JP5235113B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機材料等の表示組成物を含む複数の表示素子を備えた表示装置の製造方法に関する。

近年、有機ＥＬディスプレイやエレクトロクロミックディスプレイなどのような薄型の表示装置の開発が盛んに行われている。このような表示装置は、例えば非特許文献１に記載のように、一対の電極とその一対の電極の間に挿入され、その一対の電極間に電圧が印加されると発光し又は呈色変化する物質である表示用組成物からなる表示素子を複数備えている。また、各表示素子には、自身の表用組成物と他の表示素子の表示用組成物との間を絶縁する隔壁を備えている。

その製造方法は、（Ｉ）先ず基板上に、上記一対の電極の一方（第１電極）を形成する。（ＩＩ）次いで、その第１電極を覆うようにＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））などのような材質を用いて絶縁層を形成する。（ＩＩＩ）次いで、この絶縁層を溶解する溶媒と表示用組成物を含有したインク溶液を、絶縁層上の第１電極に対向する位置に滴下させる（以下、インク溶液を滴下する方法をインクジェット法と言う。）。そして、滴下されたインク溶液に含有されている上記溶媒の作用によって、インク溶液が第１電極に到達するまで絶縁層が溶解されていく。その結果、上記隔壁を形成することができる。（ＩＶ）次いで、第１電極に到達したインク溶液に対して、そのインク溶液に含有されている上記溶媒を蒸発させ、残った表示用組成物を第１電極に電気的に接触させる。（Ｖ）その後、表示用組成物及び隔壁と予めフィルム状に形成された他方の電極（第２電極）とを熱によって圧着させることによって接合させる。

このようにして製造された表示装置は、第１電極と第２電極の間に所定の電圧を印加することによって、表示用組成物が発光し又は呈色変化する。そして、各表示素子について、第１電極と第２電極の間に所定の電圧を印加するか否かを制御することによって、様々な像を表示させることができる。

このように、非特許文献１に記載の方法で表示装置を製造することによって、複数の表示用組成物と隔壁とを略同時に形成できる。その結果、表示装置の製造時間を短縮できるとともに、複雑な光露光、エッチングプロセスを経ずに隔壁を形成できるのでコストを削減できる。また、フィルム状の第２電極を予め形成しておき、その第２電極を熱によって圧着させることによって、表示用組成物及び隔壁に接合させているので、簡易に第２電極と表示用組成物及び隔壁とを接合させることができる。その結果、コストを削減できる。
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．４７、Ｎｏ．１、２００８、ｐｐ．４７２−４７５

ところで、上記（ＩＶ）の工程が実行されると、他方の電極が形成される面である表示用組成物及び隔壁とからなる面において、表示用組成物における面と隔壁における面とに段差が生じる。すなわち、表示用組成物及び隔壁とからなる面は、平らになっていない。その結果、表示用組成物及び隔壁とからなる面と第２電極との接合が不良になりやすく、その接合が不良になった場合、良好に像を表示させることができないという問題点がある。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、表示組成物を含む複数の表示素子を備えた表示装置の製造方法において、良好に像を表示させることができる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、請求項１の表示装置の製造方法は、第１電極と、その第１電極と離間して、且つ対向して位置する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挿入され、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加された場合、前記第１電極から供給される電荷である第１電極供給電荷及び前記第２電極から供給される電荷である第２電極供給電荷によって、発光し又は呈色変化する物質である表示用組成物とを有する表示素子を複数備え、さらに、前記各表示素子の前記表示用組成物と他の前記表示素子の前記表示組成物との間を絶縁する隔壁を備えた表示装置の製造方法であって、基板上に前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１電極形成工程において形成された前記第１電極を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の前記第１電極に対向する位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒及び前記表示用組成物を含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第１電極と接触するように前記表示用組成物を形成すると共に、前記表示用組成物が前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である前記隔壁によって取り囲まれる部位内に収まるように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、前記表示用組成物形成工程において形成した前記表示用組成物及び前記隔壁の上に、前記第２電極供給電荷を前記表示用組成物に注入する電荷注入層を塗布する工程であって、その塗布後の前記電荷注入層において、前記表示用組成物及び前記隔壁に接する側と反対側の面が、前記表示用組成物及び前記隔壁とからなる面より平らになっている電荷注入層塗布工程と、前記電荷注入層塗布工程において塗布された前記電荷注入層に予めフィルム状に形成された前記第２電極を熱によって圧着して、前記第２電極を前記電荷注入層と接合させる第２電極接合工程とを備えることを特徴とする。

また、請求項２に記載の表示装置の製造方法は、請求項１に記載の発明の構成に加え、前記絶縁層形成工程によって形成される前記絶縁層は、半キュアー状態であることを特徴とする。
また、請求項３に記載の表示装置の製造方法は、請求項１又は２に記載の発明の構成に加え、前記表示素子が有する表示用組成物は、前記呈色変化する物質であることを特徴とする。
また、請求項４の表示装置の製造方法は、請求項１から３のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記第１電極は、前記第１電極供給電荷としてホールを前記表示用組成物に供給するＩＴＯ又はＰＥＤＯＴであり、前記電荷注入層は、オキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウム錯体のいずれかであり、前記第２電極は、前記第２電極供給電荷として電子を前記表示用組成物に供給する電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかの層を形成する電子供給金属層形成工程と、その電子供給金属膜形成工程において形成された前記電子供給金属の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層を形成する表面被覆絶縁層形成工程とを経て、予めフィルム状に形成されていることを特徴とする。

また、請求項５の表示装置の製造方法は、請求項１から３のいずれかに記載の構成に加え、前記第１電極形成工程は、前記第１電極供給電荷として電子を前記表示用組成物に供給する電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかの層を前記基板上に形成する電子供給金属層形成工程と、その電子供給金属層形成工程において形成された前記電子供給金属の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層を形成する表面被覆絶縁層形成工程とを有し、前記電荷注入層は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）であり、前記第２電極は、前記第２電極供給電荷としてホールを前記表示用組成物に供給するＩＴＯ又はＰＥＤＯＴであることを特徴とする。

請求項１の表示装置の製造方法によれば、先ず、第１電極形成工程において、基板上に第１電極が形成される。次いで、絶縁層形成工程において、第１電極形成工程において形成された第１電極を覆う絶縁層が形成される。次いで、インク溶液塗布工程において、絶縁層形成工程において形成された絶縁層上の第１電極に対向する位置に、絶縁層を溶解する溶媒及び表示用組成物を含有するインク溶液が塗布される。次いで、表示用組成物形成工程において、インク溶液塗布工程において塗布されたインク溶液が絶縁層を溶解した後に、インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、第１電極と接触するように表示用組成物が形成される。次いで、電荷注入層塗布工程において、表示用組成物及び隔壁の上に、第２電極供給電荷を表示用組成物に注入する電荷注入層が形成される。この際、その電荷注入層の、表示用組成物及び隔壁に接する側と反対側の面が、表示用組成物及び隔壁とからなる面より平らになるように、電荷注入層が塗布される。その後、第２電極接合工程において、電荷注入層塗布工程において塗布された電荷注入層に予めフィルム状に形成された第２電極を熱によって圧着して、第２電極が電荷注入層と接合される。

このように、第２電極は、表示用組成物及び隔壁とからなる面より平らな面を有する電荷注入層と接合されるので、表示用組成物及び隔壁とからなる面と第２電極とが接合される場合よりも、第２電極と電荷注入層とは良好に接合される。これにより、良好に像を表示させることができる。

なお、電荷注入層は、第２電極供給電荷を表示用組成物に注入するので、電荷注入層を第２電極と表示用組成物との間に挿入することによって、表示用組成物が発光し又は呈色変化することの妨げにはならない。

また、請求項４の表示装置の製造方法によれば、第１電極は、第１電極供給電荷としてホールを表示用組成物に供給する。また、電荷注入層は、オキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウム錯体のいずれかである。また、第２電極は、第２電極供給電荷として電子を良好に表示用組成物に供給する電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかの膜を形成する電子供給金属膜形成工程と、その電子供給金属膜形成工程において形成された電子供給金属の膜の表面を覆う絶縁膜である表面被覆絶縁膜を形成する表面被覆絶縁膜形成工程とを経て、予めフィルム状に形成されている。

これにより、請求項４の表示装置の製造方法によれば、電荷注入層としてオキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウム錯体のいずれかを用いて、第２電極の電子供給金属としてアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかを用いることにより、電荷注入層と第２電極の電子供給金属とは良好に接合する。また、電荷注入層であるオキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウムは、第２電極の電子供給金属から供給される電子を表示用組成物に注入する材料として適している。さらに、第１電極であるＩＴＯ又はＰＥＤＯＴは仕事関数が大きいので、ホールを良好に表示組成物に供給することができる。反対に、第２電極の電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａは、仕事関数が小さいので、電子を良好に表示組成物に供給することができる。その結果、表示組成物を良好に発光させ、又は呈色変化させることができる。なお、第２電極の電子供給金属は、真空中若しくは不活性ガス中でないと還元する虞があるが、電子供給金属の表面には表面被覆絶縁膜で覆われているので、フィルム状の第２電極の取り扱いは容易である。

また、請求項５の表示装置の製造方法によれば、第１電極を構成する電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａは、第１電極供給電荷として電子を良好に表示用組成物に供給する。このように、電子供給金属は電子を良好に表示用組成物に供給するので、電子供給金属の仕事関数は小さい。したがって、電子供給金属は、真空中若しくは不活性ガス中でないと還元する虞があるが、電子供給金属の表面には表面被覆絶縁膜で覆われているので、第１電極形成工程後の工程を、真空中若しくは不活性ガス中で行う必要がない。よって、真空状態を作る真空装置や不活性ガスを密閉する密閉装置が必要でないので、大きな表示装置を製造することができ、また、低コストで表示装置を製造することができる。また、電荷注入層としてＰＥＤＯＴを用いて、第２電極としてＩＴＯ又はＰＥＤＯＴを用いることにより、電荷注入層と第２電極とは良好に接合する。上述したように、第１電極の電子供給金属は、電子を良好に表示用組成物に供給することができる。反対に第２電極であるＩＴＯ又はＰＥＤＯＴはホールを良好に表示用組成物に供給することができる。また、電荷注入層であるＰＥＤＯＴは、第２電極であるＩＴＯ又はＰＥＤＯＴから供給されるホールを表示用組成物に注入する材料として適している。したがって、表示組成物を良好に発光させ、又は呈色変化させることができる。

（第１実施形態）
以下、本発明に係る表示装置の製造方法の第１実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、表示装置として、有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。

まず、有機ＥＬディスプレイ１の全体構成を図１を用いて説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、ガラス基板１０と、そのガラス基板１０上に配置された有機ＥＬ素子１１（表示素子）、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及び封止層１６を備えている。

上記有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１０の中央部に形成されており、碁盤の目状に、１５の画素に分割されている。それぞれの画素は、発光層１１ｃ（表示用組成物）と、その発光層１１ｃを上下から挟む陽極（ＩＴＯ（インジウムチタンオキサイド）１１ａ）及び電荷注入層１１ｅと、その電荷注入層１１ｅと接合する陰極１１ｆとを備えている。

有機ＥＬ素子１１について、陽極ＩＴＯ１１ａと陰極１１ｆとの間に直流電圧をかけると、陽極ＩＴＯ１１ａ（第１電極）からホール（第１電極供給電荷）が発光層１１ｃに供給され、陰極１１ｆ（第２電極）から電子（第２電極供給電荷）が発光層１１ｃに供給される。そして、陽極ＩＴＯ１１ａから供給されたホールと、陰極１１ｆから供給された電子とが発光層１１ｃで再結合する。この際、発光層１１ｃは発光し、ガラス基板１０を透過して、下方（図１における下方）に光を照射する。一方、陽極（ＩＴＯ１１ａ）と陰極１１ｆとの間の電圧がＯＦＦの時には消光する。また、電子注入層１１ｅは、陰極１１ｆから供給される電子を効率よく発光層１１ｃに注入する役割を担っているとともに、発光層１１ｃ及び後述する隔壁とからなる面と陰極１１ｆとを良好に接合させる役割を担っている。

上記電流駆動ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１１の個々の画素ごとに１個ずつ設けられており、対応する画素への電流供給を制御するスイッチとして作用する。上記水平駆動回路１３及び上記垂直駆動回路１４は、各画素に対応する電流駆動ＴＦＴ１２を、オン又はオフとすることにより、各画素の独立発光及び消灯制御を行う。上記封止層１６は、有機ＥＬ素子１１、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、Ｐ−ＳｉＴＦＴ１５を上から覆い、保護するものである。

次に、上記電流駆動ＴＦＴ１２について、図１、図２、及び図３を用いて説明する。有機ＥＬディスプレイ１には、図１に示す様に、有機ＥＬ素子１１の１画素ごとに、電流駆動ＴＦＴ１２が設けられている。この電流駆動ＴＦＴ１２は、図２に示す様に、有機ＥＬ素子１１の個々の画素への電流の供給を制御するスイッチとして機能する。

この電流駆動ＴＦＴ１２の構成を、図３の等価回路を用いて説明する。なお、図３は、６個の画素についての繰り返し図である。電流駆動ＴＦＴ１２は、図３に示す様に、垂直駆動回路１４に接続したデータ線１２ｆ、水平駆動回路１３に接続した走査線１２ｅ、走査線１２ｅを介して走査信号が、そのゲート電極に供給されるメモリーＴＦＴ１２ｂ、メモリーＴＦＴ１２ｂを介してデータ線１２ｆから電荷（画像信号）を供給され、保持するコンデンサ１２ｃ、コンデンサ１２ｃにより保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動ＴＦＴ１２ａを備えており、有機ＥＬ素子の陽極（ＩＴＯ１１ａ）には、駆動ＴＦＴ１２ａを介して電源線１２ｄから駆動電流が流れ込む。

この電流駆動ＴＦＴ１２では、水平駆動回路１３によって走査線１２ｅがオンになり、垂直駆動回路１４によってデータ線１２ｆがオンになると、メモリーＴＦＴ１２ｂが作動し、コンデンサ１２ｃに電荷が蓄積される。この電荷に相当する時間だけ駆動ＴＦＴ１２ａが作動し、電源線 １２ｄから、駆動ＴＦＴ１２ａ、陽極（ＩＴＯ１１ａ）、発光層１１ｃ及び電子注入層１１ｅを介して、陰極１１ｆへ電流が流れ、その電流駆動ＴＦＴ１２に対応する画素が発光する。

一方、水平駆動回路１３によって走査線１２ｄがオフとなるか、垂直駆動回路１４によってデータ線１２ｅがオフとなった場合には、メモリーＴＦＴ１２ｂが作動せず、発光層１１ｃには電流が流れないので、その電流駆動ＴＦＴ１２に対応する画素は消光する。

次に、有機ＥＬディスプレイ１の製造方法を図４〜図６を用いて説明する。なお、図４は、有機ＥＬ素子１１のフィルム状の陰極１１ｆの製造方法を示したフローチャートであり、図５は、有機ＥＬディスプレイ１のうち、有機ＥＬ素子１１の部分のみの製造工程を示したフローチャートであり、図６は、図５の各工程における有機ＥＬ素子１１を示した外観図である。したがって、ここでは、特に、要部である有機ＥＬ素子１１の製造方法を説明する。先ず、フィルム状の陰極１１ｆの製造方法について図４を参照して説明する。このフィルム状の陰極１１ｆを、図５のＳ１８の工程の前に予め形成しておく。

（フィルム状の陰極１１ｆの製造プロセス）
先ず、Ｓ１０１では、基板上に蒸着によってＡｌ／ＬｉＦの層を形成し、これを電子供給金属１１ｆ１の層とする。この電子供給金属１１ｆ１は電子を良好に発光層１１ｃに供給する金属であり、そのため電子供給金属１１ｆ１の仕事関数は小さい。したがって、電子供給金属１１ｆ１は、真空中若しくは不活性ガス中でないと還元する虞がある。なお、電子供給金属１１ｆ１の層であるＡｌ層と、ＬｉＦ層の厚みは、それぞれ、例示として１０００Å、１０Åとし、連続的に積層する。なお、Ａｌ／ＬｉＦの代わりに、Ａｌ、ＬｉＦ、Ａｌ／Ｃａ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかで電子供給金属１１ｆ１の層を形成してもよい。

次いで、Ｓ１０２では、マスク真空蒸着により、Ｓ１０１で形成した電子供給金属１１ｆ１の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層１１ｆ２を形成する。この表面被覆絶縁層１１ｆ２の厚みは、電子供給金属１１ｆ１が還元しない程度の薄い厚さにする。なお、電子供給金属１１ｆ１の層及び表面被覆絶縁層１１ｆ２からなるフィルムを基板から剥がすと、フィルム状の陰極１１ｆ（第２電極）となる。このように、電子供給金属１１ｆ１の層の表面を表面被覆絶縁層１１ｆ２で覆うことにより、フィルム状の陰極１１ｆの取り扱いが容易になる。なお、表面被覆絶縁層１１ｆ２の厚みは薄いので、表面被覆絶縁膜１１ｆ２は、電子供給金属１１ｆ１が発光層１１ｃに電子を供給する妨げにはならない。また、後述する図５のＳ１８の工程の前に、フィルム状の陰極１１ｆを予め形成しておく。

（有機ＥＬ素子１１の製造プロセス）
続いて、有機ＥＬディスプレイ１のうち、有機ＥＬ素子１１の部分のみの製造工程について、図５のフローチャート及び図６を参照して説明する。

先ず、Ｓ１１では、ガラス基板１０上に、ＩＴＯ１１ａを１５０ｎｍの厚みで蒸着し、陽極を成膜する（図６（ａ）参照）。このＩＴＯ１１ａの表面抵抗は５００〜６００μΩ／ｃｍであり、光透過率は８１％であった。

次いで、Ｓ１２では、Ｓ１１で成膜したＩＴＯ１１ａ上に、露光用のレジストをスピンコートにより塗布し、所望の電極パターンをマスク露光する。その後、濃硝酸と濃塩酸の混合液である王水を用いたエッチングにより、露光されていない部分のレジスト及びＩＴＯ１１ａを取り除き、所望の電極パターンを形成する（図６（ｂ）参照）。

次いで、Ｓ１３では、ＩＴＯ１１ａ表面を、中性洗剤洗浄、アセトン洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、及びＵＶオゾン洗浄により順次洗浄する。なお、これらの洗浄の目的は、(ｉ)ＩＴＯ１１ａ上の汚れを除去すること、(ｉｉ)ＩＴＯ１１ａ表面の酸素欠陥を減らし、ホール注入障壁を低下させること、である。中でも、ＵＶオゾン洗浄は、湿式洗浄ではとれない有機物の汚れを除去することができる。

次いで、Ｓ１４では、ガラス基板１０上の、有機ＥＬ素子１１を形成する部分全体に、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて、ＰＶＫから成る絶縁層１１ｂを形成する（図６（ｃ）参照）。絶縁層１１ｂの厚みは、ＩＴＯ１１ａ間の絶縁を保持できる厚みであればよく、薄い方が、インクジェットの液滴径（ドロップ径）を考えると、高分解能、高画質の点で好ましい。また、絶縁層１１ｂは、後述する工程において溶解させるので、半キュアー状態（完全に硬化していない状態）が望ましい。

また、有機ＥＬ膜（表示用組成物）の成分及び炭化水素系溶媒から成るインク２１（インク溶液）を予め調製しておく。具体的には、以下の成分を、それぞれ対応する重量比で混合することにより調製する。

ホール輸送性ポリマーである、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子化合物（ＰＶＫ）：１６重量比
電子輸送材料（ＢＮＤ）：４重量比
発光中心形成化合物（ＴＰＢ）：１重量比
炭化水素系溶媒（テトラリン）：インク２１において、ＰＶＫ、ＢＮＤ、及びＴＰＢの合計濃度が２％ｗｔとなる重量比

上記インク２１の粘度は、１×１０-3〜１×１０Ｐａ・ｓとすることができるが、このうち、５×１０-3〜１．５×１０-2Ｐａ・ｓの範囲にあることが、インクジェット法を用いてインク２１を吐出する際のドロップ径を制御する上で望ましい。また、上記インク２１の表面張力は、２０〜５０ｍＮ／ｍの範囲にあることが、インクジェット法によるインクの吐出の際の飛行曲がりを抑えることができるので好ましい。

次いで、Ｓ１５では、調製したインク２１を、インクジェットヘッド３０を用い、絶縁層１１ｂ上において、所望の電極パターンに形成されたＩＴＯ１１ａ（第１電極）に対向する位置の、画素を形成するべき１５カ所に、選択的に塗布する（図６（ｄ）参照）。このインクジェットヘッド３０は、図７に示す様に、圧電素子３０ａを備えた圧電素子方式のインクジェットヘッドであり、ドライバー３０ｃからの信号に応じて、インクジェットヘッド本体３０ｄに形成したオリフィス３０ｂから、インク２１のドロップを吐出する。吐出の駆動周波数は１ＫＨｚとし、ドロップ１個の液適量を５０μｌとする。インク２１が塗布された場所では、塗布されたインク中に含まれる溶媒により、絶縁層１１ｂが溶解し、インク２１はＩＴＯ１１ａに達する（図６ｅ参照）。

次いで、Ｓ１６では、５０〜６０℃で３０分間乾燥させることにより、インク２１中の溶媒を蒸発させ、インク２１の不揮発成分である表示用組成物を、ＩＴＯ１１ａと電気的接合を持った状態で固化させる。この固化させた表示用組成物を発光層１１ｃとする。

なお、固化した１５カ所の発光層１１ｃは、それぞれが、１画素に対応する。この時、図６ｅに示すように、インク２１により溶解された絶縁層１１ｂは、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析し、インク２１に含まれていた表示用組成物は、インク２１を滴下した部分の中央において固化する。この理由としては、インク２１に含まれる溶媒に対する溶解度において、表示用組成物の方が、絶縁層１１ｂよりも大きいことが考えられる。

また、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１ｂは、溶解されずに残り、発光層１１ｃを隔てる隔壁１１ｄとなる。また、上述したように、インク２１により溶解された絶縁層１１ｂが、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析することから、発光層１１ｃと隔壁１１ｄとからなる面は凹凸となっている。

次いで、Ｓ１７では、オキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウム錯体のいずれかである電子注入層１１ｅを、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて塗布することによって形成する（図６（ｆ）参照）。この際、塗布後の電子注入層１１ｅにおいて、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄに接する側と反対側の面が、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄからなる面より平らになるように、電子注入層１１ｅを塗布する。

次いで、Ｓ１８では、約１５０℃に加熱されたローラ２００を用いて、図４のＳ１０１及びＳ１０２にて形成したフィルム状の陰極１１ｆを電子注入層１１ｅに熱によって圧着して、陰極１１ｆと電子注入層１１ｅとを接合させる（図６（ｇ）参照）。ここで、電子注入層１１ｅの表面は平らとなっているので、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄに接合させて陰極を形成する場合よりも、電子注入層１１ｅに接合させて陰極１１ｆを形成するほうが、電子注入層１１ｅと陰極１１ｆは良好に接合する。

上記のようにして有機ＥＬ素子１１をガラス基板１０の中心部に形成するとともに、ガラス基板１０の周辺部に、水平駆動回路１３及び垂直駆動回路１４を形成する。さらには、封止層１６により、有機ＥＬ素子１１、水平駆動回路１３及び垂直駆動回路１４を覆うことにより、有機ＥＬディスプレイ１を完成する。

この封止層１６は、ガラス板から成り、その下面（図１における下面）には、有機ＥＬ素子１１との間に、０．３〜０．５ｍｍの隙間が生じるように、乾燥剤が取り付けられている。封止層１６を取り付ける際には、その隙間に、窒素ガスを封入する。

以上、本実施形態の表示装置の製造方法によれば、表示用組成物及び溶媒を含むインク２１を、画素を形成すべき場所に塗布することにより、発光層１１ｃの形成と、発光層１１ｃを隔てる隔壁１１ｄの形成とを、同時に行うことができる。つまり、インク２１を塗布した部分においては、インク２１に含まれる溶媒が絶縁層１１ｂを溶解し、発光層１１ｃが形成され、インク２１が塗布されない部分では、絶縁層１１ｂが残存し、画素間を隔てる隔壁１１ｄとなる。そのため、従来の有機ＥＬ素子の製造方法のように、有機ＥＬ膜間の隔壁を形成するために、露光、エッチング等の独立した工程を行う必要がない。よって、製造工程を短縮することができ、製造コストを低くすることができる。

また、インクジェットヘッド３０として、圧電素子方式を用いることにより、バブルジェット（登録商標）方式のように、インク吐出のための熱源がないので、インク材料の劣化が起こらないこと、インク２１の溶媒の選択範囲が広いこと、吐出するインク２１の液滴量の制御がしやすいこと、駆動周波数を高くできること、耐久性が高いこと、という利点が得られる。

また、陰極１１ｆは、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄとからなる面より平らな面を有する電子注入層１１ｅ上に形成されるので、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄとからなる面と陰極１１ｆとが接合される場合よりも、陰極１１ｆと電子注入層１１ｅとは良好に接合される。これにより、良好に像を表示させることができる。なお、電子注入層１１ｅは、電子を発光層１１ｃに注入するので、電子注入層を陰極１１ｆと発光層１１ｃとの間に挿入することによって、発光層１１ｃが発光し又は呈色変化することの妨げにはならない。

また、電子注入層１１ｅであるオキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウムは、陰極１１ｆであるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかから供給される電子を発光層１１ｃに注入する材料として適している。さらに、陽極１１ａであるＩＴＯは、仕事関数が大きいので、ホールを良好に発光層１１ｃに供給することができる。反対に、陰極１１ｆであるＡｌ／ＬｉＦは、仕事関数が小さいので、電子を良好に発光層１１ｃに供給することができる。その結果、発光層１１ｃを良好に発光させることができる。

また、陰極１１ｆの電子供給金属１１ｆ１は、真空中若しくは不活性ガス中でないと還元する虞があるが、電子供給金属１１ｆ１の層の表面には表面被覆絶縁膜１１ｆ２で覆われているので、フィルム状の陰極１１ｆの取り扱いは容易である。

（第２実施形態）
続いて、本発明に係る表示装置の製造方法の第２実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、表示装置として、第１実施形態と同様に有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。なお、第１実施形態では、最初に陽極（ＩＴＯ１１ａ）を形成して（図５ Ｓ１１〜Ｓ１３）、最後に陰極１１ｆを接合していたが（図５ Ｓ１８）、本実施形態では、最初に陰極を形成して、最後に陽極を接合する製造方法である。以下、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。

まず、有機ＥＬディスプレイ２の全体構成を図８を用いて説明する。なお、第１実施形態と同じ機能を有するものには同じ符号を付している。有機ＥＬディスプレイ２は、ガラス基板５０と、そのガラス基板５０上に配置された有機ＥＬ素子５１（表示素子）、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及びガラス板である封止層１６を備えている。

上記有機ＥＬ素子５１は、ガラス基板５０の中央部に形成されており、碁盤の目状に、１５の画素に分割されている。それぞれの画素は、発光層１１ｃ（表示用組成物）と、その発光層１１ｃを上下から挟む陰極５１ａ及びホール注入層５１ｅと、その電荷注入層５１ｅと接合する陽極５１ｆ（ＩＴＯ）とを備えている。

有機ＥＬ素子５１について、陽極５１ｆと陰極５１ａとの間に直流電圧をかけると、陽極５１ｆ（第２電極）からホール（第２電極供給電荷）が発光層１１ｃに供給され、陰極５１ａ（第１電極）から電子（第１電極供給電荷）が発光層１１ｃに供給される。そして、陽極５１ｆから供給されたホールと、陰極５１ａから供給された電子とが発光層１１ｃで再結合する。この際、発光層１１ｃは発光し、封止層１６を透過して、上方（図７における上方）に光を照射する。一方、陽極ＩＴＯ５１ｆと陰極５１ａとの間の電圧がＯＦＦの時には消光する。また、ホール注入層５１ｅは、陽極５１ｆから供給されるホールを効率よく発光層１１ｃに注入する役割を担っているとともに、発光層１１ｃ及び後述する隔壁とからなる面と陽極５１ｆとを良好に接合させる役割を担っている。

なお、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４は第１実施形態と同じなので、説明を省略する。

次に、有機ＥＬディスプレイ２の製造方法を図９及び図１０を用いて説明する。なお、図９は、有機ＥＬディスプレイ２のうち、有機ＥＬ素子５１の部分のみの製造工程を示したフローチャートであり、図１０は、図９の各工程における有機ＥＬ素子５１を示した外観図である。したがって、ここでは、特に、要部である有機ＥＬ素子５１の製造方法を説明する。

（フィルム状の陽極５１ｆの製造プロセス）
ここで、後述する図９のＳ２８の工程を行う前に、予めフィルム状の陽極５１ｆを形成しておく。具体的には、基板上に、ＩＴＯを１５０ｎｍの厚みで蒸着し、そのフィルム状のＩＴＯを基板から剥がすと、フィルム状の陽極５１ｆ（第２電極）となる。

（有機ＥＬ素子５１の製造プロセス）
先ず、Ｓ２１では、マスク真空蒸着により、Ａｌ／ＬｉＦの層を形成し、これを電子供給金属５１ａ１の層とする（図１０（ａ）参照）。この電子供給金属５１ａ１は電子を良好に発光層１１ｃに供給する金属であり、そのため電子供給金属５１ａ１の仕事関数は小さい。したがって、電子供給金属５１ａ１は、真空中若しくは不活性ガス中でないと還元する虞がある。なお、電子供給金属５１ａ１の層であるＡｌ層と、ＬｉＦ層の厚みは、それぞれ、例示として１０００Å、１０Åとし、連続的に積層する。なお、Ａｌ／ＬｉＦの代わりに、Ａｌ、ＬｉＦ、Ａｌ／Ｃａ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかで電子供給金属５１ａ１の層を形成してもよい。

次いで、Ｓ２２では、マスク真空蒸着により、Ｓ２１で形成した電子供給金属５１ａ１の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層５１ａ２を形成する（図１０（ｂ）参照）。この表面被覆絶縁層５１ａ２の厚みは、電子供給金属５１ａ１が還元しない程度の薄い厚さにする。なお、電子供給金属５１ａ１の層及び表面被覆絶縁層５１ａ２を陰極５１ａ（第１電極）とする。このように、電子供給金属５１ａ１の層の表面を表面被覆絶縁層５１ａ２で覆うことにより、以下に示す工程を、真空中若しくは不活性ガス中で行う必要がない。なお、表面被覆絶縁層５１ａ２の厚みは薄いので、表面被覆絶縁膜５１ａ２は、電子供給金属５１ａ１が発光層１１ｃに電子を供給する妨げにはならない。

次いで、Ｓ２３では、Ｓ２１及びＳ２２で形成した陰極５１ａ上に、露光用のレジストをスピンコートにより塗布し、所望の電極パターンをマスク露光する。その後、濃硝酸と濃塩酸の混合液である王水を用いたエッチングにより、露光されていない部分のレジスト及び陰極５１ａを取り除き、所望の電極パターンを形成する（図１０（ｃ）参照）。

次いで、Ｓ２４では、ガラス基板５０上の、有機ＥＬ素子５１を形成する部分全体に、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて、ＰＶＫから成る絶縁層１１ｂを形成する（図１０（ｄ）参照）。絶縁層１１ｂの厚みは、陰極５１ａ間の絶縁を保持できる厚みであればよく、薄い方が、インクジェットの液滴径（ドロップ径）を考えると、高分解能、高画質の点で好ましい。また、絶縁層１１ｂは、後述する工程において溶解させるので、半キュアー状態（完全に硬化していない状態）が望ましい。

また、有機ＥＬ膜（表示用組成物）の成分及び炭化水素系溶媒から成る第１実施形態と同じインク２１（インク溶液）を予め調製しておく。

次いで、Ｓ２５では、調製したインク２１を、インクジェットヘッド３０を用い、絶縁層１１ｂ上において、所望の電極パターンに形成された陰極５１ａ（第１電極）に対向する位置の、画素を形成するべき１５カ所に、選択的に塗布する（図１０（ｅ）参照）。このインクジェットヘッド３０は、図７に示す様に、圧電素子３０ａを備えた圧電素子方式のインクジェットヘッドであり、ドライバー３０ｃからの信号に応じて、インクジェットヘッド本体３０ｄに形成したオリフィス３０ｂから、インク２１のドロップを吐出する。吐出の駆動周波数は１ＫＨｚとし、ドロップ１個の液適量を５０μｌとする。インク２１が塗布された場所では、塗布されたインク中に含まれる溶媒により、絶縁層１１ｂが溶解し、インク２１は陰極５１ａに達する（図１０ｆ参照）。

次いで、Ｓ２６では、５０〜６０℃で３０分間乾燥させることにより、インク２１中の溶媒を蒸発させ、インク２１の不揮発成分である表示用組成物を、陰極５１ａと電気的接合を持った状態で固化させる。この固化させた表示用組成物を発光層１１ｃとする。

なお、固化した１５カ所の発光層１１ｃは、それぞれが、１画素に対応する。この時、図１０（ｆ）に示すように、インク２１により溶解された絶縁層１１ｂは、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析し、インク２１に含まれていた表示用組成物は、インク２１を滴下した部分の中央において固化する。この理由としては、インク２１に含まれる溶媒に対する溶解度において、表示用組成物の方が、絶縁層１１ｂよりも大きいことが考えられる。

また、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１ｂは、溶解されずに残り、発光層１１ｃを隔てる隔壁１１ｄとなる。また、上述したように、インク２１により溶解された絶縁層１１ｂが、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析することから、発光層１１ｃと隔壁１１ｄとからなる面は凹凸となっている。

次いで、Ｓ２７では、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて塗布することによってホール注入層５１ｅを形成する（図１０（ｇ）参照）。この際、塗布後のホール注入層１１ｅにおいて、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄに接する側と反対側の面が、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄからなる面より平らになるように、ホール注入層５１ｅを塗布する。

次いで、Ｓ２８では、約１５０℃に加熱されたローラ２００を用いて、予め形成したフィルム状の陽極５１ｆをホール注入層５１ｅに熱によって圧着して、陽極５１ｆとホール注入層５１ｅとを接合させる（図１０（ｇ）参照）。ここで、ホール注入層５１ｅの表面は平らとなっているので、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄに接合させて陽極を形成する場合よりも、ホール注入層５１ｅに接合させて陽極５１ｆを形成するほうが、ホール注入層５１ｅと陽極５１ｆは良好に接合する。なお、ＩＴＯの代わりに、ＰＥＤＯＴで陽極５１ｆを形成してもよい。

上記のようにして有機ＥＬ素子５１をガラス基板５０の中心部に形成するとともに、ガラス基板５０の周辺部に、水平駆動回路１３及び垂直駆動回路１４を形成する。さらには、封止層１６により、有機ＥＬ素子５１、水平駆動回路１３及び垂直駆動回路１４を覆うことにより、有機ＥＬディスプレイ２を完成する。

この封止層１６は、ガラス板から成り、その下面（図８における下面）には、有機ＥＬ素子５１との間に、０．３〜０．５ｍｍの隙間が生じるように、乾燥剤が取り付けられている。封止層１６を取り付ける際には、その隙間に、窒素ガスを封入する。

以上、本実施形態の表示装置の製造方法によれば、表示用組成物及び溶媒を含むインク２１を、画素を形成すべき場所に塗布することにより、発光層１１ｃの形成と、発光層１１ｃを隔てる隔壁１１ｄの形成とを、同時に行うことができる。つまり、インク２１を塗布した部分においては、インク２１に含まれる溶媒が絶縁層１１ｂを溶解し、発光層１１ｃが形成され、インク２１が塗布されない部分では、絶縁層１１ｂが残存し、画素間を隔てる隔壁１１ｄとなる。そのため、従来の有機ＥＬ素子の製造方法のように、有機ＥＬ膜間の隔壁を形成するために、露光、エッチング等の独立した工程を行う必要がない。よって、製造工程を短縮することができ、製造コストを低くすることができる。

また、インクジェットヘッド３０として、圧電素子方式を用いることにより、バブルジェット（登録商標）方式のように、インク吐出のための熱源がないので、インク材料の劣化が起こらないこと、インク２１の溶媒の選択範囲が広いこと、吐出するインク２１の液滴量の制御がしやすいこと、駆動周波数を高くできること、耐久性が高いこと、という利点が得られる。

また、陽極５１ｆは、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄとからなる面より平らな面を有するホール注入層５１ｅ上に形成されるので、発光層１１ｃ及び隔壁１１ｄとからなる面と陽極５１ｆとが接合される場合よりも、陽極５１ｆとホール注入層５１ｅとは良好に接合される。これにより、良好に像を表示させることができる。

また、ホール注入層５１ｅであるＰＥＤＯＴは、陽極５１ｆであるＩＴＯから供給されるホールを発光層１１ｃに注入する材料として適している。さらに、陰極５１ａであるＡｌ／ＬｉＦは、仕事関数が小さいので、電子を良好に発光層１１ｃに供給することができる。反対に陽極５１ｆであるＩＴＯは、仕事関数が大きいので、ホールを良好に発光層１１ｃに供給することができる。その結果、発光層１１ｃにおいて良好に発光させることができる。

また、電子供給金属５１ａ１の表面には表面被覆絶縁膜５１ａ２で覆われているので、陰極５１ａを形成した後の工程を、真空中若しくは不活性ガス中で行う必要がない。よって、真空状態を作る真空装置や不活性ガスを密閉する密閉装置が必要でないので、大きな有機ＥＬ素子５１を製造することができ、また、低コストで有機ＥＬ素子５１を製造することができる。

（第３実施形態）
続いて、本発明に係る表示装置の製造方法の第３実施形態について説明する。ここでは、表示装置として、エレクトロクロミックディスプレイを例に挙げて説明する。

エレクトロクロミックディスプレイの全体構成は、基本的には、上記第１、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ１、２と同様であるが、有機ＥＬ素子１１、５１の代わりに、エレクトロクロミック素子を備えている。

このエレクトロクロミック素子は、基本的には、上記第１、第２実施形態の有機ＥＬ素子１１、５１と同じ構成を有するが、表示用組成物として、エレクトロクロミック膜を備えている点で異なる。

つまり、エレクトロクロミック素子は、ガラス基板上に、陽極（第１電極）、エレクトロクロミック膜、電子注入層及び陰極（第２電極）が順次積層された構成を有しており、ガラス基板と第２電極の間には、第１電極、エレクトロクロミック膜及び電子注入層が形成されていない部分を埋めるように、絶縁層が形成されている。また、エレクトロクロミック膜は、ポリマー電極と、ポリマー電解質との２層から成る。

このエレクトロクロミックディスプレイの呈色メカニズムは、陽極、陰極の間に直流電圧を印加し、陽極を＋側にすると酸化反応が起こり、ニュートラル状態（電圧非印加状態）の時に比べて異なる色となる。陽極を−側にすると還元反応が起こり酸化時に比べて更に異なる色となる。このように、陽極の電位を制御して表示制御が行われる。

次に、エレクトロクロミックディスプレイの製造方法を説明する。ここでは、特に、要部であるエレクトロクロミック素子の製造方法を簡単に説明する。

（フィルム状の陰極の製造プロセス）
ここで、予めフィルム状の陰極（第２電極）を形成しておく。具体的には、先ず、基板上に蒸着によってＡｌ／ＬｉＦの層を形成し、これを電子供給金属の層とする。この電子供給金属は電子を良好にエレクトロクロミック膜に供給する金属であり、そのため電子供給金属の仕事関数は小さい。したがって、電子供給金属は、真空中若しくは不活性ガス中でないと還元する虞がある。なお、電子供給金属の層であるＡｌ層と、ＬｉＦ層の厚みは、それぞれ、１０００Å、１０Åとし、連続的に積層する。なお、Ａｌ／ＬｉＦの代わりに、Ａｌ、ＬｉＦ、Ａｌ／Ｃａ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかで電子供給金属の層を形成してもよい。

次いで、マスク真空蒸着により、電子供給金属の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層を形成する。この表面被覆絶縁層の厚みは、電子供給金属が還元しない程度の薄い厚さにする。なお、電子供給金属の層及び表面被覆絶縁層からなるフィルムを基板から剥がすと、フィルム状の陰極（第２電極）となる。このように、電子供給金属の層の表面を表面被覆絶縁層で覆うことにより、フィルム状の陰極の取り扱いが容易になる。なお、表面被覆絶縁層の厚みは薄いので、表面被覆絶縁膜は、電子供給金属がエレクトロクロミック膜に電子を供給する妨げにはならない。

（エレクトロクロミック素子の製造プロセス）
先ず、第１実施形態のＳ１１〜Ｓ１３と同様に、ガラス基板上に、ＩＴＯからなる陽極を所定のパターンで形成する。次いで、第１実施形態のＳ１４と同様に、ガラス基板上の、エレクトロクロミック素子を形成する部分全体に、ＰＶＫから成る絶縁層を形成する。

また、エレクトロクロミック膜のポリマー電極の成分、及び炭化水素系溶媒から成る第１のインク（インク溶液）を予め調製しておく。具体的には、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））と、ＰＳＮＰｈＳ（ポリ（Ｎ−フェニル−２（２'−チエニル）−５−（５"−ビニル−２"チエニル）ピロール）を１：４の割合で混合し、この混合物の濃度が４ｗｔ％となるように、テトラリンに溶解し、第１のインクとする。この第１のインクを、第１実施形態のＳ１５、Ｓ１６と同様にして、絶縁層上に選択的に塗布し、ポリマー電極を形成する。

また、エレクトロクロミック膜のポリマー電解質の成分、及び炭化水素系溶媒から成る第２のインク（インク溶液）を予め調製しておく。具体的には、以下の成分を混合し、テトラリンに溶解することにより、第２のインクを調製する。この時、第２のインクの粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓになるように、テトラリンの量を調整する。

ポリメチルメタクリレート（分子量１２００００）：５００ｍｇ
プロピレンカーボネート：１ｍｌ
エチレンカーボネート：２ｇ
リチウムテトラフルオロボレート：１００ｍｇ
アセトニトリル：３ｍｌ

この第２のインクを、インクジェット法を用いて、ポリマー電極の上に塗布し、ポリマー電解質を形成する。

次いで、オキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウム錯体のいずれかである電子注入層を、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて塗布することによって形成する。この際、塗布後の電子注入層において、エレクトロクロミック膜及び隔壁に接する側と反対側の面が、エレクトロクロミック膜及び隔壁からなる面より平らになるように、電子注入層を塗布する。

次いで、約１５０℃に加熱されたローラを用いて、予め形成したフィルム状の陰極を電子注入層に熱によって圧着して、陰極と電子注入層とを接合させる。ここで、電子注入層の表面は平らとなっているので、エレクトロクロミック膜及び隔壁に接合させて陰極を形成する場合よりも、電子注入層に接合させて陰極を形成するほうが、電子注入層と陰極は良好に接合する。

このようにしてエレクトロクロミック素子をガラス基板の中心部に形成するとともに、上記第１、第２実施形態と同様にして、ガラス基板の周辺部に、水平駆動回路及び垂直駆動回路を形成し、更には、封止層により、エレクトロクロミック素子、水平駆動回路及び垂直駆動回路を覆うことにより、エレクトロクロミックディスプレイを完成させる。

本実施形態のエレクトロクロミックディスプレイは、上記第１、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ１、２と同様の効果を奏する。

なお、本発明は上記の形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施することができる。例えば、上記第１〜第３実施形態における絶縁層としては、ＰＶＫの代わりに、ポリスチレン、ナイロン（ポリアミド）、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、フッ素樹脂のいずれかを用いることができる。

また、上記第１、第２実施形態において、インクを構成するポリマーとしては、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（ＰＶＫ）の代わりに、トリフェニルアミン誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子化合物（例えばＰＴＰＤＥＳ）、電子輸送性ポリマーである、オキサジアゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子化合物（例えばＰＶＭＯＸＤ）、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）、ＰＰＦ、ＰＰＴ、その他の誘導体を用いることができる。

また、上記第１〜第３実施形態において、インクを構成する溶媒としては、炭化水素系溶媒の代わりに、ハロゲン炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン、アルデヒド、ドデシルベンゼン、テトラリン、ジクロルエタン、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルのいずれかを用いることができる。

また、上記第１、第２実施形態における発光中心形成化合物としては、ＴＰＢの代わりに、ペリレン、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、ＤＣＪＴＢ、スクアリリウム、アルミニウム錯体（例えばＡｌＱ３）等を用いることができる。

また、上記第３実施形態において、エレクトロクロミック膜は、ポリマー電極の成分と、ポリマー電解質の成分との両方を、テトラリン等の有機溶媒に溶解させたインクをインクジェット法により塗布することにより形成することができる。

また、上記第３実施形態において、ポリマー電極の成分は、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−（３−チエニルプロピルスルホネート））、（ポリ（Ｎ−フェニル−２（２'−チエニル）−５−（５"−ビニル−２"チエニル）ピロール、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルメチルエーテルのうち少なくとも１種を含むポリマーとすることができる。

また、上記第３実施形態において、第２実施形態と同様に、陽極よりも陰極を最初に形成してもよい。この場合、第２実施形態と同様にＰＥＤＯからなるホール注入層を陽極とエレクトロクロミック膜との間に挿入することにより、陽極はホール注入層と良好に接合する。したがって、良好に像を表示させることができる。

第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１の全体構成を示す説明図である。 第１実施形態における有機ＥＬ素子１１の１画素の回路構成を示す説明図である。 第１実施形態における電流駆動回路１２の構成を示す説明図である。 第１実施形態における陰極１１ｆの製造プロセスを示すフローチャートである。 第１実施形態における有機ＥＬ素子１１の製造プロセスを示すフローチャートである。 第１実施形態における有機ＥＬ素子１１の製造プロセスを示す説明図である。 第１実施形態におけるインクジェットヘッド３０の構成を示す説明図である。 第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ２の全体構成を示す説明図である。 第２実施形態における有機ＥＬ素子５１の製造プロセスを示すフローチャートである。 第２実施形態における有機ＥＬ素子５１の製造プロセスを示す説明図である。

１、２：有機ＥＬディスプレイ
１１、５１：有機ＥＬ素子（表示装置）
１１ａ：陽極（第１電極）
１１ｂ：絶縁層
１１ｃ：発光層（表示用組成物）
１１ｄ：隔壁
１１ｅ：電子注入層（電荷注入層）
１１ｆ：陰極（第２電極）
１１ｆ１、５１ａ１：電子供給金属の層
１１ｆ２、５１ａ２：表面被覆絶縁層
２１：インク溶液
５１ａ：陰極（第１電極）
５１ｅ：ホール注入層（電荷注入層）
５１ｆ：陽極（第２電極）
Ｓ１１〜Ｓ１３、Ｓ２１〜Ｓ２３：第１電極形成工程
Ｓ１４、Ｓ２４：絶縁層形成工程
Ｓ１５、Ｓ２５：インク溶液塗布工程
Ｓ１６、Ｓ２６：表示用組成物形成工程
Ｓ１７、Ｓ２７：電荷注入層塗布工程
Ｓ１８、Ｓ２８：第２電極接合工程
Ｓ２１、Ｓ１０１：電子供給金属層形成工程
Ｓ２２、Ｓ１０２：表面被覆絶縁層形成工程

Claims (5)

1. 第１電極と、その第１電極と離間して、且つ対向して位置する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挿入され、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加された場合、前記第１電極から供給される電荷である第１電極供給電荷及び前記第２電極から供給される電荷である第２電極供給電荷によって、発光し又は呈色変化する物質である表示用組成物とを有する表示素子を複数備え、さらに、前記各表示素子の前記表示用組成物と他の前記表示素子の前記表示組成物との間を絶縁する隔壁を備えた表示装置の製造方法であって、
   基板上に前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
   前記第１電極形成工程において形成された前記第１電極を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の前記第１電極に対向する位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒及び前記表示用組成物を含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、
   前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第１電極と接触するように前記表示用組成物を形成すると共に、前記表示用組成物が前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である前記隔壁によって取り囲まれる部位内に収まるように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、
   前記表示用組成物形成工程において形成した前記表示用組成物及び前記隔壁の上に、前記第２電極供給電荷を前記表示用組成物に注入する電荷注入層を塗布する工程であって、その塗布後の前記電荷注入層において、前記表示用組成物及び前記隔壁に接する側と反対側の面が、前記表示用組成物及び前記隔壁とからなる面より平らになっている電荷注入層塗布工程と、
   前記電荷注入層塗布工程において塗布された前記電荷注入層に予めフィルム状に形成された前記第２電極を熱によって圧着して、前記第２電極を前記電荷注入層と接合させる第２電極接合工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 前記絶縁層形成工程によって形成される前記絶縁層は、半キュアー状態であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記表示素子が有する表示用組成物は、前記呈色変化する物質であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第１電極は、前記第１電極供給電荷としてホールを前記表示用組成物に供給するＩＴＯ又はＰＥＤＯＴであり、
   前記電荷注入層は、オキサジゾール誘導体、トリアゾール系、及びアルミニウム錯体のいずれかであり、
   前記第２電極は、前記第２電極供給電荷として電子を前記表示用組成物に供給する電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかの層を形成する電子供給金属層形成工程と、
   その電子供給金属膜形成工程において形成された前記電子供給金属の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層を形成する表面被覆絶縁層形成工程とを経て、予めフィルム状に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第１電極形成工程は、
   前記第１電極供給電荷として電子を前記表示用組成物に供給する電子供給金属であるアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ａｌ／Ｃａ、Ａｌ／ＬｉＦ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかの層を前記基板上に形成する電子供給金属層形成工程と、
   その電子供給金属層形成工程において形成された前記電子供給金属の層の表面を覆う絶縁層である表面被覆絶縁層を形成する表面被覆絶縁層形成工程とを有し、
   前記電荷注入層は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）であり、
   前記第２電極は、前記第２電極供給電荷としてホールを前記表示用組成物に供給するＩＴＯ又はＰＥＤＯＴであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。

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