JP5193579B2 - 発光化合物及びこれを発色材料として採用している表示素子 - Google Patents

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Description

本発明は青色発光化合物とこの発光化合物を発色材料として採用している表示素子に関する。
情報通信産業の発達が加速化されるにつれて、高度の性能を有する表示素子が要求されている。表示素子は一般的に発光型表示素子と非発光型表示素子とに分けられる。発光型表示素子としては陰極線管、発光ダイオード(LED)などがあり、非発光型表示素子としては液晶表示素子などがある。
表示素子の基本的な性能を示す指標としては作動電圧、消費電力、輝度、コントラスト、応答時間、寿命、表示色などがある。
非発光型表示素子の一つである液晶表示素子は軽くて消費電力が小さいとの利点があって現在最も広く使われている。しかし、応答時間、コントラスト、視野角などの特性において満足できるほどの水準には至っていないためまだ改善の余地が多い。かかる問題点を補完しうる次世代表示素子として電子発光素子が注目を浴びている。
電子発光素子(EL素子)は自発発光型表示素子として視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく応答時間が速い長所がある。
EL素子は発光層形成用材料によって無機EL素子と有機EL素子とに区分される。ここで、有機EL素子は無機EL素子に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れ、多色化しうる長所がある。
図1は一般の有機EL素子の構造を示す断面図である。これを参照すれば、基板11の上部にアノード12が形成されている。そしてこのアノード12の上部にはホール輸送層13、発光層14、電子輸送層15及びカソード16が順次に形成されている。ここで、ホール輸送層13、発光層14及び電子輸送層15は有機化合物よりなる有機薄膜である。
前述したような構造を有する有機EL素子の駆動原理は次の通りである。
前記アノード12及びカソード16の間に電圧を印加すればアノード12から注入されたホールはホール輸送層13を経由して発光層14へ移動される。一方、電子はカソード16から電子輸送層15を経由して発光層14へ注入され、発光層14の領域でキャリアが再結合してエキシトン(exiton)を生成する。このエキシトンが励起状態から基底状態に変化し、これにより発光層の蛍光性分子が発光することによって画像が形成される。
一方、1987年イストマンコダック社(Eastman Kodak Co.)では発光層形成用材料として低分子の芳香族ジアミンとアルミニウム錯体を利用している有機電子発光素子を開発した(非特許文献1)。
この他に、発光層形成用材料としてポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチルへキシルオキシ)−1、4−フェニレンビニレン)のような高分子を使用している有機電子発光素子が発表された(非特許文献2)。
ところが、前記高分子のうちPPVは有機溶媒に対する溶解度の特性が不良なためスピンコーティング法による膜の形成時に多くの難点がある。かかる問題点を解決するためにPPVに有機溶媒に対する溶解度特性を改善させうる作用基を導入させた可溶性PPVが開発された。PPVまたはその誘導体を発光層の材料として採用している有機電子発光素子は緑色からオレンジ色までの色を具現する。
一方、現在まで知られた青色発光化合物は他の色相の発光化合物に比べて発光効率が劣る問題点があり、これによって新たな青色発光化合物の開発に対する必要性がだんだん高まっている。
このため、青色発光化合物としてPPVの発光基の間にSi、Oのような非共役スペーサグループを導入した化合物が提案された。しかし、このような発光化合物よりなる発光層は膜強度のような物性面で満足できるほどの水準ではない。
Appl.Phys.Lett.51,913,1987 Nature,347,539,1990 & Appl.Phys.Lett.58,1982,1991
本発明の目的は前記問題点を解決するために新たな青色発光化合物を提供するにある。
本発明の他の目的は前記発光化合物を発色材料として採用している表示素子を提供するにある。
前記目的を達成するために本発明では、化学式1で表される発光化合物が提供される。
前記式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6及びAr7は相互無関係に、化学結合であるか、非置換または置換されたフェニレン、および非置換または置換されたビフェニル由来の2価の基よりなる群から選択され、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は相互無関係に水素であり、lとkは相互無関係に0または1であり、mは10乃至200の整数である。
本発明の他の目的は前記発光化合物を発色材料として採用していることを特徴とする表示素子によってなされる。このような本発明の望ましい一面として、前記発光化合物を発色材料として採用している有機電子発光素子が挙げられる。
即ち、本発明の他の目的は、一対の電極間に備えられている有機膜を含む有機電子発光素子において、前記有機膜が化学式1で表される発光化合物を含んでいることを特徴とする有機電子発光素子によりなされる。
前記式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6及びAr7は相互無関係に、化学結合であるか、非置換または置換されたフェニレン、および非置換または置換されたビフェニル由来の2価の基よりなる群から選択され、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は相互無関係に水素であり、lとkは相互無関係に0または1であり、mは10乃至200の整数である。
本発明に係る化学式1の発光化合物は青色発光材料であって、表示素子の発色材料として有用に使用しうる。このような発光化合物よりなる有機膜を採用している本発明に係る有機電子発光素子は青色を具現すると同時に、発光効率特性に優れる。
本発明に係る化学式1で表される発光化合物はフーリアロマチック(fully−aromatic)PPV系の高分子であって、青色を具現する。かかる発光化合物は表示素子、特に有機電子発光素子の発色材料として有用に使用しうる。
前記式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6及びAr7は相互無関係に、化学結合であるか、非置換または置換されたフェニレン、非置換または置換されたナフタレン由来の2価の基、非置換または置換されたアントラセン由来の2価の基、非置換または置換されたジフェニルアントラセン由来の2価の基、非置換または置換されたフェナントレン由来の2価の基、非置換または置換されたインデン由来の2価の基、非置換または置換されたアセナフテン由来の2価の基、非置換または置換されたビフェニル由来の2価の基、非置換または置換されたフルオレン由来の2価の基、非置換または置換されたカルバゾール由来の2価の基、非置換または置換されたチオフェン由来の2価の基、非置換または置換されたピリジン由来の2価の基、非置換または置換されたオキサジアゾール由来の2価の基、非置換または置換されたオキサゾール由来の2価の基、非置換または置換されたトリアゾール由来の2価の基、非置換または置換されたベンゾチオフェン由来の2価の基、非置換または置換されたジベンゾフラン由来の2価の基、非置換または置換されたチアジアゾール由来の2価の基よりなる群から選択され、Ar4は非置換または置換されたフェニレン、非置換または置換されたビフェニル由来の2価の基、非置換または置換されたチオフェン由来の2価の基、非置換または置換されたピリジン由来の2価の基、非置換または置換されたオキサジアゾール由来の2価の基、非置換または置換されたオキサゾール由来の2価の基、非置換または置換されたトリアゾール由来の2価の基、非置換または置換されたチアジアゾール由来の2価の基よりなる群から選択され、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は相互無関係に水素、エチレンオキシアルキル基、エチレンオキサルキレン基、炭素数1乃至20のアルキル基、炭素数1乃至20のアルコキシ基、アリル基、トリメチルシリル基及びトリメチルシリルアリル基よりなる群から選択され、lとkは相互無関係に0または1であり、mは10乃至200の整数である。
前記化学式1において、非置換のフェニレンの例として下記基1、非置換ナフタレン由来の2価の基の例として下記基2、非置換アントラセン由来の2価の基の例として下記基3、非置換ジフェニルアントラセンの由来の2価の基、非置換フェナントレン由来の2価の基の例として下記基5、非置換インデン由来の2価の基の例として下記基6、非置換アセナフテン由来の2価の基の例として下記基7、非置換ビフェニル由来の2価の基の例として下記基8、非置換フルオレン由来の2価の基の例として下記基9、非置換カルバゾール由来の2価の基の例として下記基10、非置換チオフェン由来の2価の基の例として下記基11、非置換ピリジン由来の2価の基の例として下記基12、非置換オキサジアゾール由来の2価の基の例として下記基13、非置換オキサゾール由来の2価の基の例として下記基14、非置換トリアゾール由来の2価の基の例として下記基15、非置換ベンゾチオフェン由来の2価の基の例として下記基16、非置換ジベンゾフラン由来の2価の基の例として下記基17、非置換チアジアゾール由来の2価の基の例として下記基18で表される。
前記化学式1において、置換されたフェニレンの例としては下記基51、下記基52、下記基53、下記基54があり、置換されたナフタリンの例としては下記基55、下記基56があり、置換されたアントラセンの例としては下記基57があり、置換されたジフェニルアントラセンの例としては下記基58があり、置換されたフェナントレンの例としては下記基59があり、置換されたインデンの例としては下記基60があり、置換されたアセナフテンの例としては下記基61があり、置換されたビフェニルの例としては下記化26で表される基、下記基62、下記基63があり、置換されたフルオレンの例としては下記化29で表される基、下記基64、下記基65、下記基66、下記基67、下記基68、下記基69、下記基70、下記基71、下記基72、下記基73、下記基74、下記基75があり、置換されたカルバゾールの例としては下記基76があり、置換されたチオフェンの例としては下記基77があり、置換されたピリジンの例としては下記基78があり、置換されたオキサジアゾールの例としてはフェニルオキサジアゾール、ジフェニルオキサジアゾールがあり、置換されたオキサゾールの例としては下記基ベンゾオキサゾールがあり、置換されたトリアゾールの例としては下記基2,5−ジフェニル−1−(3−トリフルオロメチルフェニル)トリアゾールがあり、置換されたベンゾチオフェンの例としては下記基83があり、置換されたジベンゾフランの例としては下記基84があり、置換されたチアジアゾールの例としてはフェニルチアジアゾール、ジフェニルチアジアゾールがある。
前記化学式1で表される発光化合物の具体的な例として、前記Ar1及びAr6は単一結合を示し、Ar2が下記構造式で表され、
lとkは1で、Ar4
で表され、
3、R4、R5及びR6は全て水素であり、Ar3、Ar5及びAr7はフェニレン基である化学式2の化合物、前記Ar3は単一結合を示し、lとkは0で、Ar1はビフェニル由来の2価の基であり、Ar2はフェニレン基であり、R3及びR4は水素である化学式3の化合物、前記lとkは1で、Ar1、Ar2、Ar4、Ar6及びAr7はフェニレン基であり、R3、R4、R5及びR6は水素であり、Ar3及びAr5が単一結合を示す化学式4の化合物、前記Ar7が下記構造式で表され、
Ar5は単一結合を示し、Ar1、Ar2、Ar4及びAr6はフェニレン基であり、R3、R4、R5、及びR6は水素であり、lとkは1である化学式5の化合物、または前記Ar1とAr4はフェニレン基であり、Ar2は下記構造式で表され、
Ar3は単一結合を示し、R3、R4、R5及びR6は水素であり、lは1で、kは0である化学式6の化合物がある。
前記式中、m1は10乃至200の整数である。
前記式中、m2は10乃至200の整数である。
前記式中、m3は10乃至200の整数である。
前記式中、m4は10乃至200の整数である。
前記式中、m5は10乃至200の整数である。
特に、化学式6の化合物はAr2であってジヘキシルフルオレン基を有しているが、ジヘキシルフルオレン基は隣接する化合物とのπ−スタックキングを防止する役割をする。このようにπ−スタックキングが妨害されるとエキシトンの相互作用ができなくなる。その結果、発光効率の低下を未然に防げる。
本発明に係る化学式1の化合物はその重量平均分子量が5×103乃至2×105であることが望ましい(Gel Permission Chromatography, GPCで測定)。この範囲内で、化学式1の化合物よりなる膜特性に優れるからである。
以下、本発明に係る有機電子発光素子の製造方法を説明する。
まず、基板の上部にアノード電極用物質をコーティングする。ここで、基板としては通常の有機EL素子で用いられる基板を使用するが、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。そしてアノード電極用物質としては透明で伝導性に優れたITO、SnO2、ZnOなどを使用する。
前記アノード電極の上部にホール輸送層形成用物質をスピンコーティングしてホール輸送層を形成する。このホール輸送層の上部に化学式1の化合物をスピンコーティングして発光層を形成する。この発光層の上部にカソード形成用金属を真空蒸着またはスパッタリングしてカソードを形成することによって有機EL素子が完成される。ここで、カソード形成用金属としてはLi、Mg、Al、Al−Li、Ca、Mg−In、Mg−Agなどが用いられる。
前記発光層の上部にはカソードを形成する前に電子輸送層を形成することもある。この電子輸送層としては通常の電子輸送層形成用物質を使用してもよい。
前記ホール輸送層物質としては特に制限されなく、ポリビニルカルバゾール(PVK)、下記構造式のPDPMAなどが使われる。
本発明の有機電子発光素子はアノード、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードの中から選択された2つの層間に特性向上のための中間層をさらに形成しうる。例えば、アノードとホール輸送層との間にバッファー層をさらに形成しうるが、このようなバッファー層を形成すればアノードとホール輸送層との間の接触抵抗が減少されると同時に、発光層に対したアノードのホール輸送能力が向上されて素子の特性が全般的に改善される効果がある。
前記バッファー層の形成物質としては特に制限されないが、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDT)、ポリアニリンなどを使用する。
有機電子発光素子は、前述したように、アノード/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/カソードの順に製造してもよく、逆に、即ちカソード/電子輸送層/発光層/ホール輸送層/アノードの順に製造してもよい。
図2乃至5は化学式2、3、4及び5で表される化合物の合成経路を示す図面である。以下、図2乃至図5を参照して本発明を実施例に基づき詳しく説明するが、本発明が下記実施例にのみ限定されることではない。
合成例1.化学式2で表される化合物
丸底フラスコに過量のベンゼンとAlCl3を加えた後、氷バスを用いて反応混合物を冷却させた。前記反応混合物に、イソフタロイルジクロライドをベンゼンに溶解させたイソフタロイルジクロライドのベンゼン溶液を加え、反応させて化合物(A)を得た(収率:80%)。前記化合物(A)と4−ブロモベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイドを反応させてウィッティヒ反応(wittig reaction)を実施して化合物(B)を得た(収率:40%)。
4−メトキシフェノールにDMF、2−エチルブロモヘキサン及び炭酸カリウムを加えて混合した後、この反応混合物を24時間還流させた。
前記反応混合物を冷水に入れて沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を濾過及び乾燥して2−(2’−エチルへキシルオキシ)−5−メトキシベンゼン(C)を得た(収率:80%)。
2−(2’−エチルへキシルオキシ)−5−メトキシ−ベンゼン(C)にベンゼンと臭素とを加えて臭素化反応を実施して1,4−ジブロモ−2−(2’−エチルへキシルオキシ)−5−メトキシ−ベンゼン(D)を得た(収率:65%)。
1,4−ジブロモ−2−(2’−エチルへキシルオキシ)−5−メトキシ−ベンゼン(D)にTHFとMgとを加えて1時間還流させ、対応するグリナード試薬(grinard reagent)を作った。このグリナード試薬をトリメトキシホウ酸塩(trimethoxy borate)と反応させて化合物(E)を得た(収率:47%)。
前記化合物(B)と化合物(E)にTHF、2M−K2CO3及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを加えた後、これを24時間反応させて化学式2で表される化合物を得た(収率:85%)。ここでm1は10乃至200であった。
合成例2.化学式3で表される化合物
4−ブロモベンジルブロマイドをベンゼンに溶解した後、ここに1当量のトリフェニルホスフィンを加え12時間還流して4−ブロモベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイドを得た(収率:95%)。
前記4−ブロモベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイドに4−ブロモベンゾフェノンを加えてウィッティヒ反応を実施して化合物(J)を得た(収率:40%)。
3口丸底フラスコに無水ニッケル(II)クロライド、2,2’−ビピリジン、トリフェニルホスフィン及び亜鉛粉末を加えた。反応フラスコにアルゴンガスを略10回繰返してパージした。
次いで、反応混合物に無水DMFを加えた後、反応混合物の温度を50℃に調節した。窒素ガス雰囲気下で反応混合物に化合物(J)を迅速に加えた。反応混合物の温度を90℃に調節した後、24時間攪拌して化学式3で表される化合物を得た(収率:70%)。ここで、m2は10乃至200であった。
合成例3.化学式4で表される化合物
α,α’−ジブロモ−ρ−キシレンをDMFに溶解した後、ここに2当量のトリフェニルホスフィンを加え12時間還流させて化合物(K)を得た(収率:90%)。
前記化合物(K)に2当量の4−ブロモベンゾフェノールを加えてウィッティヒ反応を行って化合物(L)を得た(収率:30%)。
3口丸底フラスコに無水ニッケル(II)クロライド、2,2’−ビピリジン、トリフェニルホスフィン、亜鉛粉末を加えた。反応フラスコにアルゴンガスを略10回繰返してパージした。その後、反応混合物に無水DMFを加えた後、反応混合物の温度を50℃に調節した。窒素ガス雰囲気下で反応混合物に化合物(L)を迅速に加えた。次いで、反応混合物の温度を90℃に調節した後、24時間攪拌して化学式4で表される化合物を得た(収率:70%)。ここで、m3は10乃至200であった。
合成例4.化学式5で表される化合物
4−メトキシフェノールにDMFを加えて溶解した後、2−エチルブロモヘキサンと炭酸カリウムを加えて24時間還流した。
反応混合物を冷水に入れて沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を濾過及び乾燥して化合物(M)を得た(収率:80%)。
前記化合物(M)をベンゼンに溶解した後、ここに2当量の臭素を加えて臭素化反応を実施して化合物(N)を得た(収率:65%)。
前記化合物(N)をTHFに溶解した後、ここにMgを加えて1時間還流させ、対応するグリナード試薬を製造した。このグリナード試薬にトリメチルホウ酸塩を加えて2−(2’−エチルへキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−ベンゼンジホウ酸(O)を得た(収率:47%)。
α,α’−ジブロモ−ρ−キシレンをDMFに溶解した後、ここに2当量のトリフェニルホスフィンを加えて12時間還流して化合物(K)を得た(収率:90%)。
前記化合物(K)に4−ブロモベンゾフェノンを加えてウィッティヒ反応を実施して化合物(L)を製造した(収率:30%)
前記化合物(O)をTHFに溶解した後、ここに化合物(L)、K2CO3(2M水溶液)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを加えて24時間反応させて化学式5で表される化合物を得た(収率:85%)。ここで、m4は10乃至200であった。
実施例1
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に化学式2の化合物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAlとLiとを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例2
化学式2の化合物の代わりに化学式3の化合物を使用して発光層を形成したことを除いては、実施例1と同じ方法で有機電子発光素子を製造した。
実施例3
化学式2の化合物の代わりに化学式4の化合物を使用して発光層を形成したことを除いては、実施例1と同じ方法で有機電子発光素子を製造した。
実施例4
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部にPEDTをスピンコーティングしてバッファー層を400Åの厚さに形成した。
前記バッファー層の上部に化学式3の化合物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAlとLiとを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例5
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に、ポリビニルカルバゾール(PVK)と化学式3の化合物を7:3モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例6
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に、PVKと化学式3の化合物を7:3モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部に化学式7のトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)を真空蒸着して200Åの厚さに電子輸送層を形成した。
前記電子輸送層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例7
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に、PPVをスピンコーティングして400Åの厚さのホール輸送層を形成した。
前記ホール輸送層の上部に、PVKと化学式3の化合物を7:3モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例8
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に、PPVをスピンコーティングして400Åの厚さのホール輸送層を形成した。
前記ホール輸送層の上部に、PVKと化学式3の化合物を7:3モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部に化学式7のAlqを真空蒸着して200Åの厚さに電子輸送層を形成した。
前記電子輸送層の上部に、Al及びLiを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例9
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に、PVKと化学式2の化合物を1:1モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
実施例10
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に、PVKと化学式4の化合物を1:1モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして800Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1200Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
参考例11
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部に化学式6の化合物をスピンコーティングして1100Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1300Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
参考例12
ガラス基板上にITO電極を形成した後、このITO電極の上部にPVKと化学式6の化合物を1:1モル比に混合した後、これをクロロベンゼンに溶解させた組成物をスピンコーティングして1100Åの厚さの発光層を形成した。
前記発光層の上部にAl及びLiを同時に真空蒸着して1300Åの厚さのAl・Li電極を形成することによって有機電子発光素子を製造した。
前記実施例1−10、および参考例11−12によって製造された有機電子発光素子において、発光スペクトルと電圧に応じる電流密度の変化を図6−20に示した。
図6、8、9、11、12、15、17、19及び21は実施例1乃至10、および参考例11−12に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面であり、図7、10、13、14、16、18、20及び22は実施例1、5、6、7、8、9、10、参考例11及び参考例12に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。
図12の(a)は実施例5、(b)は実施例6、(c)は実施例7、(d)は実施例8に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の特性変化を各々示す図面である。
図13の(a)は実施例5、(b)は実施例6に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを各々示す図面である。
図14の(c)は実施例7、(d)は実施例8に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを各々示す図面である。
一方、添付された図6乃至図20に基づき、前記実施例1乃至10、および参考例11−12によって製造された有機電子発光素子において、駆動開始電圧、輝度及びカラー特性を評価して下記表1に示した。
前記表1から、前記実施例1−10、および参考例11−12によって製造された有機電子発光素子は通常の青色発光材料を使用した場合と比較して改善された輝度と駆動電圧の特性として青色または青白色を具現しうることがわかった。
一般の有機電子発光素子の構造を示す図面である。 本発明の化学式2で表される化合物の合成経路を示す図面である。 本発明の化学式3で表される化合物の合成経路を示す図面である。 本発明の化学式4で表される化合物の合成経路を示す図面である。 本発明の化学式5で表される化合物の合成経路を示す図面である。 実施例1に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例1に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 実施例2に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例3に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例5に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 実施例4に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例5、6、7および8に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例5および6に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 実施例7および8に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 実施例9に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例9に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 実施例10に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 実施例10に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 参考例11に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 参考例11に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。 参考例12に係る有機電子発光素子において、電圧に応じる電流密度の変化を示す図面である。 参考例12に係る有機電子発光素子において、発光スペクトルを示す図面である。
符号の説明
11…基板、
12…アノード、
13…ホール輸送層、
14…発光層、
15…電子輸送層、
16…カソード。

Claims (8)

  1. 化学式1で表される発光化合物:
    前記式中、Arは、非置換のフェニレン基および非置換のビフェニリレン基よりなる群から選択され、
    Ar、Ar及びArは相互無関係に、非置換のフェニレン基であり、
    Ar及びAr単結合であり、
    Arは非置換のフェニレン基であり、
    、R、R及びRは相互無関係に水素であり、
    lとkは0であるか、またはlとkは1であり
    mは10乃至200の整数である。
  2. 前記化合物の重量平均分子量が5×10乃至2×10であることを特徴とする請求項1に記載の発光化合物。
  3. 前記化学式1で表される発光化合物は、化学式3または4で表される化合物である、請求項1または2に記載の発光化合物:
    前記式中、mは10乃至200の整数であり、
    前記式中、mは10乃至200の整数である。
  4. 一対の電極間に備えられている有機膜を含む有機電子発光素子において、
    前記有機膜が化学式1で表される発光化合物を含んでいることを特徴とする有機電子発光素子:
    前記式中、Arは、非置換のフェニレン基および非置換のビフェニリレン基よりなる群から選択され、
    Ar、Ar及びArは相互無関係に、非置換のフェニレン基であり、
    Ar及びAr単結合であり、
    Arは非置換のフェニレン基であり、
    、R、R及びRは相互無関係に水素であり、
    lとkは0であるか、またはlとkは1であり、
    mは10乃至200の整数である。
  5. 前記化合物の重量平均分子量が5×10乃至2×10であることを特徴とする請求項に記載の有機電子発光素子。
  6. 前記化学式1で表される発光化合物は、下記化学式3または4で表される化合物である請求項4または5に記載の有機電子発光素子:
    前記式中、mは10乃至200の整数であり、
    前記式中、mは10乃至200の整数である。
  7. 前記有機膜が発光層または電子輸送層であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の有機電子発光素子。
  8. 請求項1〜のいずれか1項に記載の発光化合物を発色材料として用いることを特徴とする表示素子。
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