrate W placed thereon to pass from the ID transport mechanism T ID to the main transport mechanism T 1, for ID from the main transport mechanism T 1 to the other mounting portion PASS 1B It places the substrate W to be passed to the transport mechanism T ID.

また、たとえば、載置部PASS については、載置部PASS 2A 、PASS 2Bを有している。 Further, for example, for mounting unit PASS 2, it has mounting unit PASS 2A, the PASS 2B. そして、一方の載置部PASS 2Aには主搬送機構T が基板Wを載置し、この基板Wを主搬送機構T が受け取る。 Then, the main transport mechanism T 1 into one of the mounting unit PASS 2A is placing a substrate W, the substrate W is the main transport mechanism T 2 receives. 他方の載置部PASS 2Bには主搬送機構T が基板Wを載置し、この基板Wを主搬送機構T が受け取る。 The main transport mechanism T 2 on the other mounting portion PASS 2B is placed on the substrate W, the substrate W is the main transport mechanism T 1 receives.

また、たとえば、可動載置部MPASSについては、可動載置部MPASS 、MPASS を有している。 Further, for example, for the movable mounting part mpass, it has movable mounting part mpass A, the mpass B. そして、一方の可動載置部MPASS には主搬送機構T または主搬送機構T が基板Wを載置し、この基板Wを主搬送機構T または主搬送機構T が受け取る。 Then, on one of the movable mounting part mpass A main transport mechanism T 1 or main transport mechanism T 3 and placing the substrate W, the substrate W is the main transport mechanism T 2 or the main transport mechanism T 4 receives. 他方の可動載置部MPASS には主搬送機構T または主搬送機構T が基板Wを載置し、この基板Wを主搬送機構T または主搬送機構T が受け取る。 The main transport mechanism on the other of the movable mounting part mpass B T 2 or the main transport mechanism T 4 is placed on the substrate W, the substrate W is the main transport mechanism T 1 or main transport mechanism T 3 receives.

各載置部PASS 〜PASS および可動載置部MPASSは、突出形成された複数の支持ピンをそれぞれ有し、これら支持ピンによって基板Wを略水平姿勢で載置可能に構成されている。 Each mounting portion PASS 1 ~PASS 6 and movable receiver MPASS has a plurality of support pins projecting respectively, are configured to be placed substantially horizontal position of the substrate W by these support pins. また、各載置部PASS 〜PASS および可動載置部MPASSには基板Wの有無を検知するセンサ(図示省略)がそれぞれ付設されている。 The sensor for detecting the presence or absence of the substrate W (not shown) is attached respectively to each mounting portion PASS 1 ~PASS 6 and the movable mounting part mpass. 各センサの検出信号は後述する制御部90に入力される。 Detection signals of the sensors are input to the control section 90 to be described later. 制御部90は、各センサの検出結果に基づいて、当該載置部PASS、MPASSに基板Wが載置されているか否かを判断し、当該載置部PASS、MPASSを介して受け渡しを行う各主搬送機構Tを制御する。 Control unit 90 based on the detection result of each sensor, to determine whether the placement portion PASS, mpass the substrate W is placed, each for delivering via the mounting portion PASS, the mpass to control the main transport mechanism T.

階層K1について説明する。 It will be described hierarchy K1.
階層K1に設けられる処理ユニットは、基板Wにレジスト膜を形成するための塗布処理ユニット31および熱処理ユニット41である。 Processing unit on the story K1 are coating units 31 and heat-treating units 41 for forming a resist film on the substrate W. 主搬送機構T は、これら塗布処理ユニット31および熱処理ユニット41に対して基板Wを搬送する。 The main transport mechanism T 1 transports the substrate W to these coating units 31 and heat-treating units 41. 主搬送機構T は、平面視で階層K1の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースA を移動可能に設けられている。 The main transport mechanism T 1, is provided movably transporting space A 1 substantially central parallel and street conveying direction of the story K1 in plan view. 塗布処理ユニット31は搬送スペースA の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット41が配置されている。 Coating units 31 are arranged on one side of the transporting space A 1, and heat-treating units 41 are arranged on the other side.

塗布処理ユニット31は、それぞれ搬送スペースA に面して縦横に複数個並べて設けられている。 The coating units 31 are arranged vertically and horizontally, respectively facing the transporting space A 1. 本実施例では、基板Wの搬送路に沿って2列2段で合計4つの塗布処理ユニット31が配置されている。 In this embodiment, a total of four coating units 31 in two rows two stages along the transport path of the substrate W is disposed.

塗布処理ユニット31は、基板Wに反射防止膜を形成する反射防止膜用塗布処理ユニットBARCと、基板Wにレジスト膜を形成する(レジスト膜形成処理を行う)レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTとを含む。 The coating units 31 include anti-reflection film coating units BARC for forming anti-reflection film on the substrate W, a resist film is formed on the substrate W and the (resist film forming process is performed a) resist film coating units RESIST including.

反射防止膜用塗布処理ユニットBARCは反射防止膜用の処理液を基板Wに塗布する。 Antireflection film coating units BARC for applying the treating solution for antireflection film to the substrate W. レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTはレジスト膜材料を基板Wに塗布する。 Resist film coating units RESIST in applying a resist film material to the substrate W. 反射防止膜用塗布処理ユニットBARCは複数(2台)であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。 Antireflection film coating units BARC are a plurality (two), it is arranged at substantially the same height in the lower. レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTも複数(2台)であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。 Resist film coating units RESIST also a plurality (two), are arranged at substantially the same height in the upper stage. 各反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの間には隔壁又は仕切り壁等はない。 No partition wall or partition wall or the like between the respective anti-reflection film coating units BARC. すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットBARCを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない(連通している)。 That is, only accommodate all of the anti-reflection film coating units BARC common chamber, the atmosphere surrounding the respective anti-reflection film coating units BARC not interrupted each other (in communication). 同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。 Similarly, not interrupted each other and atmosphere around each resist film coating units RESIST.

図12を参照する。 Referring to Figure 12. 図12(a)は塗布処理ユニットの平面図であり、(b)は塗布処理ユニットの断面図である。 12 (a) is a plan view of a coating unit, (b) is a sectional view of the coating unit. 各塗布処理ユニット31は、基板Wを回転可能に保持する回転保持部32と、基板Wの周囲に設けられるカップ33と、基板Wに処理液を供給する供給部34などを備えている。 Each coating unit 31 includes a spin holder 32 for rotatably holding a the substrate W, a cup 33 surrounding the wafer W, and includes supplying unit 34 or the like for supplying a treating solution to the wafer W.

供給部34は、複数個のノズル35と、一のノズル35を把持する把持部36と、把持部36を移動させて一のノズル35を基板Wの上方の処理位置と基板Wの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構37とを備えている。 Supply unit 34 off the plurality of nozzles 35, a gripper 36 for gripping one of the nozzles 35, one nozzle 35 is moved the grip portion 36 from above the upper processing position and the substrate W in the substrate W and a nozzle moving mechanism 37 for moving between a standby position was. 各ノズル35にはそれぞれ処理液配管38の一端が連通接続されている。 One end of each treatment liquid pipe 38 is communicatively connected to the respective nozzles 35. 処理液配管38は、待機位置と処理位置との間におけるノズル35の移動を許容するように可動(可撓)に設けられている。 Treatment liquid pipe 38 is arranged movable (flexible) to permit movement of the nozzle 35 between the standby position and treating position. 各処理液配管38の他端側は処理液供給源(図示省略)に接続されている。 The other end of each treating solution pipe 38 is connected to the processing liquid supply source (not shown). 具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットBARCの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル35に対して供給する。 Specifically, in the case of antireflection film coating units BARC, the treating solution sources supply different types of treating solution for antireflection film to each nozzle 35. レジスト膜用塗布処理ユニットRESISTの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル35に対して供給する。 In the case of resist film coating units RESIST, the treating solution sources supply different types of resist film material to the respective nozzles 35.

ノズル移動機構37は、第1ガイドレール37aと第2ガイドレール37bと有する。 Nozzle moving mechanism 37 has first guide rails 37a and second guide rail 37b. 第1ガイドレール37aは横に並ぶ2つのカップ33を挟んで互いに平行に配備されている。 The first guide rail 37a are arranged parallel to each other across the two cups 33 arranged sideways. 第2ガイドレール37bは2つの第1ガイドレール37aに摺動可能に支持されて、2つのカップ33の上に架設されている。 The second guide rail 37b is slidably supported by the two first guide rails 37a, it is laid on top of the two cups 33. 把持部36は第2ガイドレール37bに摺動可能に支持される。 The gripper 36 is slidably supported on the second guide rail 37b. ここで、第1ガイドレール37aおよび第2ガイドレール37bが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。 Here, each direction in which the first guide rail 37a and the second guide rail 37b take guiding action substantially horizontally and in a direction, substantially perpendicular to each other. ノズル移動機構37は、さらに第2ガイドレール37bを摺動移動させ、把持部36を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。 Nozzle moving mechanism 37 further second guide rail 37b is slidably moved, a drive unit (not shown) for sliding movement of the gripper 36. そして、駆動部が駆動することにより、把持部36によって把持されたノズル35を処理位置に相当する2つの回転保持部32の上方位置に移動させる。 By driving unit is driven, it is moved to the position above the two spin holders 32. corresponding nozzle 35 gripped by the gripper 36 to the processing position.

熱処理ユニット41は複数であり、それぞれ搬送スペースA に面するように縦横に複数個並べられている。 Heat-treating units 41 are a plurality, are arranged vertically and horizontally, each facing the transporting space A 1. 本実施例では横方向に3つの熱処理ユニット41を配置可能に、縦方向に5つの熱処理ユニット41を積層可能である。 Positionable three heat-treating units 41 in the horizontal direction in this embodiment, the longitudinal direction into five heat-treating units 41 can be stacked. 熱処理ユニット41はそれぞれ基板Wを載置するプレート43などを備えている。 Thermal processing unit 41 has a plate 43 for placing the substrate W, respectively. 熱処理ユニット41は基板Wを冷却する冷却ユニットCP、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットPHPおよび基板Wと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン(HMDS)の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットAHLを含む。 Treating units 41 include cooling units CP for cooling wafers W, in a vapor atmosphere of hexamethyldisilazane in order to improve the adhesion of the heating and cooling units PHP and the substrate W and a coating To continue heating and cooling process (HMDS) including adhesion processing units AHL for heat treatment. なお、加熱冷却ユニットPHPはプレート43を2つ有するとともに、2つのプレート43間で基板Wを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。 The heating and cooling unit PHP together with the plate 43 having two, and a local transport mechanism (not shown) for moving a wafer W between the two plates 43. 各種の熱処理ユニットCP、PHP、AHLはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。 Various thermal processing unit CP, PHP, AHL is plural, respectively, are disposed at appropriate positions.

主搬送機構T を具体的に説明する。 The main transport mechanism T 1 will be described in detail. 図13を参照する。 Referring to FIG. 13. 図13は、主搬送機構の斜視図である。 Figure 13 is a perspective view of the main transport mechanism. 主搬送機構T は、上下方向に案内する2本の第3ガイドレール51と横方向に案内する第4ガイドレール52を有している。 The main transport mechanism T 1 has a fourth guide rail 52 for guiding the third guide rail 51 and the lateral two guiding in the vertical direction. 第3ガイドレール51は搬送スペースA の一側方に対向して固定されている。 Third guide rails 51 are fixed opposite each other at one side of the transporting space A 1. 本実施例では、塗布処理ユニット31の側に配置している。 In this embodiment, it is arranged on the side of the coating unit 31. 第4ガイドレール52は第3ガイドレール51に摺動可能に取り付けられている。 The fourth guide rails 52 are slidably mounted on the third guide rail 51. 第4ガイドレール52には、ベース部53が摺動可能に設けられている。 The fourth guide rail 52, the base portion 53 is provided slidably. ベース部53は搬送スペースA の略中央まで横方向に張り出している。 The base 53 extends transversely, substantially to the center of the transporting space A 1. さらに、第4ガイドレール52を上下方向に移動させ、ベース部53を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。 Furthermore, by moving the fourth guide rail 52 in the vertical direction, and a driving unit (not shown) for moving the base portion 53 in the lateral direction. この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット31および熱処理ユニット41の各位置にベース部53を移動させる。 By the driving unit is driven to move the base portion 53 to the respective positions of the coating units 31 and heat-treating units 41 arranged vertically and horizontally.

ベース部53には縦軸心Q周りに回転可能に回転台55が設けられている。 Rotatably turntable 55 is provided around Tatejikukokoro Q in the base portion 53. 回転台55には基板Wを保持する2つの保持アーム57a、57bがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。 Two holding arms 57a to turntable 55 for holding a substrate W, 57 b are movable in a horizontal direction, respectively. 2つの保持アーム57a、57bは互いに上下に近接した位置に配置されている。 Two holding arms 57a, 57 b are arranged vertically close to each other. さらに、回転台55を回転させ、各保持アーム57a、57bを進退させる図示省略の駆動部を備えている。 Further, by rotating the turntable 55, and a driving unit (not shown) for advancing and retracting the holding arms 57a, and 57 b. この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット31および各熱処理ユニット41、載置部PASS 、PASS および階層K1(K2)に応じた高さ位置に移動した可動載置部MPASSに回転台55を対向させ、これら塗布処理ユニット31等に対して保持アーム57a、57bを進退させる。 By the driving unit is driven, rotates in the coating units 31 and the heat-treating units 41, the movable and moved to a height position corresponding to the rest part PASS 1, PASS 2 and hierarchical K1 (K2) receiver MPASS the pedestal 55 is opposed, the holding arms 57a for these coating units 31 or the like, advancing and retreating 57 b.

階層K3について説明する。 It will be described hierarchy K3. なお、階層K1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 Incidentally, the same as in the story K1 omit the detailed description that given the same reference numerals. 階層K3の主搬送機構T および処理ユニットの平面視でのレイアウト(配置)は階層K1のそれらと略同じである。 The main transport mechanism T 3 and processing unit in plan view with the layout of the hierarchical K3 (arrangement) is substantially the same as those hierarchies K1. このため、主搬送機構T から見た階層K3の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構T から見た階層K1の各種処理ユニットの配置と略同じである。 Therefore, the arrangement of the various treating units of the story K3 as seen from the main transport mechanism T 3 is substantially the same as the arrangement of the various treating units of the hierarchy K1 as seen from the main transport mechanism T 1. 階層K3の塗布処理ユニット31と熱処理ユニット41は、それぞれ階層K1の塗布処理ユニット31と熱処理ユニット41の下側にそれぞれ積層されている。 Coating units 31 and heat-treating units 41 of the story K3 are respectively stacked on the lower side of the coating units 31 and heat-treating units 41 of the story K1 respectively.

以下において、階層K1、K3に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットRESIST等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「1」又は「3」を付す(たとえば、階層K1に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットRESISTを「レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST 」と記載する)。 In the following description, when distinguishing the hierarchy K1, the resist film coating units are provided on the K3 RESIST etc., reference numeral "1" or "3" of the subscripts, respectively (e.g., a resist film on the story K1 the use coating units rESIST to as "resist film coating units rESIST 1").

処理ブロックBaのその他の構成について説明する。 It will be described other configurations of the processing block Ba. 搬送スペースA 、A には、清浄な気体を吹き出す第1吹出ユニット61と気体を吸引する排出ユニット62とがそれぞれ設けられている。 The transporting spaces A 1, A 3 is a discharge unit 62 for sucking the first blowout unit 61 and the gas for blowing out a clean gas, respectively. 第1吹出ユニット61と排出ユニット62は、それぞれ平面視における搬送スペースA と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。 The first blowout unit 61 and exhaust unit 62 is a flat box having substantially the same area as the transporting space A 1 in plan view. 第1吹出ユニット61と排出ユニット62の一方面にはそれぞれ第1吹出口61aと排出口62aが形成されている。 The first blowout openings 61a or exhaust openings 62a on one side of the first blowout unit 61 and exhaust unit 62 is formed. 本実施例では多数の小孔fで第1吹出口61aおよび排出口62aが構成されている。 In this embodiment, the first blowout openings 61a or exhaust openings 62a are numerous small holes f are formed. 第1吹出ユニット61は第1吹出口61aを下に向けた姿勢で搬送スペースA 、A の上部に配置されている。 The first blowout units 61 are arranged over the transporting spaces A 1, A 3 in a posture facing down first outlet 61a. また、排出ユニット62は排出口62aを上に向けた姿勢で搬送スペースA 、A の下部に配置されている。 The exhaust units 62 are arranged under the transporting spaces A 1, A 3 in a posture facing upward outlet 62a. 搬送スペースA と搬送スペースA の雰囲気は、搬送スペースA の排出ユニット62と搬送スペースA の第1吹出ユニット61とによって遮断されている。 Atmosphere of the transporting space A 1 and the transporting space A 3 are blocked off by the exhaust unit 62 of the transporting space A 1 and the first blowout unit 61 of the transporting space A 3. よって、各階層K1、K3は互いに雰囲気が遮断されている。 Thus, each layer K1, K3 is interrupted atmosphere together.

搬送スペースA 、A の各第1吹出ユニット61は同じ第1気体供給管63に連通接続されている。 First blowout units 61 each of the transporting space A 1, A 3 is communicatively connected to the same first gas supply pipe 63. 第1気体供給管63は載置部PASS 、PASS の側方位置に、搬送スペースA の上部から搬送スペースA の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースA の下方で水平方向に曲げられている。 The lateral position of the part PASS 2, PASS 4 first gas supply pipe 63 is mounting, with provided to a lower position of the transporting space A 3 from the top of the transporting space A 1, the horizontal direction below the transporting space A 2 It is bent. 第1気体供給管63の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。 The other end of the first gas supply pipe 63 is communicated with a gas supply source (not shown). 同様に、搬送スペースA 、A の排出ユニット62は同じ第1気体排出管64に連通接続されている。 Similarly, the discharge unit 62 of the transporting space A 1, A 3 is communicatively connected to the same first gas discharge pipe 64. 第1気体排出管64は搬送スペースA の下部から搬送スペースA の下部にかけて、載置部PASS 、PASS の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースA の下方で水平方向に曲げられている。 The first gas exhaust pipe 64 to a lower position of the transporting space A 3 from the lower portion of the transporting space A 1, together with the are provided on the side position of the mounting portion PASS 2, PASS 4, the horizontal direction below the transporting space A 2 It is bent. そして、搬送スペースA 、A の各第1吹出口61aから気体を吹き出させるとともに各排出口62aから気体を吸引/排出させることで、搬送スペースA 、A には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースA 、A は個別に清浄な状態に保たれる。 Then, by sucking / discharging gas from the discharge port 62a causes blown gas from the first outlet 61a of the transporting space A 1, A 3, flows from top to bottom in the transport space A 1, A 3 airflow is formed, each of the transporting spaces a 1, a 3 is kept clean state.

階層K1、K3の各塗布処理ユニット31には、縦方向に貫く竪穴部PSが形成されている。 Each coating unit 31 of the hierarchy K1, K3, penetrating longitudinally pit portion PS is formed. この竪穴部PSには清浄な気体を供給するための第2気体供給管65と、気体を排気するための第2気体排出管66が上下方向に設けられている。 This is the pit portion PS and the second gas supply pipe 65 for supplying the clean gas, a second gas exhaust pipe 66 for exhausting gas is provided in the vertical direction. 第2気体供給管65と第2気体排出管66はそれぞれ各塗布処理ユニット31の所定の高さ位置で分岐して竪穴部PSから略水平方向に引き出されている。 And extend substantially horizontally from the pit portion PS branches at a predetermined height position of the second gas supply pipe 65 and second gas exhaust pipe 66 in each coating unit 31. 分岐した複数の第2気体供給管65は、気体を下方に吹き出す第2吹出ユニット67に連通接続している。 A plurality of second gas supply pipe 65 which branches are connected to second blowout units 67 for blowing out the gas downward. また、分岐した複数の第2気体排出管66は各カップ33の底部にそれぞれ連通接続している。 The plurality of second gas exhaust pipe 66 which branches off are respectively connected communication with the bottom of each cup 33. 第2気体供給管65の他端は、階層K3の下方において第1気体供給管63に連通接続されている。 The other end of the second gas supply pipe 65 is communicatively connected to the first gas supply pipe 63 in the lower hierarchy K3. 第2気体排出管66の他端は、階層K3の下方において第1気体排出管64に連通接続されている。 The other end of the second gas exhaust pipe 66 is communicatively connected to the first gas exhaust pipe 64 below the hierarchy K3. そして、第2吹出ユニット67から気体を吹き出させるとともに、第2気体排出管66を通じて気体を排出させることで、各カップ33内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部32に保持された基板Wを好適に処理できる。 The causes blown gas from the second blowout units 67, by discharging the gas through the second gas exhaust pipe 66, the atmosphere inside each cup 33 is constantly maintained clean, the substrate held by the spin holder 32 W can be suitably processed.

また、竪穴部PSにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等(いずれも図示省略)が設置されている。 Moreover, further processing liquid leading piping and electrical wiring, etc. in the pit portion PS (all not shown) are installed. このように、竪穴部PSに階層K1、K3の塗布処理ユニット31に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。 Thus, it is possible to accommodate the piping and wiring and the like which are provided for the coating units 31 of the hierarchy K1, K3 to the pit portion PS, it is possible to shorten the length of the piping and wiring and the like.

また、処理ブロックBaは、一の筐体75に収容されている。 The processing block Ba is housed in one casing 75. 後述する処理ブロックBbも別個の筐体75に収容されている。 Described later block Bb are also contained in a separate housing 75. このように、処理ブロックBa、Bbごとに主搬送機構Tおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体75を備えることで、処理部3を簡易に製造することができる。 Thus, process block Ba, each Bb By providing a housing 75 for housing together the main transport mechanism T and processing unit, it is possible to manufacture a processing unit 3 easily. 主搬送機構T および主搬送機構T は、この発明における第1主搬送機構に相当する。 The main transport mechanism T 1 and the main transport mechanism T 3 corresponds to the first main transport mechanism in the present invention.

[処理部3〜現像処理ブロックBb] [Section 3 the developing block Bb]
階層K2について説明する。 It will be described hierarchy K2. 階層K1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 The same as in the story K1 omit the detailed description that given the same reference numerals. 階層K2の搬送スペースA は搬送スペースA の延長上となるように形成されている。 Transporting space A 2 in the hierarchy K2 is formed as an extension of the transporting space A 1.

階層K2の処理ユニットは、基板Wを現像する現像処理ユニットDEVと、基板Wに熱処理を行う熱処理ユニット42と、基板Wの周縁部を露光するエッジ露光ユニットEEWである。 The processing unit hierarchy K2 includes a developing units DEV for developing wafers W, and heat-treating units 42 for heat-treating the wafers W, the edge exposing unit EEW for exposing peripheral regions of the substrate W. 現像処理ユニットDEVは搬送スペースA の一方側に配置され、熱処理ユニット42およびエッジ露光ユニットEEWは搬送スペースA の他方側に配置されている。 Developing units DEV are arranged at one side of the transporting space A 2, heat-treating units 42 and edge exposing unit EEW are arranged at the other side of the transporting space A 2. ここで、現像処理ユニットDEVは塗布処理ユニット31と同じ側に配置されることが好ましい。 Here, developing units DEV is preferably arranged on the same side as the coating units 31. また、熱処理ユニット42及びエッジ露光ユニットEEWは熱処理ユニット41と同じ並びとなることが好ましい。 The heat treatment unit 42 and edge exposing unit EEW is preferably arranged in the same row as the heat-treating units 41.

現像処理ユニットDEVは4つであり、搬送スペースA に沿う横方向に2つ並べられたものが上下2段に積層されている。 Developing units DEV is four, which are arranged two horizontally along the transporting space A 2 are stacked in upper and lower stages. 各現像処理ユニットDEVは基板Wを回転可能に保持する回転保持部77と、基板Wの周囲に設けられるカップ79とを備えている。 Each developing unit DEV includes a spin holder 77 for holding and spinning a wafer W, a cup 79 surrounding the wafer W. 1段に並設される2つの現像処理ユニットDEVは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。 Two developing units DEV are arranged in parallel in the first stage is provided not separated from each other by a partition wall or the like. さらに、2つの現像処理ユニットDEVに対して、現像液を供給する供給部81が設けられている。 Further, with respect to the two developing units DEV, supply unit 81 is provided for supplying a developing solution. 供給部81は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する2つのスリットノズル81aを有する。 Supply unit 81 includes two slit nozzles 81a having a slit or a row of small bores for delivering the developers. スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Wの直径相当が好ましい。 The longitudinal length of the slit or small hole column equivalent diameter of the substrate W is preferred. また、2つのスリットノズル81aは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。 Preferably, the two slit nozzles 81a are arranged to deliver the developers of different types or concentrations. 供給部81はさらに、各スリットノズル81aを移動させる移動機構81bとを備えている。 Supply device 81 further includes a moving mechanism 81b for moving each slit nozzle 81a. これにより、各スリットノズル81aはそれぞれ、横方向に並ぶ2つの回転保持部77の上方に移動可能である。 Thus, the slit nozzles 81a are movable, respectively, over the two spin holders 77 juxtaposed sideways.

熱処理ユニット42は複数であり、搬送スペースA に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。 Heat-treating units 42 are a plurality, more aligned with are horizontally along the transporting space A 2, are stacked in a vertical direction. 熱処理ユニット42は、基板Wを加熱する加熱ユニットHPと、基板Wを冷却する冷却ユニットCPと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットPHPを含む。 Thermal processing unit 42 includes a heating unit HP for heating the substrate W, a cooling unit CP for cooling wafers W, heating and cooling units PHP To continue heating and cooling process.

加熱冷却ユニットPHPは複数である。 Heating and cooling units PHP are multiple. 各加熱冷却ユニットPHPは、最もIF部5側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がIF部5側に面している。 Each heating and cooling units PHP, are stacked vertically in the column of the most IF portion 5, each of the one side faces the IF section 5 side. 階層K2に設けられる加熱冷却ユニットPHPについては、その側部に基板Wの搬送口を形成している。 The heating and cooling units PHP for on the story K2, to form a transfer port of the substrate W on its side. そして、加熱冷却ユニットPHPに対しては、後述するIF用搬送機構T IFが上記搬送口を通じて基板Wを搬送する。 And, for the heating and cooling units PHP, transport mechanism T IF transports the substrate W through the transfer port for IF, which will be described later. そして、これら階層K2に設けられる加熱冷却ユニットPHPで、露光後の基板Wに露光後加熱(PEB:Post Exposure Bake)処理を行う。 Then, in the heating and cooling units PHP provided these hierarchies K2, after exposure to the substrate W after exposure baking: performing (PEB Post Exposure Bake) process. 同様に、階層K4に設けられる加熱冷却ユニットPHPは、露光後の基板Wに露光後加熱(PEB:Post Exposure Bake)処理を行う。 Similarly, the heating and cooling units PHP for on the story K4 after exposure to the substrate W after exposure baking: performing (PEB Post Exposure Bake) process.

エッジ露光ユニットEEWは単一であり、所定の位置に設けられている。 Edge exposing unit EEW is a single, disposed in a predetermined position. エッジ露光ユニットEEWは、基板Wを回転可能に保持する回転保持部(不図示)と、この回転保持部に保持された基板Wの周縁を露光する光照射部(不図示)とを備えている。 Edge exposing unit EEW includes spin holder for rotatably holding a substrate W (not shown), the light irradiation unit for exposing the periphery of the substrate W held by the rotation holding portion (not shown) .

さらに、加熱冷却ユニットPHPの上側には、載置部PASS が積層されている。 Further, on the upper side of the heating and cooling units PHP, mounting part PASS 5 are laminated. この載置部PASS を介して、主搬送機構T と後述するIF用搬送機構T IFとが基板Wの受け渡しを行う。 Through the mounting part PASS 5, and IF's transport mechanisms T IF performs the transfer of wafers W to be described later and the main transport mechanism T 2.

主搬送機構T は平面視で搬送スペースA の略中央に設けられている。 The main transport mechanism T 2 is disposed substantially at the center of the transporting space A 2 in plan view. 主搬送機構T は主搬送機構T と同様に構成されている。 The main transport mechanism T 2 has the same structure as the main transport mechanism T 1.
そして、載置部PASS と、階層K1(K2)に応じた高さ位置に移動した可動載置部MPASSと、現像処理ユニットDEVと各種の熱処理ユニット42とエッジ露光ユニットEEWと載置部PASS との間で主搬送機構T が基板Wを搬送する。 Then, a receiver PASS 2, hierarchical K1 and movable receiver MPASS having moved to the height position corresponding to (K2), developing units DEV and various thermal processing unit 42 and edge exposing unit EEW and receiver PASS the main transport mechanism T 2 transports the substrate W to and from the 5.

階層K4について簡略に説明する。 It will be described briefly hierarchy K4. 階層K2と階層K4の各構成の関係は、階層K1、K3間の関係と同様である。 Relationship between the structure of the story K2 and story K4 are the same as the relationship between the hierarchy K1, K3. 階層K2、K4の搬送スペースA 、A にも、第1吹出ユニット61や排出ユニット62等に相当する構成がそれぞれ設けられている。 Hierarchical K2, K4 in the transporting space A 2, A 4, and configuration corresponding to the first blowout unit 61 and exhaust unit 62, etc. are provided. また、階層K2、K4の現像処理ユニットDEVには、第2吹出ユニット67や第2気体排出管66等に相当する構成がそれぞれ設けられている。 Further, the developing units DEV of the hierarchy K2, K4, structure corresponding to the second blowout unit 67 and the like second gas exhaust pipe 66 are respectively provided.

以下において、階層K2、K4に設けられている現像処理ユニットDEVやエッジ露光ユニットEEW等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「2」又は「4」を付す(たとえば、階層K2に設けられる加熱ユニットHPを「加熱ユニットHP 」と記載する)。 In the following description, when distinguishing the hierarchy K2, K4 in provided in which the developing units DEV, edge exposing units EEW, etc., reference numeral "2" or "4" of the subscripts, respectively (e.g., on the story K2 a heating unit HP is referred to as a "heating unit HP 2"). 主搬送機構T および主搬送機構T はそれぞれ、この発明における第2主搬送機構に相当する。 Each main transport mechanism T 2, and a main transport mechanism T 4 corresponds to the second main transport mechanism in the present invention.

[IF部5] [IF section 5]
IF部5は処理部3(より詳しくは現像処理ブロックBbの各階層K2、K4)と、露光機EXPとの間で基板Wを受け渡す。 IF section 5 and the processing unit 3 (each level K2, K4 of more detail developing block Bb), delivers the substrate W to and from the exposing machine EXP. IF部5は基板Wを搬送するIF用搬送機構T IFを備えている。 IF section 5 is provided with an IF's transport mechanisms T IF for transporting the substrate W. IF用搬送機構T IFは、相互に基板Wを受け渡し可能なIF用第1搬送機構T IFAとIF用第2搬送機構T IFBを有する。 IF's transport mechanisms T IF are mutually having a first transport mechanism T IFA and IF second transport mechanism T IFB for IF capable transferring wafers W. IF用第1搬送機構T IFAは、主として現像処理ブロックBbに対して基板Wを搬送する。 IF first transport mechanism T IFA primarily transports the substrate W to the developing block Bb. IF用第2搬送機構T IFBは、主として露光機EXPに対して基板Wを搬送する。 IF second transport mechanism T IFB transports the substrate W to primarily exposing machine EXP.

IF用第1搬送機構T IFAとIF用第2搬送機構T IFBとは、処理部3の各階層に設けられる主搬送機構Tの並び方向と略直交した方向に並んで設けられている。 The second transport mechanism T IFB first transport mechanism T IFA and the IF IF, are arranged in the array direction and a direction substantially orthogonal to the main transport mechanism T provided in each layer of the processing unit 3. IF用第1搬送機構T IFAは処理ブロックBbの熱処理ユニット42等が位置する側に配置されている。 IF first transport mechanism T IFA is thermal processing unit 42 and the like of the block Bb is disposed on the side of the position. IF用第2搬送機構T IFBは処理ブロックBbの現像処理ユニットDEVが位置する側に配置されている。 IF second transport mechanism T IFB is developing units DEV of the block Bb is disposed on the side of the position.

IF用第1搬送機構T IFAは、固定的に設けられる基台83と、基台83に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸85と、この昇降軸85に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム87とを備えている。 IF first transport mechanism T IFA includes a base 83 which is provided fixedly, lift shafts 85 vertically extendible and contractible relative to the base 83, the turning radius with which pivotable on the lift shaft 85 and a holding arm 87 for holding a substrate W moves forward and backward in the direction. IF用第2搬送機構T IFBも基台83と昇降軸85と保持アーム87とを備えている。 IF second transport mechanism T IFB also has a base 83, lift shafts 85 and a holding arm 87.

IF用第1、第2搬送機構T IFA 、T IFBの間には基板Wを載置して冷却する載置部PASS−CPと、基板Wを載置する載置部PASS と、基板Wを一時的に収容するバッファ部BF IFが多段に積層されている。 First for IF, the second transport mechanism T IFA, and part PASS-CP placing for cooling by placing the substrate W between the T IFB, and placing part PASS 7 for mounting the the substrate W, the substrate W buffer BF IF for temporarily accommodating a are stacked in multiple stages. バッファ部BF IFは、露光機EXPへ送るための基板Wを一時的に収容する送り用バッファ部BF IFSと、処理部3へ戻すための基板Wを一時的に収容する戻り用バッファ部BF IFRとに分けられる。 Buffer BF IF includes a feed buffer unit BF IFS for temporarily accommodating a substrate W to send to the exposing machine EXP, back buffer unit for temporarily housing the substrate W for returning to the processing unit 3 BF IFR It is divided into door. 戻り用バッファ部BF IFRには、露光後の基板Wに露光後加熱(PEB)処理が行われた基板Wが載置される。 The return buffer unit BF IFR, substrate W exposure baking (PEB) process is performed on the substrate W after the exposure is placed.

そして、IF用第1搬送機構T IFAは、載置部PASS 、PASS と各階層K3、K4の加熱冷却ユニットPHPと載置部PASS−CPと載置部PASS とバッファ部BF IFとに対して基板Wを搬送する。 The first transport mechanism T IFA IF includes a mounting portion PASS 5, PASS 6 and part PASS 7 placing the heating and cooling units PHP and mounting portion PASS-CP for each layer K3, K4 and the buffer unit BF IF the transport of a substrate W against. IF用第2搬送機構T IFBは、露光機EXPと載置部PASS−CPと載置部PASS とに対して基板Wを搬送する。 IF second transport mechanism T IFB transports the substrate W to the exposing machine EXP and placing portion PASS-CP and placing part PASS 7. IF用第1、第2搬送機構T IFA 、T IFB間の基板Wの受け渡しは、載置部PASS−CP及び載置部PASS を介して行う。 First for IF, the second transport mechanism T IFA, transfer of substrates W between T IFB is performed through the receiver PASS-CP and the placing section PASS 7. IF用搬送機構T IFは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。 IF's transport mechanisms T IF corresponds to the transport mechanism for the interface in the present invention.

次に本装置の制御系について説明する。 Next will be described a control system of the apparatus. 図14は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 Figure 14 is a control block diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 図示するように、本装置の制御部90は、メインコントローラ91と第1ないし第7コントローラ93、94、95、96、97、98、99を備えている。 As shown, the control unit 90 of the apparatus includes a main controller 91 and the first to seventh controllers 93,94,95,96,97,98,99.

メインコントローラ91は、第1から第7コントローラ93〜99を統括的に制御する。 The main controller 91 performs overall control of the seventh controller 93-99 from the first. また、メインコントローラ91は、ホストコンピュータを介して露光機EXPが備える露光機用コントローラと通信可能である。 Further, main controller 91 can communicate with an exposure machine controller provided in the exposing machine EXP via the host computer. 第1コントローラ93はID用搬送機構T IDによる基板搬送を制御する。 The first controller 93 controls substrate transport by ID transport mechanism T ID. 第2コントローラ94は主搬送機構T による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST と反射防止膜用塗布処理ユニットBARC と冷却ユニットCP と加熱冷却ユニットPHP とアドヒージョン処理ユニットAHL における基板処理を制御する。 The second controller 94 controls substrate transport by the main transport mechanism T 1, the resist film coating units RESIST 1, and the antireflection film coating units BARC 1 cooling unit CP 1 and heating and cooling units PHP 1 and adhesion units AHL 1 controlling the substrate processing in the. 第3コントローラ95は主搬送機構T による基板搬送と、エッジ露光ユニットEEW と現像処理ユニットDEV と加熱ユニットHP と冷却ユニットCP における基板処理を制御する。 The third controller 95 controls substrate transport by the main transport mechanism T 2, and substrate treatment in the edge exposing unit EEW 2, developing units DEV 2, heating units HP 2 and cooling units CP 2. 第4、第5コントローラ96、97の制御はそれぞれ第2、第3コントローラ94、95の制御と対応する。 Fourth, the control of the fifth controller 96 and 97 second respectively, corresponding to the control of the third controller 94, 95. 第6コントローラ98は、IF用第1搬送機構T IFAによる基板搬送と、加熱冷却ユニットPHP 、PHP における基板処理を制御する。 The sixth controller 98 controls substrate transport by first transport mechanism T IFA IF, and substrate treatment in the heating and cooling unit PHP 2, PHP 4. 第7コントローラ99は、IF用第2搬送機構T IFBによる基板搬送を制御する。 Seventh controller 99 controls substrate transport by the second transport mechanism T IFB for IF. さらに、第2〜第5コントローラ94〜97は、それぞれ可動載置部MPASSの昇降を制御する。 Further, the second to fifth controllers 94 to 97 control the lifting of the movable receiver MPASS respectively. 上述した第1〜第7コントローラ93〜99はそれぞれ互いに独立して制御を行う。 Each of the first to seventh controllers 93-99 described above performs control independently of each other.

メインコントローラ91および第1〜第7コントローラ93〜99はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置(CPU)や、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)や、予め設定されている処理レシピ(処理プログラム)など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。 Each main controller 91 and the first to seventh controllers 93-99 includes a central or processing unit (CPU) that executes various processes, and the arithmetic processing of the work area and comprising RAM (Random-Access Memory), is set in advance It is realized by the processing recipe (processing program) storage medium such as a fixed disk for storing a variety of information including such as are. 処理レシピには、各基板Wを搬送する搬送経路に関する情報も含まれている。 The process recipe also includes information about the transport path for transporting each substrate W.

次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。 Next, the operation of the substrate processing apparatus according to an embodiment. ここで、図2〜図4を示して説明した種々の搬送経路に応じた動作例は、各搬送機構の動作の組み合わせによって実現される。 Here, the operation example in accordance with various conveyance path shown in and described with respect to FIGS. 2 to 4 is realized by a combination of the operation of the transport mechanism. このため、以下では搬送機構ごとに分けて説明する。 Therefore, the following description will be made separately for each transport mechanism. 図15は基板Wに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Wが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。 Figure 15 is a flow chart of a series of processing on a substrate W, indicating the treating units and receivers to which the wafers W are transported in order. また、図16は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。 Further, FIG. 16, the transfer mechanism is a diagram schematically showing operations repeated by each processing unit transport mechanism accesses, is intended to express the order of the receivers and cassettes.

[ID用搬送機構T ID [Transport mechanism T ID for ID]
ID用搬送機構T IDは一のカセットCに対向する位置に移動し、カセットCに収容される一枚の未処理の基板Wを保持アーム25に保持してカセットCから搬出する。 ID's transport mechanism T ID moves to a position opposed to one of the cassettes C, a substrate W of a single raw from the cassette C to hold the holding arm 25 is unloaded from the cassette C. ID用搬送機構T IDは保持アーム25を旋回し昇降軸23を昇降して載置部PASS に対向する位置に移動し、保持している基板Wを載置部PASS 1Aに載置する(図15におけるステップS1aに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。)。 ID's transport mechanism T ID moves to a position opposed to the receiver PASS 1 and lifting the lifting shaft 23 pivots the holding arm 25, held is placed on the portion PASS 1A placing the substrate W are ( It corresponds to step S1a in Fig. 15. hereinafter, only step numbers will be indicated.). このとき、載置部PASS 1Bには通常、基板Wが載置されており、この基板Wを受け取ってカセットCに収納する(ステップS23)。 In this case, the mounting portion PASS 1B Usually, the substrate W has been placed, is stored in the cassette C receives the substrate W (step S23). なお、載置部PASS 1Bに基板Wがない場合はステップS23を省略する。 Incidentally, if there is no substrate W on the placing portion PASS 1B is omitted step S23. 続いて、ID用搬送機構T IDはカセットCにアクセスして、カセットCに収容される基板Wを載置部PASS 3Aへ搬送する(ステップS1b)。 Subsequently, the ID transport mechanism T ID can access the cassette C, it transports the substrate W from the cassette C to the mounting part PASS 3A (step S 1 b). ここでも、載置部PASS 3Bに基板Wが載置されていれば、この基板WをカセットCに収納する(ステップS23)。 Here again, if a wafer W on the placing portion PASS 3B is placed, it will store this wafer W in a cassette C (step S23). ID用搬送機構T IDは上述した動作を繰り返し行う。 ID's transport mechanism T ID repeats the above operation.

このようなID用搬送機構T IDの動作は、第1コントローラ93によって制御されている。 Operation of the ID's transport mechanism T ID is controlled by the first controller 93. これにより、カセットCの基板Wを階層K1に送るとともに、階層K1から払い出された基板WをカセットCに収容する。 Thus, the sending of the substrate W in the cassette C to the hierarchy K1, the substrate W fed from the story K1 accommodated in the cassette C. 同様に、カセットCの基板Wを階層K3へ送るとともに、階層K3から払い出された基板WをカセットCに収容する。 Similarly, and it sends the substrate W in the cassette C to the hierarchy K3, the substrate W fed from the story K3 accommodated in the cassette C.

[主搬送機構T 、T [Main transport mechanism T 1, T 3]
主搬送機構T の動作は主搬送機構T の動作と略同じであるので、主搬送機構T についてのみ説明する。 Since the operation of the main transport mechanism T 3 is substantially the same as operation of the main transport mechanism T 1, a description will be given only the main transport mechanism T 1. すなわち、階層K1における動作を説明する。 That is, explaining the operation in the hierarchy K1. 主搬送機構T は載置部PASS に対向する位置に移動する。 The main transport mechanism T 1 moves to a position opposed to the receiver PASS 1. このとき、主搬送機構T は直前に載置部PASS 2Bから受け取った基板Wを一方の保持アーム57(例えば57b)に保持している。 At this time, the main transport mechanism T 1 holds the substrate W received from the portion PASS 2B placing just before the one holding arm 57 (e.g., 57 b). 主搬送機構T は保持している基板Wを載置部PASS 1Bに載置するとともに(ステップS22)、他方の保持アーム57(例えば57a)で載置部PASS 1Aに載置されている基板Wを保持する。 Substrate on which the main transport mechanism T 1 is placed on (step S22), and mounting the other holding arm 57 (e.g. 57a) portion PASS 1A with placing the portion PASS 1B mounting the wafer W held hold the W.

主搬送機構T は所定の冷却ユニットCP にアクセスする。 The main transport mechanism T 1 accesses a predetermined one of the cooling units CP 1. 冷却ユニットCP には既に熱処理(冷却)が終了した他の基板Wがある。 The cooling unit CP 1 there are other substrate W already finished heat treatment (cooling). 主搬送機構T は空の(基板Wを保持していない)保持アーム57で他の基板Wを保持して冷却ユニットCP から搬出するとともに、載置部PASS 1Aから受け取った基板Wを冷却ユニットCP に搬入する。 With unloaded from the main transport mechanism T 1 cooling unit CP 1 holds the other substrate W in an empty (not holding the substrate W) holding arm 57, cooling the wafer W received from the mounting portion PASS 1A It carried into the unit CP 1. そして、主搬送機構T は冷却された基板Wを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットBARC に移動する。 Then, the main transport mechanism T 1 moves holding the cooled wafer W into the film coating units BARC 1. 冷却ユニットCP は搬入された基板Wに対して熱処理(冷却)を開始する(ステップS2)。 The cooling unit CP 1 starts heat treatment (cooling) to the loaded wafer W (step S2). 以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット41や塗布処理ユニット31においても、主搬送機構T がアクセスする際に、当該ユニット内にはそれぞれ所定の処理を終えた基板Wが既にあるものとする。 In the following description, also in the heat-treating units 41 and coating units 31 of various other, when the main transport mechanism T 1 is accessed, to that substrate W respectively in the unit has completed a predetermined process is already to.

反射防止膜用塗布処理ユニットBARC にアクセスすると、主搬送機構T は反射防止膜用塗布処理ユニットBARC から反射防止膜が形成された基板Wを搬出するとともに、冷却された基板Wを反射防止膜用塗布処理ユニットBARC の回転保持部32に置く。 Reflection Accessing the antireflection film coating unit BARC 1, the main transport mechanism T 1 takes a wafer W having antireflection film formed thereon from the antireflection film coating unit BARC 1, the cooled wafer W placing on the spin holder 32 of the barrier film coating units BARC 1. その後、主搬送機構T は反射防止膜が形成された基板Wを保持して加熱冷却ユニットPHP に移動する。 Then, the main transport mechanism T 1 moves into the heating and cooling unit PHP 1, holding the wafer W having antireflection film formed. 反射防止膜用塗布処理ユニットBARC は回転保持部32に載置された基板Wに対して処理を開始する(ステップS3)。 Antireflection film coating unit BARC 1 starts treatment of the placed on the spin holder 32 substrate W (step S3).

具体的には、回転保持部32が基板Wを水平姿勢で回転させるとともに、把持部36で一のノズル35を把持し、ノズル移動機構37の駆動により把持したノズル35を基板Wの上方に移動させ、ノズル35から反射防止膜用の処理液を基板Wに供給する。 Specifically moved, together with the spin holder 32 spins the wafer W in horizontal posture, gripping one of the nozzles 35 by the gripping portion 36, the nozzle 35 gripped by the driving of the nozzle moving mechanism 37 above the substrate W It is allowed to supply the treating solution for antireflection film to the substrate W from the nozzle 35. 供給された処理液は基板Wの全面に広がり、基板Wから捨てられる。 Supplied process liquid spreads all over the wafer W, is discarded from the substrate W. カップ33は捨てられた処理液を回収する。 Cup 33 to collect the treatment liquid that has been discarded. このようにして、基板Wに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。 In this manner, the process of applying an antireflection film to the substrate W is performed.

主搬送機構T は加熱冷却ユニットPHP にアクセスすると、加熱冷却ユニットPHP から熱処理が済んだ基板Wを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Wを加熱冷却ユニットPHP に投入する。 The main transport mechanism T 1 accesses the the heating and cooling unit PHP 1, with unloading the wafer W having the heat treatment from the heating and cooling unit PHP 1, turning on the wafer W having antireflection film formed thereon into the heating and cooling unit PHP 1 . その後、主搬送機構T は加熱冷却ユニットPHP から搬出した基板Wを保持して冷却ユニットCP に移動する。 Then, the main transport mechanism T 1 holds and moves the wafer W taken out of the heating and cooling unit PHP 1 to the cooling unit CP 1. 加熱冷却ユニットPHP では2つのプレート43上に順次、基板Wを載置して、一のプレート43上で基板Wを加熱した後に他のプレート43上で基板Wを冷却する(ステップS4)。 Heating and cooling unit PHP successively on 1, the two plates 43, by placing the substrate W, to cool the wafer W on the other plate 43 after heating the substrate W on one plate 43 (step S4).

主搬送機構T は冷却ユニットCP に移動すると、冷却ユニットCP 内の基板Wを搬出するとともに、保持している基板Wを冷却ユニットCP に搬入する。 The main transport mechanism T 1 moved to the cooling unit CP 1, with a wafer W out of the cooling unit CP 1, and loads the wafer W held in the cooling unit CP 1. 冷却ユニットCP は搬入された基板Wを冷却する(ステップS5)。 The cooling unit CP 1 cools the loaded wafer W (step S5).

続いて、主搬送機構T はレジスト膜用塗布処理ユニットRESIST に移動する。 Subsequently, the main transport mechanism T 1 moves to the resist film coating units RESIST 1. そして、レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST からレジスト膜が形成された基板Wを搬出するとともに、保持している基板Wをレジスト膜用塗布処理ユニットRESIST に基板Wを搬入する。 The main transport mechanism T 1 takes a wafer W having resist film formed from the resist film coating units RESIST 1, the substrate W held in the resist film coating units RESIST 1 carries the substrate W. レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST は搬入された基板Wを回転させつつレジスト膜材料を供給して、基板Wにレジスト膜を形成する(ステップS6)。 Resist film coating unit RESIST 1 supplies the resist film material while rotating the carried-in the substrate W, a resist film is formed on the substrate W (step S6).

主搬送機構T はさらに加熱冷却ユニットPHP と冷却ユニットCP に移動する。 The main transport mechanism T 1 further moves to the heating and cooling units PHP 1 and one of the cooling units CP 1. そして、レジスト膜が形成された基板Wを加熱冷却ユニットPHP に搬入し、加熱冷却ユニット部PHP で処理が済んだ基板Wを冷却ユニットCP に移すとともに、この冷却ユニットCP において処理が済んだ基板Wを受け取る。 Then, the wafer W having resist film formed thereon is carried into the heating and cooling unit PHP 1, transfers a wafer W to the cooling unit CP 1 having undergone the processing in the heating and cooling unit portion PHP 1, the processing in the cooling unit CP 1 receive the substrate W having undergone. 加熱冷却ユニットPHP と冷却ユニットCP はそれぞれ未処理の基板Wに所定の処理を行う。 Performing predetermined processing into the heating and cooling unit PHP 1 and one of the cooling units CP 1 is untreated substrate W, respectively. (ステップS7、S8)。 (Step S7, S8).

主搬送機構T は、保持している基板Wの搬送経路に応じて、載置部PASS または可動載置部MPASSに対して当該基板Wを搬送する。 The main transport mechanism T 1, in accordance with the conveyance path of the substrate W held to convey the substrate W with respect to mounting portion PASS 2 or movable mounting part mpass. これにより、当該基板Wは、塗布処理ブロックBa(階層K1)から現像処理ブロックBbのいずれかの階層に向けて払い出される。 Thus, the substrate W is paid out toward the one of story of the developing block Bb from the coating block Ba (hierarchy K1). なお、保持している基板Wの搬送経路は処理レシピに予め設定されている。 The transport path of the substrate W held is preset to the processing recipe.

具体的には、以下の通りである。 Specifically, as follows. 階層K1から階層K2へ基板Wを搬送する場合(図1におけるr1に相当)は、主搬送機構T は載置部PASS に対向する位置に移動する。 When transporting the wafer W to the story K2 from the story K1 (corresponding to r1 in FIG. 1), the main transport mechanism T 1 moves to a position opposed to the receiver PASS 2. そして、保持している基板Wを載置部PASS 2Aに載置する(ステップS9a)。 Then, it placed on the held portion PASS 2A mounting the substrate W (step S9a).

また、階層K1から階層K4へ基板Wを搬送する場合(図1におけるr3に相当)は、主搬送機構T は可動載置部MPASSに対向する位置に移動する。 In addition, when transporting the substrate W from the story K1 to hierarchical K4 (corresponding to r3 in FIG. 1), the main transport mechanism T 1 moves to a position opposed to the movable mounting part mpass. この場合、可動載置部MPASS は階層K1(K2)に対応する高さ位置に移動している。 In this case, the movable mounting part mpass A is moved to the height position corresponding to the hierarchical K1 (K2). そして、主搬送機構T は保持している基板Wを可動載置部MPASS に載置する(ステップS9c)。 Then, the main transport mechanism T 1 places the wafer W it is holding on the movable mounting part mpass A (step S9c). 可動載置部MPASSに基板Wが載置されると、可動載置部MPASSは搬送先の階層K3(K4)に対応する高さ位置まで下降する。 When the substrate W is placed on the movable receiver MPASS, movable receiver MPASS is lowered to a height position corresponding to the hierarchical K3 (K4) of the transport destination.

続いて、主搬送機構T は、現像処理ブロックBbから受け取る基板Wの搬送経路に応じて、載置部PASS または可動載置部MPASSに載置されている基板Wを受け取る。 Subsequently, the main transport mechanism T 1, in accordance with the conveyance path of the substrate W received from the developing block Bb, receive are placed on the placing portion PASS 2 or movable receiver MPASS substrate W. この基板Wの搬送経路も処理レシピに予め設定されている。 Transportation path of the substrate W is also set in advance in the process recipe.

具体的には以下の通りである。 More specifically, it is as follows. 階層K2から払い出された基板Wを階層K1が受け取る場合は(図1におけるr1に相当)は、主搬送機構T は載置部PASS 2Bに載置されている基板Wを受け取る(ステップS21a)。 If the story K1 receives a wafer W fed from the story K2 (corresponding to r1 in FIG. 1), the main transport mechanism T 1 receives the substrate W placed on the placing portion PASS 2B (step S21a ). また、階層K4から払い出された基板Wを階層K1が受け取る場合(図1におけるr3に相当)は、主搬送機構T は可動載置部MPASS に載置されている基板Wを受け取る(ステップS21c)。 Also, if the story K1 receives a wafer W fed from the story K4 (corresponding to r3 in FIG. 1), the main transport mechanism T 1 receives the substrate W placed on a movable placing part mpass B ( step S21c).

その後、主搬送機構T は再び載置部PASS にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。 Then, the main transport mechanism T 1, and repeats the above operation accesses the receiver PASS 1 again. この動作は第2コントローラ94によって制御されている。 This operation is controlled by the second controller 94. これにより、主搬送機構T は、載置部PASS に載置された基板Wを受け取って、所定の処理ユニット(本実施例では冷却ユニットCP )に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Wを取り出す。 Thus, the main transport mechanism T 1 receives the substrate W placed on the placing portion PASS 1, with (in this embodiment the cooling unit CP 1) given processing unit is conveyed to the processing from the processing unit out the substrate W already. 引き続いて、取り出した基板Wを他の処理ユニットに搬送するとともにこの他の処理ユニットから処理済みの基板Wを取り出す。 Subsequently, taken out the processed substrate W from the other processing unit conveys the substrate W taken out to other processing units. このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Wをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Wについて並行して処理を進める。 In this manner, by transferring processed in each processing unit is a wafer W having the new processing units, respectively, advance the parallel processing for a plurality of substrates W. そして、先に載置部PASS に載置された基板Wから順に階層K1から現像処理ブロックBbに向けて払い出す。 Then, in order from the substrate W placed on the receiver PASS 1 previously paid out toward the developing block Bb from the story K1.

この際、階層K1と同じ階層K2との間で基板Wを搬送する場合は載置部PASS に載置し、階層K1と異なる階層K4に変えて払い出す場合は可動載置部MPASSに載置する。 In this case, placing the case of transporting the substrate W to part PASS 2 placing in between the same level K2 hierarchical K1, if paid out instead of the different layers K4 hierarchical K1 mounting the movable receiver MPASS to location. また、現像処理ブロックBbから階層K1へ向けて払い出された基板Wを受け取る。 Also receives a wafer W fed toward the developing block Bb to the hierarchy K1. この際、当該基板Wが階層K1と同じ階層K2から搬送される場合は、載置部PASS から基板Wを受け取る。 In this case, if the substrate W is transported from the same hierarchy K2 hierarchical K1 receives the substrate W from the mounting portion PASS 2. また、当該基板Wが階層K1と異なる階層K4から搬送される場合は、可動載置部MPASSから基板Wを受け取る。 Also, if the substrate W is transported from the different layers K4 hierarchical K1 receives the substrate W from the movable mounting part mpass. このようにして、載置部PASS または可動載置部MPASSのいずれかで受け取った基板WをID部1へ払い出す。 In this way pays out the substrate W received by either placing portion PASS 2 or movable receiver MPASS the ID section 1.

[主搬送機構T 、T [Main transport mechanism T 2, T 4]
主搬送機構T の動作は主搬送機構T の動作と略同じであるので、主搬送機構T についてのみ説明する。 Since the operation of the main transport mechanism T 4 is substantially the same as the operation of the main transport mechanism T 2, a description will be given only the main transport mechanism T 2. すなわち、階層K2における動作を説明する。 That is, explaining the operation in the hierarchy K2. 主搬送機構T は、塗布処理ブロックBaから受け取る基板Wの搬送経路に応じて、載置部PASS または可動載置部MPASSに載置されている基板Wを受け取る。 The main transport mechanism T 2, in accordance with the conveyance path of the substrate W received from the coating block Ba, receive are placed on the placing portion PASS 2 or movable receiver MPASS substrate W. この基板Wの搬送経路も処理レシピに予め設定されている。 Transportation path of the substrate W is also set in advance in the process recipe.

具体的には以下の通りである。 More specifically, it is as follows. 階層K1から払い出された基板Wを階層K2が受け取る場合は(図1におけるr1に相当)は、主搬送機構T は載置部PASS 2Aに載置されている基板Wを受け取る(ステップS9a)。 If the hierarchy K2 receives a wafer W fed from the story K1 (corresponding to r1 in FIG. 1), the main transport mechanism T 2 receives a wafer W placed on the placement unit PASS 2A (step S9a ). また、階層K3から払い出された基板Wを階層K2が受け取る場合(図1におけるr3に相当)は、主搬送機構T は可動載置部MPASS に載置されている基板Wを受け取る(ステップS9c)。 Also, if the hierarchy K2 receives a wafer W fed from the story K3 (corresponding to r3 in FIG. 1), the main transport mechanism T 2 receives a wafer W placed on the movable mounting part mpass A ( step S9c).

この際、主搬送機構T は直前にアクセスした冷却ユニットCP から受け取った基板Wを保持している。 At this time, the main transport mechanism T 2 holds a wafer W received from a cooling unit CP 2 accessed immediately before. 主搬送機構T は保持している基板Wの搬送経路に応じて、載置部PASS または可動載置部MPASSのいずれかに当該基板Wを載置する。 The main transport mechanism T 2 in accordance with the conveyance path of the substrate W held by, and places the substrate W to one of the mounting portion PASS 2 or movable mounting part mpass. これにより、当該基板Wは、現像処理ブロックBb(階層K2)から塗布処理ブロックBaのいずれかの階層に向けて払い出される。 Thus, the substrate W is paid out toward the developing block Bb (hierarchy K2) to one of the stories of the coating block Ba.

具体的には、以下の通りである。 Specifically, as follows. 階層K2から階層K1へ基板Wを搬送する場合(図1におけるr1に相当)は、主搬送機構T は保持している基板Wを載置部PASS 2Bに載置する(ステップS21a)。 When transporting the wafer W to the story K1 from the story K2 (corresponding to r1 in FIG. 1), the main transport mechanism T 2 places the part PASS 2B mounting the wafer W held (step S21a). また、階層K2から階層K3へ基板Wを搬送する場合(図1におけるr4に相当)は、主搬送機構T は保持している基板Wを可動載置部MPASS に載置する(ステップS21c)。 Also, if (corresponding to r4 in FIG. 1) for transporting the substrate W to the story K3 from the hierarchy K2, the main transport mechanism T 2 places the wafer W it is holding on the movable mounting portion mpass B (step S21c ). 可動載置部MPASSに基板Wが載置されると、可動載置部MPASSは搬送先の階層K3(K4)に対応する高さ位置まで下降する。 When the substrate W is placed on the movable receiver MPASS, movable receiver MPASS is lowered to a height position corresponding to the hierarchical K3 (K4) of the transport destination.

主搬送機構T はエッジ露光ユニットEEW にアクセスする。 The main transport mechanism T 2 accesses into the edge exposing unit EEW 2. そして、エッジ露光ユニットEEW で所定の処理が行われた基板Wを受け取るととともに、冷却された基板Wをエッジ露光ユニットEEW に搬入する。 Then, the receives the substrate W which the predetermined processing has been performed at edge exposing unit EEW 2, and loads the cooled wafer W into the edge exposing unit EEW 2. エッジ露光ユニットEEW は搬入された基板Wを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Wの周縁部に光を照射する。 Edge exposing unit EEW 2 While spinning the carried-in the substrate W, light is irradiated from the light irradiation unit (not shown) on the periphery of the substrate W. これにより基板Wの周辺を露光する(ステップS10)。 Thereby exposing the peripheral regions of the wafer W (step S10).

主搬送機構T はエッジ露光ユニットEEW から受け取った基板Wを保持して載置部PASS にアクセスする。 The main transport mechanism T 2 accesses the receiver PASS 5, holding the wafer W received from the edge exposing unit EEW 2. そして、保持している基板Wを載置部PASS 5Aに載置し(ステップS11)、載置部PASS 5Bに載置されている基板Wを保持する(ステップS16)。 Then, placing the wafer W held on the placing portion PASS 5A (step S11), and holds the substrate W placed on the placing portion PASS 5B (step S16).

主搬送機構T は冷却ユニットCP に移動して、保持している基板Wを冷却ユニットCP 内の基板Wと入れ換える。 The main transport mechanism T 2 moves to one of the cooling units CP 2, the wafer W held by replacing the substrate W in the cooling unit CP 2. 主搬送機構T は冷却処理が済んだ基板Wを保持して現像処理ユニットDEV にアクセスする。 The main transport mechanism T 2 accesses the developing units DEV 2 holds the wafer W having received cooling treatment. 冷却ユニットCP は新たに搬入された基板Wに対して処理を開始する(ステップS17)。 Cooling unit CP 2 starts treatment of the newly loaded wafer W (step S17).

主搬送機構T は現像処理ユニットDEV から現像された基板Wを搬出するとともに、冷却された基板Wを現像処理ユニットDEV の回転保持部77に置く。 The main transport mechanism T 2 takes a wafer W that has been developed from the developing unit DEV 2, and places the cooled wafer W on the spin holder 77 of the developing unit DEV 2. 現像処理ユニットDEV は回転保持部77に置かれた基板Wを現像する(ステップS18)。 Developing unit DEV 2 develops the wafer W placed on the spin holder 77 (step S18). 具体的には、回転保持部77が基板Wを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル81aから基板Wに現像液を供給して基板Wを現像する。 Specifically, while the spin holder 77 spins the wafer W in horizontal posture, by supplying the developer from one of the slit nozzles 81a to the substrate W to develop the substrate W.

主搬送機構T は現像された基板Wを保持して加熱ユニットHP にアクセスする。 The main transport mechanism T 2 accesses one of the heating units HP 2 holding the wafer W is developed. そして、加熱ユニットHP から基板Wを搬出するとともに、保持する基板Wを加熱ユニットHP に投入する。 Then, the the heating unit HP 2 to out the substrate W, and loads the wafer W it is holding into the heating unit HP 2. 続いて、主搬送機構T は加熱ユニットHP から搬出した基板Wを冷却ユニットCP に搬送するとともに、この冷却ユニットCP において既に処理が済んだ基板Wを取り出す。 Subsequently, the main transport mechanism T 2 conveys the substrate W out of the heating unit HP 2 to one of the cooling units CP 2, takes out the wafer W already treated in the cooling unit CP 1. 加熱ユニットHP と冷却ユニットCP はそれぞれ未処理の基板Wに所定の処理を行う(ステップS19、S20)。 A heating unit HP 2 cooling unit CP 2 carry out predetermined treatments for the newly loaded wafers W, respectively (steps S19, S20).

その後、主搬送機構T は再び載置部PASS または/および可動載置部MPASSにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。 Then, the main transport mechanism T 2, and repeats the above operation to access again placing part PASS 2 or / and a movable mounting part mpass. なお、この動作は第3コントローラ95によって制御されている。 This operation is controlled by the third controller 95. これにより、載置部PASS 2Aまたは可動載置部MPASS から受け取った順番どおりに基板Wが載置部PASS 5Aに払い出される。 Thus, mounting unit PASS 2A or substrate W in the order received from the movable mounting part mpass A is paid out on the placing part PASS 5A. 同様に、また、基板Wを載置部PASS 5Bに載置された順番どおりに基板Wが載置部PASS 2Bまたは可動載置部MPASS に払い出される。 Similarly, also, the substrate W in the order in which they are placed on the receiver PASS 5B mounting the substrate W is paid out on the placing part PASS 2B or movable mounting part mpass B.

なお、階層K2と同じ階層K1との間で基板Wが搬送する場合は、載置部PASS を介して行う。 In the case where the substrate W is conveyed to and from the same level K1 hierarchical K2, carried through the receiver PASS 2. また、階層K2と異なる階層K4との間で基板Wを搬送する場合は、可動載置部MPASSを介して行う。 In addition, when transporting the substrate W between the different tiers K4 hierarchical K2, carried through the movable mounting part mpass.

[IF用搬送機構T IF 〜IF用第1搬送機構T IFA [IF first transport mechanism T IFA's transport mechanism T IF ~IF]
IF用第1搬送機構T IFAは載置部PASS にアクセスし、載置部PASS 5Aに載置される基板Wを受け取る(ステップS11a)。 IF first transport mechanism T IFA is accesses the receiver PASS 5, and receives the substrate W placed on the placing part PASS 5A (step S11a). IF用第1搬送機構T IFAは受け取った基板Wを保持して載置部PASS−CPに移動し、載置部PASS−CP内に搬入する(ステップS12)。 IF first transport mechanism T IFA is moves to the receiver PASS-CP, holding the wafer W received, transported into the mounting portion PASS-CP (step S12).

次に、IF用第1搬送機構T IFAは載置部PASS から基板Wを受け取り(ステップS14)、加熱冷却ユニットPHP に対向する位置に移動する。 Next, it receives the substrate W from the first transport mechanism T IFA placing part PASS 7 for IF (step S14), and moves to a position opposed to the heating and cooling units PHP 2. そして、IF用第1搬送機構T IFAは加熱冷却ユニットPHP からすでに露光後加熱(PEB)処理が済んだ基板Wを取り出し、載置部PASS から受け取った基板Wを加熱冷却ユニットPHP に搬入する。 The first transport mechanism T IFA IF fetches of the heating and cooling unit PHP 2 already heated after exposure from (PEB) processing has finished substrate W, the substrate W received from the placing part PASS 7 of the heating and cooling units PHP 2 carry-in to. 加熱冷却ユニットPHP は未処理の基板Wを熱処理する(ステップS15)。 Heating and cooling unit PHP 2 carries out heat treatment for the substrate W unprocessed (Step S15).

IF用第1搬送機構T IFAは加熱冷却ユニットPHP から取り出した基板Wを載置部PASS 5Bに搬送する(ステップS16)。 IF first transport mechanism T IFA transports a portion PASS 5B mounting the substrate W taken out of the heating and cooling unit PHP 2 (step S16). 続いて、IF用第1搬送機構T IFAは載置部PASS 6Aに載置される基板Wを載置部PASS−CPに搬送する(ステップS11b、12)。 Subsequently, IF first transport mechanism T IFA transports the wafer W is placed on the placing part PASS 6A to the mounting portion PASS-CP (Step S11b, 12). 次に、IF用第1搬送機構T IFAは載置部PASS から加熱冷却ユニットPHP に搬送する。 Next, conveyed from the first transport mechanism T IFA placing part PASS 7 for IF the heating and cooling units PHP 4. このとき、既に加熱冷却ユニットPHP における露光後加熱(PEB)処理が済んだ基板Wを取り出して載置部PASS 4Bに載置する。 In this case, placed on the placing portion PASS 4B fetches the already heated cooling unit exposure heating in PHP 4 (PEB) processing has finished substrate W.

その後、IF用第1搬送機構T IFAは再び載置部PASS にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。 Thereafter, IF first transport mechanism T IFA and repeats the above operation accesses the receiver PASS 5 again. なお、この動作は第6コントローラ98によって制御されている。 This operation is controlled by the sixth controller 98.

[IF用搬送機構T IF 〜IF用第2搬送機構T IFB [IF second transport mechanism T IFB's transport mechanism T IF ~IF]
IF用第2搬送機構T IFBは載置部PASS−CPから基板Wを取り出して、露光機EXPに搬送する。 IF second transport mechanism T IFB takes out the substrate W from the mounting portion PASS-CP, and transports it to the exposing machine EXP. そして、露光機EXPから払い出される露光済みの基板Wを受け取ると、載置部PASS に搬送する。 When receives an exposed wafer W paid out from the exposing machine EXP, conveyed to the placing part PASS 7.

その後、IF用第2搬送機構T IFBは再び載置部PASS−CPにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。 Thereafter, IF second transport mechanism T IFB is and repeats the above operation to access again placing portion PASS-CP.

このように、実施例1に係る基板処理装置によれば、上側の階層K1(K2)と下側の階層K3(K4)にわたって昇降する可動載置部MPASSを、隣接する塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBbとの間に備えているので、塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBbは階層を変えて搬送することができる。 Thus, according to the substrate processing apparatus according to the first embodiment, the developing and upper story K1 (K2) movable receiver MPASS to lift over lower story K3 (K4), and the coating block Ba adjacent since provided between the block Bb, the developing block Bb and coating block Ba can be transported between different stories.

また、可動載置部MPASSが昇降する範囲は各処理ブロックBa、Bbの全ての階層にわたるので、塗布処理ブロックBaの各階層は、現像処理ブロックBbの全ての階層との間で基板Wを搬送することが可能である。 Further, since the range in which the movable receiver MPASS to lift passes to all levels of the treating blocks Ba, Bb, each story of the coating block Ba, transports the substrate W to and from all the stories of the developing block Bb it is possible to. また、逆に、現像処理ブロックBbの各階層は、塗布処理ブロックBaの全ての階層との間で基板Wを搬送することが可能である。 Conversely, the story of the developing block Bb is possible to transfer the substrate W between the all stories of the coating block Ba. すなわち、可動載置部MPASSによって、各処理ブロックBa、Bbの階層間を4通りの搬送経路r1〜r4で基板Wを搬送可能である。 In other words, the movable mounting part mpass, can be conveyed each processing block Ba, the substrate W in the conveying path r1~r4 four types between Bb hierarchy. なお、搬送方向を含めると8通りである。 Note that it is eight Including conveying direction.

このように各処理ブロックBa、Bb間で基板Wを柔軟に搬送することができるため、いずれかの主搬送機構Tが異常状態に陥っても、当該主搬送機構Tを含まない搬送経路で基板Wを搬送することができる。 Thus each processing block Ba, it is possible to flexibly transfer the substrate W between Bb, either the main transport mechanism T is also an abnormal state, the substrate with conveying path that does not include the main transport mechanism T W can be transported. これにより、正常な主搬送機構Tや処理ユニットを効率よく稼動させて、基板Wに一連の処理を行うので、本装置の処理能力が極端に低下することを防止できる。 Accordingly, the normal main transport mechanisms T and treatment unit efficiency and good run, since the series of treatments of wafers W, it is possible to prevent the processing capability of the apparatus is extremely lowered.

また、各処理ブロックBa、Bb間で基板Wを柔軟に搬送することができるため、図2から図4で説明した本装置全体の基板Wの搬送経路などを柔軟に選択することができる。 Each processing block Ba, it is possible to flexibly transfer the substrate W between Bb, it can be selected flexibly and conveyance path of the substrate W of the entire apparatus described in FIGS. 2-4.
これにより、塗布処理ブロックBaの階層間で処理品質の比較したり、現像処理ブロックBbの各階層間で処理品質を比較することもできる。 This allows comparison or in the processing quality between stories of the coating block Ba, also compare the process quality between each story of the developing block Bb.

また、処理ブロックBa、Bbの間には、固定的に設けられる載置部PASS 、PASS を備えているので、各処理ブロックBa、Bbの同じ階層同士の間で基板Wを搬送することができる。 The processing block Ba, between Bb, is provided with the part PASS 2, PASS 4 mounting provided fixedly, to transfer the substrate W between the same hierarchy of the respective processing blocks Ba, Bb can.

さらに、可動載置部MPASSを、異なる階層に基板Wを搬送するために専ら使用し、載置部PASS 、PASS を同じ階層間で基板Wを搬送するために専ら使用することで、 Further, the movable mounting part mpass, by exclusively be used for transporting the substrate W between the different hierarchical exclusively used for the transport of a substrate W, a part PASS 2, PASS 4 mounting the same level,
可動載置部MPASSの負担や移動量を抑制することができる。 It is possible to suppress the burden and the amount of movement of the movable mounting part mpass. これにより、各処理ブロックBa、Bb同士で階層を変えても基板Wをスムーズに搬送することができる。 This allows each processing block Ba, be changed hierarchy Bb between the transport of a substrate W smoothly. また、可動載置部MPASSの制御をより容易に行うことができる。 Further, it is possible to control the movable receiver MPASS more easily.

以下、図面を参照してこの発明の実施例2を説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings illustrating a second embodiment of the present invention. なお、実施例2は、実施例1で説明した基板処理装置において、可動載置部MPASSを省略するとともに、実施例1で説明した現像処理ブロックBbに設けられる各主搬送機構T 、T の構成を変更したものである。 In Examples 2, the substrate processing apparatus described in Embodiment 1, thereby omitting the movable mounting part mpass, Example 1 each of the main transport mechanism provided in the developing block Bb described in T 2, T 4 it is obtained by changing the configuration. このため、実施例2の主搬送機構T 2M 、T 4Mを中心に説明する。 Therefore, it will be mainly described main transport mechanism T 2M, T 4M in Example 2.

図17は、実施例2に係る基板処理装置の各搬送スペースの縦断面図である。 Figure 17 is a longitudinal sectional view of the transporting space of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. 図示するように、現像処理ブロックBbの各階層K2、K4の搬送スペースA 、A の間には、第1吹出ユニット61と排出ユニット62が設けられていない。 As shown, during the transporting space A 2, A 4 of each layer K2, K4 of the developing block Bb, the discharge unit 62 is not provided with the first blowout unit 61. よって、搬送スペースA と搬送スペースA とは連通している。 Therefore, in communication from the transporting space A 2 and the transporting space A 4.

主搬送機構T 2M 、T 4Mは、ともに共通の支柱101に昇降自在に設けられている。 The main transport mechanism T 2M, T 4M are both provided vertically movably on a common strut 101. 支柱101は、搬送スペースA の上部から搬送スペースA の底部にわたって鉛直方向に伸びている。 Strut 101 extends in a vertical direction over the bottom of the transporting space A 4 from the top of the transporting space A 2. 主搬送機構T 2M 、T 4Mはそれぞれ昇降部材103とベース部105と回転台55と2つの保持アーム57a、57bとを備えている。 The main transport mechanism T 2M, T 4M and each lifting member 103 and the base portion 105 and the turntable 55 two holding arms 57a, and a 57 b. 昇降部材103は、支柱101に取り付けられて、支柱101に沿って昇降移動する。 Lift member 103 is attached to the post 101, moves up and down along the column 101. ベース部材105は昇降部材103に連結されている。 The base member 105 is connected to the lifting member 103. 回転台55はベース部材103に鉛直軸周りに回転可能に支持されている。 Turntable 55 is rotatably supported about a vertical axis to the base member 103. 2つの保持アーム57a、57bは回転台55に対して水平方向に進退可能に設けられている。 Two holding arms 57a, 57 b is provided so as to be moved in the horizontal direction with respect to the turntable 55.

このように主搬送機構T 2Mは、それぞれ当該階層K2に設けられる処理ユニットと当該階層K2に対応して設けられる載置部PASS に対して基板Wを搬送する。 The main transport mechanism T 2M as transports the substrate W to part PASS 2 mounting for each provided corresponding to the processing unit and the hierarchical K2 provided to the hierarchy K2. さらに、主搬送機構T 2Mは、階層K4まで下降して載置部PASS に対して基板Wを搬送可能である。 Further, the main transport mechanism T 2M is capable transports the substrate W to part PASS 4 mounting lowered to hierarchy K4. この際、主搬送機構T 4Mは主搬送機構T 2Mと干渉しないように階層K4の下方に移動する。 At this time, the main transport mechanism T 4M moves so as not to interfere with the main transport mechanism T 2M below the hierarchy K4. このように、主搬送機構T 2Mは、現像処理ブロックBb内において各階層K2、K4にわたって昇降可能に構成されて、隣接する塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3の主搬送機構T 、T との間で基板Wを受け渡し可能である。 Thus, the main transport mechanism T 2M is vertically movably configured for each layer K2, K4 in developing block Bb, the main transport mechanism T 1 of the respective layers K1, K3 of the coating block Ba adjacent, T 3 it is possible to transfer the substrate W between the.

同様に、主搬送機構T 4Mは、それぞれ当該階層K4に設けられる処理ユニットと当該階層K4に対応して設けられる載置部PASS に対して基板Wを搬送する。 Similarly, the main transport mechanism T 4M transports the substrate W to part PASS 4 mounting provided corresponding to the processing unit and the hierarchical K4 respectively provided on the story K4. さらに、主搬送機構T 4Mは、階層K2まで上昇して載置部PASS に対して基板Wを搬送可能である。 Further, the main transport mechanism T 4M can be transported to the substrate W to part PASS 2 placing increased to hierarchy K2. この際、主搬送機構T 2Mは主搬送機構T 4Mと干渉しないように階層K2の上方に移動する。 At this time, the main transport mechanism T 2M moves so as not to interfere with the main transport mechanism T 4M above the hierarchy K2. このように、主搬送機構T 4Mも、現像処理ブロックBb内において各階層K2、K4にわたって昇降可能に構成されて、隣接する塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3の主搬送機構T 、T との間で基板Wを受け渡し可能である。 Thus, the main transport mechanism T 4M also be vertically movable structure for each layer K2, K4 in developing block Bb, the main transport mechanism T 1 of the respective layers K1, K3 of the coating block Ba adjacent, T 3 it is possible to transfer the substrate W between the.

そして、主搬送機構T 2Mが載置部PASS に対して基板Wを搬送することで、階層K2と階層K4との間で基板Wを搬送することができる(図1におけるr4に相当)。 Then, by conveying the wafers W to part PASS 4 placing the main transport mechanism T 2M, (corresponding to r4 in FIG. 1) which can transport wafers W between the story K2 and hierarchy K4. また、主搬送機構T 4Mが載置部PASS に対して基板Wを搬送することで、階層K4と階層K1との間で基板Wを搬送することができる(図1におけるr3に相当)。 Also, by transporting the substrate W with respect to the main transport mechanism T 4M are mounting portion PASS 2, (corresponding to r3 in FIG. 1) which can transport wafers W between the story K4 and hierarchy K1.

このように、実施例2に係る基板処理装置によれば、階層K2の主搬送機構T 2Mは、載置部PASS を介して同じ階層K1の主搬送機構T と基板Wの受け渡しを行うことができるとともに、載置部PASS を介して異なる階層K3の主搬送機構T と基板Wの受け渡しを行うことができる。 Thus, according to the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the main transport mechanism T 2M hierarchy K2 is for transferring the main transport mechanism T 1 and the substrate W in the same level K1 through the receiver PASS 2 it is possible, it can deliver the main transport mechanism T 3 and the substrate W of a different story K3 through the receiver PASS 4. 同様に、階層K4の主搬送機構T 4Mは、載置部PASS を介して同じ階層K3の主搬送機構T と基板Wの受け渡しを行うことができるとともに、載置部PASS を介して異なる階層K1の主搬送機構T と基板Wの受け渡しを行うことができる。 Similarly, the main transport mechanism T 4M hierarchy K4, together can deliver the main transport mechanism T 3 and the substrate W in the same level K3 through the receiver PASS 4, through the receiver PASS 2 it can deliver the main transport mechanism T 1 and the substrate W of a different hierarchy K1. したがって、したがって、実施例1と同様に、各処理ブロックBa、Bbの階層間を4通りの搬送経路r1〜r4で基板Wを搬送可能である。 Accordingly, therefore, in the same manner as in Example 1, it is possible transport the treating blocks Ba, the substrate W in the conveying path r1~r4 four types between Bb hierarchy. なお、搬送方向を含めると8通りである。 Note that it is eight Including conveying direction.

このため、実施例2に係る装置では、実施例1と同様に、基板Wを搬送する搬送経路Rを種々選択、変更することができ、基板Wに一連の処理を好適に行うことができる。 Therefore, the apparatus according to the second embodiment, in the same manner as in Example 1, various select a transport route R for transporting the the substrate W, can be changed, it is possible to suitably perform a series of processes the substrate W.

また、主搬送機構T 2M 、T 4Mは、主搬送機構T 、T と基板Wの受け渡しを行う際に、固定的に設けられた載置部PASS 、PASS を介して行う。 The main transport mechanism T 2M, T 4M, when for transferring the main transport mechanism T 1, T 3 and the substrate W, carried through the part PASS 2, PASS 4 mounting provided fixedly. このため、4台の主搬送機構T 〜T 以外に、基板Wを移動させる機構、たとえば、実施例1で説明した可動載置部MPASSなどを要しない。 Therefore, not required in addition to the four main transport mechanisms T 1 through T 4, mechanism for moving the substrate W, for example, and the movable receiver MPASS described in Example 1. したがって、装置の構成および基板Wの搬送制御を簡略化することができる。 Therefore, it is possible to simplify the conveyance control of the configuration and the substrate W of the device.

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 This invention is not limited to the foregoing embodiments, but may be modified as follows.

(1)上述した実施例1では、可動載置部MPASSを備えていたが、これに限られない。 (1) In the first embodiment described above, but equipped with a movable mounting part mpass, not limited to this. 図18、図19を参照する。 Figure 18, referring to FIG. 19. 図18は、変形実施例に係る基板処理装置の平面図であり、図19は、図18におけるe−e矢視の各垂直断面図である。 Figure 18 is a plan view of a substrate processing apparatus according to a modified embodiment, FIG. 19 is a respective vertical section view of the e-e arrow in FIG. なお、実施例1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 Note that the same configuration as in Example 1 and detailed description thereof will be omitted by subjecting the same reference numerals.

図18、図19に示すように、載置部PASS 、PASS が設けられている側方に、載置部用搬送機構T を備えている。 As shown in FIGS. 18 and 19, on the side of mounting portion PASS 2, PASS 4 are provided, and a transport mechanism T P for placing portion. 載置部用搬送機構T は、載置部PASS 、PASS 間で基板Wを搬送する。 Carrying placement unit mechanism T P transports the substrate W between the mounting portion PASS 2, PASS 4. この載置部用搬送機構T は、昇降ベース部材111と、保持アーム113とを備えている。 The mounting unit transport mechanism T P includes a lift base member 111 and a holding arm 113. 昇降ベース部材111は、図示省略の駆動機構により、載置部PASS 、PASS の各高さ位置にわたって昇降移動する。 Elevating base member 111, by a drive mechanism (not shown), it moves up and down over the height position of the mounting portion PASS 2, PASS 4. 保持アーム113は、この昇降ベース部材111に対して水平方向に進退移動可能に設けられて、基板Wを保持する。 Holding arm 113 is provided to be moved forward and backward in the horizontal direction with respect to the elevating base member 111, for holding a substrate W.

そして、階層K1の主搬送機構T によって載置部PASS に載置された基板Wを、載置部用搬送機構T が載置部PASS に搬送することで、当該基板Wを階層K4の主搬送機構T に受け取らせることができる。 Then, by conveying the main transport mechanism T substrate W placed on the placing portion PASS 2 by 1 hierarchy K1, in part PASS 4 mounting unit transport mechanism T P is the placement, the hierarchy the substrate W it can be received by the main transport mechanism T 4 of K4. 逆に、主搬送機構T によって載置部PASS に載置された基板Wを載置部用搬送機構T が載置部PASS に搬送することで、当該基板Wを階層K1の主搬送機構T に受け取らせることができる。 Conversely, by conveying the main transport mechanism T 4 by the part PASS 2 mounting part PASS 4 in the placed transport mechanism T P for the platform substrate W is mounting, primary hierarchical K1 the substrate W it can be received by the transport mechanism T 1. このように載置部用搬送機構T が基板Wを載置部PASS と載置部PASS との間で搬送することで、階層K1と階層K4との間で基板Wを搬送することができる(図1における搬送経路r3)。 By thus mounting unit transport mechanism T P is conveyed between a portion PASS 4 mounting a portion PASS 2 mounting the the substrate W, to transfer the substrate W between the story K1 and story K4 can (transport path in FIG. 1 r3). なお、同じ階層同士で基板Wを搬送する場合は、載置部用搬送機構T が載置部PASS 、PASS 間で基板Wを搬送することを要しない。 In the case of transporting the substrate W in the same hierarchy each other, no need to transfer the substrate W between the part PASS 2, PASS 4 mounting unit transport mechanism T P is mounting.

また、階層K3の主搬送機構T によって載置部PASS に載置された基板Wを、載置部用搬送機構T が載置部PASS に搬送することで、当該基板Wを階層K2の主搬送機構T に受け取らせることができる。 Further, by conveying the main transport mechanism T substrate W placed on the portion PASS 4 placing the third hierarchy K3, the part PASS 2 mounting unit transport mechanism T P is the placement, the hierarchy the substrate W it can be received by the main transport mechanism T 2 of the K2. 逆に、主搬送機構T によって載置部PASS に載置された基板Wを載置部用搬送機構T が載置部PASS に搬送することで、当該基板Wを階層K3の主搬送機構T に受け取らせることができる。 Conversely, by transporting mainly transport mechanism T 2 by the transfer portion mounting the substrate W placed on the mounting unit PASS 2 mechanism T P is mounting unit PASS 4, the main hierarchy K3 the substrate W it can be received by the transport mechanism T 3. このように載置部用搬送機構T が基板Wを載置部PASS 2、 PASS 間で搬送することで、階層K2と階層K3との間で基板Wを搬送することができる(図1における搬送経路r4)。 Thus mounting unit transport mechanism T P is by conveying between part PASS 2, PASS 4 mounting the substrate W, thereby transporting the substrate W between the story K2 and hierarchy K3 (Fig. 1 transport route in r4).

(2)上述した実施例1では、載置部PASS 2、 PASS を備えていたが、これに限られない。 (2) In the first embodiment described above, but equipped with a part PASS 2, PASS 4 mounting is not limited thereto. 可動載置部MPASSを介して同じ階層同士の間で基板Wを搬送することができるため、載置部PASS 2、 PASS を省略してもよい。 It is possible to transfer the substrate W between the same hierarchy between through the movable mounting part mpass, it may be omitted portion PASS 2, PASS 4 mounting.

(3)上述した実施例2では、現像処理ブロックBbの各主搬送機構T 2M 、T 4Mが、載置部PASS 、PASS の双方に基板Wを搬送可能な構成であったが、これに限られない。 (3) In the second embodiment described above, each of the main transport mechanism T 2M of the developing block Bb, T 4M is, was the both the conveyable constituting the substrate W mounting portions PASS 2, PASS 4, which not limited to. たとえば、塗布処理ブロックBaの各主搬送機構T 、T のみが、載置部PASS 、PASS の双方に基板Wを搬送可能となるように変更してもよい。 For example, only the main transport mechanism T 1, T 3 of the coating block Ba may be modified so that can be conveyed to the substrate W to the both mounting portions PASS 2, PASS 4. あるいは、各処理ブロックBa、Bbの全ての主搬送機構T 〜T が、載置部PASS 、PASS の双方に基板Wを搬送可能となるように変更してもよい。 Alternatively, the processing blocks Ba, all the main transport mechanism T 1 through T 4 of Bb may be modified so that can be conveyed to the substrate W to the both mounting portions PASS 2, PASS 4.

(4)上述した実施例2では、現像処理ブロックBbの各主搬送機構T 2M 、T 4Mが、載置部PASS 、PASS の双方に基板Wを搬送可能な構成であったが、これに限られない。 (4) In Example 2 described above, each of the main transport mechanism T 2M of the developing block Bb, T 4M is, was the both the conveyable constituting the substrate W mounting portions PASS 2, PASS 4, which not limited to. たとえば、主搬送機構T 2Mのみが、載置部PASS 、PASS の双方に基板Wを搬送可能とし、主搬送機構T 4Mについては載置部PASS に基板Wを搬送できないように変更してもよい。 For example, only the main transport mechanism T 2M is mounting to enable transport of a substrate W to both part PASS 2, PASS 4, modified to prevent transfer the substrate W on the placing portion PASS 2 is the main transport mechanism T 4M it may be. この場合であっても階層K2と階層K3との間で基板Wを搬送することができる。 In this case as it is possible to transport the substrate W in between the story K2 and hierarchy K3. 逆に、主搬送機構T 4Mのみが、載置部PASS 、PASS の双方に基板Wを搬送可能とし、主搬送機構T 2Mについては載置部PASS に基板Wを搬送できないように変更してもよい。 Conversely, only the main transport mechanism T 4M are mounting portion PASS 2, and can be conveyed both to the substrate W PASS 4, modified so that it can not transfer the substrate W to part PASS 4 mounting for the main transport mechanism T 2M it may be. この場合であっても階層K4と階層K1との間で基板Wを搬送することができる。 In this case as it is possible to transport the substrate W in between the story K4 and hierarchy K1.

(5)上述した実施例2では、各主搬送機構T 2M 、T 4Mはそれぞれ、現像処理ブロックBb内において各階層K2、K4にわたって昇降可能に構成されて、隣接する塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3の主搬送機構T 、T との間で基板Wを受け渡し可能であったが、これに限られない。 (5) In Example 2 described above, each of the main transport mechanism T 2M, T 4M respectively, are vertically movable structure for each layer K2, K4 in the developing block in Bb, each story of the coating block Ba adjacent K1, was possible transferring wafers W between the main transport mechanisms T 1, T 3 of K3, but is not limited thereto. たとえば、各主搬送機構T 2M 、T 4Mをそれぞれ、現像処理ブロックBb内において各階層K2、K4にわたって伸縮可能に構成して、隣接する塗布処理ブロックBaの各階層K1、K3の主搬送機構T 、T との間で基板Wを受け渡しするように変更してもよい。 For example, the main transport mechanism T 2M, respectively T 4M, telescopically configured for each layer K2, K4 in developing block Bb, the main transport mechanism on each story K1, K3 of the coating block Ba adjacent T 1 may be modified so as to transfer the substrate W between the T 3.

(6)上述した各実施例では、各処理ブロックBa、Bbは2つの階層を有していたが、これに限られない。 (6) In each embodiment described above, each processing block Ba, Bb has had a two hierarchies is not limited thereto. たとえば、3つ以上の階層を有するように変更してもよい。 For example, it may be modified to have three or more layers.

なお、上下方向に3以上の階層を有する場合でも、塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBb同士で階層を変えて搬送できる搬送経路rは、1つ以上あればよい。 Even when having a vertically into three or more hierarchies transport path r capable of carrying different stories in developing block Bb between the coating block Ba may if more than one. もちろん、塗布処理ブロックBaの各階層が現像処理ブロックBbの全ての階層との間で基板Wを搬送するように構成してもよい。 Of course, each story of the coating block Ba may be configured to transfer the substrate W between the all story of the developing block Bb.

すなわち、各処理ブロックBa、Bbを3つ以上の階層に分ける場合、可動載置部MPASSは、2以上の各階層にわたって昇降可能に構成すればよい。 That is, when dividing the processing blocks Ba, Bb and the three or more layers, the movable receiver MPASS may be vertically movable structure over two or more of each hierarchy. もちろん、可動載置部MPASSを全ての階層にわたって昇降可能に構成してもよい。 Of course, it may be vertically movable structure movable receiver MPASS across all hierarchies.

また、各処理ブロックBa、Bbを3つ以上の階層に分ける場合、各主搬送機構T 2M 、T 4Mはそれぞれ、現像処理ブロックBb内において2以上の各階層にわたって昇降可能に構成すればよい。 Further, each processing block Ba, when divided Bb into three or more hierarchies, each of the main transport mechanism T 2M, T 4M respectively, may be vertically movable structure over two or more in each layer in the developing block Bb. もちろん、各主搬送機構T 2M 、T 4Mを全ての階層にわたって昇降可能に構成してもよい。 Of course, each of the main transport mechanism T 2M, may be vertically movable structure over all hierarchies T 4M.

(7)上述した各実施例では、処理部3は2つの処理ブロックBa、Bbを横に並べて構成されていたが、これに限られない。 (7) In each embodiment described above, the processing unit 3 is two processing blocks Ba, it was composed by arranging Bb laterally, not limited thereto. たとえば、処理部3を、3つ以上の処理ブロックで構成するように変更してもよい。 For example, the processing unit 3, may be modified to consist of three or more processing blocks.

なお、3つ以上の処理ブロックを並べると、処理ブロック同士が隣接するのは2箇所以上になるが、そのうちの少なくとも1箇所以上で階層を変えて搬送できればよい。 Incidentally, when arranging three or more processing blocks, the processing blocks to each other to adjacent becomes two or more positions, it is sufficient conveying different stories at least one place or more of them. もちろん、処理ブロック同士が隣接する全ての箇所で、階層を変えて搬送できるように変更してもよい。 Of course, at all points of the processing block are adjacent to each other, it may be modified so that it can convey different stories.

(8)上述した各実施例では、処理ブロックとして、塗布処理ブロックBaと現像処理ブロックBbを例示したが、これに限られない。 In each embodiment (8) described above, as processing blocks, have been exemplified coating block Ba and developing block Bb, not limited to this. 洗浄処理等、その他の処理を基板Wに行う処理ブロックに適宜に変更してもよい。 Cleaning, etc., and other processes may be changed as appropriate to the processing block for performing the substrate W. また、処理部3の処理内容に応じて、本装置に隣接して設けた別体の露光機EXPを省略してもよい。 Further, according to the processing content of the processing unit 3, it may be omitted exposing machine EXP separate bodies provided adjacent to the device.

(9)上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。 (9) may be modified appropriately combined each component of each embodiment and each modification example described above.

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing an outline of a substrate treating apparatus according to the invention. 実施例に係る基板処理装置における基板の搬送経路の一例を示す模式図である。 Is a schematic diagram showing an example of a transport path of the substrate in the substrate processing apparatus according to an embodiment. 実施例に係る基板処理装置における基板の搬送経路の一例を示す模式図である。 Is a schematic diagram showing an example of a transport path of the substrate in the substrate processing apparatus according to an embodiment. 実施例に係る基板処理装置における基板の搬送経路の一例を示す模式図である。 Is a schematic diagram showing an example of a transport path of the substrate in the substrate processing apparatus according to an embodiment. 実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 Is a plan view showing an outline of a substrate treating apparatus according to the invention. 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 It is a schematic side view showing the arrangement of a processing unit substrate processing apparatus. 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 It is a schematic side view showing the arrangement of a processing unit substrate processing apparatus. 図5におけるa−a矢視の各垂直断面図である。 It is the vertical sectional view of a-a arrow in Figure 5. 図5におけるb−b矢視の各垂直断面図である。 It is the vertical sectional view of a b-b arrow in FIG. 図5におけるc−c矢視の各垂直断面図である。 It is the vertical sectional view of a c-c arrow in FIG. 図5におけるd−d矢視の各垂直断面図である。 It is the vertical sectional view of the d-d arrow in FIG. (a)は塗布処理ユニットの平面図であり、(b)は塗布処理ユニットの断面図である。 (A) is a plan view of a coating unit, (b) is a sectional view of the coating unit. 主搬送機構の斜視図である。 It is a perspective view of the main transport mechanism. 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 It is a control block diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 基板に行う一連の処理をフローチャートである。 It is a flowchart of the sequence of processing performed on the substrate. 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。 Each transfer mechanism is a diagram schematically showing operations repeated by each. 実施例2に係る基板処理装置の各搬送スペースの縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view of the transporting space of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. 変形実施例に係る基板処理装置の平面図である。 Deformation is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 図18におけるe−e矢視の各垂直断面図である。 It is the vertical sectional view of the e-e arrow in FIG.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 …インデクサ部(ID部) 1 ... indexer (ID portion)
3 …処理部 5 …インターフェイス部(IF部) 3 ... processing unit 5 ... interface unit (IF section)
31 …塗布処理ユニット 41、42 …熱処理ユニット 61 …第1吹出ユニット 61a …第1吹出口 62 …排出ユニット 62a …排出口 65 …第2気体供給管 66 …第2気体排出管 90 …制御部 91 …メインコントローラ 93〜99 …第1ないし第7コントローラ K、K1、K2、K3、K4 …階層 B、 …処理ブロック Ba …塗布処理ブロック Bb …現像処理ブロック BARC …反射防止膜用塗布処理ユニット RESIST …レジスト膜用塗布処理ユニット DEV …現像処理ユニット EEW …エッジ露光ユニット PHP …加熱冷却ユニット T ID …ID用搬送機構 T 、T 、T 2M 、T 、T 、T 4M …主搬送機構 T IF …IF用搬送機構 PASS、PASS−CP …載置部 MPASS …可動 31 ... coating unit 41, 42 ... thermal processing unit 61 ... first blowout unit 61a ... first air outlet 62 ... discharge unit 62a ... exhaust port 65 ... second gas supply pipe 66 ... second gas exhaust pipe 90 ... control unit 91 ... the main controller 93 to 99 ... first to seventh controller K, K1, K2, K3, K4 ... hierarchical B, ... processing block Ba ... coating block Bb ... development block BARC ... antireflection film coating units RESIST ... resist film coating units DEV ... developing unit EEW ... edge exposing unit PHP ... transport mechanism for heating and cooling units T ID ... ID T 1, T 2, T 2M, T 3, T 4, T 4M ... main transport mechanism T IF ... transport mechanism PASS for IF, PASS-CP ... mounting portion mpass ... movable 置部 T …載置部用搬送機構 A 、A 、A 、A …搬送スペース EXP …露光機 C …カセット W …基板 Portion T P ... mounting unit transport mechanism A 1, A 2, A 3 , A 4 ... transporting space EXP ... exposure machine C ... cassette W ... substrate

Claims (16)

  1. 基板に処理を行う基板処理装置において、 In the substrate treating apparatus for treating substrates,
    上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、 Provided for each vertical hierarchy, a processing unit for treating substrates, provided for each hierarchy, a plurality of processing blocks having a main transport mechanism for transporting the substrate relative to the processing unit of the hierarchical laterally There are side by side,
    隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 As well as a possible transfer the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks, a substrate processing apparatus, characterized in that different stories at least one of the processing adjacent blocks can be conveyed to the substrate.
  2. 請求項1に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 1,
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、複数の階層にわたって昇降可能に設けられ、基板を載置する可動載置部を備え、 Between the processing blocks between which can transfer the substrate between different stories, vertically movably provided over the plurality of layers comprises a movable mounting part for mounting the substrate,
    前記処理ブロック同士のそれぞれに設けられる複数の階層の主搬送機構がそれぞれ、当該階層に応じた高さ位置に移動した前記可動載置部に対して基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 Substrate, wherein the main transport mechanism of a plurality of hierarchies which are provided in each of the processing blocks to each other is possible respectively conveyed, the substrate against the movable mounting part that moves to a height position corresponding to the hierarchy processing apparatus.
  3. 請求項2に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 2,
    前記可動載置部に基板が載置されると、前記可動載置部は基板が載置された階層とは異なる階層に移動することを特徴とする基板処理装置。 When the substrate is placed on the movable mounting part, wherein the movable mounting part is a substrate processing apparatus, characterized in that moving to a different hierarchy with hierarchy substrate it is placed.
  4. 請求項2または請求項3に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 2 or claim 3,
    前記可動載置部は全ての階層にわたって移動可能であることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus, wherein the movable mounting part is movable across all hierarchies.
  5. 請求項1に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 1,
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、 Between the processing blocks between which can transfer the substrate by changing the hierarchy,
    階層ごとに設けられる複数の固定載置部であって、当該処理ブロック同士のそれぞれに設けられる当該階層の各主搬送機構がそれぞれ基板を搬送可能な前記固定載置部と、 A plurality of fixed mounting portion provided in each layer, each of the main transport mechanism of the hierarchy provided in each said fixed stacking portion can be conveyed to the substrate each of the processing blocks to each other,
    各固定載置部の間で基板を搬送する載置部用搬送機構と、 A transport mechanism for mounting unit that transports the substrate between the fixed mounting portion,
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。 Substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a.
  6. 請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、 The apparatus according to any one of claims 1 to 5,
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の一方の処理ブロックに異常状態の主搬送機構がある場合は、他方の処理ブロックの各主搬送機構はそれぞれ、前記一方の処理ブロックが有する、前記異常状態の主搬送機構以外の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。 If there is a main transport mechanism of the abnormal condition in one of the processing block of the processing between blocks that can transfer the substrate by changing the hierarchies, each of the main transport mechanism of the other processing blocks each have the one of the processing blocks, wherein a substrate processing apparatus, characterized in that for transferring the substrate between the main transport mechanisms other than the main transport mechanism of the abnormal state.
  7. 請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、 The apparatus according to any one of claims 1 to 6,
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、 Processing between blocks that can transfer the substrate by changing the hierarchy, the coating block, a development processing block provided adjacent to the coating block,
    前記塗布処理ブロックは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構を前記主搬送機構として備え、 The coating block is provided with a coating unit and the heat treatment unit for forming a resist film on the substrate as the processing unit, wherein the first main transport mechanism for transporting the substrates to these coating units and heat-treating units provided as a main transport mechanism,
    前記現像処理ブロックは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構を前記主搬送機構として備え、 The developing block is provided with a developing unit and the heat treatment unit for developing the substrate as the processing unit, these developing units and the second main transport mechanism for transporting the substrates to the thermal processing unit wherein the main transport mechanism It provided as,
    前記塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックとの間で階層を変えて基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus, characterized in that the transportable substrate by changing the hierarchy between the coating block and the developing block.
  8. 請求項7に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 7,
    前記塗布処理ブロックの各階層はそれぞれ、前記現像処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is capable of transporting between all hierarchy of the coating process Each hierarchy of the block, the developing block.
  9. 請求項8に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 8,
    前記塗布処理ブロックの一部の階層では専ら、基板にレジスト膜を形成する処理を行わせるとともに、前記現像処理ブロックに向けてレジスト膜が形成された基板を払い出させ、 The part of the stories of the coating block exclusively with to perform processing for forming a resist film on a substrate, not paid the substrate on which the resist film has been formed toward the developing block,
    前記塗布処理ブロックの他の一部の階層では専ら、前記現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせることを特徴とする基板処理装置。 The exclusively in another part of the stories of the coating block, a substrate processing apparatus for causing receive substrate paid out from the developing block.
  10. 基板に処理を行う基板処理装置において、 In the substrate treating apparatus for treating substrates,
    上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、 Provided for each vertical hierarchy, a processing unit for treating substrates, provided for each hierarchy, a plurality of processing blocks having a main transport mechanism for transporting the substrate relative to the processing unit of the hierarchical laterally There are side by side,
    隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて、一方の処理ブロックの少なくとも一の階層は他方の処理ブロックの異なる階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 As well as a possible transfer the substrate between the same hierarchy of adjacent processing blocks, substrate between the at least one of the processing adjacent blocks, at least one of the stories is different other processing blocks hierarchy of one processing block a substrate processing apparatus which is a possible carry the.
  11. 請求項10に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 10,
    前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において当該一の階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの複数の階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。 The main transport mechanism of the one hierarchy, in the processing block retractable or vertically movable to and constructed over the plurality of hierarchies including the one of the stories, between the main transport mechanisms of the plurality of layers of adjacent processing blocks in the substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is possible delivery.
  12. 請求項10に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 10,
    前記一の階層は、隣接する処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。 Wherein one of the stories, the substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is capable of transporting between all hierarchy of adjacent processing blocks.
  13. 請求項12に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 12,
    前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において全ての階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの全ての階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。 The main transport mechanism of the one hierarchy, are retractable or vertically movable structure over all the stories in the processing block, you can transfer substrates between the main transport mechanisms of all the stories of the adjacent processing blocks a substrate processing apparatus, characterized in that there.
  14. 請求項10に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 10,
    異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、 Processing between blocks that can transfer the substrate between the different hierarchy and the coating block, a development processing block provided adjacent to the coating block,
    前記塗布処理ブロックは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構を前記主搬送機構として備え、 The coating block is provided with a coating unit and the heat treatment unit for forming a resist film on the substrate as the processing unit, wherein the first main transport mechanism for transporting the substrates to these coating units and heat-treating units provided as a main transport mechanism,
    前記現像処理ブロックは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構を前記主搬送機構として備え、 The developing block is provided with a developing unit and the heat treatment unit for developing the substrate as the processing unit, these developing units and the second main transport mechanism for transporting the substrates to the thermal processing unit wherein the main transport mechanism It provided as,
    同じ階層の第1主搬送機構と第2主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うとともに、 It performs transfer of a substrate between the first main transport mechanism and a second main transport mechanism on the same story,
    少なくともいずれかの階層の第1主搬送機構は、前記塗布処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第2主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。 The first main transport mechanism on at least one of the hierarchy, the are retractable or vertically movable structure in the coating processing block over a plurality of hierarchies including the hierarchy, the substrate between the plurality of second main transport mechanism a substrate processing apparatus which is a possible transfer.
  15. 請求項14に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 14,
    少なくともいずれかの階層の第2主搬送機構は、前記現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第1主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。 The second main transport mechanism on at least one of the hierarchy, the retractable or vertically movable to and configured in the development processing block over a plurality of hierarchies including the hierarchy, the substrate between the plurality of first main transport mechanism a substrate processing apparatus which is a possible transfer.
  16. 請求項10に記載の基板処理装置において、 The apparatus according to claim 10,
    異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、 Processing between blocks that can transfer the substrate between the different hierarchy and the coating block, a development processing block provided adjacent to the coating block,
    前記塗布処理ブロックは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構を前記主搬送機構として備え、 The coating block is provided with a coating unit and the heat treatment unit for forming a resist film on the substrate as the processing unit, wherein the first main transport mechanism for transporting the substrates to these coating units and heat-treating units provided as a main transport mechanism,
    前記現像処理ブロックは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構を前記主搬送機構として備え、 The developing block is provided with a developing unit and the heat treatment unit for developing the substrate as the processing unit, these developing units and the second main transport mechanism for transporting the substrates to the thermal processing unit wherein the main transport mechanism It provided as,
    同じ階層の第1主搬送機構と第2主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うとともに、 It performs transfer of a substrate between the first main transport mechanism and a second main transport mechanism on the same story,
    少なくともいずれかの階層の第2主搬送機構は、前記現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第1主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。 The second main transport mechanism on at least one of the hierarchy, the retractable or vertically movable to and configured in the development processing block over a plurality of hierarchies including the hierarchy, the substrate between the plurality of first main transport mechanism a substrate processing apparatus which is a possible transfer.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (en) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5160204B2 (en) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5318403B2 (en) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5128918B2 (en) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5001828B2 (en) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5179170B2 (en) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5381592B2 (en) * 2009-10-06 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
KR101690970B1 (en) * 2010-02-19 2016-12-29 주성엔지니어링(주) Substrate processing system and substrate transfer method
JP5397399B2 (en) * 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
JP5338757B2 (en) * 2010-07-09 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP5348083B2 (en) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
KR101744372B1 (en) * 2011-01-20 2017-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Vacuum processing apparatus
JP5287913B2 (en) * 2011-03-18 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP2014038929A (en) * 2012-08-15 2014-02-27 Disco Abrasive Syst Ltd Inline system
JP5644915B2 (en) * 2013-08-13 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP2013243406A (en) * 2013-08-13 2013-12-05 Tokyo Electron Ltd Application and developing device, application and developing method, and storage medium
JP5590201B2 (en) * 2013-08-13 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP5644916B2 (en) * 2013-08-13 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
JP6079510B2 (en) * 2013-08-30 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 A substrate processing system, a substrate processing method and a storage medium
JP5977728B2 (en) * 2013-11-14 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing system
US9956587B2 (en) * 2016-08-29 2018-05-01 The Aerospace Corporation Fabrication assembly and methods for fabricating composite mirror objects

Family Cites Families (299)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409889A (en) 1981-11-02 1983-10-18 Burleson Maurice L Modular clean room
DE3347438C2 (en) 1983-12-29 1987-06-04 Ulrich 2814 Bruchhausen-Vilsen De Grigat
JPH065689Y2 (en) 1986-12-26 1994-02-16 小橋工業株式会社 Forward and reverse rotation Russia - Tari working machine of the front cover -
US5177514A (en) 1988-02-12 1993-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating a photo-resist film and/or developing it after being exposed
US5202716A (en) 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
KR970003907B1 (en) 1988-02-12 1997-03-22 이노우에 아키라 Resist process system and resist processing method
JP2559617B2 (en) 1988-03-24 1996-12-04 キヤノン株式会社 The substrate processing apparatus
US5536128A (en) 1988-10-21 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for carrying a variety of products
JPH02197599A (en) 1989-01-25 1990-08-06 Yamaha Motor Co Ltd Chemically treating device for surface of metal
JP2683675B2 (en) 1989-01-26 1997-12-03 東京エレクトロン株式会社 Transport equipment
JPH085812Y2 (en) 1989-12-05 1996-02-21 沖電気工業株式会社 Print head drive circuit
JPH081921B2 (en) 1990-01-13 1996-01-10 東京エレクトロン九州株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
ES2020758A6 (en) 1990-02-08 1991-09-16 Balzola Elorza Martin Msnipulador automatic for lamacenes.
JP2704309B2 (en) 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and a heat treatment method of the substrate
JP2919925B2 (en) 1990-07-26 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 Processing equipment
US5668056A (en) 1990-12-17 1997-09-16 United Microelectronics Corporation Single semiconductor wafer transfer method and manufacturing system
US5297910A (en) * 1991-02-15 1994-03-29 Tokyo Electron Limited Transportation-transfer device for an object of treatment
US5275709A (en) 1991-11-07 1994-01-04 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating substrates, preferably flat, more or less plate-like substrates
JPH065689A (en) 1992-06-17 1994-01-14 Toshiba Corp Semiconductor substrate treatment system
JP3174409B2 (en) 1992-09-08 2001-06-11 株式会社日立国際電気 A semiconductor manufacturing apparatus, and in the substrate processing method in a semiconductor manufacturing device
JP3338343B2 (en) 1992-12-21 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
KR970011065B1 (en) 1992-12-21 1997-07-05 이시다 아키라 Board changing apparatus and method in board handling system
DE634699T1 (en) * 1993-07-16 1996-02-15 Semiconductor Systems Inc Clustered photolithographic system.
US5565034A (en) 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
US5518542A (en) 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
JPH07263302A (en) 1994-03-18 1995-10-13 Fujitsu Ltd Method for developing resist
JP2994553B2 (en) 1994-04-08 1999-12-27 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JPH07297258A (en) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Kyushu Kk Carrying equipment of plate body
US5826129A (en) 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3122868B2 (en) 1994-09-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 Coating apparatus
JP3592771B2 (en) 1994-12-07 2004-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
US5677758A (en) 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
JP3069945B2 (en) * 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 Processing equipment
KR100244041B1 (en) * 1995-08-05 2000-02-01 엔도 마코토 Substrate processing apparatus
US5788868A (en) 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
JPH09148240A (en) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor
JP3575717B2 (en) * 1995-12-28 2004-10-13 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
US5842917A (en) 1996-01-11 1998-12-01 United Microelectronics Corproration Automated manufacturing plant for semiconductor devices
JPH09251953A (en) 1996-01-12 1997-09-22 Sony Corp Resist development
JP3938409B2 (en) 1996-01-22 2007-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JPH09199568A (en) 1996-01-22 1997-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing equipment
JP3890393B2 (en) 1996-01-29 2007-03-07 株式会社Sokudo Rotary substrate coating apparatus
JP3859800B2 (en) 1996-03-19 2006-12-20 大日本スクリーン製造株式会社 Flow management method and flow management system of the substrate processing apparatus
US6176667B1 (en) 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
US6062798A (en) 1996-06-13 2000-05-16 Brooks Automation, Inc. Multi-level substrate processing apparatus
JPH1050794A (en) 1996-08-01 1998-02-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for processing substrate
KR100269097B1 (en) * 1996-08-05 2000-12-01 엔도 마코토 Wafer process apparatus
JP3278714B2 (en) * 1996-08-30 2002-04-30 東京エレクトロン株式会社 Coating film forming apparatus
JP3571471B2 (en) 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 Processing method, the coating and developing processing system and processing system
JP3779393B2 (en) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 Processing system
JP3619346B2 (en) 1996-09-19 2005-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and method
JP3082688B2 (en) 1996-11-05 2000-08-28 ヤマハ株式会社 Wiring formation method
US6099643A (en) 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
JP3429964B2 (en) * 1996-12-26 2003-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JPH10209241A (en) 1997-01-16 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate transfer device and substrate treatment device provided with it
JP3579228B2 (en) 1997-01-24 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP3771347B2 (en) 1997-03-19 2006-04-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
JP4080021B2 (en) * 1997-03-19 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JPH10294351A (en) 1997-04-21 1998-11-04 Sharp Corp Clean box used for manufacturing semiconductor device, system for manufacturing semiconductor device, and manufacture of the same
JP3249765B2 (en) 1997-05-07 2002-01-21 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JPH10335415A (en) 1997-05-30 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for setting treating time
JP3600711B2 (en) 1997-05-30 2004-12-15 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JPH113851A (en) 1997-06-11 1999-01-06 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment device and liquid treatment method
JPH1116978A (en) 1997-06-19 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment equipment
JPH1126550A (en) 1997-07-04 1999-01-29 Tokyo Electron Ltd Substrate conveyer and apparatus for treating substrate, using the same
US6151981A (en) 1997-07-24 2000-11-28 Costa; Larry J. Two-axis cartesian robot
JPH1154588A (en) 1997-07-30 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd Substrate transfer device and substrate processing device using the same
KR100575320B1 (en) 1997-08-15 2006-08-18 동경 엘렉트론 주식회사 The substrate processing apparatus
US5962070A (en) 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JPH11111603A (en) 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for developing substrate
US6235634B1 (en) 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
JPH11156278A (en) 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Processing solution discharge nozzle and substrate treating device provided with the nozzle
US6270306B1 (en) 1998-01-14 2001-08-07 Applied Materials, Inc. Wafer aligner in center of front end frame of vacuum system
WO1999052141A1 (en) 1998-04-02 1999-10-14 Nikon Corporation Method and apparatus for wafer processing, and method and apparatus for exposure
KR100265287B1 (en) 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 Multi-chamber system for etching equipment for manufacturing semiconductor device
JP3381776B2 (en) 1998-05-19 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 Processing apparatus and processing method
US6266125B1 (en) 1998-05-25 2001-07-24 Tokyo Electron Limited Resist processing method and apparatus
JP3481499B2 (en) 1998-05-25 2003-12-22 東京エレクトロン株式会社 Resist processing method and resist processing apparatus
JP3884570B2 (en) 1998-05-29 2007-02-21 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP3445937B2 (en) 1998-06-24 2003-09-16 東京エレクトロン株式会社 Multistage spin type substrate processing system
JP3745167B2 (en) 1998-07-29 2006-02-15 キヤノン株式会社 Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method and a stage drive method
KR100609766B1 (en) 1998-07-29 2006-08-09 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate process method and substrate process apparatus
KR100515740B1 (en) * 1998-08-14 2005-09-20 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate processing apparatus
JP3441681B2 (en) 1998-08-14 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 Processing equipment
US6919001B2 (en) * 2000-05-01 2005-07-19 Intevac, Inc. Disk coating system
JP2000068188A (en) 1998-08-24 2000-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for development
JP3442669B2 (en) 1998-10-20 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP3662150B2 (en) 1998-10-30 2005-06-22 東京エレクトロン株式会社 Processing system
JP2000195925A (en) 1998-12-28 2000-07-14 Anelva Corp Substrate-treating device
JP3273031B2 (en) 1999-01-08 2002-04-08 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP2000269297A (en) 1999-03-16 2000-09-29 Tatsumo Kk Process unit structure
JP3542919B2 (en) 1999-03-18 2004-07-14 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP2000311846A (en) 1999-04-27 2000-11-07 Sony Corp Method and apparatus for resist development
JP3462426B2 (en) * 1999-05-24 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP3442686B2 (en) * 1999-06-01 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
US6382849B1 (en) 1999-06-09 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus
JP3605545B2 (en) 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 Developing method and developing apparatus
KR20010003354A (en) 1999-06-23 2001-01-15 이계철 Input cut-off device in case of over input voltage in power supply
US6338582B1 (en) 1999-06-30 2002-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate delivery apparatus and coating and developing processing system
US6426303B1 (en) 1999-07-16 2002-07-30 Tokyo Electron Limited Processing system
JP4294837B2 (en) 1999-07-16 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 Processing system
JP3535997B2 (en) 1999-10-01 2004-06-07 東京エレクトロン株式会社 Developing apparatus and developing method
US6402401B1 (en) 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100348938B1 (en) 1999-12-06 2002-08-14 한국디엔에스 주식회사 Semiconductor manufacturing apparatus for photolithography process
US6402508B2 (en) 1999-12-09 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
US6485203B2 (en) 1999-12-20 2002-11-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6772029B2 (en) 2000-01-17 2004-08-03 Ebara Corporation Wafer transfer control apparatus and method for transferring wafer
US6432842B2 (en) * 2000-03-30 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Coating method and coating apparatus
JP2002057100A (en) 2000-05-31 2002-02-22 Canon Inc Aligner, coater developer, device manufacturing system, device fabricating method, semiconductor producing factory and method for maintaining aligner
JP4915033B2 (en) 2000-06-15 2012-04-11 株式会社ニコン An exposure device, a substrate processing apparatus and a lithography system, and device manufacturing method
KR100741186B1 (en) 2000-08-23 2007-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 A processing system for an object to be processed
JP3587776B2 (en) 2000-10-10 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 Coating apparatus and a coating method
JP2002134396A (en) 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor pattern automatic regulator
US6491451B1 (en) 2000-11-03 2002-12-10 Motorola, Inc. Wafer processing equipment and method for processing wafers
JP3616748B2 (en) 2000-11-07 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 Developing method, a developing processing apparatus and processing apparatus
JP3943828B2 (en) 2000-12-08 2007-07-11 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and a pattern forming method
JP4124400B2 (en) * 2001-01-19 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
US6558053B2 (en) 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3898906B2 (en) 2001-05-22 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 Board of the coating apparatus
KR100387418B1 (en) 2001-05-23 2003-06-18 한국디엔에스 주식회사 A spinner system in use the process of fabricating semiconductor device
JP2003022962A (en) 2001-07-10 2003-01-24 Canon Inc Exposing system, method for fabricating device, factory for producing semiconductor and method for maintaining aligner
US6750155B2 (en) 2001-08-08 2004-06-15 Lam Research Corporation Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber
JP2003059810A (en) 2001-08-20 2003-02-28 Nec Kansai Ltd Chemical treatment device
JP2003142547A (en) 2001-08-24 2003-05-16 Hirata Corp Work-carrying apparatus
JP2003188229A (en) 2001-12-18 2003-07-04 Hitachi High-Technologies Corp System and method for manufacturing wafer
US20030131458A1 (en) 2002-01-15 2003-07-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improving throughput in a cluster tool for semiconductor wafer processing
JP4153781B2 (en) 2002-01-31 2008-09-24 大日本スクリーン製造株式会社 Thermal processing apparatus and a substrate processing apparatus
JP3916473B2 (en) 2002-01-31 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP4195227B2 (en) 2002-02-22 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 The introduction port structure of the object to be processed
JP4162420B2 (en) 2002-04-16 2008-10-08 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP4342147B2 (en) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP3862596B2 (en) 2002-05-01 2006-12-27 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing method
FR2839331B1 (en) 2002-05-02 2004-07-16 Cit Alcatel A semiconductor device manufacturing facility raised floor ventilated
JP3966211B2 (en) 2002-05-08 2007-08-29 株式会社ニコン Exposure method, an exposure apparatus and device manufacturing method
KR20030087418A (en) 2002-05-09 2003-11-14 엘지전자 주식회사 Method for upgrading firmware using modem
JP4073251B2 (en) 2002-05-21 2008-04-09 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP2003347186A (en) 2002-05-23 2003-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
US6645880B1 (en) 2002-06-10 2003-11-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution applying method
JP4084167B2 (en) 2002-06-10 2008-04-30 株式会社Sokudo The processing liquid coating method
JP2004015023A (en) 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate handling device and handling method
JP2004015021A (en) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate handling device
US6832863B2 (en) 2002-06-11 2004-12-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
US6807455B2 (en) 2002-06-26 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. System for and method of processing substrate
US6843882B2 (en) 2002-07-15 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process
JP2004087675A (en) 2002-08-26 2004-03-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP4025613B2 (en) 2002-09-27 2007-12-26 キヤノン株式会社 Electron beam exposure apparatus, an electron beam exposure apparatus calibration method, and a semiconductor device manufacturing method
JP4133208B2 (en) 2002-10-22 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP4018965B2 (en) 2002-10-28 2007-12-05 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP4087328B2 (en) 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and coating method of driving the developing apparatus
JP3999649B2 (en) 2002-12-19 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus and method operation, and program
JP2004207279A (en) * 2002-12-20 2004-07-22 Rorze Corp Sheet-shaped object manufacturing facility
JP4170864B2 (en) 2003-02-03 2008-10-22 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate transfer method and a substrate processing method in the substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus
JP2004241319A (en) 2003-02-07 2004-08-26 Sony Corp Film forming device
JP4233908B2 (en) 2003-04-02 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing system
JP4357861B2 (en) 2003-04-07 2009-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP4307132B2 (en) 2003-04-16 2009-08-05 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP2004342654A (en) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd The substrate processing apparatus
US6876439B2 (en) 2003-05-29 2005-04-05 Asml Holding N.V. Method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system
US20090143904A1 (en) * 2004-06-11 2009-06-04 Donald Blust Automated business system and method of vending and returning a consumer product
KR100524875B1 (en) 2003-06-28 2005-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Clean room system
JP2005046694A (en) 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp Coated film forming method and coater
US6879866B2 (en) 2003-08-04 2005-04-12 Asml Netherlands B.V. Method, computer program product and apparatus for scheduling maintenance actions in a substrate processing system
US7145643B2 (en) 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
JP4137750B2 (en) * 2003-09-17 2008-08-20 株式会社Sokudo Heat treatment apparatus, a heat treatment method and a substrate processing apparatus
JP4105617B2 (en) 2003-09-19 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP4108027B2 (en) 2003-09-22 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP4079861B2 (en) 2003-09-22 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
US7387485B2 (en) * 2003-09-29 2008-06-17 Quantum Corporation Cartridge transport assembly
JP4322086B2 (en) 2003-10-14 2009-08-26 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus and method
KR100521401B1 (en) 2003-11-24 2005-10-12 세메스 주식회사 System for wafer cleaning
KR100546503B1 (en) 2003-11-27 2006-01-26 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate treating apparatus and method
JP2005167083A (en) 2003-12-04 2005-06-23 Daifuku Co Ltd Conveyance equipment for glass substrate
JP4381121B2 (en) 2003-12-11 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus
JP4369325B2 (en) 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 Developing apparatus and developing method
JP4376072B2 (en) 2004-01-16 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 A substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP2005243690A (en) 2004-02-24 2005-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP4537109B2 (en) 2004-04-16 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 Developing apparatus and developing method
US7326505B2 (en) 2004-05-26 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101037087B1 (en) 2004-06-29 2011-05-26 엘지디스플레이 주식회사 A substrate product apparatus for mmg
JP4381909B2 (en) * 2004-07-06 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing apparatus and a substrate processing method
US20060011296A1 (en) 2004-07-16 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer program
JP3870207B2 (en) 2004-08-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 Immersion exposure apparatus and device manufacturing method
EP1796145A4 (en) 2004-08-30 2010-10-06 Nikon Corp Exposure device, operation decision method, substrate treatment system and maintenance management method, and device manufacturing method
US7623565B2 (en) 2004-09-20 2009-11-24 Cypress Semiconductor Corporation Method for providing packet framing in a communication system
KR101069821B1 (en) * 2004-10-15 2011-10-04 세메스 주식회사 Photolithography apparatus used in manufacturing semiconductor substrates
JP5154008B2 (en) * 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP2006310724A (en) 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing equipment and method
JP4381285B2 (en) 2004-11-11 2009-12-09 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP4926433B2 (en) 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP5154007B2 (en) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
KR100761576B1 (en) 2004-12-24 2007-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus
US7245348B2 (en) 2005-01-21 2007-07-17 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning
JP4356936B2 (en) 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method
JP4955977B2 (en) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method
JP4955976B2 (en) 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method
JP4459831B2 (en) 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
JP4414909B2 (en) 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
JP4414910B2 (en) 2005-02-17 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 The semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP4541931B2 (en) 2005-03-03 2010-09-08 株式会社日立国際電気 Manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus of a semiconductor device
JP2006253207A (en) 2005-03-08 2006-09-21 Sharp Corp Method of coating, method of manufacturing semiconductor device
JP4566035B2 (en) 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method
US7403260B2 (en) 2005-03-11 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
JP4685584B2 (en) 2005-03-11 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
JP4414921B2 (en) 2005-03-23 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and coating and developing method
US8353986B2 (en) 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4273423B2 (en) 2005-05-31 2009-06-03 株式会社ダイフク Transport equipment
JP4522329B2 (en) 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
KR100666355B1 (en) 2005-07-01 2007-01-11 세메스 주식회사 Semiconductor manufacturing equipment of multi-layer structure and method for processing of the same
JP4519037B2 (en) 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 Heating and coating, a developing device
JP4616731B2 (en) * 2005-09-01 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
JP4937559B2 (en) 2005-09-14 2012-05-23 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP4907937B2 (en) 2005-09-26 2012-04-04 株式会社日立国際電気 Adiabatic wall, the retaining structure of the heating element, the heating apparatus and a substrate processing apparatus
JP4450784B2 (en) * 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method
JP4542984B2 (en) 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer processing apparatus and fault tolerance method, and program for fault tolerance in the substrate transfer apparatus in the substrate conveying apparatus
JP4494332B2 (en) 2005-11-29 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 Rinsing method, developing apparatus, and a control program
JP4654119B2 (en) 2005-11-29 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and coating-developing method
JP2007184537A (en) 2005-12-07 2007-07-19 Canon Inc Exposure method and apparatus, device for applying resist to plural substrates, and device manufacturing method
JP4654120B2 (en) 2005-12-08 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and coating and developing method, and computer program
JP4704221B2 (en) 2006-01-26 2011-06-15 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP4781832B2 (en) 2006-02-01 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 A substrate processing system, the substrate processing apparatus, program and recording medium
JP5132108B2 (en) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP2007208064A (en) 2006-02-02 2007-08-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-treating device and substrate treatment method
JP2007240519A (en) * 2006-02-08 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for defect inspecting, and computer program
JP2007234882A (en) 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus, and substrate handling method
JP4816217B2 (en) 2006-04-14 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP4614455B2 (en) * 2006-04-19 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer processing apparatus
JP2007317987A (en) 2006-05-29 2007-12-06 Sokudo:Kk Substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR100949505B1 (en) 2006-06-05 2010-03-24 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus and method for photo
KR100784389B1 (en) * 2006-06-22 2007-12-11 삼성전자주식회사 Photo lithography system and method
US8220354B2 (en) 2006-06-28 2012-07-17 Genmark Automation, Inc. Belt-driven robot having extended Z-axis motion
JP2008034746A (en) 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd Coating and developing device, method therefor and storage medium
JP4772620B2 (en) 2006-08-11 2011-09-14 東京エレクトロン株式会社 Processing condition determining method and processing condition determining apparatus for immersion exposure coating film
JP2008072016A (en) 2006-09-15 2008-03-27 Tokyo Electron Ltd Liquid-treating apparatus, liquid-treating method, and storage medium
US8419341B2 (en) 2006-09-19 2013-04-16 Brooks Automation, Inc. Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm
JP4999415B2 (en) 2006-09-29 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 The utility supply method of the utility supply apparatus and a substrate processing apparatus of the substrate processing apparatus and a substrate processing method and substrate processing apparatus
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5023679B2 (en) 2006-12-05 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and method and storage medium
JP2008198879A (en) 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk Substrate processing apparatus
JP5149513B2 (en) 2007-02-15 2013-02-20 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
US7675048B2 (en) * 2007-03-06 2010-03-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer holding robot end effecter vertical position determination in ion implanter system
US20080224817A1 (en) 2007-03-15 2008-09-18 Sokudo Co., Ltd. Interlaced rtd sensor for zone/average temperature sensing
JP2008258208A (en) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd Coating and developing system and method thereof, and storage medium
JP4908304B2 (en) * 2007-04-27 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing method, substrate processing system and computer-readable storage medium
US8636458B2 (en) 2007-06-06 2014-01-28 Asml Netherlands B.V. Integrated post-exposure bake track
JP2007227984A (en) 2007-06-14 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
KR100904392B1 (en) 2007-06-18 2009-06-26 세메스 주식회사 Apparatus for processing a substrate
KR100897850B1 (en) 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 Apparatus for processing a substrate
US20090001071A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Sokudo Co., Ltd Method and System for Cooling a Bake Plate in a Track Lithography Tool
JP5006122B2 (en) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
US7801633B2 (en) 2007-07-10 2010-09-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Scheduling method and program for a substrate treating apparatus
JP2009021275A (en) 2007-07-10 2009-01-29 Sokudo:Kk Substrate treating equipment
US7641406B2 (en) 2007-07-26 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP5148944B2 (en) 2007-08-14 2013-02-20 大日本スクリーン製造株式会社 The substrate processing system
US7831135B2 (en) 2007-09-04 2010-11-09 Sokudo Co., Ltd. Method and system for controlling bake plate temperature in a semiconductor processing chamber
JP2009071235A (en) 2007-09-18 2009-04-02 Sokudo:Kk Substrate processing equipment
JP5065167B2 (en) 2007-09-20 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing system
JP5151383B2 (en) 2007-10-12 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, its method, and a storage medium
JP2009135169A (en) 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd Substrate processing system, and substrate processing method
JP5128918B2 (en) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5160204B2 (en) 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5318403B2 (en) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
KR100892756B1 (en) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for transferring substrate using the same
JP5001828B2 (en) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5344734B2 (en) 2007-12-28 2013-11-20 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5179170B2 (en) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5056582B2 (en) * 2008-05-22 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
US9214372B2 (en) 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
JP5225815B2 (en) 2008-11-19 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 Interface device, a method for transferring a substrate and a computer-readable storage medium
EP2389459B1 (en) 2009-01-21 2014-03-26 George Atanasoff Methods and systems for control of a surface modification process
JP4760919B2 (en) 2009-01-23 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus
US20100192844A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
JP5462506B2 (en) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Sokudo The substrate processing apparatus
JP5187274B2 (en) * 2009-05-28 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium
JP5443070B2 (en) * 2009-06-19 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 Imprint system
JP5060517B2 (en) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 Imprint system
WO2010150741A1 (en) * 2009-06-24 2010-12-29 東京エレクトロン株式会社 Imprint system, imprinting method, and computer storage medium
JP5050018B2 (en) * 2009-08-24 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus and a coating and developing method
JP5410212B2 (en) 2009-09-15 2014-02-05 株式会社Sokudo Substrate processing apparatus, a substrate processing system and testing peripheral aligner
JP5445006B2 (en) * 2009-10-05 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium
JP5736687B2 (en) 2009-10-06 2015-06-17 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP5168300B2 (en) 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 A substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP5246184B2 (en) * 2010-02-24 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium
JP5575507B2 (en) * 2010-03-02 2014-08-20 株式会社日立国際電気 The substrate processing apparatus, a substrate transfer method, manufacturing method, and maintenance method of a substrate processing apparatus of a semiconductor device
JP5408059B2 (en) 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP5479253B2 (en) * 2010-07-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a computer storage medium
JP5348083B2 (en) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
US9428336B2 (en) * 2010-07-28 2016-08-30 Par Systems, Inc. Robotic storage and retrieval systems
JP5223897B2 (en) * 2010-09-02 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method and a storage medium
JP5293719B2 (en) * 2010-10-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 Data acquisition method and a substrate for a sensor of a substrate processing apparatus
JP5616205B2 (en) * 2010-11-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 A substrate processing system, a substrate processing method, a program and a computer storage medium
US8612807B2 (en) 2011-01-12 2013-12-17 Ncr Corporation Entertainment kiosk error handling and troubleshooting method
JP5883232B2 (en) 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 The substrate processing apparatus
JP5821689B2 (en) * 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium
US9405194B2 (en) 2012-11-30 2016-08-02 Semes Co., Ltd. Facility and method for treating substrate

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