JP5212426B2 - Cvd炉の清浄度評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし高温処理を行うという観点から、高温に耐えることの出来ない周辺材料がある場合は、適応が制限される。また酸化は化学反応で、かつ酸化のためには酸素の拡散が必要であることから、酸化膜厚にはおのずから限界が生じ、厚い酸化膜を形成することが困難である。
更に、これ以外にも、不純物、特に軽元素による汚染のレベルについては、装置の高温処理による空焼きという手法がとれないこともあり、悪い可能性がある。軽元素による汚染レベルは、酸化膜の性質に大きく関係しており、特にバッチ間での不純物による汚染レベルの変動は、非常に憂慮すべき問題であるため、その汚染レベル等を把握することが重要である。
化学分析は、高感度ではあるが、シリコン基板表面に酸等の薬液を流し、この薬液に金属不純物を溶解させて、これを発光分析等で評価することが一般的であるため、ウェーハ面内情報を得ることが出来ず、局所的な解析が出来ない(膜の性質に悪影響を及ぼす程の汚染が存在しているかどうかが判断出来ない)という欠点がある。
このように、CVD炉にて基板に酸化膜を形成すれば、実際の成膜条件に近い状況で、CVD炉の清浄度を評価することが出来る。また、CVDで厚い酸化膜を形成する際に用いるCVD炉の清浄度評価を容易に実施でき、高品質なCVD酸化膜の製造に寄与するものとすることが出来る。
このように、非酸化性雰囲気として、アルゴンを用いれば、入手し易く、コスト面でも有利である。
このように、アニール工程を、1000℃〜1200℃で、20〜80分行えば、パーティクル状の異物を検出することを、確実に行うことが出来る。
このように、CVD炉にて膜を形成させる基板としてシリコン基板を用いれば、その後の清浄度評価の際の解析も容易に行うことが出来る。
前述のように、本発明のCVD炉の清浄度評価方法によれば、従来よりも不純物汚染を抑えた状態でCVD炉を管理することができるため、このようなCVD炉で製造したエピタキシャル基板は高品質なものとすることが出来る。
前述のように、半導体基板や半導体素子基板等の基板に成膜する際に幅広く用いられているCVD法は、不純物、特に軽元素による汚染が、形成される膜の性質に大きく関係するため、CVD炉内の汚染レベルを分析し、清浄度を評価することが必要である。しかし、その分析の際に用いられている化学分析では、局所的な解析が出来ないという欠点があり、結果として、高精度・高感度にCVD炉の清浄度を評価できないという問題があった。
そこで、この炉の汚染パターンに着目し、本発明者が鋭意検討を行った結果、CVD炉にて基板に膜を形成し、該成膜後の基板を非酸化性雰囲気下にてアニールした後、該アニール後の基板上に生成するパーティクル状の異物の数及び分布を観察することにより、簡単かつ高感度でウェーハ面内での局所的な清浄度を評価することが出来ることを知見し、本発明をなすに至った。
図1は本発明のCVD炉の清浄度評価方法の一例を示したフロー図である。
本発明の評価方法は、図1に示されるように、まず本来の目的の通りにCVD炉にて基板に所望の成膜を行う(以下、「CVD工程」という)(図1(1))。
酸化性雰囲気の場合、CVD膜上に熱酸化膜が成長してしまい、本来のCVD膜の評価を行えない恐れがあるが、非酸化性雰囲気であれば、そのような心配もない。
このような非酸化性雰囲気としては、好ましくはアルゴンガスが用いられる。通常用いられる窒素ガスでは、高温にさらされていることから窒化膜の成長が懸念され、またこれ以外の希ガスも考えられるが、アルゴンが入手、コストの面から有効である。
ここで、CVD成膜後のアニール温度とパーティクル数の関係(アニール温度依存性)を調べた結果を図3に示す。図3に示すように、アニール温度が1000℃以上であれば、パーティクル状の異物が十分に検出されるため、目視によっても観察(評価)が可能となる。また上限の1200℃については、これ以上高温も可能ではあると思われるが、現状よく用いられるシリコン基板用の装置を念頭に置いた場合、1200℃が上限であり、プロセスそのものも1200℃を超える温度がほとんど存在しないことや、本発明においてはパーティクルが検出出来ていれば良いことを考えると、上限は1200℃で十分であると考えられる。
ここで、1200℃での、CVD成膜後のアニール時間とパーティクル数の関係(アニール時間依存性)を調べた結果を図4に示す。図4に示されるように、アニール時間が20分未満では、パーティクルが増加傾向にあり、検出される数も安定しない恐れがあるが、20分を過ぎた辺りからパーティクルの増加が緩やかになり、また、60分〜80分辺りから、パーティクル数がほぼ一定となっているため、長時間アニール工程を行う必要性もないからである。
[実施例]
まずモニタ基板として、P型のシリコン基板(直径200mm、抵抗率10Ω・cm)を準備した。これをRCA洗浄後に、CVD酸化炉に投入して、780℃、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)ガスを原料として、シリコン基板上にCVD酸化膜を100nm成膜した。このとき、長期間に亘って使用した、メンテナンス直前のCVD炉を用いて成膜したものをSample1とし、メンテナンス(解体・洗浄実施)後のCVD炉を用いて成膜したものをSample2とした。
Sample1で観察された異物を、SEMで観察したところ、図2(a)のような円形状であることが分かった。この円形状の異物1の内部を詳細に観察すると、汚染された部分とそうでない部分とが存在し、更に汚染された部分のうちの一箇所Pをエネルギー分散型X線分光法(EDX)により分析すると、軽元素を中心とした不純物が観察された(図2(b))。
実施例同様にCVD酸化膜を成膜したシリコン基板(Sample1´及びSample2´)を用いて、化学分析(前処理としてフッ酸/過酸化水素水混合溶液で酸化膜溶解後、ICP−MS法による分析)によりシリコン基板上の不純物を評価した。結果を表1に示す。
このように、化学分析では、不純物汚染レベルの異なる2種類のシリコン基板(Sample1´とSample2´)の違いがほとんど判断できなかった。
Claims (6)
- 基板に膜を形成する際に用いられるCVD炉の清浄度を評価する方法であって、少なくとも、CVD炉にて基板に膜を形成し、該成膜後の基板を非酸化性雰囲気下にてアニールした後、該アニール後の基板上に生成するパーティクル状の異物の数及び分布を観察することによりCVD炉の清浄度を評価することを特徴とするCVD炉の清浄度評価方法。
- 前記CVD炉にて基板に膜を形成する工程において、基板に酸化膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のCVD炉の清浄度評価方法。
- 前記非酸化性雰囲気としてアルゴンを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のCVD炉の清浄度評価方法。
- 前記アニール工程を、1000℃〜1200℃で、20〜80分行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のCVD炉の清浄度評価方法。
- 前記基板としてシリコン基板を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のCVD炉の清浄度評価方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のCVD炉の清浄度評価方法によって汚染を管理したCVD炉を用いて、基板上に膜を気相成長させることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
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