JP5219975B2 - コイル及びトランス - Google Patents
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Description
第1の実施形態について図1及び図2を参照して説明する。本実施形態に係るコイル1は、下部磁性材基板(磁性材基板)2と、下部磁性材基板2上に形成されたループ状導体3と、ループ状導体3の周辺に設けられループ状導体3に通電されたときに発生する磁束が通る磁性体から成る磁性材コア層(コア部)4と、ループ状導体3上に配置される上部磁性材基板5とを備えている。また、ループ状導体3と磁性材コア層4との間にエアギャップ6が形成されている。下部磁性材基板2及び上部磁性材基板5はフェライトを、ループ状導体3は銅を、磁性材コア層4はNiFeをそれぞれ用いることができる。
経路Iの磁気抵抗HI=2×d2/μ1+2×h3/μ2
経路IIの磁気抵抗HII=2×(d2+2×d1)/μ1+2×h3/μ2=2×d2/μ1+4×d1/μ1+2×h3/μ2
となり、経路Iの磁気抵抗のほうが、(4×d1/μ1)分、経路IIの磁気抵抗より小さくなる。このように、エアギャップ6が無い場合には、磁気抵抗が、ループ状導体3に近い位置を通る経路の方が遠い位置を通る経路より小さくなるので、磁束はループ状導体3に近い方に集中する。
経路Iの磁気抵抗HI=2×d2/μ1+2×(h3−h1)/μ2+2×h1/μ3=2×d2/μ1+2×h3/μ2+2×h1(1/μ3−1/μ2)
経路IIの磁気抵抗HII=2×(d2+2×d1)/μ1+2×(h3−h2)/μ2+2×h2/μ3=2×d2/μ1+2×h3/μ2+2×h2(1/μ3−1/μ2)+4×d1/μ1
となる。
ここでd1=(h1−h2)×(1/μ3−1/μ2)×μ1/2=499×Δh (ただしΔh=h1−h2)
であれば、経路Iの磁気抵抗HIと経路IIの磁気抵抗HIIが同じになる。例えば、d1=1mm、h2=0μmとすると、h1=1000/499≒2μmのときに、磁気抵抗HIと磁気抵抗HIIが同じになる。従って、エアギャップ6の断面を底辺1mmで高さ2μmの直角三角形状にすると、ループ状導体3から1mmの距離までの位置における磁気抵抗が略同一になるので、その範囲における磁束密度が均一になる。
第2の実施形態について図3を参照して説明する。本実施形態は、第1の実施形態に係るコイル1を用いてトランスを構成したものである。トランス7は、一対のコイル1,1を備えている。各コイル1は、上部磁性材基板5を除いた構成であり、トランス7は、各コイル1の下部磁性材基板2を外側に位置させて、ループ状導体3と磁性材コア層4同士が対面するように接合されている。このような構成にすることにより、各コイル1が磁気的に結合してトランス7として動作し、各コイル1が磁気飽和し難く、トランス7も磁気飽和し難くなる。
2 下部磁性材基板(磁性材基板)
3 ループ状導体
4 磁性材コア層(コア部)
5 上部磁性材基板
6 エアギャップ
7 トランス
Claims (4)
- 下部磁性材基板と、前記下部磁性材基板上に形成されたループ状導体と、前記ループ状導体の内側に間隙を持って設けられた内周側部分及び前記ループ状導体の外側を間隙をあけて囲んでいる外周側部分で構成され、前記ループ状導体に通電されたときに発生する磁束が通る磁性体から成るコア部と、前記ループ状導体上に配置される上部磁性材基板と、を備えたコイルにおいて、
前記コア部の内周側部分及び外周側部分の前記ループ状導体に向かい合う部分の下側には、前記ループ状導体から所定長さだけ離れた前記下部磁性材基板との接面位置から始まり、前記下部磁性材基板に垂直な方向に所定高さだけ上の位置で終わる、断面が直角三角形又は該直角三角形の斜辺部分が階段状になっているエアギャップを形成する面が設けられており、
前記エアギャップは、前記磁性材基板に垂直な方向のギャップ長が前記ループ状導体に近づく程大きくなり、前記ループ状導体から離れる程小さくなるように変化しており、前記エアギャップを設けている個所においてコア部を通過する磁束密度が均一とされていることを特徴とするコイル。 - 前記エアギャップは、前記コア部と下部磁性材基板との間に形成されることを特徴とする請求項1に記載のコイル。
- 前記エアギャップが、前記下部磁性材基板及びコア部の材質よりも透磁率の低い材質によって置換されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のコイル。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のコイルにおいて、前記上部磁性材基板を備えていない構成のコイル2つを、一方を反転させてコア部同士が対面するように接合させた構成を有していることを特徴とするトランス。
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