JP2008053398A

JP2008053398A - 炭化珪素半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2008053398A
Application number: JP2006227357A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Nakamura; 俊一中村
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2006-08-24
Filing date: 2006-08-24
Publication date: 2008-03-06

Abstract

【課題】炭化珪素半導体装置の製造工程において、ＳｉＣ粉塵の発生が不可避な工程が含まれる場合に、ウェハ上に付着したＳｉＣ粉塵によって良品率が低下するのを抑制するトレンチゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。
【選択図】なし

Description

本発明は炭化珪素半導体基板に付着する炭化珪素粉塵を除去して良品率の向上を図ることのできる炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。

炭化珪素（以降ＳｉＣと記すこともある）半導体基板を用いて高耐圧パワーデバイスを作製すると、シリコン（Ｓｉ）デバイスより、オン抵抗を大幅に低減できる可能性があることが知られている。近年は、１．２〜１．７ｋＶクラスのＳｉＣ製ＭＯＳＦＥＴにおいて、１０ｍΩｃｍ^２を下回る低いオン抵抗が得られている。これは、同じ耐圧クラスのバイポーラデバイスであるシリコン（Ｓｉ）製ＩＧＢＴよりも小さい。しかし、今のところ、オン抵抗を低減できるといっても、ＳｉＣ半導体基板の本来の物性から見れば、まだ低減の程度は不充分であり、さらに低減できる余地が残されている。この点を考慮すると、今後、Ｓｉ製のＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴなどとの対比で、低コスト化とオン抵抗の低減がさらに進めば、インバーター部品としてのＳｉ製ＩＧＢＴの大半がＳｉＣ製ＭＯＳＦＥＴに置き換えられる可能性も充分に考えられる。

ところが、ＳｉＣ半導体基板を用いた高耐圧ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスには、ＳｉＣ粉塵を発生する工程があって、しかも発生したＳｉＣ粉塵がＳｉＣ半導体基板に付着することに起因してその後のプロセスにおける良品率が低下しやすくなる問題があって、前記低コスト化が遅々として進まない。この良品率を向上させるにはＳｉＣ半導体基板に付着したＳｉＣ粉塵を充分に除去するか、またはそもそもＳｉＣ粉塵が直接ＳｉＣ半導体基板に付着しないようにプロセスを進めることが肝要と思われる。

この粉塵問題は、ＳｉＣ結晶材料を使わない通常のシリコン製電子デバイスの製造プロセスならば、たとえ、シリコンウエハに粉塵が付着することがあっても、ほとんどＳｉ粉塵であるから、シリコン表面を薬品で酸化して化学酸化膜を形成した後、これをフッ酸等で除去する方法等により比較的容易に除去されるので、通常はあまり問題視されない。その意味では、前記粉塵問題はＳｉＣ半導体プロセスに特有の問題である。

ただし、シリコンデバイスの製造プロセス工程においても、高温や酸化性雰囲気にさらされる場所には、耐熱性の治具材料ならびにコーティング材料として、あるいはダミーウエハとして、多結晶ＳｉＣウエハが用いられる場合が限定的であるが存在した。その場合、多結晶ＳｉＣの粉塵が発生しシリコンウエハに付着することがあり、しかも容易には除去できないということが知られていた。しかし、限定的であり、通常のＳｉ半導体プロセスではそれほど大きな問題とはなっていなかった。

ＳｉＣデバイスの製造プロセスで発生し、ＳｉＣ半導体基板に付着するＳｉＣ粉塵に起因する良品率低下問題もその原因はほぼ同じであると考えられる。つまり、Ｓｉ半導体プロセスと異なり、ＳｉＣ半導体プロセスでは大きな問題となる原因は、ＳｉＣ粉塵を構成するＳｉＣ半導体材料が熱的・化学的に極めて安定であるが故に、容易に除去ができないことにある。言い換えると、ＳｉＣ粉塵の除去に、シリコン粉塵の除去に用いた化学酸化膜形成・除去工程と同様な工程を適用できないからである。

他方、ＳｉＣ粉塵の除去に関する公知文献では、半導体基板上の炭化珪素を酸化させてシリコン酸化物を形成し、その後にシリコン酸化物を基板から除去することによって、基板から炭化珪素を除去する方法と装置に関する文献が公開されている（特許文献１）。
また、炭化珪素の｛０００１｝面の欠陥密度を低減し、ホモエピタキシャル成長面を限りなく平坦にするために、炭化珪素（０００−１）ｃ面を機械加工し、加工面の０．１μｍ以上を溶融アルカリにより除去する炭化珪素基板の製造方法に関する文献が公開されている（特許文献２）。
特開２００２−１５１５０５号公報特開２００５−２８６０３８号公報

一方で、ＳｉＣ半導体プロセスにおいて、ＳｉＣ粉塵が発生する工程の多くははエピタキシャル成長工程である。また、多くの場合、このエピタキシャル工程はＳｉＣ半導体プロセスでは避けることのできない工程でもある。すなわち、ＳｉＣ半導体基板においては、パワーデバイスを作製するのに十分な精度でドーピングされたインゴットを作製する技術が、今のところ確立していないので、充分に低抵抗であるＳｉＣウエハ（半導体基板）を支持基板として、その上にエピタキシャル成長によって所望のドーピング密度を有する半導体層を形成する工程が不可欠なのである。

このエピタキシャル成長工程において、ＳｉＣ粉塵が発生するメカニズムを説明する。ＳｉＣのエピタキシャル成長では、１３００℃以上の高温を必要とするので、ＳｉＣウエハのみならず、成長装置の壁面や天井も高温となる。この結果、成長装置の壁面や天井付近でも原料ガスが反応して、多結晶ＳｉＣが付着することになる。通常、エピタキシャル成長中は、ガス流が安定になるように設計・制御されるので、付着した多結晶ＳｉＣが脱離する可能性は小さく粉塵は発生しない。

ところが、ＳｉＣのエピタキシャル成長後に成長装置内をパージしたり、ＳｉＣウエハを取り出したりする際に、ガス流の乱れや部材の振動などによって、壁面に付着していた多結晶ＳｉＣが比較的容易に脱離し落下する。この落下したＳｉＣのカケラが砕けて細かいＳｉＣ粉塵となり飛散するのである。この時、飛散したＳｉＣ粉塵がＳｉＣウエハに付着すると、後続の工程において不良を生じる原因となるので、特にエピタキシャル工程の後工程では、まず最初にウエハ上に付着したＳｉＣ粉塵を除去するプロセスを施す必要が生じるのである。

しかしながら、前述のように、ＳｉＣ半導体プロセスに対しては、従来Ｓｉ半導体プロセスで行われてきたような化学酸化膜形成・除去工程を適用することができないので、Ｓｉ半導体プロセスとは異なる粉塵除去手段として、たとえば、ＳｉＣを溶解できる溶融水酸化アルカリを用いると、ＳｉＣウエハの本来必要な基板面をもエッチングしてしまう危険性がある。しかも、この溶融水酸化アルカリは結晶欠陥部および結晶面方位でエッチング速度が異なることによりウエハ表面に不必要な凹凸をもたらす可能性もある。また、ＳｉＣの溶解は溶融水酸化アルカリなどのような特殊なものに限られ、他の溶解液の無いことも知られている。このような理由で、ＳｉＣを溶解する液体によりＳｉＣ粉塵を除去する方法は採用できない。

さらに異なる粉塵除去手段として、エピタキシャル成長工程に先立って、ＳｉＣ粉塵が直接ＳｉＣウエハ上に付着しないように、あらかじめウエハ上に保護膜、たとえば、溶融水酸化アルカリにも溶けないニッケル膜で被覆して、溶融水酸化アルカリを用いて溶解除去することが考えられるが、ピンホールのないニッケル薄膜を工業的に実用性のある方法で成膜するのはきわめて難しく、やはり採用ができない。

本発明は、以上説明した点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＳｉＣ粉塵の発生が不可避な工程の含まれる炭化珪素半導体装置の製造方法であっても、半導体基板に付着したＳｉＣ粉塵に起因する歩留低下を抑制できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。

特許請求の範囲の請求項１記載の発明によれば、炭化珪素粉塵が発生して炭化珪素半導体基板に付着する可能性のある工程の前に、前記炭化珪素半導体基板上に保護膜を形成する工程を施し、その後、炭化珪素粉塵が前記保護膜上に付着した炭化珪素半導体基板に、前記炭化珪素／保護膜のエッチング選択比の大きい炭化珪素分解気相エッチングを行い、炭化珪素粉塵を除去した後、前記保護膜をエッチング除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とすることにより、本発明の目的は達成される。

特許請求の範囲の請求項２記載の発明によれば、前記保護膜がシリコン酸化膜を主成分とする膜である特許請求の範囲の請求項１記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項３記載の発明によれば、前記炭化珪素粉塵が発生して炭化珪素半導体基板に付着する可能性のある工程がエピタキシャル炭化珪素成長工程または多結晶炭化珪素堆積工程である特許請求の範囲の請求項１または２記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることが好ましい。

特許請求の範囲の請求項４記載の発明によれば、前記炭化珪素／保護膜のエッチング選択比の大きい炭化珪素分解気相エッチング方法が炭化珪素分解プラズマ気相エッチングである特許請求の範囲の請求項１乃至３のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることがより好ましい。
特許請求の範囲の請求項５記載の発明によれば、前記炭化珪素分解プラズマ気相エッチングに用いられる反応性ガスとして、ＳＦ_６、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＢｒから選ばれる少なくともいずれか１種以上のガスを含む特許請求の範囲の請求項４記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることがいっそう好ましい。

特許請求の範囲の請求項６記載の発明によれば、前記炭化珪素分解プラズマ気相エッチングに用いられる反応性ガスとして、前記一種以上のガスに、さらに、Ｏ_２またはＮ_２Ｏガスを添加する特許請求の範囲の請求項５記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項７記載の発明によれば、前記炭化珪素分解プラズマ気相エッチングの後に、酸素プラズマ処理を行う特許請求の範囲の請求項４乃至６のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることが望ましい。

特許請求の範囲の請求項８記載の発明によれば、炭化珪素半導体基板のいずれか一方の主面に、エピタキシャル成長による炭化珪素単結晶層または堆積による炭化珪素多結晶層を、それぞれ成長装置または堆積装置で形成した後、これらの成長装置または堆積装置からＳｉＣ半導体基板を取り出すことなく、ＳｉＣ半導体基板上にシリコン酸化物を主成分とする保護膜を形成し、その後前記成長装置または堆積装置からウェハを取り出し、前記炭化珪素／保護膜のエッチング選択比の大きい炭化珪素分解プラズマエッチングを行い、その後、前記保護膜をエッチング除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とすることによっても、前記本発明の目的は達成される。

本発明によれば、ＳｉＣ粉塵の発生が不可避な工程の含まれる炭化珪素半導体装置の製造方法であっても、半導体基板に付着したＳｉＣ粉塵に起因する歩留低下を抑制できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法にかかる一実施例について、詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。
（保護膜形成）
炭化珪素半導体基板の一方の主面上に炭化珪素半導体層をエピタキシャル成長により積層形成した後に、この積層ＳｉＣウエハをエピタキシャル成長装置から取り出すことなく、そのまま８５０℃〜９５０℃程度でＳｉＨ_４とＮ_２Ｏを流すと、積層ＳｉＣウエハの炭化珪素エピタキシャル層上にシリコン酸化膜が堆積するので、この酸化膜を本発明にかかる後続のプラズマエッチングに対する保護膜として用いる。このような方法で堆積されるシリコン酸化膜は、いわゆるＨＴＯ（ＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＯｘｉｄｅ）としてよく知られている絶縁膜である。堆積膜厚は、少なくとも後続のプラズマエッチング工程に耐えられる厚さがあれば（エッチングで無くならなければ）よいので、あまり厚くする必要はなく、均一性も必要ではない。ただし、ここで堆積するシリコン酸化膜を他の工程に流用する場合には、所定の膜厚と均一性が必要である。この実施例では、堆積条件が不適切であるためか、均一性が非常に悪く、１バッチ内での膜厚は、最も厚いところで６００ｎｍ、最も薄いところで２５０ｎｍ程度であった。炭化珪素半導体層のエピタキシャル成長装置においては、少なくとも１３００℃以上、通常は１５００〜１６００℃という高温に耐えるために、通常、石英管の内部に断熱材を設け、その内部に、加熱されるべきサセプタを設置し、このサセプタ上に炭化珪素半導体基板を載置する構造となっている。サセプタはグラファイトを基材としており、付加的にＳｉＣ等によりコーティングされている。断熱材も、グラファイトベースの材料が通常用いられる。この実施例においては、ＨＴＯを堆積するために酸化性ガスを流すので、グラファイト等の酸化されやすい部材は、ＳｉＣ等でコーティングしておく必要がある。しかし、前述のように、本発明は以上述べた特殊なエピタキシャル成長装置を用いる場合に限られるものではない。エピタキシャル成長の条件はどのようなものであってもよい。さらに、エピタキシャル成長ではなく、多結晶ＳｉＣを堆積するような工程であってもよいが、以下ではエピタキシャル成長したものとして説明を続ける。ＳｉＣ半導体層のエピタキシャル成長は、前述のように１３００℃以上の高温で行われるので、９００℃に加熱することは容易であるが、このような低い温度域まで制御できるように、測温装置を選んでおく必要がある。ＳｉＣ半導体層のエピタキシャル成長においては、Ｓｉ源として、通例ＳｉＨ_４が用いられるので、装置に追加するガスは最低限Ｎ_２Ｏだけでよいが、エピタキシャル成長に用いるＳｉＨ_４が水素希釈されている場合には、個別にヘリウム等で希釈したＳｉＨ_４を用いる必要がある。近年、Ｃｌを含むガス（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２等）をＳｉ源としたＳｉＣ半導体層のエピタキシャル成長も試みられているが、このようなＳｉ源ガスであっても、ＨＴＯを堆積できることが知られているので、保護膜形成の用途としても兼用して用いても差し支えない。ただし、保護膜形成時の段差被覆率があまりに高い（たとえば、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２とＮ_２Ｏを用いた場合には、段差被覆率が高いことが知られている）と、ＳｉＣ半導体基板とその支持台であるサセプタが接着されてしまうので、段差被覆率が高くならないような堆積条件を選ぶか、ＳｉＣ半導体基板をサセプタに対して回転させておくことが必要である。もちろん、後続のプラズマエッチングに耐えられる厚さを有するシリコン酸化膜であれば、どのような原料ガスを用いてもよい。たとえば、ＳｉＨ_４とＯ_２ガスを用いてより低温で堆積（いわゆるＬＴＯ）してもよいし、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、ＴＥＯＳ）とＯ_３ガスを用いてもよいし、プラズマを用いてこれらのガスの反応を促進してもよい。ただし、エピタキシャル成長装置内で成膜しなければならないので、Ｓｉを含むガスと酸素を含むガスを反応させるものであることが好ましい。保護膜の材料が必ずしもシリコン酸化膜でなくてもよく、たとえばシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜であってもよいが、エピタキシャル成長装置内で堆積できる必要がある。なお、エピタキシャル成長に用いたサセプタ面のうち、炭化珪素半導体基板を載置していない部分には、通常、保護膜と同じ材料の膜が堆積されてしまうから、保護膜形成毎にこれを適切に除去する必要がある。
（ＳｉＣウエハ取り出し）
次に、ＳｉＣ積層ウエハをエピタキシャル成長装置から取り出す。この工程において、パージの際の乱流や取り出し時の振動・擦動によって、成長装置の内壁面に形成されたＳｉＣのカケラが剥がれ落ちて飛散することによるＳｉＣ粉塵が発生しやすく、ＳｉＣ積層ウエハにも数多く付着する。実際にこのようにしてＳｉＣ粉塵が付着したと思われるウエハを、パーティクルカウンターと原子間力顕微鏡を用いて測定すると、直径２００〜７００ｎｍ程度のパーティクルが多数検出される。その付着密度は、バックグラウンドレベルから数万／ｃｍ^２程度まで、大きなウエハ間分布・面内分布が見られる。パーティクル数の統計的な分布状態は、エピタキシャル成長後に保護膜を形成する場合も形成しない場合もほとんど同様であったので、パーティクルの発生原因はエピタキシャル成長終了後からウエハ取り出しまでの間であると考えられる（エピタキシャル成長前やエピタキシャル成長中にＳｉＣ粉塵が付着した場合、特徴的な表面モフォロジーとなるので、エピタキシャル成長後に付着したＳｉＣ粉塵と区別できる。）。
（ＳｉＣ粉塵のエッチングによる除去）
次に、付着したＳｉＣ粉塵を、プラズマエッチングにより除去する。この目的のために、この実施例ではＳＦ_６とＯ_２を反応性ガスとした誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によりエッチングしたが、必ずしもこれに限らない。ＳＦ_６に代えて、ＮＦ_３やＣｌ_２やＨＢｒを用いても、大差はない。また、プラズマ発生方法も、ＩＣＰに限らず、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマなどを用いてもよい。なお、このままでは、ＳｉＣ粉塵とハロゲンが反応してできた、ハロゲン化炭素を中心とする重合物がウエハ上に付着することがあるので、プラズマエッチング装置から取り出す前に、ＣＣＰモード（ＩＣＰパワーが０でバイアスパワーのみ）で酸素プラズマを立て、クリーニングを行うことが好ましい。この実施例では、単結晶ＳｉＣ基板を約０．８μｍエッチングする条件でプラズマエッチングしたが、ここで用いた条件では、保護膜に用いたシリコン酸化膜も約２００ｎｍ（０．２μｍ）エッチングされてしまうので、最低膜厚が２５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜を用いている場合は、保護膜がなくなる部分が発生するので、それ以上エッチングするのは難しい。しかし、数が非常に多い直径２００〜７００ｎｍ程度のパーティクルは、この工程によりほぼ完全に除去され、バックグラウンドレベルとなるので、実質的には良品率向上の目的は達している。保護膜のエッチング速度が遅くなる条件（ＳｉＣ／保護膜のエッチング比が大きい条件）を選べば、さらに大きなＳｉＣ粉塵も除去できるので、好ましい。たとえば、ＳＦ_６に代えてＨＢｒを用いた場合、シリコン酸化膜が約２００ｎｍエッチングされる間に、単結晶ＳｉＣ基板を２μｍ程度エッチングできる条件が存在する。ただし、ＳＦ_６を用いる場合に比べてエッチング速度自体がかなり小さいので、スループットが悪い。また、１μｍ程度以上の大きなパーティクルが問題になる場合には、プラズマエッチング前に、循環ろ過装置を備えた洗浄槽を用いて洗浄すればよい。これはウェット洗浄であるが、このような大きなパーティクルは、数が少ないうえに、ろ過フィルターによって簡単に除去できるためである。
（保護膜除去）
最後に、保護膜として用いたシリコン酸化膜を、バッファードフッ酸で除去する。バッファードフッ酸に代えて、普通の希釈フッ酸等を用いてもよい。すでにＳｉＣ粉塵はおおむね除去されているので、ここでウェット工程を用いても差し支えない。パーティクルカウンターで計数したウェット工程後のパーティクル量が、処理バッチ数とともに増加する現象は見られなかった。
（比較例）
比較のため、エピタキシャル成長後に、保護膜を形成することも、プラズマエッチングを施すこともしなかったウエハを、バッファードフッ酸に浸す処理を行うと、パーティクルカウンターで計数したウェット工程後のパーティクル量は、最初の数バッチのうちに急増し、平均で数千／ｃｍ^-２に達してしまった。単純なデバイスとして、エピタキシャルｐｎダイオードを製造するプロセスを流してみると、その影響はさらに顕著であって、前述のような多くのパーティクルが検出されたウエハを用いて、１ｍｍ角のダイオードを製造した場合の耐圧に関する良品率は０％であった。これに対し、この実施例の方法によりＳｉＣ粉塵を適切に除去して、同じダイオードを製造した場合には、４０％程度の耐圧歩留まりが得られた。

以上のように、この実施例によれば、エピタキシャル成長装置から取り出す際に付着するＳｉＣ粉塵は適切に除去されるから、製造されるデバイスの歩留まりが低下するのを抑制することができる。
本発明によれば、ＳｉＣ粉塵は前記プラズマエッチング工程により化学的に分解されて除去されるから、再付着することはない。ＳｉＣ粉塵が除去されて存在しなければ、その後、保護膜を除去する工程には周知のバッファードふっ酸を用いれば簡単である。前記プラズマエッチングに用いる反応性ガスとしては、ＳｉＣ粉塵を化学的に分解できるように、少なくともハロゲンを含むことが好ましい。たとえば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＳＦ_６、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＢｒなどがある。前記プラズマエッチングにより、同時に保護膜を不用意にエッチングで除去して、ＳｉＣ半導体基板上のエピタキシャルＳｉＣ面を露出させると、エピタキシャルＳｉＣ面も望まれないエッチングがされてしまうので、保護膜をエッチングで除去されないようにするには、プラズマ反応ガスに酸素や酸素を含むガス（Ｎ_２Ｏ等）を添加する条件でプラズマエッチングを行う方法とすることが、ＳｉＣ粉塵を分解した際に生じた炭素によって重合物を形成するのを抑制できるので好ましい。炭素重合物の形成を抑制する意味では、反応性ガスとして、ＣＦ_４やＣＨＦ_３のような炭素を有するガスを用いるのは、避けるほうが好ましい。これらの努力によってもなお、ハロゲン化炭素を中心とする重合物の粉塵を生じることがあるが、そのような可能性がある場合には、ＳｉＣ粉塵除去のためのプラズマエッチング工程の後に、酸素プラズマ処理によるクリーニングを行えばよい。前記保護膜としては、シリコン酸化膜を主成分とする材料を用いるのが、簡便であるとともに、ピンホールを生じる危険性が小さく、他の工程との相互汚染をもたらす可能性が小さいので、好ましいが、他の材料を用いることを排除するものではない。以上の実施例では、ＳｉＣ粉塵を生じる工程として、エピタキシャル成長を挙げているが、必ずしもこれらに限らず、ＳｉＣ粉塵がウエハに付着する前に保護膜を形成することができる工程であれば、どのような工程にも用いることができる。

Claims

炭化珪素粉塵が発生して炭化珪素半導体基板に付着する可能性のある工程の前に、前記炭化珪素半導体基板上に保護膜を形成する工程を施し、その後、炭化珪素粉塵が前記保護膜上に付着した炭化珪素半導体基板に、前記炭化珪素／保護膜のエッチング選択比の大きい炭化珪素分解気相エッチングを行い、炭化珪素粉塵を除去した後、前記保護膜をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記保護膜がシリコン酸化膜を主成分とする膜であることを特徴とする請求項１記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記炭化珪素粉塵が発生して炭化珪素半導体基板に付着する可能性のある工程がエピタキシャル炭化珪素成長工程または多結晶炭化珪素堆積工程であることを特徴とする請求項１または２記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記炭化珪素／保護膜のエッチング選択比の大きい炭化珪素分解気相エッチング方法が炭化珪素分解プラズマ気相エッチングであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記炭化珪素分解プラズマ気相エッチングに用いられる反応性ガスとして、ＳＦ_６、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＢｒから選ばれる少なくともいずれか１種以上のガスを含むことを特徴とする請求項４記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記炭化珪素分解プラズマ気相エッチングに用いられる反応性ガスとして、前記一種以上のガスに、さらに、Ｏ_２またはＮ_２Ｏガスを添加することを特徴とする請求項５記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記炭化珪素分解プラズマ気相エッチングの後に、酸素プラズマ処理を行うことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
炭化珪素半導体基板のいずれか一方の主面に、エピタキシャル成長による炭化珪素単結晶層または堆積による炭化珪素多結晶層を、それぞれ成長装置または堆積装置で形成した後、これらの成長装置または堆積装置からＳｉＣ半導体基板を取り出すことなく、ＳｉＣ半導体基板上にシリコン酸化物を主成分とする保護膜を形成し、その後前記成長装置または堆積装置からウェハを取り出し、前記炭化珪素／保護膜のエッチング選択比の大きい炭化珪素分解プラズマエッチングを行い、その後、前記保護膜をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。