JP5214196B2 - Ptfe材料のエッチング方法 - Google Patents
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Description
以下に、図1を用いて、本発明の第1実施形態に係るPTFE材料のエッチング方法について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るPTFE材料のエッチング方法の工程を順に示した模式図である。なお、図1(a)中の実線矢印は、シンクロトロン放射光である。
次に、図2を用いて、本発明の第2実施形態に係るPTFE材料のエッチング方法について説明する。図2は、本発明の第2実施形態に係るPTFE材料のエッチング方法の一工程を示す模式図である。なお、図2中の矢印は、シンクロトロン放射光である。
次に、図3を用いて、本発明の第3実施形態に係るPTFE材料のエッチング方法について説明する。図3は、本発明の第3実施形態に係るPTFE材料のエッチング方法の一工程を示す模式図である。なお、図3中の実践矢印は、シンクロトロン放射光である。
次に、本発明の第4実施形態に係る高周波導波管について説明する。図4(a)は、本発明の第4実施形態に係る高周波導波管を示す模式構成図である。
次に、本発明の第5実施形態に係る高周波導波管について説明する。図6(a)は、本発明の第5実施形態に係る高周波導波管を示す模式構成図、図6(b)は、図6(a)の高周波導波管の一例の寸法における散乱行列の周波数特性を示すグラフである。なお、図6(a)においては、説明の便宜上、透明図としている。また、図6(b)のグラフにおいては、図6(a)の高周波導波管の一例の周波数特性を線で示し、市販のシミュレータ(HFSS)による数値解析結果をドットで示している。また、図6(b)のグラフの周波数特性を得る図6(a)に示した各パラメータの具体的な値は、以下の通りである。W=4.0(mm)、We=4.318(mm)、cl=1.643(mm)、Aa=2.442(mm)、Au=1.505(mm)、Aν=3.363(mm)、後述するPTFE板41aの誘電率は2.04、後述する穴42a、42b、42c、42d、42e、42fの径は0.05mmとしている。
次に、本発明の第6実施形態に係る高周波導波管について説明する。図7は、本発明の第6実施形態に係る高周波導波管を示す模式構成図であって、(a)が斜視透明図、(b)が上視透明図である。
上述の第1実施形態と同様のエッチング方法を用いて、実際にPTFE材料をエッチングした。本実施例でのシンクロトロン放射光の光子エネルギーは、1〜12keVとした。その結果を図8(a)のAFM写真として示す。図8(a)中、PTFE材料の温度を、(a−1)が135℃、(a−2)が165℃、(a−3)が185℃、(a−4)が221℃として、エッチングを行った。
PTFE材料の温度が異なる点と、シンクロトロン放射光の光子エネルギーを1〜12keVとした以外は、実施例1と同様にエッチングを行った。その結果を図8(b)のAFM写真として示す。図8(b)中、PTFE材料の温度を、(b−1)が107℃、(b−2)が116℃、(b−3)が142℃、(b−4)が164℃として、エッチングを行った。
次に、下記表1のように、PTFE材料の温度及びシンクロトロン放射光の光子エネルギーを変化させた際のエッチングによって、PTFE材料の表面がどのように変化するか、AFM観察を行った。これらの結果をAFM画像の写真として図9に示す。なお、表1での試料1〜5に、図9の(a)〜(e)が順に対応している。
1a、11a、21a パターン
2、12、22、31a PTFE材料
2a 貫通孔
3 泡
13 吸着用フィルム
31 高周波導波管
31b 薄膜
Claims (3)
- シンクロトロン放射光を少なくともエッチングに使用できない程度に透過させない材料からなるとともにパターンが形成されたマスク部材を介して、前記シンクロトロン放射光をPTFE材料に照射してエッチングを行うPTFE材料のエッチング方法であって、
前記エッチングの際、前記マスク部材と前記PTFE材料との間に、前記シンクロトロン放射光を透過させるとともに前記PTFE材料から飛沫するPTFEを吸着するPTFE吸着用フィルムを配置することを特徴とするPTFE材料のエッチング方法。 - シンクロトロン放射光を少なくともエッチングに使用できない程度に透過させない材料からなるとともにパターンが形成されたマスク部材を介して、前記シンクロトロン放射光をPTFE材料に照射してエッチングを行うPTFE材料のエッチング方法であって、
PTFE材料の加工部分の温度が85℃以上であり、該加工部分に0.05keV〜40keVの光子エネルギーのシンクロトロン放射光を照射する工程を有しており、
前記エッチングの際、前記マスク部材と前記PTFE材料との間に、前記シンクロトロン放射光を透過させるとともに前記PTFE材料から飛沫するPTFEを吸着するPTFE吸着用フィルムを配置することを特徴とするPTFE材料のエッチング方法。 - 前記PTFE吸着用フィルムが、樹脂フィルム、軽金属フィルム、半導体フィルム、又は、圧電体フィルムであることを特徴とする請求項1又は2に記載のPTFE材料のエッチング方法。
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