JP5221180B2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5221180B2 JP5221180B2 JP2008086110A JP2008086110A JP5221180B2 JP 5221180 B2 JP5221180 B2 JP 5221180B2 JP 2008086110 A JP2008086110 A JP 2008086110A JP 2008086110 A JP2008086110 A JP 2008086110A JP 5221180 B2 JP5221180 B2 JP 5221180B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror layer
- layer
- reflective mirror
- λpl
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Description
前記第1ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第2ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第1ブラッグ反射型ミラー層及び前記第2ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層と、
を具備する発光素子であって、
前記発光素子の設計波長をλPLとし、前記第1ブラッグ反射型ミラー層及び前記第2ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。
λPL<λcnt(単位:nm)≦λPL+10
下記式における((m/4)−Xm)の範囲は、mが6のとき、1.4〜1.55であることが好ましい。
L=((m/4)−Xm)×λPL/n(ave)
図1は、本発明の実施形態に係る発光素子の構成を説明する為の縦断面図である。本図に示す発光素子は、基板101の表面上に、バッファ層102、第1DBRミラー層103、第1クラッド層104、活性層105、第2クラッド層106、開口部を有する電流狭窄層107、第2DBRミラー層108、及び開口部を有するコンタクト層110をこの順に積層し、さらにコンタクト層110上にオーミック電極(図示せず)を形成したものである。なお、基板101の裏面にも図示しない電極が形成されている。第1クラッド層104、活性層105、及び第2クラッド層106により量子井戸活性層を挟み込んだダブルヘテロ構造が形成されている。
しかし、DBRミラー層は前記垂直方向に対して斜め方向にも反射率を持つ。この斜め方向への反射率は、設計波長に対しては低下してしまい、その最大反射率を持つ波長は短波へシフトしてしまう。このため、DBRの中心波長を斜め方向への反射率を考慮せずに設計すると、斜め方向の共振が強く起こり、結果として、FFPにおいて、斜め方向の光が強くなってしまうことが分かった。
活性層のPLスペクトルを好適に観察できるサンプルを準備し、PL測定装置によりPLスペクトルのピーク波長λPLを測定する。PL測定装置は、PHILPS社製PLM−100を用いた。これによって測定したλPLを設計波長と定める。測定したPLスペクトルの例を図1に示す。このλPLを変更すると、他のパラメータも全て変更となるので最初に決めるのが良い。
L=((m/4)−Xm)×λPL/n(ave) ・・・(1)
ここで平均屈折率n(ave)は、共振器内に含まれる層(本実施の形態では、第1クラッド層104、活性層105及び第2クラッド層106である)を別途基板上に成膜し、エリプソメーターにて各層の屈折率を測定し、共振器内の各層の厚みに応じた重み付き平均を計算することで定義する。
このmの値から、XmXをプラス、すなわち共振器長Lを長くすると、共振波長は長くなるが、斜め方向に共振する波長が増え、FFPが広がる傾向となるので望ましくない。また、Xmをマイナス、すなわち共振器長を短くすると、共振波長は短くなるが、斜め方向の共振が起きずFFPは狭まる傾向となる。ただし、共振器長を短くしすぎると、共振効果が低下するため、発光出力の低下を招くので望ましくない。例えば、本発明の望ましい((m/4)−Xm)の範囲は、mが6のとき、1.4〜1.55である(Xm=−0.1〜+0.05)。そしてmが小さく共振器長が小さければ調整係数Xmの範囲も狭くなり、mが大きく共振器長が大きければ調整係数Xmの範囲も大きくなる。Xmは自然数m(4〜8)によって表される下記式の範囲が好ましい。
−0.1×m/6≦Xm≦0.05×m/6
λPL<λcnt(単位:nm)≦λPL+10 ・・・(2)
ここでλcntは、第1DBRミラー層及び第2DBRミラー層の反射率が最大になる波長であり、反射率測定装置を用いて測定する。反射率測定装置は、PHILPS社製PLM−100を用いた。測定した反射率スペクトルの例を図2に示す。
Claims (5)
- 第1ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第1ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第2ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第1ブラッグ反射型ミラー層及び前記第2ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層と、
を具備する発光素子の設計方法であって、
前記発光素子の設計波長をλPLとし、前記第1ブラッグ反射型ミラー層及び前記第2ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすように設計することを特徴とする発光素子の設計方法。
λPL<λcnt(単位:nm)≦λPL+10 - 請求項1において、下記式を満たすように設計することを特徴とする発光素子の設計方法。
λPL+5≦λcnt(単位:nm)≦λPL+10 - 請求項1または2において、第1ブラッグ反射型ミラー層と第2ブラッグ反射型ミラー層で挟まれた層の合計の厚みを共振器長Lとし、共振器内の平均屈折率をn(ave)とし、mを自然数とし、Xmを共振器調整係数とした場合に下記式が成り立ち、
下記式における((m/4)−Xm)の範囲は、mが6のとき、1.4〜1.55であることを特徴とする発光素子の設計方法。
L=((m/4)−Xm)×λPL/n(ave) - 第1ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第1ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第2ブラッグ反射型ミラー層と、
前記第1ブラッグ反射型ミラー層及び前記第2ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層と、
を具備する発光素子であって、
前記発光素子の設計波長をλPLとし、前記第1ブラッグ反射型ミラー層及び前記第2ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする発光素子。
λPL+5≦λcnt(単位:nm)≦λPL+10 - 請求項4において、第1ブラッグ反射型ミラー層と第2ブラッグ反射型ミラー層で挟まれた層の合計の厚みを共振器長Lとし、共振器内の平均屈折率をn(ave)とし、mを自然数とし、Xmを共振器調整係数とした場合に下記式が成り立ち、
下記式における((m/4)−Xm)の範囲は、mが6のとき、1.4〜1.55であることを特徴とする発光素子。
L=((m/4)−Xm)×λPL/n(ave)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008086110A JP5221180B2 (ja) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008086110A JP5221180B2 (ja) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009239176A JP2009239176A (ja) | 2009-10-15 |
JP5221180B2 true JP5221180B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=41252742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008086110A Active JP5221180B2 (ja) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5221180B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018221042A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2020-04-02 | ソニー株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07193325A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
KR100363503B1 (ko) * | 1994-01-20 | 2003-02-05 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표면방출형반도체레이저와그제조방법 |
JPH09326505A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Daido Steel Co Ltd | 面発光型発光ダイオード |
JPH1154846A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Daido Steel Co Ltd | 共振型面発光素子 |
JP3547344B2 (ja) * | 1999-08-24 | 2004-07-28 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2007087994A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
-
2008
- 2008-03-28 JP JP2008086110A patent/JP5221180B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009239176A (ja) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5688881B2 (ja) | 照明装置および検出装置を有するセンサシステム | |
JP5357542B2 (ja) | 中赤外共振空洞発光ダイオード | |
KR100827120B1 (ko) | 수직 단면 발광 레이저 및 그 제조 방법 | |
JP5409210B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US20110158280A1 (en) | Photonic crystal surface emitting laser | |
WO2018168430A1 (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム | |
JP2007095758A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2011096856A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2019208004A (ja) | 垂直共振器型発光素子 | |
JPH067602B2 (ja) | 高輝度発光ダイオ−ド | |
WO2003092132A1 (en) | Gasb-clad mid-infrared semiconductor laser | |
US20070091953A1 (en) | Light-emitting diode with a narrow beam divergence based on the effect of photonic band crystal-mediated filtration of high-order optical modes | |
US6560264B1 (en) | Stripe type semiconductor light emitting element having InGaN active layer, combined with optical resonator including wavelength selection element | |
WO2005017568A2 (en) | Semiconductor light sources with doping gradients in optical confinement layers for improved device efficiency | |
JP2007531263A (ja) | 低消費電力ディスプレー素子用の光量子リングレーザー | |
JP5221180B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2022002245A (ja) | 面発光型量子カスケードレーザ | |
JP2013165239A (ja) | スーパールミネッセントダイオード、スーパールミネッセントダイオードを備えたsd−octシステム | |
JP2010045249A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
EP2913903B1 (en) | Device comprising a high brightness broad-area edge-emitting semiconductor laser and method of making the same | |
KR101466703B1 (ko) | 광대역 파장조절 표면방출 레이저 | |
WO2016098273A1 (ja) | 活性層構造、半導体発光素子および表示装置 | |
JP4292786B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
TWI634715B (zh) | 端面射出型半導體雷射 | |
JP2010165723A (ja) | 面発光レーザの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130307 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5221180 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |