JP5218271B2 - 2h炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
12 圧力容器
13 坩堝
14 坩堝蓋
14a 挿入部
14b 外蓋部
14c 溝
15 遮蔽板
16 ボンベ
17 圧力計
18、19、20 ガスバルブ
21 配管
22 レギュレータ
23 リチウムフラックス
24 治具
25 種結晶基板
26 メタン
27 単結晶膜
28 多結晶膜
Claims (7)
- 圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックスに炭化珪素単結晶基板を接触させる工程と、
前記圧力容器内にメタンを導入し、前記リチウムフラックスに前記メタンを接触させることにより、前記リチウムフラックスから前記単結晶基板上に2H炭化珪素単結晶を成長させる工程と
を包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記メタンを、前記圧力容器内に0.1MPa以上の高い圧力で導入する請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記成長工程中、前記メタンの分解により生じたガスの排気および新しいメタンの導入を断続的に繰り返す請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記成長工程において、前記メタンを加熱した後、前記圧力容器内に導入する請求項1から3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記圧力容器内において、前記リチウムフラックスを、炭素を実質的に含まない物質からなる坩堝で保持する請求項1から4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記リチウムフラックスは、ナトリウムを含む請求項1から4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板は(000−1)面を有する4Hまたは6H炭化珪素単結晶もしくは(−1−1−1)面を有する3C炭化珪素単結晶からなり、前記(000−1)面上もしくは(−1−1−1)面上に前記2H炭化珪素単結晶を成長させる請求項1から4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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