JP5222660B2 - マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5222660B2
JP5222660B2 JP2008204164A JP2008204164A JP5222660B2 JP 5222660 B2 JP5222660 B2 JP 5222660B2 JP 2008204164 A JP2008204164 A JP 2008204164A JP 2008204164 A JP2008204164 A JP 2008204164A JP 5222660 B2 JP5222660 B2 JP 5222660B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
main surface
mask blank
manufacturing
photomask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008204164A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010039352A (ja
JP2010039352A5 (enExample
Inventor
勝 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2008204164A priority Critical patent/JP5222660B2/ja
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to US12/536,966 priority patent/US8048593B2/en
Priority to KR1020090072454A priority patent/KR101240279B1/ko
Priority to TW102122421A priority patent/TWI461840B/zh
Priority to TW098126855A priority patent/TWI402615B/zh
Priority to DE102009036618.0A priority patent/DE102009036618B4/de
Publication of JP2010039352A publication Critical patent/JP2010039352A/ja
Priority to KR1020110049063A priority patent/KR20110074835A/ko
Publication of JP2010039352A5 publication Critical patent/JP2010039352A5/ja
Priority to US13/241,691 priority patent/US8440373B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5222660B2 publication Critical patent/JP5222660B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H10P76/405—
    • H10P76/4085—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
JP2008204164A 2008-08-07 2008-08-07 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 Active JP5222660B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008204164A JP5222660B2 (ja) 2008-08-07 2008-08-07 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
KR1020090072454A KR101240279B1 (ko) 2008-08-07 2009-08-06 마스크블랭크용 기판, 마스크블랭크 및 포토마스크 그리고 그것들의 제조방법
TW102122421A TWI461840B (zh) 2008-08-07 2009-08-06 光罩基底用基板、光罩基底與光罩及其等之製造方法
TW098126855A TWI402615B (zh) 2008-08-07 2009-08-06 光罩基底用基板、光罩基底與光罩及其等之製造方法
US12/536,966 US8048593B2 (en) 2008-08-07 2009-08-06 Mask blank substrate, mask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
DE102009036618.0A DE102009036618B4 (de) 2008-08-07 2009-08-07 Herstellungsverfahren für ein Maskenrohlingsubstrat, für einen Maskenrohling, für eine Photomaske und für ein Halbleiterbauelement
KR1020110049063A KR20110074835A (ko) 2008-08-07 2011-05-24 마스크블랭크용 기판, 마스크블랭크, 포토마스크 및 반도체 디바이스 그리고 그것들의 제조방법
US13/241,691 US8440373B2 (en) 2008-08-07 2011-09-23 Mask blank substrate, mask blank, photomask, and methods of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008204164A JP5222660B2 (ja) 2008-08-07 2008-08-07 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012134648A Division JP5323966B2 (ja) 2012-06-14 2012-06-14 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010039352A JP2010039352A (ja) 2010-02-18
JP2010039352A5 JP2010039352A5 (enExample) 2011-07-21
JP5222660B2 true JP5222660B2 (ja) 2013-06-26

Family

ID=41653203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008204164A Active JP5222660B2 (ja) 2008-08-07 2008-08-07 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8048593B2 (enExample)
JP (1) JP5222660B2 (enExample)
KR (2) KR101240279B1 (enExample)
DE (1) DE102009036618B4 (enExample)
TW (2) TWI402615B (enExample)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5222660B2 (ja) * 2008-08-07 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP4971278B2 (ja) * 2008-09-25 2012-07-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクスの選択方法及び製造方法並びにフォトマスクの製造方法
JP5231918B2 (ja) 2008-09-26 2013-07-10 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、及び両面研磨装置
JP5335351B2 (ja) * 2008-10-01 2013-11-06 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法
WO2011115131A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ光学部材用基材およびその製造方法
JP5637062B2 (ja) * 2010-05-24 2014-12-10 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板及びその製造方法
CN101923292B (zh) * 2010-08-03 2012-10-17 深圳市路维电子有限公司 光罩边缘铬残留去除方法
JP5858623B2 (ja) * 2011-02-10 2016-02-10 信越化学工業株式会社 金型用基板
KR101343292B1 (ko) * 2011-04-12 2013-12-18 호야 가부시키가이샤 포토마스크용 기판, 포토마스크 및 패턴 전사 방법
JP6055732B2 (ja) * 2013-07-26 2016-12-27 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法
JP5658331B2 (ja) * 2013-07-31 2015-01-21 Hoya株式会社 マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP6348116B2 (ja) * 2013-09-27 2018-06-27 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体装置の製造方法
JP6094708B1 (ja) * 2015-09-28 2017-03-15 旭硝子株式会社 マスクブランク
US10948814B2 (en) * 2016-03-23 2021-03-16 AGC Inc. Substrate for use as mask blank, and mask blank
EP3477387B1 (en) * 2016-06-28 2025-12-17 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle film, pellicle frame body, pellicle, and method for manufacturing pellicle
US10983427B2 (en) 2016-07-27 2021-04-20 Hoya Corporation Method for manufacturing a mask blank substrate, method for manufacturing a mask blank, method for manufacturing a transfer mask, method for manufacturing a semiconductor device, a mask blank substrate, a mask blank, and a transfer mask
JP6862859B2 (ja) * 2017-01-30 2021-04-21 Ａｇｃ株式会社 マスクブランク用のガラス基板、マスクブランクおよびフォトマスク

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3377006B2 (ja) * 1992-02-28 2003-02-17 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板
AU4291099A (en) * 1998-09-30 2000-04-17 Nikon Corporation Photomask and exposure method
JP3572053B2 (ja) * 2001-05-31 2004-09-29 株式会社東芝 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー
JPWO2004083961A1 (ja) * 2003-03-20 2006-06-22 Hoya株式会社 レチクル用基板およびその製造方法、並びにマスクブランクおよびその製造方法
EP1617287A4 (en) * 2003-03-28 2010-01-27 Hoya Corp METHOD FOR PRODUCING A MASK ROLL
TWI329779B (en) * 2003-07-25 2010-09-01 Shinetsu Chemical Co Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
JP4340859B2 (ja) * 2003-07-25 2009-10-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
JP2005043836A (ja) 2003-07-25 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク用基板の選定方法
JP4761901B2 (ja) * 2004-09-22 2011-08-31 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクス用基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP4803576B2 (ja) * 2004-09-29 2011-10-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、露光用マスク、半導体デバイスの製造方法、及びマスクブランク用基板の製造方法
KR100710960B1 (ko) 2004-09-29 2007-04-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 노광용 마스크,마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 반도체 제조방법
JP5153998B2 (ja) * 2005-02-25 2013-02-27 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP4683416B2 (ja) * 2005-06-10 2011-05-18 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
JP2008204164A (ja) 2007-02-20 2008-09-04 Mitsubishi Electric Corp 侵入検知装置
JP5222660B2 (ja) * 2008-08-07 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5335351B2 (ja) * 2008-10-01 2013-11-06 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120015286A1 (en) 2012-01-19
DE102009036618B4 (de) 2016-08-04
TW201341946A (zh) 2013-10-16
KR20100019373A (ko) 2010-02-18
TW201007349A (en) 2010-02-16
US8440373B2 (en) 2013-05-14
US20100035028A1 (en) 2010-02-11
US8048593B2 (en) 2011-11-01
JP2010039352A (ja) 2010-02-18
KR20110074835A (ko) 2011-07-04
DE102009036618A1 (de) 2010-03-25
TWI402615B (zh) 2013-07-21
TWI461840B (zh) 2014-11-21
KR101240279B1 (ko) 2013-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5222660B2 (ja) マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5335351B2 (ja) マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法
KR101271644B1 (ko) 마스크블랭크용 기판
JP4728414B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6216835B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法
JP5323966B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP4819191B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP5658331B2 (ja) マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP2006126816A (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、露光用マスク、半導体デバイスの製造方法、及びマスクブランク用基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110606

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110606

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130311

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5222660

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250