JP5205113B2 - グレーティング素子及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光を回折するグレーティング部を具備するグレーティング素子及びその製造方法に関する。
従来におけるグレーティング素子の製造方法として、所定の方向に延在する複数の凸部を基板の表面に設けるに際し、ナノインプリンティング及びエッチングによって凸部を基板と一体的に形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−313278号公報
しかしながら、ナノインプリンティング及びエッチングによって凸部を基板と一体的に形成すると、微細なパターンを効率良く形成することはできるものの、凸部の破損や凸部の間へのパーティクルの進入等、グレーティング素子の信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、信頼性の高いグレーティング素子、及びそのようなグレーティング素子の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るグレーティング素子は、光を回折するグレーティング部を具備するグレーティング素子であって、第1の基板と、所定の方向に延在し、所定の方向と略直交する方向に沿って並ぶように、第1の基板の表面に設けられた複数の第1の凸部と、所定の方向と交差する方向に延在し、第1の凸部と略同等の高さとなるように、第1の基板の表面に設けられた第2の凸部と、第1及び第2の凸部の頂部とダイレクトボンディングによって接合された表面を有する第2の基板と、を備え、グレーティング部は、第1の凸部、第1及び第2の基板を含んで構成されており、所定の方向と略直交する方向について最外部に位置する一対の第1の凸部は、前記第1及び第2の凸部の頂部と前記第2の基板の表面とが接合された領域の外縁に位置していることを特徴とする。
このグレーティング素子では、所定の方向に延在する複数の第1の凸部、及び所定の方向と交差する方向に延在する第2の凸部が第1の基板の表面に設けられている。これにより、第1の凸部が第2の凸部によって補強されるため、グレーティング部を構成する第1の凸部が破損するのを防止することができる。更に、第1及び第2の凸部の頂部に第2の基板の表面が接合されているため、第1の凸部の間にパーティクルが進入するのを抑止することができる。しかも、第1の凸部の頂部と第2の基板の表面とがダイレクトボンディングによって接合されているため、第1の凸部、第1及び第2の基板を含んで構成されたグレーティング部における光損失を低減することができる。従って、このグレーティング素子によれば、高い信頼性を維持することが可能となる。
本発明に係るグレーティング素子においては、第1の凸部は、第1の基板と一体的に形成されていることが好ましい。この場合、第1の基板に対する第1の凸部の形成を効率良く行うことができるばかりか、グレーティング部における光損失をより一層低減することができる。
本発明に係るグレーティング素子においては、第2の凸部は、所定の方向における第1の凸部の両側にて所定の方向と交差する方向に延在し、第1の凸部のそれぞれの端部と接続されるように、第1の基板の表面に設けられていることが好ましい。この場合、第1の凸部が第2の凸部によってより強固に補強されるため、第1の凸部が破損するのをより確実に防止することができる。
また、本発明に係るグレーティング素子の製造方法は、光を回折するグレーティング部を具備するグレーティング素子の製造方法であって、所定の方向に延在し、所定の方向と略直交する方向に沿って並ぶように、複数の第1の凸部が設けられると共に、所定の方向と交差する方向に延在し、第1の凸部と略同等の高さとなるように、第2の凸部が設けられた表面を有する複数の第1の基板を含む第1のウェハ、及び第1の基板のそれぞれと対応するように配置された複数の第2の基板を含む第2のウェハを準備する工程と、第1のウェハの第1及び第2の凸部の頂部、並びに第2のウェハの第2の基板の表面に活性化処理を施す工程と、活性化処理を施した後に、第1及び第2の凸部の頂部と、第2の基板の表面とをダイレクトボンディングによって接合し、第1の凸部、第1及び第2の基板を含んで構成される複数のグレーティング部を形成する工程と、グレーティング部を形成した後に、対応する第1及び第2の基板毎に第1及び第2のウェハを切断する工程と、を含み、一の第1の基板において、所定の方向と略直交する方向について最外部に位置する一対の第1の凸部は、前記第1及び第2の凸部の頂部と前記第2の基板の表面とが接合された領域の外縁に位置していることを特徴とする。
このグレーティング素子の製造方法では、複数の第1の基板を含む第1のウェハ、及び第1の基板のそれぞれと対応するように配置された複数の第2の基板を含む第2のウェハを用いるため、信頼性の高いグレーティング素子を極めて効率良く製造することができる。
本発明に係るグレーティング素子の製造方法においては、第1及び第2のウェハを準備する工程では、ナノインプリンティング及びエッチングによって第1の凸部を第1の基板と一体的に形成することで、第1の凸部を第1の基板の表面に設けることが好ましい。ナノインプリンティング及びエッチングを採用することにより、微細なパターンの第1の凸部を効率良く形成することができる。
本発明によれば、グレーティング素子の信頼性の向上を図ることができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明に係るグレーティング素子の一実施形態の平面図である。図2は、図1のII−II線に沿っての断面図であり、図3は、図1のIII−III線に沿っての断面図である。図1〜3に示されるように、グレーティング素子1は、石英からなる矩形板状の基板(第1の基板)2を備えている。
基板2の表面2aには、所定の方向に延在し、所定の方向と略直交する方向に沿って並ぶように、複数の凸部(第1の凸部)3が設けられている。所定の方向と略直交する方向に沿っての凸部3の断面は、幅250nm、高さ1000nmの矩形状であり、各凸部3は、ピッチ500nm(すなわち、デューティ比0.5)で基板2と一体的に形成されている。
更に、基板2の表面2aには、所定の方向における凸部3の両側にて所定の方向と略直交する方向に延在し、凸部3と略同等の高さとなるように、凸部(第2の凸部)4が設けられている。所定の方向に沿っての凸部4の断面は、幅250nm、高さ1000nmの矩形状であり、各凸部4は、所定の方向における各凸部3の端部と接続されるように基板2と一体的に形成されている。
凸部3,4には、石英からなる矩形板状の基板(第2の基板)5が接合されている。基板5の表面5aは、凸部3の頂部3a及び凸部4の頂部4aとダイレクトボンディングによって接合されている。グレーティング素子1では、凸部3及び基板2,5によってグレーティング部6が構成されている。グレーティング部6は、光を回折する透過型グレーティングである。
以上のように構成されたグレーティング素子1においては、所定の方向に延在する複数の凸部3、及び所定の方向における凸部3の両側にて所定の方向と略直交する方向に延在し且つ各凸部3の端部と接続された凸部4が基板2の表面2aに設けられている。これにより、凸部3が凸部4によって強固に補強されるため、グレーティング部6を構成する凸部3が破損するのを防止することができる。更に、凸部3,4の頂部3a,4aに基板5の表面5aが接合されているため、凸部3の間にパーティクルが進入するのを抑止することができる。しかも、凸部3が基板2と一体的に形成されており、また、凸部3の頂部3aと基板5の表面5aとがダイレクトボンディングによって接合されているため、凸部3及び基板2,5を含んで構成されたグレーティング部6における光損失を低減することができる。従って、グレーティング素子1によれば、高い信頼性を維持することが可能となる。
次に、上述したグレーティング素子1の製造方法について説明する。グレーティング素子1は、ナノインプリンティング及びエッチング工程、活性化処理及びダイレクトボンディング工程、並びにダイシング工程を順次経て製造される。
[ナノインプリンティング及びエッチング工程]
図4(a)に示されるように、石英からなる直径6インチ、厚さ625μmのウェハ(第1のウェハ)11をインプリント基板として、その表面に、厚さ0.1〜0.5μmのWSi層12がスパッタによって形成され、更に、WSi層12の表面に、レジスト層として厚さ50〜2000nmの密着層13が塗布によって形成されたものを用意する。そして、密着層13の表面に、インプリント樹脂14を塗布する。続いて、図4(b)に示されるように、密着層13に対してマスタモールド15を押し当ててインプリント樹脂14を展開する。
密着層13に対してマスタモールド15を押し当てた状態で、図5(a)に示されるように、マスタモールド15を介してインプリント樹脂14に紫外線を照射し、インプリント樹脂14をUV硬化させてインプリント樹脂層16を形成する。続いて、図5(b)に示されるように、インプリント樹脂層16からマスタモールド15を離型する。以上のインプリント樹脂14の塗布、マスタモールド15の押し当て、インプリント樹脂14への紫外線の照射、及びマスタモールド15の離型は、グレーティング素子1の基板2に対応するようにウェハ11に対してマトリックス状に複数設定された領域毎に行われる。
密着層13の表面にインプリント樹脂層16を形成した後、図6に示されるように、インプリント樹脂層16を覆うようにSi含有樹脂層17を塗布によって形成する。そして、図7(a)に示されるように、ハロゲンガスを用いたドライエッチングによってSi含有樹脂層17を除去し、Si含有樹脂層17からインプリント樹脂層16の頂部を露出させる。続いて、図7(b)に示されるように、Oガスを用いたドライエッチングによって、残存しているSi含有樹脂層17をマスクとしてインプリント樹脂層16及び密着層13の露出部分を除去する。
更に、図8(a)に示されるように、SFガスを用いたドライエッチングによって、残存しているSi含有樹脂層17をマスクとしてWSi層12の露出部分を除去する。続いて、図8(b)に示されるように、CHFガスを用いたドライエッチングによって、Si含有樹脂層17、インプリント樹脂層16及び密着層13、並びにウェハ11の露出部分の一部を除去する。そして、図9に示されるように、WSi層12を除去する。これにより、図10に示されるように、グレーティング素子1の基板2に対応するようにウェハ11に対してマトリックス状に複数設定された領域毎に凸部3,4が形成される。なお、ここでは、ウェハ11のエッチングマスクとなる層の材料としてWSiを用いているが、石英とのエッチング選択性の高い材料であれば、Cr等の金属、アモルファスシリコン、セラミック、樹脂等を用いてもよい。
このように、ナノインプリンティング及びエッチングを採用すると、サブミクロン以下の微細なパターンの凸部3を基板2と一体的に効率良く形成することができ、量産化を図ることが可能となる。また、光リソグラフィ技術と比較して、解像度に関するパラメータ(k1,NA)が関係しないため、より微細なパターンの凸部3の形成が可能となる。
[活性化処理及びダイレクトボンディング工程]
図11に示されるように、ナノインプリンティング及びエッチング工程を経たウェハ11と、石英からなるウェハ(第2のウェハ)18とを真空チャンバ21内において対向させる。ウェハ11は、凸部3,4が設けられた表面2aを有する複数の基板2を含んでいる。また、ウェハ18は、ウェハ11に含まれる各基板2と対応するように配置されたグレーティング素子1の基板5を含んでいる。
続いて、図12に示されるように、Ar等の不活性ガスによるイオンや中性原子のビームを真空中で照射することにより、少なくともウェハ11の凸部3,4の頂部3a,4a、及びウェハ18の基板5の表面5aに活性化処理を施す。これにより、凸部3,4の頂部3a,4aや基板5の表面5aに存在していた酸化膜や吸着層が除去されて、石英を構成する原子から結合手が延びた状態となる。
続いて、図13に示されるように、活性化された凸部3,4の頂部3a,4aと基板5の表面5aとを接触させ、常温にて圧力を加えて、凸部3,4の頂部3a,4aと基板5の表面5aとをダイレクトボンディングによって接合する。これにより、図14に示されるように、グレーティング素子1の基板2,5に対応するようにウェハ11,18に対してマトリックス状に複数設定された領域毎に、凸部3及び基板2,5を含んで構成されるグレーティング部6が形成される。
このように、活性化処理及びダイレクトボンディングを採用すると、常温での接合が可能となるため、ウェハ11,18が熱的にひずむのを防止することができ、凸部3,4の頂部3a,4aや基板5の表面5aに必要な良好な平坦度を確保することが可能となる。また、凸部3,4の頂部3a,4aと基板5の表面5aとの間に接着剤等の異種中間層が含まれないため、グレーティング部6において良好な光学的特性を確保することが可能となる。更に、ウェハ11,18が同種の材料からなるため、凸部3,4の頂部3a,4aと基板5の表面5aとの接合界面での反射を低減することができ、グレーティング部6において良好な回折効率を得ることが可能となる。
[ダイシング工程]
図14に示されるように、活性化処理及びダイレクトボンディング工程を経たウェハ11,18に対して、マトリックス状に配置されたグレーティング部6毎に(すなわち、対応する基板2,5毎に)切断予定ライン22を設定し、切断予定ライン22に沿ってブレード等によってウェハ11,18を切断する。これにより、複数のグレーティング素子1が得られる。
このとき、所定の方向に延在する凸部3の両端部に、所定の方向と略直交する方向に延在する凸部4が接続されており、凸部4が梁構造となって凸部3を補強するため、ダイシングの際に生じる応力によって凸部3が破損するのを防止することができる。また、凸部3,4が基板2,5によって挟まれているため、凸部3の間にパーティクルが進入するのを抑止することができる。
以上説明したように、グレーティング素子1の製造方法においては、複数の基板2を含むウェハ11、及び各基板2と対応するように配置された複数の基板5を含むウェハ18を用いるため、信頼性の高いグレーティング素子1を極めて効率良く製造することができ、量産化を図ることが可能となる。
なお、上述した製造方法において良好なダイレクトボンディングが可能となるのは、凸部3,4の頂部3a,4aを基板5の表面5aに接合しているからである。すなわち、ダイレクトボンディングは原子レベルでの接合であるため、接合面の平坦性や面精度が必要となる。従って、必要以上に接合面を大きくすると、接合面間に微小なパーティクルが介在して接合不良が発生するおそれがある。更に、必要以上に接合面を大きくすると、平坦性や面精度の確保が困難となり、やはり接合不良が発生するおそれがある。接合不良の発生は、接合面間にボイドを介在させることになり、グレーティング素子1としては不良となってしまう。そこで、グレーティング素子1では、凸部3,4の頂部3a,4aといった必要最低限の部分のみを接合させる構造を採用している。不要な部分をエッチングによって除去することで、接合面間におけるパーティクル介在の回避やボイド発生の回避が可能となる。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
例えば、凸部4は、図15(a)に示されるように、所定の方向における凸部3の一方の側のみに設けられていても良い。また、凸部4は、図15(b)に示されるように、所定の方向における凸部3の端部と接続されていなくても良いし、図15(c)に示されるように、所定の方向における凸部3の端部毎に複数設けられていても良い。更に、凸部4は、図16(a)に示されるように、所定の方向における凸部3の端部と2つ置きで接続されていても良いし、図16(b)に示されるように、凸部3,4がジグザグ状となるように凸部3の端部と接続されていても良い。なお、凸部4は、凸部3と交差していても良い。ただし、加工の容易性やグレーティング部6の開口率を維持する観点から、凸部4は、凸部3の端部に設けられていることが好ましい。
また、上記実施形態は、凸部3,4及び基板2,5が同種の材料からなる場合であったが、凸部3,4及び基板2,5は異種の材料からなっていても良い。更に、上記実施形態は、基板2,5が一層からなる場合であったが、基板2,5は複数層からなっていても良い。一例として、基板5は、石英からなる本体層と、SiO等によって表面5a側の面、或いは表面5a側とその反対側の両面に形成されたAR膜(反射防止膜)とを有していても良い。この場合にも、凸部3,4の頂部3a,4aと基板5の表面5aとをダイレクトボンディングによって接合することが可能である。
また、上記実施形態は、グレーティング部6が透過型グレーティングの場合であったが、グレーティング部6は、基板5が表面5aと反対側の表面に反射膜を有する、或いは基板2が表面2aと反対側の面に反射膜を有する反射型グレーティングであっても良い。
更に、上記実施形態においては、ナノインプリンティング工程として、UV硬化レジストを用いたUVインプリント工程を記載したが、熱により変形するレジストを用いる熱インプリントによる工程を採用することもできる。
本発明に係るグレーティング素子の一実施形態の平面図である。 図1のII−II線に沿っての断面図である。 図1のIII−III線に沿っての断面図である。 図1のグレーティング素子を製造するためのナノインプリンティング及びエッチング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するためのナノインプリンティング及びエッチング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するためのナノインプリンティング及びエッチング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するためのナノインプリンティング及びエッチング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するためのナノインプリンティング及びエッチング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するためのナノインプリンティング及びエッチング工程を示す図である。 図4〜9のナノインプリンティング及びエッチング工程を経たウェハの平面図である。 図1のグレーティング素子を製造するための活性化処理及びダイレクトボンディング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するための活性化処理及びダイレクトボンディング工程を示す図である。 図1のグレーティング素子を製造するための活性化処理及びダイレクトボンディング工程を示す図である。 図11〜13の活性化処理及びダイレクトボンディング工程を経たウェハの平面図である。 本発明に係るグレーティング素子の他の実施形態の平面図である。 本発明に係るグレーティング素子の他の実施形態の平面図である。
符号の説明
1…グレーティング素子、2…基板(第1の基板)、2a…表面、3…凸部(第1の凸部)、3a…頂部、4…凸部(第2の凸部)、5…基板(第2の基板)、5a…表面、6…グレーティング部、11…ウェハ(第1のウェハ)、18…ウェハ(第2のウェハ)。

Claims (5)

  1. 光を回折するグレーティング部を具備するグレーティング素子であって、
    第1の基板と、
    所定の方向に延在し、前記所定の方向と略直交する方向に沿って並ぶように、前記第1の基板の表面に設けられた複数の第1の凸部と、
    前記所定の方向と交差する方向に延在し、前記第1の凸部と略同等の高さとなるように、前記第1の基板の表面に設けられた第2の凸部と、
    前記第1及び前記第2の凸部の頂部とダイレクトボンディングによって接合された表面を有する第2の基板と、を備え、
    前記グレーティング部は、前記第1の凸部、前記第1及び前記第2の基板を含んで構成されており、
    前記所定の方向と略直交する方向について最外部に位置する一対の前記第1の凸部は、前記第1及び第2の凸部の頂部と前記第2の基板の表面とが接合された領域の外縁に位置していることを特徴とするグレーティング素子。
  2. 前記第1の凸部は、前記第1の基板と一体的に形成されていることを特徴とする請求項1記載のグレーティング素子。
  3. 前記第2の凸部は、前記所定の方向における前記第1の凸部の両側にて前記所定の方向と交差する方向に延在し、前記第1の凸部のそれぞれの端部と接続されるように、前記第1の基板の表面に設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のグレーティング素子。
  4. 光を回折するグレーティング部を具備するグレーティング素子の製造方法であって、
    所定の方向に延在し、前記所定の方向と略直交する方向に沿って並ぶように、複数の第1の凸部が設けられると共に、前記所定の方向と交差する方向に延在し、前記第1の凸部と略同等の高さとなるように、第2の凸部が設けられた表面を有する複数の第1の基板を含む第1のウェハ、及び前記第1の基板のそれぞれと対応するように配置された複数の第2の基板を含む第2のウェハを準備する工程と、
    前記第1のウェハの前記第1及び前記第2の凸部の頂部、並びに前記第2のウェハの前記第2の基板の表面に活性化処理を施す工程と、
    前記活性化処理を施した後に、前記第1及び前記第2の凸部の頂部と、前記第2の基板の表面とをダイレクトボンディングによって接合し、前記第1の凸部、前記第1及び前記第2の基板を含んで構成される複数の前記グレーティング部を形成する工程と、
    前記グレーティング部を形成した後に、対応する前記第1及び前記第2の基板毎に前記第1及び前記第2のウェハを切断する工程と、を含み、
    一の前記第1の基板において、前記所定の方向と略直交する方向について最外部に位置する一対の前記第1の凸部は、前記第1及び第2の凸部の頂部と前記第2の基板の表面とが接合された領域の外縁に位置していることを特徴とするグレーティング素子の製造方法。
  5. 前記第1及び前記第2のウェハを準備する工程では、ナノインプリンティング及びエッチングによって前記第1の凸部を前記第1の基板と一体的に形成することで、前記第1の凸部を前記第1の基板の表面に設けることを特徴とする請求項4記載のグレーティング素子の製造方法。
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