JP5209313B2 - プラズマの励起電流の特性を測定するためのプローブ、および関連するプラズマ反応器 - Google Patents
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Description
・(とりわけ、マイクロエレクトロニクスあるいはナノテクノロジー領域において用いられる)プラズマエッチング、
・(例えば、フラット液晶スクリーンなどの製造のために用いられる)プラズマによって支援されるこの層の堆積、
・プラズマが、公害防止用途においてガス状流出物の処理のための光源としてまたはデバイスとして、あるいはさらには熱核融合反応器として、などに使用される用途。
これに続く、本発明の実施の形態の記載の前に、以下は、本発明の文脈において採用することができるプラズマ反応器の1つの(非制限的な)例の幾つかの特徴の説明である。
・高周波発生器によって駆動される電極(容量ソース)、
・低周波発生器によって駆動される電極、
・パルス発生器によって供給される電圧パルスによって駆動される電極、
・ラジオ周波発生器によって駆動されるコイル(誘導ソース)、
・マイクロ波発生器。
・その2つの導体によって(図示されていない)インピーダンス整合回路に接続されており、この整合回路はまた、プラズマを励起するRF交流電圧源(あるいはRF発生器)に接続されており(この図の上部において、このラインの一部により接続)、
・その内側導体によって、固体ディスクの形態のラジオ周波数電極31に接続されており、この図においてはこのディスクの断面のみが示されており(この図の下部において、このラインの一部により接続)、
・その外側導体によって導電性リッド32に接続されており、このリッドはまたディスクの形態であり、電極31に対面してこれから離れて位置しており、これによって、この電極とこのリッドとの間に空間30が形成される。リッド32もまた電気伝導性である。
・内側導体21に近接して配置されており、かつ外側導体22を横断する導電性ケーブル111に接続された導電性ディスク110と、
・外側導体22に接続された第2の導電性ケーブル112と、を含む。
・第1に、このような電圧プローブの応答は、周波数において制限されており、
・第2に、伝送ライン20の動作は、ディスク110が内側導体21に近接していることによって妨害され、
・そして、最後に、ライン20は、導体110によって部分的に短絡され、これは材料の破壊を引き起こし得、従って、測定可能な電圧範囲が制限される。
・この電流センサは、
−該導体を渡る電流のための迂回路を形成するために、該導体の1つの主要部内に形成されたグルーブ(溝)と、
−この導体に接続されたアースと該グルーブ上のポイントとの間で電圧を測定するためのポイントと、を含み、
従って、該電流センサは、該励起電流の振幅の一次時間微分に比例する電圧を測定するよう設計されていること、
・該電圧センサは、分路センサであり、該励起電流の電圧の一次時間微分に比例する電圧を測定するよう設計されていること。
・該励起電流は、交流RF電流であり、
・該グルーブは、1センチメートルのオーダーの長さを有する迂回路を形成し、
・該電流センサおよび該電圧センサは、両方とも該外側導体上に設置されており、
・該電圧センサは、円錐状伝送ラインを含むセンサであり、該電圧センサが取り付けられている導体以外の導体に容量結合されている少し湾曲した表面によって終端しており、
・該湾曲した表面と、該電圧センサが取り付けられている導体以外の該導体との間の結合キャパシタンスは、0.3pFのオーダーであり、
・該電流センサおよび該電圧センサは、該導体の表面にて、電流の経路中に同一レベルにて設置されており、
・該導電性ラインは、円筒状の同軸ラインであり、
・該導電性ラインは、円筒状のラジアルラインであり、および
・当該プローブは、該励起電流の電流と電圧との間の位相オフセットを測定するための手段を含む。
・該プローブは、該RF発生器に接続されたインピーダンス整合回路とプラズマの励起のためのRF電極との間に設置されており、および
・該プローブは、整合しているとされているライン上にて、該RF発生器と整合ユニットとの間に設置されている。
・図3は、本発明に従う電流および電圧を測定するためのプローブの原理を示す図であり、
・図4は、本発明に従うこのプローブについての電気的等価回路の表現であり、
・図5aから5dは、本発明に従うプローブの実用的な実装の図であり、
・図6は、本発明に従うプローブによって測定された電流および電圧の、周波数(f)に比例する特徴を説明し、
・図7は、本発明に従うプローブがラジアルライン中に設置されている、本発明の実施態様を説明する。
・内側導体21および外側導体22を含む導電性同軸伝送ライン20と、
・ディスクの形態のRF電極31、および関連するリッド32と
を含む。
・プローブの分路操作を広い周波数範囲にわたって保証し、
・またその間、電圧センサを高電圧RFから離れた位置に維持する。
・RF測定学において通常採用されているものとは対照的に、電流は直接的に測定される。この目的のために、迂回路の端子にて現れる電圧V1を測定し、RF電流は、プラズマを完全にあるいは部分的に通過した後に、この迂回路を強制的に通過させられ、および
・電圧の測定は、円錐状ラインによって延長された容量結合した電圧プローブを用いて行われる。容量結合した電圧プローブは、RF測定学において一般に使用され、本明細書中では、電圧センサをRF高電圧から離れた位置に維持しつつ、プローブの分路操作を広い周波数範囲にわたって保証する円錐状ラインと共に用いられる。
・V1/Iplasma(グラフ51)、および
・V2/Vplasma(グラフ52)
を表す。
・第1に、これは、プローブを、プラズマ中での不安定性に起因して、低周波成分(<100kHz)の存在に対して非感受性にする、
・および、第2に、これは、その振幅が基本周波数の振幅よりも常に低い高調波の測定を優遇する:これは「周波数補償」に相当する。
Claims (13)
- プラズマの励起電流の電気的特性を測定するためのプローブであって、当該プローブは、内側導体(21)および外側導体(22)を含む導電性ライン(20)上に取り付けられており、電流センサ(41)および電圧センサ(42)を含み、
・該電流センサが:
−該外側導体(22)を渡る電流のための迂回路を形成するために、該外側導体の主要部内に形成されたグルーブ(410)と、
−該外側導体(22)に接続されたアースと該グルーブ上のポイントとの間の電圧を測定するためのポイントと、を含み、
従って、該電流センサは、該励起電流の電流(Iplasma)の一次時間微分に比例する電圧(V1)を測定するよう設計されていること、
・該電圧センサ(42)が、分路センサであり、該励起電流の電圧(Vplasma)の一次時間微分に比例する電圧(V2)を測定するよう設計されていること、
を特徴とする前記プローブ。 - 前記励起電流が交流RF電流であることを特徴とする、請求項1記載のプローブ。
- 前記グルーブが、1センチメートルのオーダーの長さを有する電流迂回路を形成することを特徴とする、請求項1または2の1項に記載のプローブ。
- 前記電流センサ(41)および前記電圧センサ(42)が両方とも前記外側導体上に設置されていることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載のプローブ。
- 前記電圧センサ(42)が、円錐状の伝送ライン(420)を含むセンサであり、該伝送ラインが、前記内側導体(21)に容量結合した凸面(421)によって終端していることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載のプローブ。
- 前記凸面(421)と、前記内側導体(21)との間の結合キャパシタンスが、0.3pFのオーダーであることを特徴とする、請求項5に記載のプローブ。
- 前記電流センサ(41)および前記電圧センサ(42)が、
前記外側導体(22)と前記内側導体(21)の両端面の間に規定される平面かつ前記外側導体(22)と前記内側導体(21)とに平行な軸線と垂直な平面の、近傍に設置されていることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載のプローブ。 - 前記導電性ライン(20)が円筒状の同軸ラインであることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載のプローブ。
- 前記導電性ラインがラジアル同軸ラインであることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載のプローブ。
- 前記プローブが、前記励起電流の電流と電圧との間の位相オフセットを測定するための手段を含むことを特徴とする、請求項1から9のいずれか1項に記載のプローブ。
- RF発生器を含むプラズマ反応器であって、請求項1から10のいずれか1項に記載のプローブを含むことを特徴とする、プラズマ反応器。
- 前記プローブが、前記RF発生器に接続されたインピーダンス整合回路とプラズマを励起するためのRF電極(31)との間に設置されていることを特徴とする、請求項11に記載のプラズマ反応器。
- 前記プローブが、整合しているとされているライン上にて、前記RF発生器と整合ユニットとの間に設置されていることを特徴とする、請求項11記載のプラズマ反応器。
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