JP5207842B2

JP5207842B2 - 高圧縮電子銃用の一次元グリッド・メッシュ

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Publication number: JP5207842B2
Application number: JP2008158895A
Authority: JP
Inventors: ユン・ツウ; マーク・イー・ベルミリヤ
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Description

本発明は一般的には、高周波電磁エネルギの発生のための電子光学の一方式に関し、さらに具体的には、ビーム品質を保存しつつカソードから電子ビームを抽出する方法及び装置に関する。

Ｘ線発生システムは典型的には、電子を発生するカソード及びアノードを密閉ハウジング内に含んでいる。カソードは、アノードに向かう電子流又は電流を供給する。この集束電子ビームは、アノードからカソードまでの真空ギャップを横断して加速されて、アノードとの衝突時にＸ線を発生する。電子ビームがターゲットに衝突する位置に高い電力密度が発生するため、アノード・アセンブリを回転させることが望ましい。従って、多くのＸ線管は、焦点スポットにおいて発生する熱を分散させる回転アノード構造を含んでいる。アノードは典型的には、片持ち式駆動軸に組み込まれた円筒形の回転子を有する誘導モータによって回転する。駆動軸は、円板形のアノード・ターゲット、及びＸ線管の細長い首を包囲する銅巻線を有する鉄製固定子構造を支持する。回転するアノード・アセンブリの回転子は、固定子によって駆動される。カソード及びアノード・アセンブリの全体が高真空の環境に封入される。

かかるＸ線発生器の一つの特定的用途は診断撮像の分野にある。典型的には、計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システムでは、例えばＸ線源がコリメートされて、患者又は手荷物のような被検体又は対象に向かってファン（扇形）形状のビームを放出する。ビームは、被検体によって減弱された後に放射線検出器のアレイに入射する。検出器アレイにおいて受光される減弱したビーム放射線の強度は典型的には、被検体によるＸ線ビームの減弱量に依存する。検出器アレイ内の各々の検出器素子が、各々の検出器素子によって受光された減弱後のビームを示す別個の電気信号を発生する。電気信号はデータ処理システムへ伝送されて解析され、解析から最終的に画像が形成される。

一般的には、Ｘ線管又はＸ線発生器及び検出器アレイは、撮像平面内で被検体を中心としてガントリの周りを回転する。Ｘ線検出器は典型的には、検出器において受光されるＸ線ビームをコリメートするポスト・ペイシェント・コリメータと、コリメータに隣接して設けられておりＸ線を光エネルギへ変換するシンチレータと、隣接するシンチレータから光エネルギを受け取ってここから電気信号を発生するフォトダイオードとを含んでいる。典型的には、シンチレータ・アレイの各々のシンチレータがＸ線を光エネルギへ変換する。各々のシンチレータは、これらシンチレータに隣接するフォトダイオードに光エネルギを放出する。各々のフォトダイオードが光エネルギを検出して、対応する電気信号を発生する。次いで、フォトダイオードの出力はデータ処理システムへ伝送されて、画像再構成を施される。

ＣＴ及び他のＸ線方式の診断撮像モダリティにとって十分な強度のＸ線ビームを発生するために、Ｘ線管のカソード・アセンブリはしばしば、１アンペアに近い電子流を供給する。カソードから放出された電子は、２０ｋＶｐ〜１５０ｋＶｐ程度の電圧によってＸ線管の真空ギャップを横断してアノードに向かって加速される。熱イオン放出器からの電子の放出を達成するためには、例えば約１０Ｖの制御電圧がタングステン・フィラメントに跨がって印加され、フィラメントに高温及び約７アンペアの電流を発生する。従って、カソード制御用の電圧及び／又は電流の調節によって管電流を調整する。
米国特許出願公開第２００５０１７５１５１号

多くのＸ線管の内部の高電圧真空環境は、カソード設計についての付加的な考慮点を提起する。Ｘ線管カソードの電力要求を低減する幾つかの試みは、通常の熱イオン・フィラメントよりも低い仕事関数を有する特別に設計された材料を利用する。他の試みでは、電界放出器（ＦＥ）アレイをカソード・アセンブリの内部に組み入れることを図っているが、かかるＦＥアレイをカソード・アセンブリに組み入れて具現化するためには幾つかの問題に取り組まなければならない。第一に、ＦＥカソードから電子ビームを抽出するために、カソードに一定の電界を印加しなければならない。カソードからの電子ビームの抽出に必要な電圧を最低限にするために、メッシュ・グリッドがしばしば用いられて、電界放出器の表面での電界強度を高めている。ＦＥアレイの設計におけるもう一つの考慮点は、有用な焦点スポットをターゲットに形成するように電子ビーム集束を行なうときの効率である。幾つかのビーム光学機器は、電子ビームを所望のスポット寸法に集束させるように設計されなければならない。従来のメッシュ・グリッドは、ＦＥカソードからの電子ビームの効率のよい低電圧抽出を提供する一方で、ビーム品質の劣化を引き起こして有用な焦点スポットの形成に負の影響を及ぼし得る。すなわち、電子ビームがメッシュ・グリッドに衝突した後の電子ビームのビーム・エミッタンスが大きくなることにより、ビームがターゲットの小さいスポットに集束しなくなる。このように、かかるメッシュ・グリッドを利用するときに高圧縮の電子ビームを有するＦＥカソードを設計するのは困難である。

従って、有用な焦点スポットをターゲットに形成するように電子ビームの十分な集束を可能としつつ、カソードからの電子ビームの抽出に必要な電圧を最低限にする装置及び方法を提供することが望ましい。具体的には、効率のよい低電圧抽出及びビーム集束を可能とするメッシュ・グリッドを提供することが望ましい。

本発明は、低電圧抽出及び改善されたビーム集束を提供するカソード・アセンブリを提供することにより、上述の欠点を克服する。カソード・アセンブリは、電子ビームの劣化を最低限にすると共に電子ビームの所望のスポット寸法への集束を可能にするように作用する電界放出器カソード及び一次元メッシュ・グリッドを含んでいる。

本発明の一観点によれば、電界放出器電子銃が、基材層に付着させられて、電子ビームを発生するように構成されている少なくとも１個の電界放出器カソードと、貫通する開口を有し、少なくとも１個の電界放出器カソードに隣接して配置されて、該カソードからの電子ビームを抽出するような電圧で動作する抽出プレートとを含んでいる。電界放出器電子銃はまた、少なくとも１個の電界放出器カソードの各々と抽出プレートとの間に配設されて、少なくとも１個の電界放出器カソードの表面での電界を増強するような電圧で動作するように構成されているメッシュ・グリッドを含んでおり、このメッシュ・グリッドは、少なくとも１個の電界放出器カソードから受光される電子ビームを所望のスポット寸法に集束させるように構成されている一次元グリッドである。

本発明のもう一つの観点によれば、イメージング・システム用のＸ線管が、真空密閉されたチャンバを封入しているハウジングと、チャンバの第一の端部に全体的に位置して、複数の電子ビームが衝突するとＸ線を発生するように構成されているターゲットと、チャンバの第二の端部に全体的に位置して、複数の電子ビームを発生してこれらの電子ビームをターゲットに向かって伝達する電界放出器アレイとを含んでおり、電界放出器アレイは、複数の電界放出器ユニットを内部に含んでいる。複数の電界放出器ユニットの各々はさらに、基材と、基材に配置されて電子ビームを発生するように構成されている放出器要素と、該放出器要素に隣接して配置されて、該要素からの電子ビームを抽出する抽出電極と、放出器要素と抽出要素との間に配設されて、放出器要素の表面での電界を増強する金属グリッドとを含んでおり、金属グリッドは、所望の距離で隔設されて一次元グリッドを形成する複数の平行に整列した線材を含んでいる。

本発明のさらにもう一つの観点によれば、Ｘ線源用のカソード・アセンブリが、基材層と、内部に開口を有すると共に二つの傾斜切断面を設けた表面を有する抽出要素と、基材と抽出要素との間に設けられており、内部に空洞を有する誘電体要素とを含んでいる。カソード・アセンブリはまた、誘電体要素の空洞に配設されて、放出電圧が抽出要素に跨がって印加されると電子流を放出するように構成されている電界放出器要素と、抽出要素に接続されており、抽出要素に供給される放出電圧を低下させる一次元グリッドとを含んでいる。

本発明の他の様々な特徴および利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。

図面は、本発明を実施するために現状で思量される好ましい一実施形態を示している。

６４スライス型計算機式断層写真法（ＣＴ）システムに関連して本発明の動作環境を説明する。「第三世代」ＣＴスキャナに関して説明するが、本発明は他のＣＴシステムにも同等に適用可能である。加えて、当業者であれば、本発明は電子銃を具現化した他の応用にも同等に適用可能であることを認められよう。

図１には、計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システム１０が、「第三世代」ＣＴスキャナに典型的なガントリ１２を含むものとして示されている。ガントリ１２はＸ線源１４を有しており、Ｘ線源１４は、Ｘ線ビーム１６をガントリ１２の反対側に設けられている検出器アセンブリ又はコリメータ１８に向かって投射する。図２を参照すると、検出器アセンブリ１８は、複数の検出器２０及びデータ取得システム（ＤＡＳ）３２によって形成されている。複数の検出器２０は患者２２を透過する投射Ｘ線を感知し、ＤＡＳ３２は後続の処理のためにデータをディジタル信号へ変換する。各々の検出器２０は、入射Ｘ線ビームの強度を表わし従って患者２２を透過する際に減弱されたビームを表わすアナログ電気信号を発生する。Ｘ線投影データを取得するための１回の走査の間に、ガントリ１２及びガントリ１２に装着されている構成部品は回転中心２４の周りを回転する。

ガントリ１２の回転及びＸ線源１４の動作は、ＣＴシステム１０の制御機構２６によって制御される。制御機構２６は、Ｘ線源１４に電力信号及びタイミング信号を供給するＸ線制御器２８と、ガントリ１２の回転速度及び位置を制御するガントリ・モータ制御器３０とを含んでいる。画像再構成器３４が、サンプリングされてディジタル化されたＸ線データをＤＡＳ３２から受け取って高速画像再構成を実行する。再構成された画像はコンピュータ３６への入力として印加され、コンピュータ３６は大容量記憶装置３８に画像を記憶させる。

コンピュータ３６はまた、キーボード、マウス、音声作動式コントローラ、又は他の任意の適当な入力装置のような何らかの形態の操作者インタフェイスを有するコンソール４０を介して操作者から指令及び走査用パラメータを受け取る。付設されている表示器４２によって、操作者は、再構成された画像及びコンピュータ３６からの他データを観測することができる。操作者が供給した指令及びパラメータはコンピュータ３６によって用いられて、ＤＡＳ３２、Ｘ線制御器２８及びガントリ・モータ制御器３０に制御信号及び情報を供給する。加えて、コンピュータ３６は、モータ式テーブル４６を制御するテーブル・モータ制御器４４を動作させて、患者２２及びガントリ１２を配置する。具体的には、テーブル４６は患者２２を図１のガントリ開口４８を通して全体的に又は部分的に移動させる。

図３には、ＣＴシステム１０に含まれるＸ線源１４が詳細に示されている。Ｘ線源１４はＸ線発生管１４を含み、Ｘ線発生管１４は主として、電界放出器方式の電子銃５０とアノード・アセンブリ５２とをハウジング５４に封入して含んでいる。アノード・アセンブリ５２は、当技術分野で公知のように、回転式アノード円板５８（すなわちターゲット）を回転させるように構成されている回転子５６を含んでいる。電子銃５０からの電子流６０が衝突すると、アノード５８はここからＸ線ビーム６２を放出する。好適実施形態では、電子銃５０は、複数の電界放出器（ＦＥ）ユニット６６（すなわちカソード・アセンブリ）のアレイ６４の形態として電子源を有する電界放出器電子銃を含んでいる。

図４には、電界放出器アレイ６４（図３に示す）からの単一のＦＥユニット６６の断面図が示されている。好ましくは、一実施形態では、ＦＥユニット６６はカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）型の電界放出器であるが、本書に記載する特徴及び構成は他の形式の電界放出器にも適用可能であることを理解されたい。図示の実施形態では、基材層６８がＦＥユニット６６の底部を形成している。基材層６８は、ケイ素系物質又は金属系物質のような伝導性物質又は半導性物質で形成されていてよい。絶縁層又は誘電体層７０が、幾つかの公知の化学的製造工程又はエッチング製造工程の何れかによって基材層６８の上に形成され又は付着させられる。誘電体層７０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は窒化ケイ素（ＳｉＮ）のような非伝導性物質又は極めて高い電気抵抗を有する物質であってよい。誘電体層７０を用いて抽出要素７２（すなわち抽出プレート、抽出電極）から基材層６８を分離しているので、抽出要素７２と基材６８との間に電位を印加することができる。

溝又は空洞７４が誘電体層３４に形成されており、対応する開口７６が抽出要素７２に形成されている。図示のように、開口７６は空洞７４に実質的に重なり合っている。他の実施形態では、空洞７４及び開口７６は近似的に同径であってもよいし、空洞７４が抽出要素７２の開口７６よりも狭くてもよい。従って、製造時には、空洞７４は、抽出要素７２が上に載置される前に誘電体層７０に作成され得る。

電界放出器カソード８０（すなわち電界放出器要素）が基材層６８に取り付けられて、空洞７４に配設されている。図示のように、ＦＥカソード８０は複数のマクロ放出器８２で構成されており、各々のマクロ放出器８２が一群のカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）８４から形成されている。一群のＣＮＴ８４は開口７６に整列しており、電子の放出を容易にするために開口７６の電界とＦＥカソード８０との相互作用を促進している。このようにして、制御電圧が印加されるとＦＥカソード８０は電子流８６を発生して、この電子流８６を多様な作用に用いることができる。

ＦＥユニット６６の動作時には、制御電圧が電圧源８８を介して抽出要素７２及び基材６８に跨がって印加され、開口７６の近傍に強電界を発生する。印加された電圧によって生ずる電界は、ＦＥカソード８０から電子流８６を放出させる。電子流８６は、電位差によって空洞７４を横断して加速される。この観点で、空洞７４は好ましくは真空ギャップである。ＦＥカソード８０から電子ビーム８６を抽出するのに必要とされる電圧を低下させるために、線材メッシュ・グリッド９０が抽出要素７２とＦＥカソード８０との間に配設される。メッシュ・グリッド９０は抽出プレート７２に接続され、該プレートによって所定の位置に保持されており、ＦＥカソード８０から所望の距離を隔てて開口７６を横断して延在して、ＦＥカソード８０表面では電界を増強するが、総抽出電圧を大幅に低減する。これにより、カソード・アセンブリ６６の高電圧安定性を高め、従って電子ビーム８６においてさらに高い放出電流を達成することを本質的に可能にする。

メッシュ・グリッド９０は、支持構造９４の内部に配置された複数の線材９２で構成されている。複数の線材９２は、互いから所望の距離で隔設されてメッシュ・グリッド９０に複数の開口９３を形成し、これらの開口９３を通して電子ビーム８６の電子が伝達される。しかしながら、メッシュ・グリッド９０を形成する複数の線材９２はまた、電子ビーム８６からのビーム電流を遮断し、これによりビーム品質の劣化を引き起こしてアノード５８（図３に示す）での有用な焦点スポットの形成に負の影響を及ぼす。すなわち、電子ビーム８６がメッシュ・グリッド９０に衝突した後の電子ビーム８６のビーム・エミッタンスが大きくなることにより、ビームがアノードの小さいスポットに集束しなくなる。

一実施形態では、多数のマクロ放出器８２をメッシュ・グリッド９０の開口９３に整列させることによりメッシュ・グリッド９０によって遮断されるビーム電流の量を減少させて、ビーム品質の劣化を最低限にすることができる。この場合には、かなり高い百分率の電子がグリッド９０を通過する。

図５には、メッシュ・グリッド９０を上面からの図で示す。グリッド９０によって遮断されるビーム電流の量（従来のメッシュ・グリッドでは約１０％〜４０％の百分率となる場合がある）をさらに減少させるために、メッシュ・グリッド９０は一次元グリッドとして構築されている。すなわち、メッシュ・グリッド９０を形成するのに用いられる線材９２は、単一の方向に指向的に平行に整列されている。複数の線材９２の各々の幅及び線材同士の間隔は様々であってよいが、一実施形態では、線材幅は０．０５ｍｍであり、線材の各々の間の間隔は０．３８ｍｍである。図５に示すように、メッシュ・グリッド９０は、高アスペクト比の長さ９６対幅９８を有する非円形グリッドとして形成される。例えば、グリッド９０は２ｍｍ×８ｍｍのアスペクト比を有していてよく、幅が２ｍｍであり長さが８ｍｍである。平行に整列された線材９２は、高アスペクト比のメッシュ・グリッド９０の幅９８を横断するように配置される。線材９２の一次元構成によって、さらに大きい百分率のビーム電流が遮断されずにメッシュ・グリッド９０を通過することが可能となり、複数の線材と平行な方向では電子ビーム８６（図４に示す）の最低限の劣化を提供する。すなわち、一次元グリッド９０は、複数の線材９２に平行な方向での電子ビームの圧縮、及び所望のスポット寸法への電子ビームの集束を可能にする。

電子ビームの品質の向上を図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す。すなわち、図６（Ａ）は、従来技術で公知であるような二次元グリッドを通過するときの電子ビーム１００の軌跡／プロファイルを示す。二次元グリッドでは、電子ビーム１００は何れの方向にも圧縮され得ない。ビーム軌跡は、二次元グリッドのため多数の方向に分割される。図６（Ｂ）は一次元グリッドを通過するときの電子ビーム１００のプロファイルを示す。上述のように、一次元グリッドは一方向すなわちｘ軸方向での電子ビーム１００の圧縮を可能にする。このようなものとして、複数の線材に平行な方向での電子ビーム１００の劣化が最低限となり、これにより所望のスポット寸法への電子ビーム１００の集束が可能となる。

図７に示すように、もう一つの実施形態では、メッシュ・グリッド９０は複数の平行に配置された線材９２に対して垂直に配向された１又は複数の交差線材１０２（すなわち支持線材）を含み得る。１又は複数の交差線材１０２は高アスペクト比メッシュ・グリッド９０の長さ９６に沿って延在し、グリッドの機械的強度及び熱安定性を提供すると共に高めるように作用する。交差線材１０２の数は様々であってよいが、交差線材の数が多いほどビーム品質は低下する。一次元メッシュ・グリッド９０に実装される交差線材１０２の数を選択するときに、機械的強度とビーム品質との間のトレードオフを検査することができる。

図８に、ＦＥユニット６６の分解遠近図を示す。同図に示すように、ＦＥカソード８０は、高アスペクト比の長さ対幅を有する非円形電界放出器カソードとして形成される。このようなものとして、非円形ＦＥカソード８０は、抽出要素７２の開口において非円形の一次元メッシュ・グリッド９０に一致するように構成される。高アスペクト比のＦＥカソード８０は、ＦＥカソード８０の長さ及び幅に対応する線焦点電子ビーム８６を放出する。一次元グリッド９０によって提供されるビーム光学設計は、線焦点ビーム８６を一方向（複数の線材に平行な方向）にのみ圧縮し、他の方向でのビーム寸法を不変のままとするが、図６（Ｂ）のグラフに示すように、ＦＥカソードから受光される電子ビームを所望のスポット寸法に集束させるために、ビーム品質は一方向にのみ保存されればよく、他の方向では保存しなくてよい。このように、一次元メッシュ・グリッド９０は、抽出電圧を最低限にするためにＦＥカソード８０の表面に十分な電界の増強を提供しつつ同時に電子ビーム８６の集束を可能にする。

図８はまた、抽出要素７２が、傾斜切断面によって形成されている複数の傾斜表面１０６を有する上面１０４を含むことを示している。上面１０４の傾斜表面１０６の対は、アノード５８（図３に示す）に向かって配置されている。傾斜表面１０６の対は、電子ビーム８６を二つの方向に異なって集束させるように作用する。このように、傾斜表面１０６は一次元グリッド９０と協働して、操作者の所望に応じた電子ビーム８６の集束を提供する。

図９は、本発明のもう一つの具現化形態を示す。小荷物／手荷物検査システム１０８が、開口１１２を内部に有する回転ガントリ１１０を含んでおり、この開口１１２を通して小荷物又は手荷物が通過することができる。回転ガントリ１１０は、高周波電磁エネルギ源１１４及び検出器アセンブリ１１６を収容している。高周波電磁エネルギ源１１４は、上述の本発明の各観点及び各実施形態に従って高周波電磁エネルギ・ビームを発生させるのに二次電子放出を利用するように構成されている。また、コンベヤ・システム１１８が設けられており、コンベヤ・システム１１８は、構造１２２によって支持されており走査のために小荷物又は手荷物１２４を自動的に且つ連続的に開口１１２に通過させるコンベヤ・ベルト１２０を含んでいる。対象１２４をコンベヤ・ベルト１２０によって開口１１１２に送り込み、次いで撮像データを取得し、コンベヤ・ベルト１２０によって開口１１２から小荷物を除去することを制御された連続的な態様で行なう。結果として、郵便物検査官、手荷物積み降ろし員及び他の保安人員が、爆発物、刃物、銃及び密輸品等について小荷物１２４の内容を非侵襲的に検査することができる。

以上に説明したもの以外の実施形態もまた、効率のよい低電圧抽出及びビーム集束を可能にする一次元グリッドを内部に備えたＦＥユニットを有する電子銃を具現化するものと思量される。例えば、高アスペクト比ＦＥカソードが望まれる多重スポットＸ線源の一部として電子銃を用いることができる。加えて、以上に説明した一次元グリッド構造を、ＣＮＴ電界放出器ばかりでなく従来のフィラメント熱イオン・カソード、強誘電体放出器、又は低い仕事関数を有する何らかの物質の層と共に用いてもよいし、高ＮＥＡをＣＮＴ放出器に代えて置換し又はＣＮＴ放出器と組み合わせて用いてもよい。代替的には、無機又は金属のナノワイヤをＣＮＴの代用として又はＣＮＴと併用して用いることも可能である。

従って、本発明の一実施形態によれば、電界放出器電子銃が、基材層に付着させられて、電子ビームを発生するように構成されている少なくとも１個の電界放出器カソードと、貫通する開口を有し、少なくとも１個の電界放出器カソードに隣接して配置されて、該カソードからの電子ビームを抽出するような電圧で動作する抽出プレートとを含んでいる。電界放出器電子銃はまた、少なくとも１個の電界放出器カソードの各々と抽出プレートとの間に配設されて、少なくとも１個の電界放出器カソードの表面での電界を増強するような電圧で動作するように構成されているメッシュ・グリッドを含んでおり、このメッシュ・グリッドは、少なくとも１個の電界放出器カソードから受光される電子ビームを所望のスポット寸法に集束させるように構成されている一次元グリッドである。

本発明のもう一つの実施形態によれば、イメージング・システム用のＸ線管が、真空密閉されたチャンバを封入しているハウジングと、チャンバの第一の端部に全体的に位置して、複数の電子ビームが衝突するとＸ線を発生するように構成されているターゲットと、チャンバの第二の端部に全体的に位置して、複数の電子ビームを発生してこれらの電子ビームをターゲットに向かって伝達する電界放出器アレイとを含んでおり、電界放出器アレイは、複数の電界放出器ユニットを内部に含んでいる。複数の電界放出器ユニットの各々はさらに、基材と、基材に配置されて電子ビームを発生するように構成されている放出器要素と、放出器要素に隣接して配置されて、該要素からの電子ビームを抽出する抽出電極と、放出器要素と抽出要素との間に配設されて放出器要素の表面での電界を増強する金属グリッドとを含んでおり、金属グリッドは、所望の距離で隔設されて一次元グリッドを形成する複数の平行に整列した線材を含んでいる。

本発明のさらにもう一つの実施形態によれば、Ｘ線源用のカソード・アセンブリが、基材層と、内部に開口を有すると共に二つの傾斜切断面を設けた表面を有する抽出要素と、基材と抽出要素との間に設けられており、内部に空洞を有する誘電体要素とを含んでいる。カソード・アセンブリはまた、誘電体要素の空洞に配設されて、放出電圧が抽出要素に跨がって印加されると電子流を放出するように構成されている電界放出器要素と、抽出要素に接続されており抽出要素に供給される放出電圧を低下させる一次元グリッドとを含んでいる。

本発明を好適実施形態について説明したが、明示的に述べたもの以外の均等構成、代替構成及び改変が可能であり、特許請求の範囲に属することを認められよう。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。

本発明の一実施形態を組み入れているＣＴイメージング・システムの見取り図である。図１に示すシステムのブロック模式図である。本発明の一実施形態によるＸ線源の模式図である。本発明の一実施形態による電界放出ユニット／カソード・アセンブリの断面図である。本発明の一実施形態によるメッシュ・グリッドの上面図である。従来技術で提供される電子ビーム集束のグラフ図である。本発明による電子ビーム集束のグラフ図である。本発明のもう一つの実施形態によるメッシュ・グリッドの上面図である。図３に示す電界放出ユニット／カソード・アセンブリの分解遠近図である。非侵襲型小荷物検査システムと共に用いられるＣＴシステムの見取り図である。

符号の説明

１０計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システム
１２ガントリ
１４Ｘ線源
１６Ｘ線ビーム
１８検出器アセンブリ
２０検出器
２２患者
２４回転中心
２６制御機構
２８Ｘ線制御器
３０ガントリ・モータ制御器
３２データ取得システム（ＤＡＳ）
３４画像再構成器
３６コンピュータ
３８大容量記憶装置
４０コンソール
４２表示器
４４テーブル・モータ制御器
４６モータ式テーブル
４８ガントリ開口
５０電子銃
５２アノード・アセンブリ
５４ハウジング
５６回転子
５８アノード円板
６０電子流
６２Ｘ線ビーム
６４電界放出器アレイ
６６電界放出器（ＦＥ）ユニット
６８基材層
７０誘電体層
７２抽出要素
７４空洞／溝
７６開口
８０電界放出器（ＦＥ）カソード
８２マクロ放出器
８４カーボン・ナノチューブ
８６電子流
８８電圧源
９０メッシュ・グリッド
９２線材
９３開口
９４支持構造体
９６長さ
９８幅
１００電子ビーム
１０２交差線材
１０４上面
１０６傾斜表面
１０８小荷物／手荷物検査システム
１１０回転ガントリ
１１２開口
１１４高周波電磁エネルギ源
１１６検出器アセンブリ
１１８コンベヤ・システム
１２０コンベヤ・ベルト
１２２構造
１２４小荷物／手荷物

Claims

基材層（６８）に付着させられて、電子ビーム（８６）を発生するように構成されている少なくとも１個の電界放出器カソード（８０）と、
貫通する開口（７６）を有し、前記少なくとも１個の電界放出器カソード（８０）に隣接して配置されて、該カソード（８０）からの前記電子ビーム（８６）を抽出するような電圧で動作する抽出プレート（７２）と、
前記少なくとも１個の電界放出器カソード（８０）の各々と前記抽出プレート（７２）との間に配設されて、前記少なくとも１個の電界放出器カソード（８０）の表面での電界を増強するような電圧で動作するように構成されているメッシュ・グリッド（９０）とを備えた電界放出器電子銃（５０）であって、
前記メッシュ・グリッド（９０）は、前記少なくとも１個の電界放出器カソード（８０）から受光される前記電子ビーム（８６）を所望のスポット寸法に集束させるように構成されている一次元グリッドである、
電界放出器電子銃（５０）。
前記一次元グリッド（９０）は、互いに平行に配置された複数の線材（９２）をさらに含んでいる、請求項１に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記一次元グリッド（９０）は、前記平行に配置された線材（９２）に対して垂直に配向されて前記メッシュ・グリッド（９０）に機械的支持を提供する少なくとも１本の線材（１０２）をさらに含んでいる、請求項２に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記一次元グリッド（９０）は、前記複数の線材（９２）に平行な方向に最低限のビーム品質の劣化を有するように構成されている、請求項２に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記一次元グリッド（９０）は、前記電子ビーム（８６）の電子を貫通させて伝達する複数の開口（９３）を内部にさらに含んでいる、請求項１に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記電界放出器カソード（８０）は、前記メッシュ・グリッドの前記開口（９３）に整列した複数のマクロ放出器（８２）をさらに含んでいる、請求項５に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記複数のマクロ放出器（８２）の各々は、一群のカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）（８４）をさらに含んでいる、請求項６に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記抽出プレート（７２）は、前記電子ビーム（８６）を集束させる複数の傾斜表面（１０６）を有する上面（１０４）をさらに含んでおり、該上面（１０４）は、前記電子ビーム（８６）が向けられるアノード（５８）に向かって配置される、請求項１に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記電界放出器カソード（８０）は、高アスペクト比の長さ（９６）対幅（９８）を有する非円形電界放出器カソードを含んでいる、請求項１に記載の電界放出器電子銃（５０）。
前記一次元グリッド（９０）は、高アスペクト比の長さ（９６）対幅（９８）を有する非円形グリッドを含んでいる、請求項１に記載の電界放出器電子銃（５０）。