JP5231096B2 - 温度制御方法および温度制御装置 - Google Patents

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本発明は、繰り返し供給される被加熱物をその都度挟み込んで加熱するヒータの過度な温度上昇を防ぐに好適な温度制御方法および温度制御装置に関する。
半導体製造装置におけるテープボンダ等の加熱装置においては、図9(a)(b)に示すように被加熱物1を上下一対のヒータ2,3の間に挟み込むことによってその加熱処理が行われる。特に繰り返し供給される複数の被加熱物1を次々と前記ヒータ2,3間に挟み込んで加熱する上での処理効率を高めるべく、前記ヒータ2,3を所定の高温状態に維持することが行われる。しかし被加熱物1の加熱によって溶着等を生起するような場合には、被加熱物1を必要以上に高温に加熱しないことが必要である。これ故、ヒータ2,3を必要、且つ十分な適正温度に制御することが重要である。
ところで、例えば上側ヒータ2を200℃に温度制御し、下側ヒータ3を100℃に温度制御している状態において、常温(例えば25℃)状態で供給される被加熱物1を挟み込んだとき、図9(b)に示すようにヒータ2,3と被加熱物1との接触による熱の移動によって被加熱物1が急速に加熱される一方、ヒータ2,3の温度は図10に示すように急激に低下する。するとヒータ2,3の温度に対する、例えばPID制御動作が働いて上記温度の低下がリカバリーされるが、一般的にその制御特性に起因してオーバーシュートが生じることが否めない。即ち、PID制御によるヒータ2,3の温度制御は、ヒータ2,3から被加熱物1への熱供給を高速に、しかも十分に行うべく、一般的には即応性(高速応答性)を重視してその制御パラメータ(PIDパラメータ)が設定される。この為、前述した急激な温度低下が生じた場合、その制御動作特性に起因してヒータ温度のオーバーシュートが生じ易い。
尚、上記各ヒータ2,3の温度は、上述したオーバーシュート後のリカバリー動作によって最終的には前述した所定の設定温度(制御温度)に戻る。しかし一般的にはヒータ2,3間の温度差や周囲温度との差、更には装置の構造上の問題等に起因して下側ヒータ3に熱が蓄積され易く、上側ヒータ2に比較して下側ヒータ3の温度が元の設定温度に戻るまでに時間が掛かる傾向がある。
またこのような装置において前記ヒータ2,3の温度が元の設定温度に戻る前に次の被加熱物1が供給されるような場合、上述した熱の蓄積に起因して図11(a)に示すようにヒータ2,3の温度が次第に上昇していき、いわゆる過熱状態となることが否めない。換言すればヒータ2,3の温度をPID制御しているといえども、外乱に起因する温度変化に追従したPID制御により温度が安定化する前に次の外乱が与えられると、制御応答の追従性が損なわれて、ヒータ2,3の温度が次第に上昇していくと言う不具合が生じる。
するとヒータ2,3間に被加熱物1を挟み込んだ際、被加熱物1の加熱処理に必要な熱量以上の熱が被加熱物1に供給されることになり、被加熱物1にダメージを与える原因となる。このような繰り返し外乱要因に対して、外乱による温度変化に応じて制御目標とする温度を変更し、これによって前述したオーバーシュートを抑制することが提唱されている(例えば特許文献1を参照)。
特開2002−297245公報
しかしながら上述したオーバーシュートに起因するヒータ温度の上昇は、ヒータ2,3への熱の蓄積に起因するものであり、PID制御によるオーバーシュート後のリカバリー動作の再現性を損なう要因となっている。これ故、特許文献1に開示されるオーバーシュートの抑制法にあっては、その抑制効果自体が徐々に低下するので、結果的にはヒータ2,3の過熱を防止することができないと言う問題がある。
この点、熱の蓄積要因となる下側ヒータ3を、一旦、完全にオフ状態にすると言う対処法も考えられる。しかし、例えば被加熱物1の供給が遅れ、ヒータ2,3による被加熱物1の挟み込みまでに時間が掛かると、その間に下側ヒータ3の温度が必要以上に低下してしまう等の別の不具合が発生する。従って下側ヒータ3をオフにすることなく、継続的に温度制御することが必要である。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータの過度な温度上昇を防ぐに好適な温度制御装置および温度制御方法を提供することにある。
即ち、本発明は、即応性を重視した特性でヒータを温度制御するに際して、オーバーシュート後のリカバリー動作の再現性を損なう短い周期で外乱が繰り返し与えられるような場合であっても、その温度制御を継続しながら、上記ヒータの必要以上の温度上昇を効果的に抑制することのできる温度制御装置および温度制御方法を提供することを目的としている。
上述した目的を達成するべく本発明に係る温度制御方法は、繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータの温度を制御量PVとし、この制御量PVに応じて前記ヒータを駆動する操作量MVを求めて前記ヒータの駆動を制御するに際し[前提条件]、
請求項1に記載するように、前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したとき、前記制御量PVの最降下値を検出し、この制御量PVの最降下値の上昇に応じて前記操作量MVに対する上限値を低減設定することを特徴としている。
また本発明に係る温度制御方法は、請求項2に記載するように前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したとき、前記操作量MVが飽和している時間を検出し、この飽和時間の短縮に応じて該飽和時間を一定化するように前記操作量MVに対する上限値を低減設定することを特徴としている。或いは請求項3に記載するように、前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したとき、その加熱処理開始時における前記操作量MVを検出し、この加熱処理開始時における操作量MVに一定値Hを加算して該操作量MVに対する上限値を低減設定することを特徴としている。
ちなみに前記ヒータは、例えば被加熱物に接触して該被加熱物を加熱するものからなり、また前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始については、例えば前記ヒータと前記被加熱物との接触時、または接触動作時等として検出するようにすれば良い。尚、前記制御量PVの変化量ΔPVを監視し、その変化量ΔPVが所定の閾値を超えた時点を加熱処理の開始として検出することも可能である。
また前述した目的を達成するべく本発明に係る温度制御装置は、繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータと、このヒータの温度を検出する温度センサと、この温度センサの出力に基づいて前記ヒータの駆動を制御する制御器とを具備したものであって[前提条件]、
請求項5に記載するように、
<a> 前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部と、
<b1> この加熱処理検出部により加熱処理の開始が検出されたとき、前記温度センサから前記制御器に与えられる制御量PVの最降下値を検出する最降下値検出部と、
<c1> この最降下値検出部により検出された前記制御量PVの最降下値の上昇に応じて前記制御器による前記ヒータの操作量MVの上限値を低減設定する操作量上限値決定部と
を備えたことを特徴としている。
ちなみに前記操作量上限値決定部については、例えば予め定めた前記制御量PVの最降下値と前記操作量MVの上限値との関係を記述したテーブルを参照して、または上記関係を示す数式に前記制御量PVの最降下値を代入して前記操作量MVの上限値を決定するように構成される。尚、上記関係については必ずしも線形である必要はなく、また前記テーブルに制御量PVの最降下値が記述されていない場合には、適宜補間処理を施して操作量MVの上限値を求めるようにすれば十分である。
また本発明に係る温度制御装置は、請求項7に記載するように、
<a> 前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部と、
<b2> この加熱処理検出部により加熱処理の開始が検出されたとき、前記制御器による前記ヒータの操作量MVが飽和している時間を検出する飽和時間検出部と、
<c2> この飽和時間検出部により検出された前記操作量MVの飽和時間の短縮に応じて該飽和時間を一定化するように該操作量MVの上限値を低減設定する操作量上限値決定部と
を備えたことを特徴としている。
この場合には前記操作量上限値決定部は、例えば前記操作量MVの飽和時間を一定とする前記操作量MVの上限値を求めるように構成される。具体的には、例えば操作量MVが飽和した状態での継続時間T2を計測すると共に、前記操作量MVの飽和状態を含む最大値MV2を求め、一方、加熱処理開始時の操作量MV1と操作量MVが最大値MV2に達した後、元の操作量MV1に戻るまでの時間T1を求める。そしてこれらの情報T1,T2,MV1,MV2に基づいて、操作量MVの飽和時間が一定となる上限値を算出するようにしても良い。
更には本発明に係る温度制御装置は、請求項に記載するように、
<a> 前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部と、
<b3> この加熱処理検出部により加熱処理の開始が検出されたとき、加熱処理開始時の前記制御器による前記ヒータの操作量MVを検出する開始操作量検出部と、
<c3> この開始操作量検出部により検出された前記操作量MVに一定値Hを加算して該操作量MVの上限値を低減設定する操作量上限値決定部と
を備えたことを特徴としている。
この場合には、前記操作量上限値決定部は、例えば前記開始操作量検出部により検出された加熱処理開始時の操作量MVに一定値Hを加えた値として前記操作量MVの上限値を決定するように構成される。
本発明に係る温度制御方法および制御装置によれば、ヒータの温度を示す制御量PVに着目し、ヒータでの蓄熱に起因して加熱処理時のヒータ温度が上昇している状態を、ヒータによる被加熱物の加熱処理を開始した後の制御量PVの最降下値から捉え、その制御量PVの最降下値に応じて操作量MVに対する上限値を設定するので、ヒータを過剰に加熱することがなくなる。従ってヒータの過熱を簡易にして効果的に抑制することが可能となる。
またヒータを駆動する操作量MVに着目し、加熱開始時の操作量MVに応じてその操作量MVが飽和している時間が一定となるようにその上限値を設定するので、ヒータに過剰な熱量を加えることを防止し、該ヒータの過熱を簡易にして効果的に抑制することが可能となる。即ち、PID制御における操作量MVに対する上限値は、上記上限値以上の操作量MVによって加熱されるヒータの過剰な熱量を制限することを目的とするものであり、その過剰な熱量は、専ら、上限値によって操作量MVが制限されている時間に相当する。従って上限値により操作量MVが制限されている時間が短い場合には、その分、ヒータに与えられる熱量を制限した量が少なく、逆に上記時間が長い場合には熱量を制限した量が多いと言える。
従って上述したように加熱開始時の操作量MVに応じて該操作量MVに対する上限値を設定し、操作量MVが飽和している時間が一定となるように制御することで、加熱開始時の操作量MVの変化に拘わらずヒータを過剰に加熱する熱量の制限量を一定化することができる。この結果、ヒータを過剰に加熱することがなくなり、ヒータの過熱を簡易にして効果的に抑制することが可能となる。
或いは加熱処理の開始時における操作量MVに応じて、その操作量MVに一定値を加えた値としてその上限値を設定するので、ヒータ温度が高く、加熱開始時の操作量が低い場合には、その上限値も低く抑えられるので、同様にヒータを過剰に加熱することがなくなる。従ってヒータの過熱を簡易にして効果的に抑制することが可能となる。
[発明の着眼点]
ヒータの温度をPID制御する場合、急激な温度低下のような外乱に対して、温度センサにより検出される制御量PVの変化に応じた操作量MVの変化量は、特に比例動作と微分動作に大きく影響して急激に上昇する。この操作量MVの上昇は、例えば定常的に加わる外乱によって徐々に操作量MVが変化することとは無関係な上昇分であり、例えば前述したように、上下一対のヒータ2,3によって被加熱物1を挟み込むことによってヒータ温度が急激に低下したような場合に生じる不可避的なものである。
このような場合、例えば前述したヒータ2,3による被加熱物1の最初の加熱処理時におけるヒータ温度の低下と言う外乱に対する制御動作において、一般的にはその操作量MVの急激な上昇は、操作量上限値により制限されて実質的に抑制される。これ故、PID制御パラメータは、通常、PID演算によって求められる操作量MVの上述した操作量上限値により制限される量(上記操作量MVのカット分)を想定して設定される。
しかし更に上述した急激な外乱が繰り返し加わると、徐々にその操作量MVの平均的な値が低下することが否めず、これに起因して前記操作量上限値によって制限される量(操作量MVのカット分)が次第に低下する。すると比例動作と微分動作とにより決定される操作量MVの変化分が、前述した如く操作量上限値により制限される量(操作量MVのカット分)を想定して設定されたPIDパラメータに基づいて求められる操作量MVとは徐々に異なってくる。この結果、ヒータ温度をPID制御しているにも拘わらず、そのヒータ温度が徐々に高くなって過熱状態に至ることになる。
本発明は、上述した急激な外乱が繰り返し加わる状況下において生じるPID制御系での不具合が、専ら、操作量MVの操作量上限値によるカット分の変化に起因することに着目している。特に本発明においては、種々の検証により操作量上限値により制限される量(操作量MVのカット分)の変化に応じてPID制御パラメータを変更するよりも、上記操作量上限値自体をその状況に応じて変更した方が、PID制御による制御特性を維持しながらヒータの過剰な温度上昇を抑制し得ることを見出してなされている。
[発明の原理1]
そこで第1の発明においては、被加熱物を加熱するヒータの温度を制御量PVとし、この制御量PVに応じて前記ヒータを駆動する操作量MVを求めて前記ヒータの駆動を制御するに際して、特に前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したときに前記制御量PVの最降下値を検出し、この制御量PVの最降下値に応じて前記操作量MVに対する上限値を設定することを特徴としている。
即ち、第1の発明は、ヒータの温度を急激に低下させる外乱が加わったとき、PID制御系における制御量PVは急激に低下した後、設定値SPに対してオーバーシュートすることを前提としている。そしてオーバーシュートによって前記ヒータが過剰に加熱されることを防止するべく、被加熱物の加熱処理を開始したときにおける前記制御量PVの最降下値PVLに応じて前記ヒータを加熱する操作量MVに対する上限値OHを可変設定するものとなっている。尚、制御量PVの最降下値PVLと操作量MVの上限値OHとの関係については、予めテーブルとして登録しておいても良いし、その関係を示す数式として与えておいても良い。
[発明の原理2]
尚、制御量PVの変化に着目することに代えて、操作量MVに着目することも可能である。即ち、PID制御における操作量MVに対する上限値は、上記上限値以上の操作量MVによるヒータの過剰な加熱を制限する為のものであり、上限値によって制限される熱量(カット分)は、専ら、上限値によって操作量MVが制限している時間に相当する。そして上限値による操作量MVの制限時間が短い場合には、熱量の制限量が少なく(ヒータに与える熱量が多く)、逆に制限時間が長い場合には熱量を制限量が多くなる(ヒータに与える熱量が少なくなる)。
そこで第2の発明においては、ヒータによる被加熱物の加熱処理を開始したとき、前記操作量MVが飽和している時間、即ち、上下値によって操作量MVが制限されている時間を検出し、この飽和時間(制限時間)に応じて前記操作量MVに対する上限値OHを可変設定することを特徴としている。そして操作量MVの変化に拘わることなく、制御応答のオーバシュート時にヒータに与える熱量を制限する上限値OHでの前記制御量MVに対するカット量を一定に保ち、これによってヒータの過熱を防止することを特徴としている。
[発明の原理3]
また第3の発明は、加熱処理の開始時における操作量MVそのものに着目し、そのときの操作量MVに応じてその上限値OHを可変設定し、具体的には加熱処理開始時の操作量MVに一定値Hを加えた値を上限値OHとして設定することで、操作量MVの変化に拘わることなく、制御応答のオーバシュート時にヒータに与える熱量自体を一定に保ち、これによってヒータの過熱を防止することを特徴としている。
[発明の第1の実施形態]
次に前述した第1の発明に係る第1の実施形態について説明する。この発明は前述した図9に示すような、順次に繰り返して供給される被加熱物1を、上下一対のヒータ2,3の間に挟み込んで加熱する装置に適用されるものであって、上記ヒータ2,3の温度をPID制御する制御系を構築した温調計に組み込まれる機能として実現される。特に被加熱物1とヒータ2,3との接触によって前記被加熱物1を加熱したとき、被加熱物1との接触によって急激に温度低下するヒータ2,3をPID制御の下で駆動する際、制御応答のオーバーシュートに起因して前記ヒータ2,3に次第に蓄熱される温度による影響を除去する機能として実現される。
図1はこの第1の実施形態に係る温度制御装置が備える本発明の特徴的な機能を示す概略構成図で、ここでは熱の蓄積による過熱が問題となる下側ヒータ3に対する制御の形態を例に説明する。この温度制御装置は、基本的には前記ヒータ3による被加熱物1の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部11と、この加熱処理検出部11にて検出された加熱処理の開始時に前述したPID制御系における制御量PVの最降下値PVLを検出する最降下値検出部12を備える。上記加熱処理検出部11は、例えばヒータ2,3による被加熱物1の挟み込み動作自体を機械的に検出するものや、その挟み込み動作を指令するコントロール信号を検出するものからなる。
尚、上記加熱処理検出部11を、例えば温度センサにより検出される前記ヒータ3の温度(制御量PV)を監視してその単位時間当たりの変化量(変化の傾き)ΔPVを求め、この変化量ΔPVが予め設定した閾値よりも大きいとき、これを加熱処理の開始として検出するように構成することも可能である。このような制御量PVの単位時間当たりの変化量ΔPVに着目すれば、前述したPID制御における制御性を確実に維持することが可能となる。
また前記最降下値検出部12は、被加熱物1との接触によってヒータ2,3の温度(制御量PV)が低下するとこれに伴ってPID制御が働くこと、そしてこのPID制御の下で前記制御量PVが最も低下した後、ヒータ3に対する操作量MVがオーバーシュートを伴いながら変化し、またそのオーバーシュートの大きさが前記制御量PVの最降下値PVLに依存することを前提として、加熱処理開始時における制御量PVの最降下値PVLを検出している。この最降下値PVLについては、例えばその制御量PVが予め設定した制御目標値SPを下回っている期間に亘って前記制御量PVを監視し、最小値を逐次更新することによって求められる。尚、前述した制御量PVの単位時間当たりの変化量ΔPVを監視して、その最降下値PVLを求めることも勿論可能である。
そしてこの実施形態に係る温度制御装置は、更に上述した最降下値検出部12にて求められた前記ヒータ3による被加熱部1の加熱処理開始時における制御量PVの最降下値PVLに基づいて、例えばテーブル記憶部13を参照して前述したPID制御系における前記ヒータ2,3の操作量MVに対する上限値OHを可変設定する操作量上限値決定部14を備えることを特徴としている。
前記テーブル記憶部13は、予め実験によって求めたPID制御系における前記最降下値PVLと、ヒータ3が過熱状態に至ることのない操作量MVの上限値OHとの関係を記述したものであり、例えば下側ヒータ3を100℃に温度制御する場合(SP=100)には、図2に示すような関係(テーブル13a)として与えられる。尚、ここでは最降下値PVLと上限値OHとの関係を線形なものとして与えているが、非線形な関係であっても勿論良い。また前記最降下値検出部12にて検出された最降下値PVLが、テーブル記憶部13に記述されたテーブル13aの最降下値PVLに合致しない場合に、テーブル123aに記述された関係から補間処理によって最降下値PVLの検出値に相当する上限値OHを求めても良いことは言うまでもない。
尚、テーブル記憶部13を用いて最降下値PVLと操作量MVの上限値OHとの関係(テーブル13a)を記述することに代えて、その関係を示す数式を、例えば
OH=OHX−α(PVL−PVX)
等として予め求めておき、この数式に前記最降下値検出部12にて検出された最降下値PVLを代入して上限値OHを求めることも可能である。但し、上記OHXは、操作量PVの上限値に対する基準上限値であり、またPVXは最降下値PVLの基準値である。具体的には前記ヒータ3の制御目標温度(設定値)SPが100℃として与えられる場合には、前記基準上限値OHXは[100]等として、また最降下基準値PVXは[95]等として与えられる。この数式によって図2に示すテーブル13aと同様に、最降下値PVLと上限値OHとの関係が示されることになる。
かくして上述したように加熱処理開始時における制御量PVの最降下値PVLに応じてその操作量MVに対する上限値OHを可変設定する本発明の第1の実施形態によれば、図3(a)(b)に制御量PVおよび操作量MVの変化の様子を模式的に示すように、繰り返し与えられる外乱によって生じる制御量PVの最降下値PVLの変化に応じて、操作量MVの上限値OHが変化する。
即ち、ヒータ3の温度を急激に低下させるような外乱が周期的に加わると、これに伴って図3(a)に示すように制御量PVが急激に低下し、これを受けたPID制御の作用によって図3(b)に示すようにヒータ3に対する操作量MVが急激に増加する。するとこの操作量MVの急激な増大に伴ってヒータ3の温度である制御量PVが増大し、オーバーシュートを生じた後、元の温度(設定値SP)に戻ろうとする。しかしPID制御の下で前記ヒータ3の温度である制御量PVが元の値に戻る前に次の外乱が加わると、ヒータ3の温度(制御量PV)は、その制御目標温度(設定値SP)よりも高い状態から急激に低下するので、オーバーシュートを生じる前の最降下PVLは、前回の外乱印加時よりも高くなる。この結果、図3(b)に示すようにヒータ3に対する操作量MVが前回の外乱印加時よりも小さくなり、操作量MVが上限値OHによって制限されることなくヒータ3にそのまま加えられるようになる。この現象が、前述したヒータ3の蓄熱によって生じる過熱状態の発生要因である。
この点、この実施形態においては図3(a)に示すように外乱の印加によって生じる制御量PVの急激な低下時における最降下値PVLが上昇した場合、前述したテーブル記憶部13に記述された上記最降下値PVLと上限値OHとの関係に従って、上昇した最降下値PVLに応じて操作量MVに対する上限値OHが低減設定される。この結果、図3(b)に示すように次に外乱が加わったときには、制御量PVの変化に応じて生成される操作量MVが上述した如く低減設定された上限値OHにより制限されることになり、ヒータ3に対して過剰に熱量を与えることが抑制される。そしてこの制御量MVの上限値OHによる抑制効果によってヒータ3の過熱が次第に抑えられることになる。
従ってこの実施形態によれば、PID制御の下で外乱に対するヒータ3の温度変化を補償する前に次の外乱が繰り返し加わるような場合であっても、ヒータ3の過熱(不本意な温度上昇)を効果的に抑制することができる。特に制御量PVがオーバーシュートする前に最降下値PVLに応じて操作量MVに対する上限値OHを可変設定するだけでヒータ3の過熱(不本意な温度上昇)を抑制することができ、その制御が簡単である。しかもヒータ3に蓄積された熱量に応じてPID制御パラメータを変更するのではなく、単に操作量MVに対する上限値OHを可変設定するだけなので、PID制御特性を維持したままヒータ3の温度を制御することができる。故にヒータ3の温度制御を簡易にして効果的に実行し、その温度を適正化することが可能となる。
[発明の第2の実施形態]
ところで上述した第1の実施形態においては制御量PVに着目して、特にオーバーシュート前の制御量PVの最降下値PVLに着目して操作量MVに対する上限値OHを設定したが、前述したようにオーバーシュート前の操作量MVに着目して操作量MVの上限値OHを可変設定することも可能である。図4はこのような操作量MVに着目した本発明の第2の実施形態に係る温度制御装置が備える特徴的な機能を示す概略構成図である。
この温度制御装置は、前述した第1の実施形態と同様に前記ヒータ3による被加熱物1の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部21を備えると共に、この加熱処理検出部21にて加熱処理の開始が検出されたときに起動されて、加熱処理開始時における前記操作量MVの飽和時間を計測する飽和時間計測部22を備える。尚、前記加熱処理検出部21は、前述した第1の実施形態における加熱処理検出部11と同様なものからなる。
ちなみに前記飽和時間計測部22は、制御量PVの変化に応じてPID演算される操作量MVが最大値となった状態、および上記操作量MVが前述した上限値OHにより規制されて最大値(上限値)となっている状態を該操作量MVが飽和している継続時間T2として検出する役割を担う。尚、この飽和時間計測部22においては、同時に操作量MVが飽和しているときの値(最大操作量)MV2を求めると共に、その操作量MVが元の操作量MV1、つまり外乱が加わることによって制御量PVが変化し、これに伴って操作量MVが変化する前の状態での操作量MVに戻るまでの時間T1についても計測するものとなっている。
そして操作量上限値決定部23においては、予め求められて数式記憶部24に登録された前記飽和時間と上限値OHとの関係を示す式に基づいて、前記飽和時間計測部22にて計測された操作量MVの飽和時間T2から、その飽和時間を一定にする為の上限値OHを算出している。この操作量上限値決定部23にて計算された上限値OHにて前記操作量MVに対して設定されている上限値OHが更新され、その後の温度制御ルーチンにおいて操作量MVの飽和時間が一定化される。
具体的には前記操作量上限値決定部23は、操作量MVの変化が図5に示すように直線的であると看做し、操作量MVが外乱の入力に伴って変化する操作量MVが上限値OHによって規定されて飽和している時間T2およびそのときの最大操作量MV2と、その操作量MVがPID動作開始前の元の値MV1に戻るまでの時間T1とから、例えば一定の飽和時間TXを得る上限値OHを
OH=(MV2−MV1)(T1−TX)/(T1−T2)+MV1
として幾何学的に算出している。
かくしてこのようにして上限値OHが設定される制御系によれば、図6(a)(b)にヒータ3の温度を急激に低下させる外乱が繰り返し加わったときの制御量PVおよび操作量MVの変化の様子を模式的に示すように、繰り返し与えられる外乱によって生じる制御量PV変化に追従して演算される操作量MVを規定する上限値OHが、該操作量MVの飽和時間を一定化するように変化する。即ち、制御系に外乱が加わることによって操作量MVが変化したとき、その操作量MVが飽和している時間T2が計測され、この飽和時間に応じて該飽和時間を一定化するように操作量MVに対する上限値OHが変更される。この結果、外乱によって変化した制御量PVが元の状態に戻る前に次の外乱が加わったとしても、上述した如く設定された上限値OHによって操作量MVの飽和時間が維持され、これによって操作量MVの飽和時間が一定化制御される。
従って先の第1の実施形態と同様に、PID制御の下で外乱に対するヒータ3の温度変化を補償する前に次の外乱が繰り返し加わるような場合であっても、ヒータ3の過熱(不本意な温度上昇)を効果的に抑制することができる。また操作量MVの飽和時間を一定化するので、PID制御の下でヒータ3に供給しようとする熱量のうち、前記上限値OHにより制限する熱量(カット分)を一定にすることができるので、ヒータ3を過剰に加熱することなく制御応答性良くヒータ3の温度を制御することが可能となる。特にこの場合、第1の実施形態と異なって制御量PVを監視するものではないので、第1の実施形態に比較してその制御効果が早く表れると言う利点がある。
[発明の第3の実施形態]
ところで操作量MVに応じて上限値OHを可変設定するに際し、操作量MVそのものに着目することで、更に簡単にヒータ3の過熱を抑制することも可能である。図7はその実施形態を示すもので、温度制御装置が備える特徴的な機能を示す概略構成を示している。
この温度制御装置は、前述した第1の実施形態と同様に前記ヒータ3による被加熱物1の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部31を備えると共に、この加熱処理検出部31にて加熱処理の開始が検出されたとき、その加熱処理開始時における操作量MV、具体的には加熱処理開始に伴って操作量MVが変化する直前の値MV1を計測する開始操作量検出部32を備える。尚、前記加熱処理検出部31は、前述した第1の実施形態における加熱処理検出部11と同様なものからなる。
そして操作量上限値決定部33においては、予め求められて数式記憶部34に登録された制御開始時の操作量MV1と上限値OHとの関係を示す式に基づいて、前記開始操作量検出部32にて計測された操作量MV1に応じた上限値OHを算出している。具体的には操作量上限値決定部33は、開始操作量検出部32にて計測された操作量MV1に一定値Hを加算し、
OH=MV1+H
として上限値OHを算出している。この操作量上限値決定部23にて計算された上限値OHにて既に前記操作量MVに対して設定されている上限値OHが更新され、その後の温度制御ルーチンにおいて操作量MVの最大値が規定される。
かくしてこのような実施形態によれば、図8(a)(b)にヒータ3の温度を急激に低下させる外乱が繰り返し加わったときの制御量PVおよび操作量MVの変化の様子を模式的に示すように、繰り返し与えられる外乱によって生じる制御量PV変化に追従して演算される操作量MVを規定する上限値OHが、その制御開始時における操作量MV1に応じて可変設定される。この結果、外乱によって変化した制御量PVが元の状態に戻る前に次の外乱が加わったとしても、上述した如く設定された上限値OHによって操作量MVの最大値が抑えられるので、ヒータ3への過剰な熱量の供給が抑制される。またこのような制御系によれば、外乱に起因して制御動作が開始されるときの操作量MV1に応じて上限値OHがリアルタイムに可変設定されるので、制御遅れなくヒータ3の過熱を抑制することができる。また前述した各実施形態と同様に、PID制御パラメータを変更する必要がないので、その制御応答性を十分に確保しうると言う利点がある。
[発明の他の実施形態]
尚、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない、ここでは下側ヒータ3に対する温度制御を例に説明したが上側ヒータ2に対しても同様に実施することができる。また上下一対のヒータ2,3によって被加熱物1を挟み込んで加熱する場合のみならず、1つのヒータだけをそなえ、そのヒータを被加熱物1に接触させて加熱する場合でも同様に適用することができる。要は本発明はヒータ等の温度制御対象物に、その温度を急激に低下させるような外乱が繰り返し与えられるような場合に適用するに好適なものであって、例えば温調計が備える機能や、温調計が形成した制御系に付加的に組み込まれる装置等として、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
本発明の第1の実施形態に係る温度制御装置が備える本発明の特徴的な機能を示す概略構成図。 図1に示すテーブル記憶部に記録される最降下値PVLと操作量MVの上限値OHとの関係の一例を示す図。 第1の実施形態に係る制御の下での制御量PVおよび操作量MVの変化の様子を模式的に示す図。 本発明の第2の実施形態に係る温度制御装置が備える本発明の特徴的な機能を示す概略構成図。 図4に示す操作量上限値決定部での上限値OHの決定手法の例を示す図。 第2の実施形態に係る制御の下での制御量PVおよび操作量MVの変化の様子を模式的に示す図。 本発明の第3の実施形態に係る温度制御装置が示す概略構成図。 第3の実施形態に係る制御の下での制御量PVおよび操作量MVの変化の様子を模式的に示す図。 本発明が適用される加熱装置の例を示す図。 図9に示す加熱装置における外乱印加時のヒータの温度変化を示す図。 従来の温度制御の形態とその問題点を説明する為の、PID制御の下での外乱印加時における制御量PVおよび操作量MVの変化を模式的に示す図。
符号の説明
11 加熱処理検出部
12 最降下値検出部
13 テーブル記憶部
14 操作量上限値決定部
21 加熱処理検出部
22 飽和時間計測部
23 操作量上限値決定部
24 数式記憶部
31 加熱処理検出部
32 開始操作量検出部
33 操作量上限値決定部
34 数式記憶部

Claims (8)

  1. 繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータの温度を制御量PVとし、この制御量PVに応じて前記ヒータを駆動する操作量MVを求めて前記ヒータの駆動を制御するに際し、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したとき、前記制御量PVの最降下値を検出し、この制御量PVの最降下値の上昇に応じて前記操作量MVに対する上限値を低減設定することを特徴とする温度制御方法。
  2. 繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータの温度を制御量PVとし、この制御量PVに応じて前記ヒータを駆動する操作量MVを求めて前記ヒータの駆動を制御するに際し、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したとき、前記操作量MVが飽和している時間を検出し、この飽和時間の短縮に応じて該飽和時間を一定化するように前記操作量MVに対する上限値を低減設定することを特徴とする温度制御方法。
  3. 繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータの温度を制御量PVとし、この制御量PVに応じて前記ヒータを駆動する操作量MVを求めて前記ヒータの駆動を制御するに際し、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理を開始したとき、その加熱処理開始時における前記操作量MVを検出し、この加熱処理開始時における操作量MVに一定値Hを加算して該操作量MVに対する上限値を低減設定することを特徴とする温度制御方法。
  4. 前記ヒータは、前記被加熱物に接触して該被加熱物を加熱するものであって、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始は、前記ヒータと前記被加熱物との接触時として検出されるものである請求項1〜3のいずれかに記載の温度制御方法。
  5. 繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータと、このヒータの温度を検出する温度センサと、この温度センサの出力に基づいて前記ヒータの駆動を制御する制御器とを具備した温度制御装置であって、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部と、
    この加熱処理検出部により加熱処理の開始が検出されたとき、前記温度センサから前記制御器に与えられる制御量PVの最降下値を検出する最降下値検出部と、
    この最降下値検出部により検出された前記制御量PVの最降下値の上昇に応じて前記制御器による前記ヒータの操作量MVの上限値を低減設定する操作量上限値決定部と
    を具備したことを特徴とする温度制御装置。
  6. 前記操作量上限値決定部は、予め定めた前記制御量PVの最降下値と前記操作量MVの上限値との関係を記述したテーブルを参照して、または上記関係を示す数式に前記制御量PVの最降下値を代入して前記操作量MVの上限値を決定するものである請求項5に記載の温度制御装置。
  7. 繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータと、このヒータの温度を検出する温度センサと、この温度センサの出力に基づいて前記ヒータの駆動を制御する制御器とを具備した温度制御装置であって、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部と、
    この加熱処理検出部により加熱処理の開始が検出されたとき、前記制御器による前記ヒータの操作量MVが飽和している時間を検出する飽和時間検出部と、
    この飽和時間検出部により検出された前記操作量MVの飽和時間の短縮に応じて該飽和時間を一定化するように該操作量MVの上限値を低減設定する操作量上限値決定部と
    を具備したことを特徴とする温度制御装置。
  8. 繰り返し供給される被加熱物により温度を急激に低下させる外乱が繰り返し与えられるように作用する該被加熱物を加熱するヒータと、このヒータの温度を検出する温度センサと、この温度センサの出力に基づいて前記ヒータの駆動を制御する制御器とを具備した温度制御装置であって、
    前記ヒータによる前記被加熱物の加熱処理の開始を検出する加熱処理検出部と、
    この加熱処理検出部により加熱処理の開始が検出されたとき、加熱処理開始時の前記制御器による前記ヒータの操作量MVを検出する開始操作量検出部と、
    この開始操作量検出部により検出された前記操作量MVに一定値Hを加算して該操作量MVの上限値を低減設定する操作量上限値決定部と
    を具備したことを特徴とする温度制御装置。
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